飞思卡尔半导体公司
‘
技术参数
文档编号： MRF6VP41KH
第0版， 1/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
主要用于脉冲宽带应用频率高达设计
450兆赫。设备是无与伦比的，并适合于工业用途，
医疗和科学应用。
在450 MHz的典型脉冲性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 150毫安，
P
OUT
= 1000瓦峰值，脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 64 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 450兆赫， 1000瓦峰值
动力
特点
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
优良的热稳定性
专为推 - 拉运
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF6VP41KHR6
MRF6VP41KHSR6
10 - 450兆赫， 1000 W， 50 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 375D - 05 ，风格1
NI - 1230
MRF6VP41KHR6
CASE 375E - 04 ，风格1
NI - 1230年代
MRF6VP41KHSR6
部分PUSH - PULL
RF
INA
/V
GSA
3
1 RF
OUTA
/V
DSA
RF
INB
/V
GSB
4
2 RF
OUTB
/V
DSB
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +110
- 6, +10
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 1000瓦脉冲， 100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.03
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(3)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 300毫安， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(3)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1600
μAdc ）
门静态电压
(4)
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 150 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(3)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4 ADC）
动态特性
(3)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
3.3
147
506
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
1.5
—
1.68
2.2
0.28
3
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
100
5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(4)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 1000瓦峰值（ 200瓦平均） ， F = 450兆赫，
100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
IRL
19
60
—
20
64
- 18
22
—
-9
dB
%
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
3.设备的每一侧分别测得。
4.测量取得与设备推 - 拉配置。
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
BIAS
+
C1
COAX1
Z8
Z2
RF
输入Z1
Z3
C6
Z9
C21
COAX2
Z15
L2
L4
B2
V
BIAS
+
C11
Z1
Z2*, Z3*
Z4*, Z5*
Z6, Z7
Z8*, Z9*
Z10, Z11
Z12, Z13
C12
C13
C14
Z14*, Z15*
Z16, Z17
Z18, Z19
Z20, Z21, Z22, Z23
Z24
PCB
C31
C32
C33
C34
C20
C5
C7
C8
Z5
C9
Z7
C10 DUT
Z11
Z13
C15
C16
C17
C18
C19
Z4
Z6
Z10
Z12
C2
C3
C4
L1
L3
Z14
Z16
Z18
Z20
Z22
C22
C23
C25
C26
C27
C28
+
C29
+
C30
V
供应
COAX3
RF
产量
Z24
C24
Z17
Z19
Z21
Z23
COAX4
+
C35
+
C36
V
供应
0.366 “× 0.082 ”微带
0.170 “× 0.100 ”微带
0.220 “× 0.451 ”微带
0.117 “× 0.726 ”微带
0.792 “× 0.058 ”微带
0.316 “× 0.726 ”微带
0.262 “× 0.507 ”微带
0.764 “× 0.150 ”微带
0.290 “× 0.430 ”微带
0.100 “× 0.430 ”微带
0.080 “× 0.430 ”微带
0.257 “× 0.215 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
*线路长度包括微带弯曲
图2. MRF6VP41KHR6测试电路原理图
表5. MRF6VP41KHR6测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C11
C2, C12, C28, C34
C3, C13, C27, C33
C4, C14
C5, C6, C8, C15
C7, C10
C9
C16
C17
C18
C19
C20, C21, C22, C23,
C25, C32
C24
C26, C31
C29, C30, C35, C36
COAX1 ，2， 3， 4
L1, L2
L3, L4
描述
47
Ω,
100 MHz的短铁氧体磁珠
47
μF,
50 V电解电容器
0.1
μF
贴片电容
220 nF的， 50 V贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
27 pF的贴片电容
0.8 - 8.0 pF的可变电容器
33 pF的贴片电容
12 pF的电容芯片
10 pF的贴片电容
9.1 pF的贴片电容
8.2 pF的电容芯片
240 pF的贴片电容
5.6 pF的电容芯片
2.2
μF,
100 V贴片电容
330
μF,
63 V电解电容器
25
Ω
