飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S9125
第1版， 7/2005
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率最高到1000 MHz 。高增益和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器
应用28伏基站设备。
N - CDMA的应用
典型的单 - 载波N - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
950毫安，P
OUT
= 27瓦的魅力，全频段（ 865 - 895兆赫） ， IS - 95
CDMA （先导，同步，寻呼，交通守则8 13 ）频道
带宽= 1.2288兆赫。 PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 20.2分贝
漏极效率 - 31 ％
ACPR @ 750 kHz偏置= - 47.1 dBc的@ 30 kHz带宽
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 700毫安，
P
OUT
= 60瓦的魅力，全频波段（ 865 - 895 MHz或
921 - 960兆赫）
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 40 ％ （典型值）
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 63 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 78 dBc的
EVM - 1.5 ％ RMS
GSM应用
典型的GSM业绩： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 700毫安， P
OUT
=
125瓦，全频波段（ 921 - 960兆赫）
功率增益 - 19分贝
漏极效率 - 62 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， @的P1dB输出功率，
@ F = 880 MHz的
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
后缀表示铅 - 免费端接
200℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
MRF6S9125NR1
MRF6S9125NBR1
MRF6S9125MR1
MRF6S9125MBR1
880兆赫， 27瓦平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
塑料
MRF6S9125NR1(MR1)
案例1484年至1402年，风格1
TO - 272 WB - 4
塑料
MRF6S9125NBR1(MBR1)
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
398
2.3
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1 MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 125瓦CW
外壳温度76 ° C， 27瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.44
0.45
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
C（最小值）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 400
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 950 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.74 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 8 ADC）
动态特性
(3)
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
OSS
C
RSS
—
—
60
2
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
1
2
0.05
—
2.1
2.89
0.23
6
3
4
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 950毫安，P
OUT
= 27 W， F = 880 MHz的
功率增益
G
ps
19
20.2
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
η
D
ACPR
IRL
29
—
—
31
- 47.1
- 16
24
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
3.部分是内部的输入匹配。
（续）
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1 MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的GSM EDGE表演
（飞思卡尔GSM EDGE测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 950毫安，
P
OUT
= 60瓦平均， 921 MHz的MHz<Frequency<960
功率增益
漏EF网络效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
η
D
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
20
40
1.5
- 63
- 78
—
—
—
—
—
dB
%
RMS ％
dBc的
dBc的
典型CW性能
（飞思卡尔GSM测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 700毫安， P
OUT
= 125 W,
921 MHz<Frequency<960兆赫
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
（ F = 880兆赫）
G
ps
η
D
IRL
P1dB
—
—
—
—
19
62
- 12
125
—
—
—
—
dB
%
dB
W
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1 MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
V
BIAS
+
C10
RF
输入
C9
+
C8
+
C7
R2
C6
L1
Z1
C1
C2
C3
C5
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
C4
Z8
C11
DUT
C12
C13
C14
Z9
Z10
L2
Z11
Z12
Z13
Z14
C18
C19
+
C20
+
C21
+
C22
V
供应
C23
Z15
Z16
RF
产量
Z17
C17
C15
C16
Z1, Z17
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.200″
1.060″
0.382″
0.108″
0.200″
0.028″
0.236″
0.050″
0.238″
x 0.080″
x 0.080″
x 0.220″
x 0.220″
x 0.420″
x 0.620″
x 0.620″
x 0.620″
x 0.620″
微带
微带
微带
微带
X 0.620 “锥
微带
微带
微带
微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
0.057 “× 0.620 ”微带
0.119 “× 0.620 ”微带
0.450 “× 0.220 ”微带
0.061 “× 0.220 ”微带
0.078 “× 0.220 ”微带
0.692 “× 0.080 ”微带
0.368 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6S9125NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF6S9125NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2
C3, C15
C4, C5
C6, C18, C19
C7, C8
C9, C23
C10
C11, C12
C13, C14
C16
C17
C20, C21
C22
L1
L2
R1
R2
描述
20 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
0.8 - 8.0 pF的可变电容器， Gigatrim
11 pF的贴片电容
0.56
F,
50 V贴片电容
47
F,
16 V钽电容
47 pF的贴片电容
100
F,
50 V电解电容
12 pF的贴片电容
5.1 pF的贴片电容
0.3 pF的贴片电容
39 pF的贴片电容
22
F,
35 V钽电容器
470
F,
63 V电解电容
7.15 nH的电感器
8.0 nH的电感器
15
,
1/4 W贴片电阻（ 1210 ）
560 k,
1/8
W电阻（ 1206 ）
产品型号
600B200FT250XT
600B6R2BT250XT
27291SL
600B110FT250XT
C1825C564J5RAC
593D476X9016D2T
700B470FW500XT
515D107M050BB6A
600B120FT250XT
600B5R1BT250XT
700B0R3BW500XT
700B390FW500XT
T491X226K035AS
SME63V471M12X25LL
1606 - 7J
A03T
ATC
ATC
约翰森
ATC
基美
日前，Vishay
ATC
日前，Vishay
ATC
ATC
ATC
ATC
基美
美贵弥功 - 精读
Coilcraft公司
Coilcraft公司
戴尔/威世
戴尔/威世
生产厂家
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1 MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C8 C7
C9
V
GG
C10
C1
切出区
L1
C2
C5
C3
C6
C19
C20 C21
C22
R2
R1
V
DD
C18
C14
L2
C23
C17
C4
C11
C13
C12
C15
C16
900兆赫
TO272 WB
第0版
图2. MRF6S9125NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路元件布局
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1 MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S9125
