飞思卡尔半导体公司
技术参数
MRF6S9160HR3 / HSR3由MRFE6S9160HR3 / HSR3取代。请参考设备
迁移PCN12895了解更多详情。
文档编号： MRF6S9160H
第2版， 8/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为N - CDMA ， GSM和GSM EDGE基站应用
与频率从865 MHz到960 MHz 。适用于多载波放大器
应用程序。
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 880 MHz的： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1200毫安， P
OUT
。 = 35瓦的魅力， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 13 ）信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 20.9分贝
漏极效率 - 30.5 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 46.8 dBc的30 kHz带宽
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1200毫安，
P
OUT
= 76瓦的魅力，全频段（ 865 - 895兆赫）
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 45 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 66 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 75 dBc的
EVM - 2 ％ RMS
GSM应用
典型的GSM业绩： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1200毫安， P
OUT
=
160瓦，全频波段（ 921 - 960兆赫）
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 58 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 880兆赫， 160瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
MRF6S9160HR3
MRF6S9160HSR3
880兆赫， 35瓦平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF6S9160HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF6S9160HSR3
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度81 ° C，为160W CW
外壳温度73 ° C， 35瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.31
0.33
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2005年至2006年， 2008年。保留所有权利。
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
最后点菜08年4月3日最后一艘船08年10月1日
终身买入
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A （最小值）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
终身买入
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 525
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1200 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.6 ADC）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
0.1
2
3
0.2
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
动态特性
(1)
C
OSS
C
RSS
—
—
80.2
2.2
—
—
pF
pF
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1200毫安， P
OUT
= 35瓦的魅力。 N - CDMA ，
F = 880 MHz的单 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
千赫
抵消。在CCDF PAR = 9.8分贝@ 0.01 ％概率
功率增益
G
ps
η
D
ACPR
IRL
20
29
—
—
20.9
30.5
- 46.8
- 17
23
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
典型的GSM EDGE表演
（飞思卡尔GSM EDGE测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1200毫安，
P
OUT
= 76 W平均， 865 MHz的MHz<Frequency<895
功率增益
漏EF网络效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
η
D
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
20
45
2
- 66
- 75
—
—
—
—
—
dB
%
RMS ％
dBc的
dBc的
典型CW性能
（飞思卡尔GSM测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1200毫安， P
OUT
= 160 W,
921 MHz<Frequency<960兆赫
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
（ F = 940兆赫）
1.部分内部匹配的输入。
G
ps
η
D
IRL
P1dB
—
—
—
—
20
58
- 12
160
—
—
—
—
dB
%
dB
W
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
最后点菜08年4月3日最后一艘船08年10月1日
B2
V
BIAS
+
C16 C17
C18
C19
C7
L1
RF
输入Z1
C1
C3
C4
C6
DUT
C5
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
C8
C10
C11
C12
C13
C14
C15
Z9
Z10
C9
Z11 Z12
Z13
Z14
Z15
Z16 Z17
Z18
C2
Z19
B1
R2
+
L2
R1
C20
C21
C22 C23 C24
V
供应
RF
产量
终身买入
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
0.426″
0.813″
0.471″
0.319″
0.171″
0.200″
0.742″
0.233″
0.128″
0.134″
x 0.080″
x 0.080″
x 0.080″
x 0.220″
x 0.220″
x 0.425″
x 0.630″
x 0.630″
x 0.630″
x 0.630″
微带
微带
微带
微带
微带
X 0.630 “锥
微带
微带
微带
微带
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
Z19
PCB
0.066 “× 0.630 ”微带
0.630 “× 0.425 ”× 0.220 “锥
0.120 “× 0.220 ”微带
0.292 “× 0.220 ”微带
0.023 “× 0.220 ”微带
0.030 “× 0.220 ”微带
0.846 “× 0.080 ”微带
0.440 “× 0.080 ”微带
0.434 “× 0.080 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6S9160HR3 （ SR3 ）测试电路原理图
