飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号：订单从RF营销
牧师6 ， 10/2006
射频功率场 - 效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
主要用于宽带大 - 信号输出和驱动器应用
频率高达450 MHz的。设备是无与伦比的，并适用于
在工业，医疗和科学应用程序使用。
在220 MHz的典型CW性能： V
DD
= 50伏，我
DQ
= 450毫安，
P
OUT
= 150瓦
功率增益 - 25.5分贝
漏极效率 - 69 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 50伏直流电， 210兆赫， 150瓦
输出功率
集成ESD保护
优良的热稳定性
方便手动增益控制， ALC和调制技术
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
MRF6V2150N
MRF6V2150NB
试
10 - 450兆赫， 150 W， 50 V
横向N - CHANNEL
单 - 结束
宽带
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
塑料
MRF6V2300N
CASE 1484至1404年，风格1
TO - 272 WB - 4
塑料
MRF6V2300NB
部分单 - 截至
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
J
价值
- 0.5 +110
- 0.5 + 12
- 65 + 150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度TBD ° C， TBD W CW
外壳温度TBD ° C， TBD W CW
符号
R
θJC
价值
(3)
待定
待定
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。 （计算器时可用的部分是在生产中。 ）
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
本文件包含一个试制产品信息。规格书中信息如有变更，恕不另行通知。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF6V2150N MRF6V2150NB
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
TBD （最低）
TBD （最低）
TBD （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 110伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏）
漏极 - 源极击穿电压
(I
D
= 75 mA时， V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 400
μAdc ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏， F = 1.0兆赫）
输出电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏， F = 1.0兆赫）
输入电容
(V
DS
= 50伏，V
GS
= 0伏， F = 1.0兆赫）
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
（ F = 220兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
1.54
94
163
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
—
—
2.4
0.3
—
—
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
BV
DSS
I
GSS
—
—
110
—
—
—
—
—
10
10
—
10
μAdc
μAdc
VDC
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 50伏直流，我
DQ
= 450毫安，P
OUT
= 150 W， F = 220 MHz的CW
G
ps
η
D
IRL
P1dB
—
—
—
—
25.5
69
- 17
165
—
—
—
—
dB
%
dB
W
注意： MRF6V2150N和MRF6V2150NB高功率器件和特殊注意事项
必须遵循的电路板设计和安装。不正确的安装可能导致内部温度，这
超过允许的最大工作结温。请参阅飞思卡尔应用笔记AN3263
（螺栓向下安装）或AN1907 （回流焊接安装）
启动前系统设计
to
确保这些设备的正确安装。
MRF6V2150N MRF6V2150NB
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
包装尺寸
B
E1
E3
2X
A
栅极引线
漏极引线
D1
4X
D
e
b1
aaa
M
C A
4X
D2
c1
H
DATUM
飞机
小区j
2X
2X
E
F
A1
A2
E2
E5
E4
2X
A
注7：
C
座位
飞机
5脚
注8
注意事项：
1.控制尺寸：英寸。
2. INTERPRET尺寸和公差
按照ASME Y14.5M - 1994 。
3.基准面-H-位于顶部
铅和一致的铅
在其中引线离开塑料主体在
分型线的顶部。
4.尺寸
“ D"
和
“E1"
不包括
模具的突起。 ALLOWABLE PROTRUSION
IS 0.006每边。尺寸
“ D"
和
“E1"
DO
包括不并阻止 -
开采到基准面-H- 。
5. DIMENSION
“b1"
不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.005总数过量
的
“b1"
DIMENSION最大材料
条件。
6.基准-A-和-B-待确定AT
基准面-H- 。
7.维A2服务适用于ZONE
“ J"
只。
8.孵化代表暴露面积
热片。作者：
暗淡
A
A1
A2
D
D1
D2
D3
E
E1
E2
E3
E4
E5
F
b1
c1
e
aaa
英寸
民
最大
.100
.104
.039
.043
.040
.042
.712
.720
.688
.692
.011
.019
.600
.551
.559
.353
.357
.132
.140
.124
.132
.270
.346
.350
0.025 BSC
.164
.170
.007
.011
0.106 BSC
.004
漏
漏
门
门
来源
MILLIMETERS
民
最大
2.54
2.64
0.99
1.09
1.02
1.07
18.08
18.29
17.48
17.58
0.28
0.48
15.24
14
14.2
8.97
9.07
3.35
3.56
3.15
3.35
6.86
8.79
8.89
0.64 BSC
4.17
4.32
0.18
0.28
2.69 BSC
0.10
4
D3
3
MRF6V2150N MRF6V2150NB
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
E5
底部视图
1
2
CASE 1486至1403年
版本C
TO - 270 WB - 4
塑料
MRF6V2150N
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
5.
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