半刚性同轴电缆， 2.2 “长
2.5 nH的，1匝电感器
43 nH的，10转电感器
产品型号
2743019447
476KXM063M
CDR33BX104AKYS
C1812C224K5RAC
C1825C225J5RAC
ATC100B270JT500XT
27291SL
ATC100B330JT500XT
ATC100B120JT500XT
ATC100B100JT500XT
ATC100B9R1CT500XT
ATC100B8R2CT500XT
ATC100B241JT200XT
ATC100B5R6CT500XT
2225X7R225KT3AB
EMVY630GTR331MMH0S
UT - 141C- 25
A01TKLC
B10TJLC
生产厂家
博览会 - 爱色丽
伊利诺伊州
基美
基美
基美
ATC
约翰森组件
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
MULTICOMP
微 - 同轴电缆
Coilcraft公司
Coilcraft公司
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C29
C1
B1
C2 C3
C4
MRF6VP41KH
第1版
C27
C28
C30
C25
L1
C26
COAX3
COAX1
L3
C5 C7
C8 C9
C10
C23
C18 C19
C16
切出区
C15
C22
C6
C17
C20
C21 C24
COAX2
L2
C32
L4
COAX4
C31
C35
B2 C12
C11
C13
C14
C33
C36
C34
图3. MRF6VP41KHR6测试电路元件布局
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
1000
C
国际空间站
T
J
= 200°C
C，电容（pF ）
C
OSS
100
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
T
J
= 175°C
T
J
= 150°C
10
100
10
C
RSS
T
C
= 25°C
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（伏）
1
1
10
V
DS
，漏源极电压（伏）
100
200
图4.电容与漏 - 源极电压
21
20
G
ps
，功率增益（分贝）
19
18
17
16
15
14
13
1
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
η
D
V
DD
= 50伏直流
I
DQ
= 150毫安
F = 450 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
G
ps
80
70
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
60
50
40
30
20
10
0
1000 2000
P
OUT
，输出功率（dBm ）
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
34
35
图5.直流安全工作区
P3dB = 60.70 dBm的（ 1174.89 W）
理想
的P1dB = 60.33 dBm的（ 1078.94 W）
实际
V
DD
= 50伏直流
I
DQ
= 150毫安
F = 450 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
36
37
38
39
40
41
42
43
44
P
in
输入功率（dBm ）脉冲
图6.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
23
I
DQ
= 6000毫安
22
G
ps
，功率增益（分贝）
21
20
19
375毫安
18
17
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
1000
2000
150毫安
V
DD
= 50伏直流
F = 450 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
1500毫安
750毫安
G
ps
，功率增益（分贝）
3600毫安
20
22
图7.脉冲输出功率与
输入功率
18
50 V
45 V
16
35 V
V
DD
= 30 V
14
I
DQ
= 150伏， F = 450 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
40 V
12
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
图8.脉冲功率增益与
输出功率
图9.脉冲功率增益与
输出功率
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6VP41KH
第3版， 11/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
主要用于脉冲宽带应用频率高达设计
450兆赫。设备是无与伦比的，并适合于工业用途，
医疗和科学应用。
在450 MHz的典型脉冲性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 150毫安，
P
OUT
= 1000瓦峰值（ 200瓦平均） ，脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 64 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 450兆赫， 1000瓦峰值
动力
特点
CW作战能力与充足的水冷散热系统
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
优良的热稳定性
专为推 - 拉运
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF6VP41KHR6
MRF6VP41KHSR6
10 - 450兆赫， 1000 W， 50 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 375D - 05 ，风格1
NI - 1230
MRF6VP41KHR6
CASE 375E - 04 ，风格1
NI - 1230年代
MRF6VP41KHSR6
部分PUSH - PULL
RF
INA
/V
GSA
3
1 RF
OUTA
/V
DSA
RF
INB
/V
GSB
4
2 RF
OUTB
/V
DSB
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
CW操作@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
CW
价值
- 0.5, +110
- 6, +10
- 65 + 150
150
200
1176
5.5
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
W
W / ℃，
