飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S24140H
第4版， 2/2012
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
在2450 MHz信号输出的应用 - 主要用于大。设备
适合用于工业，医疗和科学应用中使用。
在2450兆赫，V典型CW性能
DD
= 28伏，我
DQ
= 1200毫安，
P
OUT
= 140瓦
功率增益 - 13.2分贝
漏极效率 - 45 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2390兆赫， 140瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S24140HR3
MRF6S24140HSR3
2450兆赫， 140 W， 28 V
CW
横向N-
声道
RF功率MOSFET
CASE 465B-
-04
NI-
-880
MRF6S24140HR3
CASE 465C-
-03
NI-
-880S
MRF6S24140HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +68
--0.5, +12
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
C
C
C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度82 ° C， 140瓦特CW
外壳温度75 ° C， 28瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.29
0.33
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007--2010 ， 2012年保留所有权利。
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2
A
IV
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 300
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1300 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
2
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
0.1
2
2.8
0.21
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
500
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试Fifxture ， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1300毫安，P
OUT
。 = 28瓦的魅力， F = 2390兆赫， 2 - 运营商
W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
5
MHz偏移。 IM3测量
3.84 MHz的带宽@
10
MHz偏移。输入信号PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
D
IM3
ACPR
IRL
13
23
—
—
—
15.2
25
--37
--40
--15
17
—
--35
--38
—
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
R1
+
C10
+
C9
C8
B1
+
C5
Z14
C3
C15
C16
C17
C18
V
供应
C7
RF
输入
Z8
Z6
Z5
Z15
Z7
DUT
Z9
Z10
Z11
Z12
C2
Z13
RF
产量
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
C4
C12
+
C14
+
C13
C11
B2
+
C6
C19
C20
C21
C22
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z7
Z8
0.678 X 0.068微带
0.466 X 0.068微带
0.785 X 0.200微带
0.200 X 0.530微带
0.025 X 0.530微带
0.178 X 0.050微带
0.097 X 1.170微带
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14, Z15
PCB
0.193 “× 1.170 ”微带
0.115 “× 0.550 ”微带
0.250 “× 0.110 ”微带
0.538 X 0.068微带
0.957 X 0.068微带
0.673 X 0.095微带
Taconic的RF - 35 ， 0.030 “ ，
r
= 3.5
图1. MRF6S24140HR3 （ SR3 ）测试电路原理图 - 2450MHz的
表5. MRF6S24140HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2, C3, C4, C5, C6
C7, C11
C8, C12, C15, C19
C9, C13
C10, C14
C16, C17, C20, C21
C18, C22
R1
描述
47
,
100 MHz的短铁氧体磁珠，表面贴装
5.6 pF的贴片电容
0.01
F,
100 V贴片电容
2.2
F,
50 V贴片电容
22
F,
25 V钽电容器
47
F,
16 V钽电容
10
F,
50 V贴片电容
220
F,
50 V电解电容器
240
,
1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447
ATC600B5R6BT500XT
C1825C103J1RAC
C1825C225J5RAC
T491D226M025AT
T491D476K016AT
GRM55DR61H106KA88B
2222--150--95102
CRC12062400FKEA
生产厂家
博览会 - 爱色丽
ATC
基美
基美
基美
基美
村田
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C5
R1
+
+
B1
C17
C10 C9
C8*
C7*
C15
C16
C3
切出区
C1
C4
C2
MRF6S24140H
1.0版
C19
C20
C13
C12*
*叠放
图2. MRF6S24140HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局 - 2450兆赫
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
+
+
C14
B2
C11*
C6
C21
C22
+
+
C18
典型特征 - 2450兆赫
16
15
G
ps
，功率增益（分贝）
14
13
12
D
11
1
10
28 V
100
32 V
30 V
0
500
G
ps
30 V
30
20
10
I
DQ
= 1200毫安
F = 2450 MHz的
50
V
DD
= 28 V
32 V
D
，漏极效率（ ％ ）
D
，漏极效率（ ％ ）
40
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
图3.功率增益和漏极效率
与CW输出功率为V的功能
DD
14.5
14
G
ps
，功率增益（分贝）
13.5
13
12.5
12
D
11.5
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
100
V
DD
= 32 V
I
DQ
= 1200毫安
F = 2450 MHz的
G
ps
60
50
40
30
20
10
0
图4.功率增益和漏极效率
与CW输出功率
15
14
G
ps
，功率增益（分贝）
13
12
11
10
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
100
300
V
DD
= 28 V
F = 2450 MHz的
G
ps
1400毫安
1200毫安
千毫安
1100毫安
1300毫安
图5.功率增益和漏极效率与
CW输出功率为总我一个功能
DQ
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S24140H
