飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6VP121KH
第2版， 2009年12月
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
射频功率晶体管设计的频率运行的应用程序
之间965和1215兆赫。这些设备适合于使用脉冲
应用程序。
典型的脉冲性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
=
1000瓦峰值（ 100瓦平均） ， F = 1030兆赫，脉冲宽度= 128
微秒，
占空比= 10 ％
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 56 ％
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 1030兆赫， 1000瓦峰值
动力
特点
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
内部匹配的易用性
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
专为推挽操作
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF6VP121KHR6
MRF6VP121KHSR6
965-1215兆赫， 1000 W， 50 V
横向N沟道
宽带
RF功率MOSFET
CASE 375D -05 ，风格1
NI-1230
MRF6VP121KHR6
CASE 375E -04 ，风格1
NI-1230S
MRF6VP121KHSR6
部分PUSH - PULL
RF
INA
/V
GSA
3
1 RF
OUTA
/V
DSA
RF
INB
/V
GSB
4
2 RF
OUTB
/V
DSB
（ TOP VIEW ）
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
-0.5, +110
-6.0, +10
-65到+150
150
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
飞思卡尔半导体公司， 2009年。保留所有权利。
MRF6VP121KHR6 MRF6VP121KHSR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度67 ° C， 1000瓦脉冲， 128
微秒
脉冲宽度，占空比为10％ ，
50伏直流电，我
DQ
= 150毫安
外壳温度62 ° C， S模式脉冲串，脉冲80 32
微秒
上， 18
微秒
关，重复每40毫秒， 6.4 ％占空比， 50伏直流电，我
DQ
= 150毫安
符号
Z
θJC
0.02
0.07
价值
(1,2)
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22- A114 ）
机器型号（按照EIA / JESD22- A115 ）
充电器型号（每JESD22- C101 ）
类
1B （最低）
B（最低）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(3)
栅极 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
为165 mA）的
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(3)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1000
μAdc ）
门静态电压
(4)
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 150 MADC ，测量功能测试）
漏源电压
(3)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.7 ADC）
动态特性
(3)
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.27
86.7
539
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
0.9
1.5
—
1.6
2.2
0.15
2.4
3
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
10
100
μAdc
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(4)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 1000瓦峰值（ 100瓦平均） ，
F = 1030兆赫， 128
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
IRL
19
54
—
20
56
-23
22
—
-9
dB
%
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
3.设备的每一侧分别测得。
4.测量与设备推挽式结构制成。
（续）
MRF6VP121KHR6 MRF6VP121KHSR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
脉冲射频性能 - 785 MHz的
（飞思卡尔在785 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 1000 W
峰（ 100瓦平均） ， F = 785兆赫， 128
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
IRL
—
—
—
18.9
57.8
-16.6
—
—
—
dB
%
dB
脉冲射频性能 - 1030兆赫
（在飞思卡尔1030 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 1000 W
峰（ 100瓦平均） ， F = 1030兆赫， S模式脉冲串， 80脉冲32
微秒
上， 18
微秒
关，重复每40毫秒， 6.4 ％，整体关税
周期
功率增益
漏EF网络效率
突发下垂
G
ps
η
D
BD
rp
—
—
—
19.8
59.0
0.21
—
—
—
dB
%
dB
脉冲射频性能 - 1090兆赫
（飞思卡尔在1090 MHz的测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 1000 W
峰（ 100瓦平均） ， F = 1090兆赫， 128
微秒
脉冲宽度，占空比为10％
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
G
ps
η
D
IRL
—
—
—
21.4
56.3
-25.3
—
—
—
dB
%
dB
MRF6VP121KHR6 MRF6VP121KHSR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
V
BIAS
+
C1
C2
C3
C4
L1
平衡 - 不平衡变压器1
R1
Z11
Z3
Z5
Z7
Z9
C13
Z13
Z15
Z17
Z19 Z21
C17
C18
C21
C22
+
C23
+
C24
V
供应
RF
输入Z1
Z2
C10
Z4
C11
R2
C14
Z6
Z8
C12
Z10
DUT
C15
C16
RF
产量
Z23
C9
Z12
Z14
Z16
Z18
Z20 Z22
C19
L2
C20
平衡 - 不平衡变压器2
V
BIAS
+
C5
C6
C7
C8
+
C25
C26
C27
+
C28
V
供应
Z1
Z2
Z3, Z4
Z5, Z6
Z7, Z8
Z9, Z10
Z11, Z12
0.140″ x 0.083″
0.300″ x 0.083″
0.746″ x 0.220″
0.075″ x 0.631″
0.329″ x 0.631″
0.326″ x 0.631″
0.240″ x 0.631″
Z13, Z14
Z15, Z16
Z17, Z18
Z19, Z20
Z21, Z22
Z23
PCB
0.143″ x 0.631″
0.135″ x 0.631″
0.102″ x 0.632″
0.130″ x 0.631″
0.736″ x 0.215″
0.410″ x 0.083″
阿尔隆CuClad 250GX - 0300-55-22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图2. MRF6VP121KHR6 （ HSR6 ）测试电路原理图
表5. MRF6VP121KHR6 （ HSR6 ）测试电路元件牌号和值
部分
平衡 - 不平衡变压器1 ， 2
C1, C5
C2, C6
C3, C7
C4, C8, C10, C11, C17,
C18, C19, C20, C21, C25
C9
C12, C16
C13, C14, C15
C22, C26
C23, C24, C27, C28
L1, L2
R1, R2
平衡 - 不平衡变压器安伦
22
μF,
25 V钽电容器
2.2
μF,
50 V贴片电容
0.22
μF,
100 V贴片电容
36 pF的贴片电容
1.0 pF的贴片电容
0.8-8.0 pF的可变电容器
5.1 pF的贴片电容
0.022
μF,
100 V贴片电容
470
μF,
63 V电解电容器
电感器3将
1000
Ω,
1/4 W贴片电阻
描述
3A412
TPSD226M025R
C1825C225J5RAC
C1210C224K1RAC
ATC100B360JT500XT
ATC100B1R0CT500XT
27291SL
ATC100B5R1CT500XT
C1825C223K1GAC
MCGPR63V477M13X26-RH
GA3094-AL
CRCW12061001FKEA
生产厂家
产品型号
安伦
AVX
基美
基美
ATC
ATC
约翰森
ATC
基美
MULTICOMP
Coilcraft公司
日前，Vishay
MRF6VP121KHR6 MRF6VP121KHSR6
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C24
C1
C3
C2
C4
平衡 - 不平衡变压器1
MRF6VP121KH
第2版
C22
C21
C23
-
平衡 - 不平衡变压器2
R1
C12
C13
L1
C10
C11
C15
切出区
C16
C17
C18
C19
C20
C9
R2
C8
C6
C7
C14
L2
C25
C26
C5
C27
-
图3. MRF6VP121KHR6 （ HSR6 ）测试电路元件布局
C28
MRF6VP121KHR6 MRF6VP121KHSR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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