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 1000瓦脉冲， 100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比， 450兆赫
外壳温度81 ° C， 1000瓦CW ， 352.2兆赫
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.03
0.16
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(3)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 300毫安， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(3)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1600
μAdc ）
门静态电压
(4)
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 150 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(3)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4 ADC）
动态特性
(3)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
3.3
147
506
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
1.5
—
1.68
2.2
0.28
3
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
100
5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(4)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 1000瓦峰值（ 200瓦平均） ， F = 450兆赫，
100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
IRL
19
60
—
20
64
- 18
22
—
-9
dB
%
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
3.设备的每一侧分别测得。
4.测量取得与设备推 - 拉配置。
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
BIAS
+
C1
COAX1
Z8
Z2
RF
输入Z1
Z3
C6
Z9
C21
COAX2
Z15
L2
L4
B2
V
BIAS
+
C11
Z1
Z2*, Z3*
Z4*, Z5*
Z6, Z7
Z8*, Z9*
Z10, Z11
Z12, Z13
C12
C13
C14
Z14*, Z15*
Z16, Z17
Z18, Z19
Z20, Z21, Z22, Z23
Z24
PCB
C31
C32
C33
C34
C20
C5
C7
C8
Z5
C9
Z7
C10 DUT
Z11
Z13
C15
C16
C17
C18
C19
Z4
Z6
Z10
Z12
C2
C3
C4
L1
L3
Z14
Z16
Z18
Z20
Z22
C22
C23
C25
C26
C27
C28
+
C29
+
C30
V
供应
COAX3
RF
产量
Z24
C24
Z17
Z19
Z21
Z23
COAX4
+
C35
+
C36
V
供应
0.366 “× 0.082 ”微带
0.170 “× 0.100 ”微带
0.220 “× 0.451 ”微带
0.117 “× 0.726 ”微带
0.792 “× 0.058 ”微带
0.316 “× 0.726 ”微带
0.262 “× 0.507 ”微带
0.764 “× 0.150 ”微带
0.290 “× 0.430 ”微带
0.100 “× 0.430 ”微带
0.080 “× 0.430 ”微带
0.257 “× 0.215 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
*线路长度包括微带弯曲
图2. MRF6VP41KHR6测试电路原理图
表5. MRF6VP41KHR6测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C11
C2, C12, C28, C34
C3, C13, C27, C33
C4, C14
C5, C6, C8, C15
C7, C10
C9
C16
C17
C18
C19
C20, C21, C22, C23,
C25, C32
C24
C26, C31
C29, C30, C35, C36
COAX1 ，2， 3， 4
L1, L2
L3, L4
描述
47
Ω,
100 MHz的短铁氧体磁珠
47
μF,
50 V电解电容器
0.1
μF
贴片电容
220 nF的， 50 V贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
27 pF的贴片电容
0.8 - 8.0 pF的可变电容器
33 pF的贴片电容
12 pF的电容芯片
10 pF的贴片电容
9.1 pF的贴片电容
8.2 pF的电容芯片
240 pF的贴片电容
5.6 pF的电容芯片
2.2
μF,
100 V贴片电容
330
μF,
63 V电解电容器
25
Ω
半刚性同轴电缆， 2.2 “长
2.5 nH的，1匝电感器
43 nH的，10转电感器
产品型号
2743019447
476KXM063M
CDR33BX104AKYS
C1812C224K5RAC
C1825C225J5RAC
ATC100B270JT500XT
27291SL
ATC100B330JT500XT
ATC100B120JT500XT
ATC100B100JT500XT
ATC100B9R1CT500XT
ATC100B8R2CT500XT
ATC100B241JT200XT
ATC100B5R6CT500XT
2225X7R225KT3AB
EMVY630GTR331MMH0S
UT - 141C- 25
A01TKLC
B10TJLC
生产厂家
博览会 - 爱色丽
伊利诺伊州
基美
基美
基美
ATC
约翰森组件
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
MULTICOMP
微 - 同轴电缆
Coilcraft公司
Coilcraft公司
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C29
C1
B1
C2 C3
C4
MRF6VP41KH
第1版
C27
C28
C30
C25
L1
C26
COAX3
COAX1
L3
C5 C7
C8 C9
C10
C23
C18 C19
C16
切出区
C15
C22
C6
C17
C20
C21 C24
COAX2
L2
C32
L4
COAX4
C31
C35
B2 C12
C11
C13
C14
C33
C36
C34
图3. MRF6VP41KHR6测试电路元件布局
