飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V4300N
第0版， 7/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
信号输出和驱动器应用 - 主要用于CW大设计
频率高达600 MHz 。设备是无与伦比的，并适用于在使用中
工业，医疗和科学应用。
典型CW性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 900毫安， P
OUT
= 300瓦，
F = 450 MHz的
功率增益 - 22分贝
漏极效率 - 60 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 450兆赫， 300瓦CW
输出功率
特点
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
优良的热稳定性
方便手动增益控制， ALC和调制技术
200℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF6V4300NR1
MRF6V4300NBR1
10 - 600兆赫， 300 W， 50 V
横向N - CHANNEL
单 - 结束
宽带
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
塑料
MRF6V4300NR1
CASE 1484至1404年，风格1
TO - 272 WB - 4
塑料
MRF6V4300NBR1
部分单 - 截至
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +110
- 6.0, +10
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度83 ° C， 300瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1)
0.24
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 150毫安， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 800
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 900 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
2.8
105
304
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
0.9
1.9
—
1.65
2.7
0.25
2.4
3.4
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
50
2.5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 900毫安， P
OUT
= 300 W， F = 450 MHz的CW
G
ps
η
D
IRL
20
58
—
22
60
- 16
24
—
-9
dB
%
dB
1.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注意： MRF6V4300N和MRF6V4300NB高功率器件和特殊注意事项
必须遵循的电路板设计和安装。不正确的安装可能导致内部温度，这
超过允许的最大工作结温。请参阅飞思卡尔应用笔记AN3263
（螺栓向下安装）或AN1907 （回流焊接安装）
启动前系统设计
to
确保这些设备的正确安装。
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B3
V
供应
B1
V
BIAS
+
C1
C7
C4
C8
R1
L4
C13
RF
产量
L2
C9
C5
C2
C12
RF
输入
L1
Z7
Z6
Z8
Z9
C20 Z10
C21
C22 Z11
C25
C26 Z12
C15
Z13
Z1
C11
Z2
Z3
Z4
Z5
C19
C16
C17
C18
DUT
L5
C14
C23
C24
C27
C28
L3
C10
C6
B2
C3
V
供应
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
0.900 “× 0.082 ”微带
0.115 “× 0.170 ”微带
0.260 “× 0.170 ”微带
0.380 “× 0.170 ”微带
0.220 “× 0.220 ”微带
0.290 “× 0.630 ”微带
0.220 “× 0.630 ”微带
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
PCB
0.380 “× 0.220 ”微带
0.040 “× 0.170 ”微带
0.315 “× 0.170 ”微带
0.230 “× 0.170 ”微带
0.390 “× 0.170 ”微带
0.680 “× 0.082 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图2. MRF6V4300NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF6V4300NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2, B3
C1
C2, C3
C4, C5, C6, C7
C8, C9, C10
C11, C12, C13, C14, C15
C16
C17
C18
C19, C20
C21, C22, C23, C24
C25, C26, C27, C28
L1
L2, L3
L4, L5
R1
短式铁氧体磁珠
龙铁氧体磁珠
47
μF,
25 V ，钽电容器
22
μF,
50 V ，贴片电容
1
μF,
100 V，贴片电容
15 NF， 100 V，贴片电容
240 pF的，贴片电容
9.1 pF的，贴片电容
15 pF的，贴片电容
51 pF的，贴片电容
5.6 pF的，贴片电容
4.3 pF的，贴片电容
4.7 pF的，贴片电容
27 nH的电感器
47 nH的电感器
5圈， 18号AWG电感，手上有伤口
10
Ω,
1/4 W，贴片电阻
描述
产品型号
2743019447
2743021447
T491B476M025AT
C5750JF1H226ZT
C3225JB2A105KT
C3225CH2A153JT
ATC100B241JT500XT
ATC100B9R1JT500XT
ATC100B150JT500XT
ATC100B510JT500XT
ATC100B5R6JT500XT
ATC100B4R3JT500XT
ATC100B4R7JT500XT
1812SMS - 27NJLC
1812SMS - 47NJLC
铜线
CRCW120610R1FKEA
日前，Vishay
生产厂家
博览会 - 爱色丽
博览会 - 爱色丽
基美
TDK
TDK
TDK
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
Coilcraft公司
Coilcraft公司
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C7
B1
C4
C8
L2
R1
C12
C13
C20
ATC
B3
C2
C9 C5
L1
C11
切出区
L4
L5
C21 C22 C25 C26
C15
C16
C17
C18
C19
C14
L3
C23 C24 C27 C28
MRF6V4300N/NB
第1版
C10 C6
B2
C3
图3. MRF6V4300NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
1000
C
国际空间站
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
C，电容（pF ）
100
100
C
OSS
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