表5. MRF6S9160HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
描述
铁氧体磁珠，小
47 pF的贴片电容
0.8 - 8.0 pF的可变电容器， Gigatrim
2.7 pF的电容芯片
15 pF的贴片电容
12 pF的贴片电容
4.3 pF的贴片电容
8.2 pF的电容芯片
3.9 pF的贴片电容
0.6 - 4.5 pF的可变电容， Gigatrim
22 pF的贴片电容
1
μF,
50 V钽电容器
20K pF的贴片电容
180 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
470
μF,
63 V电解电容
10 nH的电感器
180
Ω,
1/4 W贴片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447
ATC100B470JT500XT
27291SL
ATC100B2R7JT500XT
ATC100B150JT500XT
ATC100B120JT500XT
ATC100B4R3JT500XT
ATC100B8R2JT500XT
ATC100B3R9JT500XT
27271SL
ATC100B220JT500XT
T491C105K0J0AT
CDR35BP203AKYS
ATC100B181JT500XT
GRM55DR61H106KA88B
EKME630ELL471MK25S
0603HC
CRCW12061800FKEA
CRCW120610R0FKEA
生产厂家
爱色丽博览会
ATC
约翰森
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
约翰森
ATC
Kemit
Kemit
ATC
村田
美贵弥功 - 精读
Coilcraft公司
日前，Vishay
日前，Vishay
B1, B2
C1, C2, C19
C3, C11
C4
C5, C6
C7, C8
C9, C10
C12
C13, C14
C15
C16
C17
C18
C20
C21, C22, C23
C24
L1, L2
R1
R2
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
最后点菜08年4月3日最后一艘船08年10月1日
C16
B1
900兆赫
第2版
C18
R2
B2
C24
C17
C21
C22 C23
R1
C19
C20
L1
C5
C7 C9
L2
C14
C1
切出区
C2
C3
C4
C6
C12 C13
C8 C10 C11
C15
图2. MRF6S9160HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
最后点菜08年4月3日最后一艘船08年10月1日
终身买入
典型特征
20.9
20.6
20.3
G
ps
，功率增益（分贝）
20
19.7
19.4
19.1
18.8
18.5
18.2
17.9
840
850
860
870
880
890
900
910
男，频率（MHz）
ALT1
ACPR
IRL
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 35瓦（平均）。
I
DQ
= 1200毫安，N -CDMA IS- 95 （先导，同步，
寻呼，交通守则8 13 ）
η
D
G
ps
32
η
D
，沥干
效率（％）
28
26
24
40
45
50
55
60
65
920
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
5
8
11
14
17
20
终身买入
图3.单 - 载波N - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 35瓦的魅力。
20.3
20
19.7
G
ps
，功率增益（分贝）
19.4
19.1
18.8
18.5
18.2
17.9
17.6
17.3
840
850
860
870
880
890
900
910
男，频率（MHz）
ALT1
ACPR
IRL
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 70 W（平均）。
I
DQ
= 1200毫安，N -CDMA IS- 95 （先导，同步，
寻呼，交通守则8 13 ）
η
D
G
ps
44
42
40
38
36
30
36
42
48
54
60
920
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
3
6
9
12
15
18
图4.单 - 载波N - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 70瓦的魅力。
23
22
I
DQ
= 1800毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
1500毫安
10
20
30
I
DQ
= 600毫安
40
900毫安
50
60
70
1
10
100
400
1
10
100
400
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
1500毫安
1200毫安
1800毫安
V
DD
= 28伏直流， F1 = 880兆赫， F2 = 880.1兆赫
双色测量， 100 kHz音调间距
G
ps
，功率增益（分贝）
21
20
19
18
17
16
15
600毫安
V
DD
= 28伏直流， F1 = 880兆赫， F2 = 880.1兆赫
双色测量， 100 kHz音调间距
1200毫安
900毫安
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
最后点菜08年4月3日最后一艘船08年10月1日
30
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S9160H
第1版， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为N - CDMA ， GSM和GSM EDGE基站应用
与频率从865 MHz到960 MHz 。适用于多载波放大器
应用程序。
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 880 MHz的： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1200毫安， P
OUT
。 = 35瓦的魅力， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 13 ）信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 20.9分贝
漏极效率 - 30.5 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 46.8 dBc的30 kHz带宽
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1200毫安，
P
OUT
= 76瓦的魅力，全频段（ 865 - 895兆赫）
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 45 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 66 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 75 dBc的
EVM - 2 ％ RMS
GSM应用
典型的GSM业绩： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1200毫安， P
OUT
=
160瓦，全频波段（ 921 - 960兆赫）
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 58 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 880兆赫， 160瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
较低的镀金厚度上信息， 40
μ
″
标称。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S9160HR3
MRF6S9160HSR3