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
1000
C
国际空间站
C
OSS
100
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
100
C，电容（pF ）
T
J
= 200°C
T
J
= 175°C
10
T
J
= 150°C
10
C
RSS
T
C
= 25°C
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（伏）
1
1
10
V
DS
，漏源极电压（伏）
100
注意：
设备的每一侧分别测得。
图4.电容与漏 - 源极电压
21
20
G
ps
，功率增益（分贝）
19
18
17
16
15
14
13
1
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
η
D
V
DD
= 50伏直流
I
DQ
= 150毫安
F = 450 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
G
ps
80
70
η
D,
排水 FFI效率（ ％ ）
60
50
40
30
20
10
0
1000 2000
P
OUT
，输出功率（dBm ）
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
34
注意：
设备的每一侧分别测得。
图5.直流安全工作区
P3dB = 60.70 dBm的（ 1174.89 W）
理想
的P1dB = 60.33 dBm的（ 1078.94 W）
实际
V
DD
= 50伏直流
I
DQ
= 150毫安
F = 450 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
P
in
输入功率（dBm ）脉冲
图6.脉冲功率增益和漏极效率
与输出功率
23
I
DQ
= 6000毫安
22
G
ps
，功率增益（分贝）
21
20
19
375毫安
18
17
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
1000
2000
150毫安
V
DD
= 50伏直流
F = 450 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
1500毫安
750毫安
G
ps
，功率增益（分贝）
3600毫安
20
22
图7.脉冲输出功率与
输入功率
18
50 V
45 V
16
35 V
V
DD
= 30 V
14
I
DQ
= 150伏， F = 450 MHz的
脉冲宽度= 100
微秒
占空比= 20 ％
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
40 V
12
P
OUT
，输出功率（瓦）脉冲
图8.脉冲功率增益与
输出功率
图9.脉冲功率增益与
输出功率
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6VP41KH
牧师6 ， 4/2012
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为脉冲和连续波宽带应用频率高达
500兆赫。设备是无与伦比的，并适合于工业用途，
医疗和科学应用。
在450 MHz的典型的脉冲性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 150毫安，
P
OUT
= 1000瓦峰值（ 200瓦平均） ，脉冲宽度= 100
微秒，
占空比= 20 ％
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 64 ％
能够处理10 ： 1 VSWR @ 50伏直流电， 450兆赫， 1000瓦峰值
动力
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
CW作战能力具有足够的冷却
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
专为推 - 拉运
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
对于R5磁带和卷轴选项，请参见p 。 17 。
MRF6VP41KHR6
MRF6VP41KHSR6
10-
-500兆赫， 1000 W， 50 V
横向N-
声道
宽带
RF功率MOSFET
CASE 375D-
-05 ，风格1
NI-
-1230
MRF6VP41KHR6
CASE 375E-
-04 ，风格1
NI-
-1230S
MRF6VP41KHSR6
部分推挽
-PULL
RF
INA
/V
GSA
3
1 RF
OUTA
/V
DSA
RF
INB
/V
GSB
4
2 RF
OUTB
/V
DSB
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
器件总功耗@ T
C
只= 25 ° C， CW
(3)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
P
D
价值
--0.5, +110
--6, +10
- 65 + 150
150
225
1333
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.参考图。 12 ，瞬态热阻抗，信息来计算脉冲工作的价值。
飞思卡尔半导体公司， 2008--2010 ， 2012年保留所有权利。
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
脉：
外壳温度80 ° C， 1000瓦峰值， 100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比，
450兆赫
(3)
热阻，结到外壳
CW ：
外壳温度84 ° C， 1000瓦CW ， 352.2兆赫
符号
Z
θJC
价值
(1,2)
0.03
单位
° C / W
R
θJC
0.15
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 ，通过2000伏
A，通过125 V
四，通过2000伏
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(4)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 300毫安， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(4)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1600
μAdc ）
门静态电压
(5)
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 150 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(4)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4 ADC）
动态特性