10
10
C
RSS
T
C
= 25°C
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（伏）
1
1
10
V
DS
，漏源极电压（伏）
100
图4.电容与漏 - 源极电压
10
9
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
漏极电压（伏）
2.25 V
18
10
2.63 V
2.5 V
2.75 V
G
ps
，功率增益（分贝）
V
GS
= 3 V
22
23
图5.直流安全工作区
I
DQ
= 1350毫安
1125毫安
21
900毫安
20
450毫安
19
650毫安
V
DD
= 50伏直流
F = 450 MHz的
100
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
600
图6.直流漏电流与漏极电压
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
10
60
V
DD
= 50伏直流电， F1 = 450兆赫， F2 = 450.1兆赫
双色测量， 100 kHz音调间距
P
OUT
，输出功率（dBm ）
59
58
57
56
55
54
53
52
51
1125毫安
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
600
50
28
图7. CW功率增益与输出功率
IMD ，三阶互调
失真（ DBC）
P3dB = 56.06 dBm的（ 403 W）
理想
的P1dB = 55.15 dBm的（ 327 W）
实际
I
DQ
= 450毫安
650毫安
900毫安
1350毫安
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 900毫安
F = 450 MHz的
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
P
in
输入功率（dBm ）
图8.三阶互调失真
与输出功率
图9. CW输出功率与输入功率
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V4300N
第1版， 10/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
信号输出和驱动器应用 - 主要用于CW大设计
频率高达600 MHz 。设备是无与伦比的，并适用于在使用中
工业，医疗和科学应用。
典型CW性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 900毫安， P
OUT
= 300瓦，
F = 450 MHz的
功率增益 - 22分贝
漏极效率 - 60 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 450兆赫， 300瓦CW
输出功率
特点
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
优良的热稳定性
方便手动增益控制， ALC和调制技术
200℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF6V4300NR1
MRF6V4300NBR1
10 - 600兆赫， 300 W， 50 V
横向N - CHANNEL
单 - 结束
宽带
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
塑料
MRF6V4300NR1
CASE 1484至1404年，风格1
TO - 272 WB - 4
塑料
MRF6V4300NBR1
部分单 - 截至
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.引脚连接
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +110
- 6.0, +10
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度83 ° C， 300瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.24
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏源击穿电压
(I
D
= 150毫安， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 800
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 900 MADC ，测量功能测试）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
2.8
105
304
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
0.9
1.9
—
1.65
2.7
0.25
2.4
3.4
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
50
2.5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 900毫安， P
OUT
= 300 W， F = 450 MHz的CW
G
ps
η
D
IRL
20
58
—
22
60
- 16
24
—
-9
dB
%
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注意： MRF6V4300N和MRF6V4300NB高功率器件和特殊注意事项
必须遵循的电路板设计和安装。不正确的安装可能导致内部温度，这
超过允许的最大工作结温。请参阅飞思卡尔应用笔记AN3263
（螺栓向下安装）或AN1907 （回流焊接安装）
启动前系统设计
to
确保这些设备的正确安装。
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B3
V
供应
B1
V
BIAS
+
C1
C7
C4
C8
R1
L4
C13
RF
产量
L2
C9
C5
C2
C12
RF
输入
L1
Z7
Z6
Z8
Z9
C20 Z10
C21
C22 Z11
C25
C26 Z12
C15
Z13
Z1
C11
Z2
Z3
Z4
Z5
C19
C16
C17
C18
DUT
L5
C14
C23
C24
C27
C28
L3
C10
C6
B2
C3
V
供应
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
0.900 “× 0.082 ”微带
0.115 “× 0.170 ”微带
0.260 “× 0.170 ”微带
0.380 “× 0.170 ”微带
0.220 “× 0.220 ”微带
0.290 “× 0.630 ”微带
0.220 “× 0.630 ”微带
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
PCB
0.380 “× 0.220 ”微带
0.040 “× 0.170 ”微带
0.315 “× 0.170 ”微带
0.230 “× 0.170 ”微带
0.390 “× 0.170 ”微带
0.680 “× 0.082 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300- 55- 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图2. MRF6V4300NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF6V4300NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2, B3
C1
C2, C3
C4, C5, C6, C7
C8, C9, C10
C11, C12, C13, C14, C15