第1版， 4/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
在2450 MHz信号输出的应用 - 主要用于大。
设备适合于工业，医疗和科学应用中使用。
在2450兆赫，V典型CW性能
DD
= 28伏，我
DQ
= 1200毫安，
P
OUT
= 140瓦
功率增益 - 13.2分贝
漏极效率 - 45 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2390兆赫， 140瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S24140HR3
MRF6S24140HSR3
2450兆赫， 140 W， 28 V
CW
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF6S24140HR3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF6S24140HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度82 ° C， 140瓦特CW
外壳温度75 ° C， 28瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.29
0.33
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007-2008 。版权所有。
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 300
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1300 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
2
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
0.1
2
2.8
0.21
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
500
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试Fifxture ， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1300毫安，P
OUT
= 28瓦平均， F1 = 2300兆赫， F2 =
2310 MHz和F1 = 2390兆赫， F2 = 2400兆赫， 2 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。 IM3测量3.84 MHz的带宽@
±10
MHz偏移。输入信号PAR = 8.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
13
23
—
—
—
15.2
25
- 37
- 40
- 15
17
—
- 35
- 38
—
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
+
C10
+
C9
C8
B1
+
C5
C15
C16
C17
C18
V
供应
C7
Z14
C3
Z8
Z6
Z5
Z15
Z7
DUT
Z9
Z10
Z11
Z12
C2
Z13
RF
产量
RF
输入
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
C4
C6
C12
+
C14
+
C13
C11
B2
C19
C20
C21
+
C22
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z7
Z8
0.678″
0.466″
0.785″
0.200″
0.025″
0.178″
0.097″
x 0.068″
x 0.068″
x 0.200″
x 0.530″
x 0.530″
x 0.050″
x 1.170″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14, Z15
PCB
0.193 “× 1.170 ”微带
0.115 “× 0.550 ”微带
0.250 “× 0.110 ”微带
0.538 X 0.068微带
0.957 X 0.068微带
0.673 X 0.095微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6S24140HR3 （ SR3 ）测试电路原理图 - 2450MHz的
表5. MRF6S24140HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2, C3, C4, C5, C6
C7, C11
C8, C12, C15, C19
C9, C13
C10, C14
C16, C17, C20, C21
C18, C22
R1
描述
47
Ω,
100 MHz的短铁氧体磁珠，表面贴装
5.6 pF的贴片电容
0.01
μF,
100 V贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
22
μF,
25 V钽电容器
47
μF,
16 V钽电容
10
μF,
50 V贴片电容
220
μF,
50 V电解电容器
240
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447
ATC600B5R6BT500XT
C1825C103J1RAC
C1825C225J5RAC
T491D226M025AT
T491D476K016AT
GRM55DR61H106KA88B
2222 - 150 - 95102
CRC12062400FKEA
生产厂家
博览会 - 爱色丽
ATC
基美
基美
基美
基美
村田
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C5
R1
+
+
B1
C17
C10 C9
C8*
C7*
C15
C16
C3
切出区
C1
C4
C2
MRF6S24140H
1.0版
C19
C20
C13
C12*
*叠放
图2. MRF6S24140HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局 - 2450兆赫
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
+
+
C14
B2
C11*
C6
C21
C22
+
+
C18
典型特征 - 2450兆赫
16
I
DQ
= 1200毫安
F = 2450 MHz的
15
G
ps
，功率增益（分贝）
30 V
14
G
ps
30
V
DD
= 28 V
32 V
η
D
，漏极效率（ ％ ）
η
D
，漏极效率（ ％ ）
170
40
50
13
32 V
η
D
11
1
10
28 V
100
30 V
20
12
10
0
500
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
图3.功率增益和漏极效率
与CW输出功率为V的功能
DD
14.5
G
ps
14
G
ps
，功率增益（分贝）
13.5
13
12.5
12
η
D
11.5
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
100
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 1200毫安
F = 2450 MHz的
50
40
30
20
10
0
60
图4.功率增益和漏极效率
与CW输出功率
15
1400毫安
G
ps
14
G
ps
，功率增益（分贝）
平均无故障时间（小时）
100
300
千毫安
13
1100毫安
1300毫安
10
6
1200毫安
10
7
12
V
DD
= 28 V
F = 2450 MHz的
10
5
11
10
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
10
4
90
110
130
150
190
210
230
250
T
J
，结温（ ° C）
这上面的图显示以小时计算的平均无故障时间时，该设备
在V操作
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 140瓦特CW ，和
η
D
= 45%.
MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择
软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
图5.功率增益和漏极效率与
CW输出功率为总我一个功能
DQ
图6.平均无故障时间与结温
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S24140H
第0版， 2007年3月
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
在2450 MHz信号输出的应用 - 主要用于大。设备
适用于工业，医疗和科学应用中使用。
在2450兆赫，V典型CW性能
DD
= 28伏，我
DQ
= 1200毫安，
P
OUT
= 140瓦
功率增益 - 13.2分贝
漏极效率 - 45 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2390兆赫， 140瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S24140HR3
MRF6S24140HSR3
2450兆赫， 140 W， 28 V
CW
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF6S24140HR3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF6S24140HSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度82 ° C， 140瓦特CW
外壳温度75 ° C， 28瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.29
0.33
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 300
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1300 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
2
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
0.1
2
2.8
0.21
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
500
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试Fifxture ， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1300毫安，P
OUT
= 28瓦平均， F1 = 2300兆赫，
F2 = 2310 MHz和F1 = 2390兆赫， F2 = 2400兆赫， 2 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量
3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。 IM3测量3.84 MHz的带宽@
±10
MHz偏移。 PAR = 8.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
13
23
—
—
—
15.2
25
- 37
- 40
- 15
17
—
- 35
- 38
—
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
+
C10
+
C9
C8
B1
+
C5
C15
C16
C17
C18
V
供应
C7
Z14
C3
Z8
Z6
Z5
Z15
Z7
DUT
Z9
Z10
Z11
Z12
C2
Z13
RF
产量
RF
输入
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
C4
C6
C12
+
C14
+
C13
C11
B2
C19
C20
C21
+
C22
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z7
Z8
0.678 X 0.068微带
0.466 X 0.068微带
0.785 X 0.200微带
0.200 X 0.530微带
0.025 X 0.530微带
0.178 X 0.050微带
0.097 X 1.170微带
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14, Z15
PCB
0.193 “× 1.170 ”微带
0.115 “× 0.550 ”微带
0.250 “× 0.110 ”微带
0.538 X 0.068微带
0.957 X 0.068微带
0.673 X 0.095微带
阿尔隆GX0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6S24140HR3 （ SR3 ）测试电路原理图 - 2450MHz的
表5. MRF6S24140HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2, C3, C4, C5, C6
C7, C11
C8, C12, C15, C19
C9, C13
C10, C14
C16, C17, C20, C21
C18, C22
R1
描述
47
Ω,
100 MHz的短铁氧体磁珠，表面贴装
5.6 pF的贴片电容
0.01
μF,
100 V贴片电容
2.2
μF,
50 V贴片电容
22
μF,
25 V钽电容器
47
μF,
16 V钽电容
10
μF,
50 V贴片电容
220
μF,
50 V电解电容器
240
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447
ATC600B5R6BT500XT
C1825C103J1RAC
C1825C225J5RAC
T491D226M025AT
T491D476K016AC
GRM55DR61H106KA88B
EMVY50VC221MJ10TP
CRC1206240RFKTA
生产厂家
Fair-仪式
ATC
基美
基美
基美
基美
村田
美贵弥功 - 精读
日前，Vishay
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C5
R1
+
+
B1
C17
C10 C9
C8*
C7*
C15
C16
C3
切出区
C1
C4
C2
MRF6S24140H
1.0版
C19
C20
C13
C12*
*叠放
图2. MRF6S24140HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局 - 2450兆赫
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
+
+
C14
B2
C11*
C6
C21
C22
+
+
C18
典型特征 - 2450兆赫
16
I
DQ
= 1200毫安
F = 2450 MHz的
15
G
ps
，功率增益（分贝）
30 V
14
G
ps
30
V
DD
= 28 V
32 V
η
D
，漏极效率（ ％ ）
η
D
，漏极效率（ ％ ）
170
40
50
13
32 V
η
D
11
1
10
28 V
100
30 V
20
12
10
0
500
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
图3.功率增益和漏极效率
与CW输出功率为V的功能
DD
14.5
G
ps
14
G
ps
，功率增益（分贝）
13.5
13
12.5
12
η
D
11.5
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
100
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 1200毫安
F = 2450 MHz的
50
40
30
20
10
0
60
图4.功率增益和漏极效率
与CW输出功率
15
1400毫安
G
ps
14
G
ps
，功率增益（分贝）
平均无故障时间（小时）
100
千毫安
13
1100毫安
1300毫安
10
6
1200毫安
10
7
12
V
DD
= 28 V
F = 2450 MHz的
10
5
11
10
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦） CW
10
4
90
110
130
150
190
210
230
250
T
J
，结温（ ° C）
这上面的图显示以小时计算的平均无故障时间时，该设备
在V操作
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 140瓦特CW ，和
η
D
= 45%.
MTTF计算器可在http ： /www.freescale.com/rf 。选择工具/
软件/应用软件/计算器访问MTTF calcu-
lators副产品。
图5.功率增益和漏极效率与
CW输出功率为总我一个功能
DQ
图6.平均无故障时间与结温
MRF6S24140HR3 MRF6S24140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