(4)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
3.3
147
506
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
1.5
—
1.68
2.2
0.28
3
3.5
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
100
5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(5)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 1000瓦峰值（ 200瓦平均） ， F = 450兆赫，
100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
IRL
19
60
—
20
64
--18
22
—
--9
dB
%
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
3.参考图。 12 ，瞬态热阻抗，其他脉冲条件。
4.设备的每一侧分别测得。
5.测量与制作设备推 - 拉配置。
（续）
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
符号
G
ps
η
D
IRL
民
—
—
—
典型值
20.1
67
--10.2
最大
—
—
—
单位
dB
%
dB
典型表现 - 352.2兆赫
（飞思卡尔352.2 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 1000瓦CW
典型性能 - 500 MHz的
（飞思卡尔500MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 1000瓦峰值
（ 200瓦平均） ， F = 500兆赫， 100
微秒
脉冲宽度， 20 ％占空比
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
IRL
—
—
—
19.5
66
--23
—
—
—
dB
%
dB
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
V
BIAS
B1
+
C1
C2
C3
C4
L1
Z12
L3
Z14
Z16
Z18
Z20
Z22
C22
C23
C25
C26
C27
C28
+
C29
+
C30
V
供应
COAX1
COAX3
Z8
Z2
RF
输入Z1
Z3
C6
Z9
COAX2
B2
+
C11
Z1
Z2*, Z3*
Z4*, Z5*
Z6, Z7
Z8*, Z9*
Z10, Z11
Z12, Z13
C12
C13
C14
C5
C7
C8
Z5
Z7
C9
DUT
C10
Z11
Z4
Z6
Z10
RF
产量
Z24
C15
C16
C17
C18
C19
C24
Z13
Z17
Z19
Z21
Z23
C21
Z15
L2
L4
C20
COAX4
V
BIAS
+
C31
C32
C33
C34
C35
+
C36
V
供应
0.366 “× 0.082 ”微带
0.170 “× 0.100 ”微带
0.220 “× 0.451 ”微带
0.117 “× 0.726 ”微带
0.792 “× 0.058 ”微带
0.316 “× 0.726 ”微带
0.262 “× 0.507 ”微带
Z14*, Z15*
Z16, Z17
Z18, Z19
Z20, Z21, Z22, Z23
Z24
PCB
0.764 “× 0.150 ”微带
0.290 “× 0.430 ”微带
0.100 “× 0.430 ”微带
0.080 “× 0.430 ”微带
0.257 “× 0.215 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300--55--22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
*线路长度包括微带弯曲
图2. MRF6VP41KHR6 （ HSR6 ）脉冲测试电路原理图 - 450兆赫
表5. MRF6VP41KHR6 （ HSR6 ）脉冲测试电路元件牌号和值 - 450兆赫
部分
B1, B2
C1, C11
C2, C12, C28, C34
C3, C13, C27, C33
C4, C14
C5, C6, C8, C15
C7, C10
C9
C16
C17
C18
C19
C20, C21, C22, C23,
C25, C32
C24
C26, C31
C29, C30, C35, C36
COAX1 ， 2，3， 4
L1, L2
L3, L4
描述
47
,
100 MHz的短铁氧体磁珠
47
μF,
50 V电解电容器
0.1
μF
贴片电容
220 nF的， 50 V贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
27 pF的贴片电容
0.8--8.0 pF的可变电容器
33 pF的贴片电容
12 pF的电容芯片
10 pF的贴片电容
9.1 pF的贴片电容
8.2 pF的电容芯片
240 pF的贴片电容
5.6 pF的电容芯片
2.2
μF,
100 V贴片电容
330
μF,
63 V电解电容器
25
半刚性同轴电缆， 2.2盾长度
2.5 nH的，1匝电感器
43 nH的，10转电感器
产品型号
2743019447
476KXM063M
CDR33BX104AKYS
C1812C224K5RAC
C1825C225J5RAC
ATC100B270JT500XT
27291SL
ATC100B330JT500XT
ATC100B120JT500XT
ATC100B100JT500XT
ATC100B9R1CT500XT
ATC100B8R2CT500XT
ATC100B241JT200XT
ATC100B5R6CT500XT
2225X7R225KT3AB
EMVY630GTR331MMH0S
UT--141C--25
A01TKLC
B10TJLC
生产厂家
博览会 - 爱色丽
伊利诺伊州
基美
基美
基美
ATC
约翰森组件
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
日本贵弥功 - 精读
微 - 同轴电缆
Coilcraft公司
Coilcraft公司
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C29
C1
B1
C2 C3
C4
C27
MRF6VP41KH
第1版
C25
COAX1
L1
L3
C28
C30
C26
COAX3
C5 C7
C10
C8 C9
C15
C23
C18 C19
C16
切出区
C17
C22
C6
C20
C21 C24
COAX2
L2
C32
L4
COAX4
C31
C35
C11
B2 C12
C14
C33
C36
C13
C34
图3. MRF6VP41KHR6 （ HSR6 ）脉冲测试电路元件布局 - 450兆赫
MRF6VP41KHR6 MRF6VP41KHSR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
