飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S9060
第1版，第6/2005号
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率最高到1000 MHz 。高增益和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器
应用28伏基站设备。
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 880兆赫，V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 450毫安，P
OUT
。 = 14瓦的魅力， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 13 ）信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 21.4分贝
漏极效率 - 32.1 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 47.6 dBc的@ 30 kHz带宽
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 500毫安，
P
OUT
= 21瓦的魅力，全频段（ 921 - 960兆赫）
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 46 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 62 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 78 dBc的
EVM - 1.5 ％ RMS
GSM应用
典型的GSM业绩： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 500毫安， P
OUT
= 60瓦，
全频段（ 921 - 960兆赫）
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 63 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 880兆赫， 60瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
集成ESD保护
后缀表示铅 - 免费端接
200℃有能力塑料包装
TO - 270 - 2在磁带和卷轴。 R1每24毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
TO - 272 - 2在磁带和卷轴。 R1每44毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
MRF6S9060NR1
MRF6S9060NBR1
MRF6S9060MR1
MRF6S9060MBR1
880兆赫， 14瓦平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
宽带射频功率MOSFET
CASE 1265- 08 ，风格1
TO - 270 - 2
塑料
MRF6S9060NR1(MR1)
CASE 1337至1303年，风格1
TO - 272 - 2
塑料
MRF6S9060NBR1(MBR1)
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, + 12
227
1.3
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1 MRF6S9060MR1 MRF6S9060MBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 60瓦CW
外壳温度80 ° C， 14瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.77
0.88
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A （最小值）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
A)
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 450 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.5 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
输入电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
106
33
1.4
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
1
—
—
—
2
2.9
0.18
4.2
3
—
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 450毫安，P
OUT
= 14瓦的魅力， F = 880 MHz的单 - 载波
N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
kHz偏置。 PAR = 9.8分贝@
CCDF上0.01 ％的概率
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
ACPR
IRL
20.5
30.5
—
—
21.4
32.1
- 47.6
- 15.3
23.5
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1 MRF6S9060MR1 MRF6S9060MBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
典型的GSM EDGE表演
（飞思卡尔GSM EDGE测试夹具优化921 - 960兆赫， 50
οhm
系统）
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 500毫安， P
OUT
。 = 21瓦的魅力， F = 921 - 960兆赫， GSM EDGE信号
功率增益
漏EF网络效率
误差矢量幅度
频谱再生频率为400 kHz偏移
频谱再生，在600 kHz偏置
G
ps
η
D
EVM
SR1
SR2
—
—
—
—
—
20
46
1.5
- 62
- 78
—
—
—
—
—
dB
%
%
dBc的
dBc的
典型CW性能
（飞思卡尔GSM测试夹具优化921 - 960兆赫， 50
οhm
系统）V
DD
= 28伏直流，
I
DQ
= 500毫安， P
OUT
= 60 W， F = 921 - 960兆赫
功率增益
漏EF网络效率
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点
（ F = 940兆赫）
G
ps
η
D
IRL
P1dB
—
—
—
—
20
63
- 12
67
—
—
—
—
dB
%
dB
W
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1 MRF6S9060MR1 MRF6S9060MBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
B1
R1
V
BIAS
+
C9
RF
输入
+
C7
R2
R3
C8
L1
Z10
Z1
C1
C2
C3
C4
C5
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
C6 Z9
C10
DUT
C11 L2
Z11
B2
+
C15
C16
+
C17
+
C19
R4
V
供应
C18
RF
Z15输出
Z12
Z13
Z14
C14
C12
C13
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
0.215″
0.221″
0.500″
0.460″
0.040″
0.280″
0.087″
0.435″
x 0.065″
x 0.065″
x 0.100″
x 0.270″
x 0.270″
x 0.270″
x 0.525″
x 0.525″
微带
微带
微带
微带
微带
X 0.530 “锥
微带
微带
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
PCB
0.057 “× 0.525 ”微带
0.360 “× 0.270 ”微带
0.063 “× 0.270 ”微带
0.360 “× 0.065 ”微带
0.170 “× 0.065 ”微带
0.880 “× 0.065 ”微带
0.260 “× 0.065 ”微带
Taconic的RF - 35 0.030 “ ，
ε
r
= 3.5
图1. MRF6S9060NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF6S9060NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2
C1, C8, C14, C15
C2, C4, C13
C3
C5, C6
C7, C16, C17
C9
C10, C11
C12
C18
C19
L1, L2
R1
R2
R3
R4
铁氧体磁珠
铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容
0.8 - 8.0 pF的可变电容器， Gigatrim
3.0 pF的贴片电容
15 pF的贴片电容
10
F,
35 V钽电容器
100
F,
50 V电解电容
13 pF的贴片电容
3.9 pF的贴片电容
0.56
F
贴片电容
470
F,
63 V电解电容
12.5 nH的电感器
1 kΩ的片式电阻
560 kΩ的片式电阻器
12
贴片电阻
27
W
贴片电阻
描述
95F786
95F787
100B470JP500X
44F3360
100B3R0JP500X
100B150JP500X
93F2975
51F2913
100B130JP500X
100B3R9JP500X
700A561MP150X
95F4579
A04T - 5
05F1545
84N2435
97C9103
04H7058
产品型号
生产厂家
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
Coilcraft公司
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
纽瓦克
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1 MRF6S9060MR1 MRF6S9060MBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C7
R2
B1
R3
C19
V
DD
C16 C17
V
GG
R1
B2
C8
R4
C9
L1
C1
C2
C3
C5
C6
C15
L2
切出区
C11
C10
C18
C12
C13
C14
C4
TO270/272
表面/
狼吞虎咽
图2. MRF6S9060NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路元件布局
MRF6S9060NR1 MRF6S9060NBR1 MRF6S9060MR1 MRF6S9060MBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
