飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S27050H
第1版， 12/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
设计用于CDMA基站应用的频率范围从2500到
2700兆赫。适用于WiMAX和WiBro的，宽带无线接入，而OFDM多载波类
AB和C类放大器的应用。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
500毫安，P
OUT
= 7瓦的魅力。 ， F = 2615 MHz的信道带宽=
3.84兆赫。 PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 16分贝
漏极效率 - 22.5 ％
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 42.5 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2600兆赫， 50瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S27050HR3
MRF6S27050HSR3
2500年至2700年兆赫， 7瓦AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF6S27050HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF6S27050HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 43 W CW
外壳温度72 ° C， 7瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.85
0.98
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年， 2008年。保留所有权利。
MRF6S27050HR3 MRF6S27050HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A （最小值）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 250
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 500 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.2 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
0.83
232
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
—
2
2.8
0.21
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 500毫安， P
OUT
= 7瓦的魅力。 W - CDMA ， F = 2615兆赫，
单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
15
20.5
- 40
—
16
22.5
- 42.5
- 10
18
—
—
—
dB
%
dBc的
dB
MRF6S27050HR3 MRF6S27050HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
B2
V
BIAS
+
C7
RF
输入
+
C6
C5
C4
C3
Z9
Z8
Z10
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
DUT
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
C2
Z17
B1
C8
+
C9
+
C10
C11
C12
C13
+
C14
+
C15
RF
产量
V
供应
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.748″
0.273″
0.055″
0.090″
0.195″
0.797″
0.082″
0.050″
0.070″
x 0.081″
x 0.081″
x 0.220″
x 0.440″
x 0.170″
x 0.490″
x 0.490″
x 0.476″
x 0.350″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
PCB
0.091 “× 0.753 ”微带
0.150 “× 0.753 ”微带
0.153 “× 0.543 ”微带
0.145 “× 0.384 ”微带
0.446 “× 0.148 ”微带
0.130 “× 0.425 ”微带
0.384 “× 0.081 ”微带
0.730 “× 0.081 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6S27050HR3 （ SR3 ）测试电路原理图
表5. MRF6S27050HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2
C1, C2
C3, C8
C4, C11
C5
C6
C7
C9, C10
C12, C13
C14
C15
R1
铁氧体磁珠
铁氧体磁珠，短
4.3 pF的贴片电容
3.6 pF的贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
0.01
μF,
100 V贴片电容
22
μF,
25 V Tantulum电容器
47
μF,
16 V钽电容器
10
μF,
50 V钽电容器
1.0
μF,
50 V贴片电容
330
μF,
63 V电解电容
47
μF,
50 V电解电容
2.7
Ω,
1/4 W贴片电阻
描述
产品型号
2508051107Y0
2743019447
ATC100B4R3BT500XT
ATC100B3R6BT500XT
C1825C225J5RAC
C1825C103J1RAC
T491D226K025AT
T491D476K016AT
T491D106K050AT
GRM32RR71H105KA01B
EMVY630GTR331MMH0S
EMVK500ADA470MHA0G
CRCW12062R7FKEA
生产厂家
博览会 - 爱色丽
博览会 - 爱色丽
ATC
ATC
基美
基美
基美
基美
基美
村田
日本贵弥功 - 精读
美贵弥功 - 精读
日前，Vishay
MRF6S27050HR3 MRF6S27050HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C11
C14
B2
B1
C3
C9 C10
C8
R1
C7 C6
C4顶部
C5底
C12
C13
C15
C1
切出区
C2
MRF6S27050
修订版1A
图2. MRF6S27050HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRF6S27050HR3 MRF6S27050HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
19
18
17
G
ps
，功率增益（分贝）
16
15
IRL
14
13
12
ALT1
11
70
2500 2520 2540 2560 2580 2600 2620 2640 2660 2680 2700
男，频率（MHz）
ACPR
40
50
60
η
D
G
ps
24
23
22
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 7 W（平均） ，我
DQ
= 500毫安
21
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道
带宽， PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ） 20
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
5
10
15
20
25
图3.单 - 载波W - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 7瓦的魅力。
19
18
17
G
ps
，功率增益（分贝）
16
15
IRL
14
13
12
ALT1
ACPR
G
ps
34
33
32
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 14 W（平均）。
31
I
DQ
= 500毫安，单载波W-CDMA中
3.84 MHz信道带宽
30
PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
30
40
50
η
D
，沥干
效率（％）
η
D
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
5
10
15
20
25
11
60
2500 2520 2540 2560 2580 2600 2620 2640 2660 2680 2700
男，频率（MHz）
图4.单 - 载波W - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 14瓦的魅力。
20
19
G
ps
，功率增益（分贝）
18
17
500毫安
16
15
14
125毫安
13
12
1
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2598.75兆赫， F2 = 2601.25兆赫
双色测量
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
250毫安
750毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
=千毫安
15
20
25
I
DQ
= 125毫安
30
35
40
45
50
55
0.5
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
千毫安
500毫安
250毫安
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2598.75兆赫， F2 = 2601.25兆赫
双色测量
750毫安
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S27050HR3 MRF6S27050HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S27050H
牧师0 ，11/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
设计用于CDMA基站应用的频率范围从2500到
2700兆赫。适用于WiMAX和WiBro的，宽带无线接入，而OFDM多载波类
AB和C类放大器的应用。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
500毫安，P
OUT
= 7瓦平均，全频段，信道带宽=
3.84兆赫。 PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 16分贝
漏极效率 - 22.5 ％
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 42.5 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2600兆赫， 50瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
较低的镀金厚度上信息， 40
μ″
标称。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S27050HR3
MRF6S27050HSR3
2500年至2700年兆赫， 7瓦AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF6S27050HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF6S27050HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 43 W CW
外壳温度72 ° C， 7瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.85
0.98
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问MTTF
计算器按产品
.