880兆赫， 35瓦平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF6S9160HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF6S9160HSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
565
3.2
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度81 ° C，为160W CW
外壳温度73 ° C， 35瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.31
0.33
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A （最小值）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 525
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1200 MADC ，测量功能测试）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.6 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 8 ADC）
动态特性
(3)
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
OSS
C
RSS
—
—
80.2
2.2
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
1
2
0.1
—
2
3
0.2
9.7
3
4
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1200毫安， P
OUT
= 35瓦的魅力。 N - CDMA ，
F = 880 MHz的单 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
千赫
抵消。在CCDF PAR = 9.8分贝@ 0.01 ％概率
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
ACPR
IRL
20
29
—
—
20.9
30.5
- 46.8
- 17
23
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器来
按产品访问MTTF计算器。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
3.部分内部匹配的输入。
（续）
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的GSM EDGE表演
（飞思卡尔GSM EDGE测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1200毫安，
P
OUT
= 76 W平均， 865 MHz的MHz<Frequency<895
功率增益
漏EF网络效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
η
D
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
20
45
2
- 66
- 75
—
—
—
—
—
dB
%
RMS ％
dBc的
dBc的
典型CW性能
（飞思卡尔GSM测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1200毫安， P
OUT
= 160 W,
921 MHz<Frequency<960兆赫
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
（ F = 940兆赫）
G
ps
η
D
IRL
P1dB
—
—
—
—
20
58
- 12
160
—
—
—
—
dB
%
dB
W
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
B2
V
BIAS
+
C16 C17
C18
C19
C7
L1
RF
输入Z1
C1
C3
C4
C6
DUT
C5
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
C8
C10
C11
C12
C13
C14
C15
Z9
Z10
C9
Z11 Z12
Z13
Z14
Z15
Z16 Z17
Z18
C2
Z19
B1
R2
+
R1
C20 C21
L2
RF
产量
C22 C23 C24
V
供应
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
0.426 “× 0.080 ”微带
0.813 “× 0.080 ”微带
0.471 “× 0.080 ”微带
0.319 “× 0.220 ”微带
0.171 “× 0.220 ”微带
0.200 “× 0.425 ”× 0.630 “锥
0.742 “× 0.630 ”微带
0.233 “× 0.630 ”微带
0.128 “× 0.630 ”微带
0.134 “× 0.630 ”微带
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
Z19
PCB
0.066 “× 0.630 ”微带
0.630 “× 0.425 ”× 0.220 “锥
0.120 “× 0.220 ”微带
0.292 “× 0.220 ”微带
0.023 “× 0.220 ”微带
0.030 “× 0.220 ”微带
0.846 “× 0.080 ”微带
0.440 “× 0.080 ”微带
0.434 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX - 0300- 55- 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6S9160HR3 （ SR3 ）测试电路原理图
表5. MRF6S9160HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2, C19
C3, C11
C4
C5, C6
C7, C8
C9, C10
C12
C13, C14
C15
C16
C17
C18
C20
C21, C22, C23
C24
L1, L2
R1
R2
描述
铁氧体磁珠，小
47 pF的贴片电容
0.8- 8.0 pF的可变电容器， Gigatrim
2.7 pF的电容芯片
15 pF的贴片电容
12 pF的贴片电容
4.3 pF的贴片电容
8.2 pF的电容芯片
3.9 pF的贴片电容
0.6 4.5 pF的可变电容， Gigatrim
22 pF的贴片电容
1
μF,
50 V钽电容器
20K pF的贴片电容
180 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容（ 2220 ）
470
μF,
63 V电解电容
10 nH的电感器
180
Ω
贴片电阻
10
Ω
贴片电阻
产品型号
2743019447
100B470JP500X
27291SL
100B2R7JP500X
100B150JP500X
100B120JP500X
100B4R3JP500X
100B8R2JP500X
100B3R9JP500X
27271SL
100B220JP500X
T491C105K0J0AS
CDR353P203AK0S
100B181JP500X
GRM55DR61H106KA88B
KME63VB471M12x25LL
0603HC
生产厂家
爱色丽博览会
ATC
约翰森
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
约翰森
ATC
Kemit
Kemit
ATC
村田
美贵弥功 - 精读
Coilcraft公司
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C16
B1
900兆赫
第2版
C18
R2
B2
C24
C17
C21
C22 C23
R1
C19
C20
L1
C5
C7 C9
L2
C14
C1
切出区
C2
C3
C4
C6
C12 C13
C8 C10 C11
C15
图2. MRF6S9160HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