C16
C17
C18
C19, C20
C21, C22, C23, C24
C25, C26, C27, C28
L1
L2, L3
L4, L5
R1
短式铁氧体磁珠
龙铁氧体磁珠
47
μF,
25 V ，钽电容器
22
μF,
50 V ，贴片电容
1
μF,
100 V，贴片电容
15 NF， 100 V，贴片电容
240 pF的，贴片电容
9.1 pF的，贴片电容
15 pF的，贴片电容
51 pF的，贴片电容
5.6 pF的，贴片电容
4.3 pF的，贴片电容
4.7 pF的，贴片电容
27 nH的电感器
47 nH的电感器
5圈， 18号AWG电感，手上有伤口
10
Ω,
1/4 W，贴片电阻
描述
产品型号
2743019447
2743021447
T491B476M025AT
C5750JF1H226ZT
C3225JB2A105KT
C3225CH2A153JT
ATC100B241JT500XT
ATC100B9R1JT500XT
ATC100B150JT500XT
ATC100B510JT500XT
ATC100B5R6JT500XT
ATC100B4R3JT500XT
ATC100B4R7JT500XT
1812SMS- 27NJLC
1812SMS- 47NJLC
铜线
CRCW120610R1FKEA
日前，Vishay
生产厂家
Fair-仪式
Fair-仪式
基美
TDK
TDK
TDK
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
Coilcraft公司
Coilcraft公司
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C7
B1
C4
C8
L2
R1
C12
C13
C20
ATC
B3
C2
C9 C5
L1
C11
切出区
L4
L5
C21 C22 C25 C26
C15
C16
C17
C18
C19
C14
L3
C23 C24 C27 C28
MRF6V4300N/NB
第1版
C10 C6
B2
C3
图3. MRF6V4300NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
1000
C
国际空间站
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
C，电容（pF ）
100
100
C
OSS
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
10
10
C
RSS
T
C
= 25°C
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏源极电压（伏）
1
1
10
V
DS
，漏源极电压（伏）
100
图4.电容与漏 - 源极电压
10
9
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
漏极电压（伏）
2.25 V
18
10
2.63 V
2.5 V
2.75 V
G
ps
，功率增益（分贝）
V
GS
= 3 V
22
23
图5.直流安全工作区
I
DQ
= 1350毫安
1125毫安
21
900毫安
20
450毫安
19
650毫安
V
DD
= 50伏直流
F = 450 MHz的
100
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
600
图6.直流漏电流与漏极电压
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
10
60
V
DD
= 50伏直流电， F1 = 450兆赫， F2 = 450.1兆赫
双色测量， 100 kHz音调间距
P
OUT
，输出功率（dBm ）
59
58
57
56
55
54
53
52
51
1125毫安
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
600
50
28
图7. CW功率增益与输出功率
P3dB = 56.06 dBm的（ 403 W）
理想
IMD ，三阶互调
失真（ DBC）
的P1dB = 55.15 dBm的（ 327 W）
实际
I
DQ
= 450毫安
650毫安
900毫安
1350毫安
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 900毫安
F = 450 MHz的
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
P
in
输入功率（dBm ）
图8.三阶互调失真
与输出功率
图9. CW输出功率与输入功率
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6V4300N
第3版， 4/2010
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
信号输出和驱动器应用 - 主要用于CW大设计
频率高达600 MHz 。设备是无与伦比的，并适用于在使用中
工业，医疗和科学应用。
典型CW性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 900毫安， P
OUT
= 300瓦，
F = 450 MHz的
功率增益 - 22分贝
漏极效率 - 60 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 450兆赫， 300瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
合格高达50伏的最大
DD
手术
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF6V4300NR1
MRF6V4300NBR1
10-
-600兆赫， 300 W， 50 V
横向N-
声道
单
-ENDED
宽带
RF功率MOSFET
CASE 1486-
-03 ，风格1
TO -
WB- -270
-4
塑料
MRF6V4300NR1
CASE 1484-
-04 ，风格1
TO -
WB- -272
-4
塑料
MRF6V4300NBR1
部分单
-ENDED
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
RF
in
/V
GS
RF
OUT
/V
DS
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
图1.引脚连接
价值
--0.5, +110
--6.0, +10
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
飞思卡尔半导体公司， 2008--2010 。版权所有。
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度83 ° C， 300瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.24
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 150毫安， V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 100伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 800
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 50伏直流，我
D
= 900 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 50伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
2.8
105
304
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
0.9
1.9
—
1.65
2.7
0.25
2.4
3.4
—
VDC