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF6S27050HR3 MRF6S27050HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1A （最小值）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 250
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 500 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.2 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
0.83
232
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
—
2
2.8
0.21
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 500毫安， P
OUT
= 7瓦的魅力。 W - CDMA ，
F = 2585 MHz和2615 MHz的单 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在3.84 MHz信道
带宽@
±5
MHz偏移。 PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
15
20.5
- 40
—
16
22.5
- 42.5
- 10
18
—
—
—
dB
%
dBc的
dB
MRF6S27050HR3 MRF6S27050HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
B2
V
BIAS
+
C7
RF
输入
+
C6
C5
C4
C3
Z9
Z8
Z10
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
DUT
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
C2
Z17
B1
C8
+
C9
+
C10
C11
C12
C13
+
C14
+
C15
RF
产量
V
供应
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.748″
0.273″
0.055″
0.090″
0.195″
0.797″
0.082″
0.050″
0.070″
x 0.081″
x 0.081″
x 0.220″
x 0.440″
x 0.170″
x 0.490″
x 0.490″
x 0.476″
x 0.350″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
PCB
0.091 “× 0.753 ”微带
0.150 “× 0.753 ”微带
0.153 “× 0.543 ”微带
0.145 “× 0.384 ”微带
0.446 “× 0.148 ”微带
0.130 “× 0.425 ”微带
0.384 “× 0.081 ”微带
0.730 “× 0.081 ”微带
阿尔隆GX0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6S27050HR3 （ SR3 ）测试电路原理图
表5. MRF6S27050HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
B2
C1, C2
C3, C8
C4, C11
C5
C6
C7
C9, C10
C12, C13
C14
C15
R1
铁氧体磁珠
铁氧体磁珠，短
4.3 pF的贴片电容
3.6 pF的贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
0.01
μF,
100 V贴片电容
22
μF,
25 V Tantulum电容器
47
μF,
16 V钽电容器
10
μF,
50 V钽电容器
1.0
μF,
50 V贴片电容
330
μF,
63 V电解电容
47
μF,
50 V电解电容
2.7
Ω,
1/4 W贴片电阻
描述
产品型号
2508051107Y0
2743019447
600B4R3BT250XT
600B3R6BT250XT
C1825C225J5RAC
C1825C103J1RAC
ECS - T1ED226R
T491D476K016AT
522Z - 050 / 100MTRE
GRM32RR71H105KA01B
SME63V331M12X25LL
MVK50VC47RM8X10TP
CRCW12062R7F100
生产厂家
博览会 - 爱色丽
博览会 - 爱色丽
ATC
ATC
基美
基美
松下TE系列
基美
特卡特
村田
日本贵弥功 - 精读
美贵弥功 - 精读
日前，Vishay
MRF6S27050HR3 MRF6S27050HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C11
C14
B2
B1
C3
C9 C10
C8
R1
C7 C6
C4顶部
C5底
C12
C13
C15
C1
切出区
C2
MRF6S27050
修订版1A
图2. MRF6S27050HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRF6S27050HR3 MRF6S27050HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
19
18
17
G
ps
，功率增益（分贝）
16
15
IRL
14
13
12
ALT1
11
70
2500 2520 2540 2560 2580 2600 2620 2640 2660 2680 2700
男，频率（MHz）
ACPR
40
50
60
η
D
G
ps
24
23
22
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 7 W（平均） ，我
DQ
= 500毫安
21
单载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道
带宽， PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ） 20
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
5
10
15
20
25
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
5
10
15
20
25
IRL ，输入回波损耗（分贝）
750毫安
IRL ，输入回波损耗（分贝）
图3.单 - 载波W - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 7瓦的魅力。
19
18
17
G
ps
，功率增益（分贝）
16
15
IRL
14
13
12
ACPR
G
ps
η
D
34
33
32
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 14 W（平均）。
31
I
DQ
= 500毫安，单载波W-CDMA中
3.84 MHz信道带宽
30
PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
30
40
50
ALT1
11
60
2500 2520 2540 2560 2580 2600 2620 2640 2660 2680 2700
男，频率（MHz）
图4.单 - 载波W - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 14瓦的魅力。
20
19
G
ps
，功率增益（分贝）
18
17
500毫安
16
15
14
125毫安
13
12
1
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2598.75兆赫， F2 = 2601.25兆赫
双色测量
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
250毫安
750毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
=千毫安
15
20
25
I
DQ
= 125毫安
30
35
40
45
50
55
0.5
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
千毫安
500毫安
250毫安
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2598.75兆赫， F2 = 2601.25兆赫
双色测量
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S27050HR3 MRF6S27050HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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