第1版， 7/2005
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率最高到1000 MHz 。高增益和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器
应用28伏基站设备。
N - CDMA的应用
典型的单 - 载波N - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
950毫安，P
OUT
= 27瓦的魅力，全频段（ 865 - 895兆赫） ， IS - 95
CDMA （先导，同步，寻呼，交通守则8 13 ）频道
带宽= 1.2288兆赫。 PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 20.2分贝
漏极效率 - 31 ％
ACPR @ 750 kHz偏置= - 47.1 dBc的@ 30 kHz带宽
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 700毫安，
P
OUT
= 60瓦的魅力，全频波段（ 865 - 895 MHz或
921 - 960兆赫）
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 40 ％ （典型值）
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 63 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 78 dBc的
EVM - 1.5 ％ RMS
GSM应用
典型的GSM业绩： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 700毫安， P
OUT
=
125瓦，全频波段（ 921 - 960兆赫）
功率增益 - 19分贝
漏极效率 - 62 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， @的P1dB输出功率，
@ F = 880 MHz的
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
后缀表示铅 - 免费端接
200℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
MRF6S9125NR1
MRF6S9125NBR1
MRF6S9125MR1
MRF6S9125MBR1
880兆赫， 27瓦平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
塑料
MRF6S9125NR1(MR1)
案例1484年至1402年，风格1
TO - 272 WB - 4
塑料
MRF6S9125NBR1(MBR1)
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
398
2.3
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1 MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 125瓦CW
外壳温度76 ° C， 27瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.44
0.45
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
C（最小值）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 400
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 950 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.74 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 8 ADC）
动态特性
(3)
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
OSS
C
RSS
—
—
60
2
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
1
2
0.05
—
2.1
2.89
0.23
6
3
4
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 950毫安，P
OUT
= 27 W， F = 880 MHz的
功率增益
G
ps
19
20.2
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
η
D
ACPR
IRL
29
—
—
31
- 47.1
- 16
24
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
3.部分是内部的输入匹配。
（续）
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1 MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的GSM EDGE表演
（飞思卡尔GSM EDGE测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 950毫安，
P
OUT
= 60瓦平均， 921 MHz的MHz<Frequency<960
功率增益
漏EF网络效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
η
D
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
20
40
1.5
- 63
- 78
—
—
—
—
—
dB
%
RMS ％
dBc的
dBc的
典型CW性能
（飞思卡尔GSM测试夹具， 50
οhm
系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 700毫安， P
OUT
= 125 W,
921 MHz<Frequency<960兆赫
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
（ F = 880兆赫）
G
ps
η
D
IRL
P1dB
—
—
—
—
19
62
- 12
125
—
—
—
—
dB
%
dB
W
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1 MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
V
BIAS
+
C10
RF
输入
C9
+
C8
+
C7
R2
C6
L1
Z1
C1
C2
C3
C5
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
C4
Z8
C11
DUT
C12
C13
C14
Z9
Z10
L2
Z11
Z12
Z13
Z14
C18
C19
+
C20
+
C21
+
C22
V
供应
C23
Z15
Z16
RF
产量
Z17
C17
C15
C16
Z1, Z17
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.200″
1.060″
0.382″
0.108″
0.200″
0.028″
0.236″
0.050″
0.238″
x 0.080″
x 0.080″
x 0.220″
x 0.220″
x 0.420″
x 0.620″
x 0.620″
x 0.620″
x 0.620″
微带
微带
微带
微带
X 0.620 “锥
微带
微带
微带
微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
0.057 “× 0.620 ”微带
0.119 “× 0.620 ”微带
0.450 “× 0.220 ”微带
0.061 “× 0.220 ”微带
0.078 “× 0.220 ”微带
0.692 “× 0.080 ”微带
0.368 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6S9125NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF6S9125NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2
C3, C15
C4, C5
C6, C18, C19
C7, C8
C9, C23
C10
C11, C12
C13, C14
C16
C17
C20, C21
C22
L1
L2
R1
R2
描述
20 pF的贴片电容
6.2 pF的贴片电容
0.8 - 8.0 pF的可变电容器， Gigatrim
11 pF的贴片电容
0.56
F,
50 V贴片电容
47
F,
16 V钽电容
47 pF的贴片电容
100
F,
50 V电解电容
12 pF的贴片电容
5.1 pF的贴片电容
0.3 pF的贴片电容
39 pF的贴片电容
22
F,
35 V钽电容器
470
F,
63 V电解电容
7.15 nH的电感器
8.0 nH的电感器
15
,
1/4 W贴片电阻（ 1210 ）
560 k,
1/8
W电阻（ 1206 ）
产品型号
600B200FT250XT
600B6R2BT250XT
27291SL
600B110FT250XT
C1825C564J5RAC
593D476X9016D2T
700B470FW500XT
515D107M050BB6A
600B120FT250XT
600B5R1BT250XT
700B0R3BW500XT
700B390FW500XT
T491X226K035AS
SME63V471M12X25LL
1606 - 7J
A03T
ATC
ATC
约翰森
ATC
基美
日前，Vishay
ATC
日前，Vishay
ATC
ATC
ATC
ATC
基美
美贵弥功 - 精读
Coilcraft公司
Coilcraft公司
戴尔/威世
戴尔/威世
生产厂家
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1 MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C8 C7
C9
V
GG
C10
C1
切出区
L1
C2
C5
C3
C6
C19
C20 C21
C22
R2
R1
V
DD
C18
C14
L2
C23
C17
C4
C11
C13
C12
C15
C16
900兆赫
TO272 WB
第0版
图2. MRF6S9125NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路元件布局
MRF6S9125NR1 MRF6S9125NBR1 MRF6S9125MR1 MRF6S9125MBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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