VDC
VDC
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
DSS
—
110
—
—
—
—
—
—
10
—
50
2.5
μAdc
VDC
μAdc
mA
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 900毫安， P
OUT
= 300 W， F = 450 MHz的CW
G
ps
η
D
IRL
20
58
—
22
60
--16
24
—
--9
dB
%
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注意： MRF6V4300N和MRF6V4300NB高功率器件和特殊注意事项
必须遵循的电路板设计和安装。不正确的安装可能导致内部温度，这
超过允许的最大工作结温。请参阅飞思卡尔应用笔记AN3263
（螺栓向下安装）或AN1907 （回流焊接安装）
启动前系统设计
to
确保这些设备的正确安装。
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B3
V
供应
B1
V
BIAS
+
C1
C7
C4
C8
R1
L4
C13
RF
产量
L2
C9
C5
C2
C12
RF
输入
L1
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
C20 Z10
C21
C22 Z11
C25
C26 Z12
C15
Z13
Z1
C11
Z2
Z3
Z4
C19
C16
C17
C18
DUT
L5
C14
L3
C10
C6
B2
C23
C24
C27
C28
C3
V
供应
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
0.900 “× 0.082 ”微带
0.115 “× 0.170 ”微带
0.260 “× 0.170 ”微带
0.380 “× 0.170 ”微带
0.220 “× 0.220 ”微带
0.290 “× 0.630 ”微带
0.220 “× 0.630 ”微带
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
PCB
0.380 “× 0.220 ”微带
0.040 “× 0.170 ”微带
0.315 “× 0.170 ”微带
0.230 “× 0.170 ”微带
0.390 “× 0.170 ”微带
0.680 “× 0.082 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300--55--22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图2. MRF6V4300NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF6V4300NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2, B3
C1
C2, C3
C4, C5, C6, C7
C8, C9, C10
C11, C12, C13, C14, C15
C16
C17
C18
C19, C20
C21, C22, C23, C24
C25, C26, C27, C28
L1
L2, L3
L4, L5
R1
短式铁氧体磁珠
龙铁氧体磁珠
47
μF,
25 V ，钽电容器
22
μF,
50 V ，贴片电容
1
μF,
100 V，贴片电容
15 NF， 100 V，贴片电容
240 pF的，贴片电容
9.1 pF的，贴片电容
15 pF的，贴片电容
51 pF的，贴片电容
5.6 pF的，贴片电容
4.3 pF的，贴片电容
4.7 pF的，贴片电容
27 nH的电感器
47 nH的电感器
5打开， ＃ 18 AWG电感，手上有伤口
10
,
1/4 W，贴片电阻
描述
产品型号
2743019447
2743021447
T491B476M025AT
C5750JF1H226ZT
C3225JB2A105KT
C3225CH2A153JT
ATC100B241JT500XT
ATC100B9R1JT500XT
ATC100B150JT500XT
ATC100B510JT500XT
ATC100B5R6JT500XT
ATC100B4R3JT500XT
ATC100B4R7JT500XT
1812SMS--27NJLC
1812SMS--47NJLC
铜线
CRCW120610R1FKEA
日前，Vishay
生产厂家
博览会 - 爱色丽
博览会 - 爱色丽
基美
TDK
TDK
TDK
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
Coilcraft公司
Coilcraft公司
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C7
B1
C4
C8
L2
R1
C12
C13
C20
L4
C17
切出区
C18
ATC
B3
C2
C9 C5
L1
C11
C16
L5
C21 C22 C25 C26
C15
C19
C14
L3
C23 C24 C27 C28
MRF6V4300N/NB
第1版
C10 C6
B2
C3
图3. MRF6V4300NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
1000
C
国际空间站
C
OSS
测量
±30
MV（ RMS） AC @ 1兆赫
V
GS
= 0伏
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
C，电容（pF ）
100
100
10
10
C
RSS
1
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
1
1
T
C
= 25°C
10
V
DS
，漏 - 源极电压（伏）
100
图4.电容与漏极 -
- 源电压
10
9
I
D
，漏极电流（ AMPS ）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
2.25 V
120
18
10
2.5 V
2.63 V
2.75 V
G
ps
，功率增益（分贝）
V
GS
= 3 V
23
22
21
900毫安
20
19
图5.直流安全工作区
I
DQ
= 1350毫安
1125毫安
450毫安
650毫安
V
DD
= 50伏直流
F = 450 MHz的
100
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
600
漏极电压（伏）
图6.直流漏电流与漏极电压
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
--35
--40
--45
--50
--55
--60
10
60
V
DD
= 50伏直流电， F1 = 450兆赫， F2 = 450.1兆赫
两个 - 音频测量， 100 kHz音调间距
P
OUT
，输出功率（dBm ）
59
58
57
56
55
54
53
52
51
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
600
50
28
图7. CW功率增益与输出功率
理想
P3dB = 56.06 dBm的（ 403 W）
IMD ，三阶互调
失真（ DBC）
的P1dB = 55.15 dBm的（ 327 W）
实际
I
DQ
= 450毫安
650毫安
900毫安
1350毫安
1125毫安
V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 900毫安
F = 450 MHz的
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
P
in
输入功率（dBm ）
图8.三阶互调失真
与输出功率
图9. CW输出功率与输入功率
MRF6V4300NR1 MRF6V4300NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
