飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S23100H
第1版， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率在2300
2400兆赫。适用于WiMAX和无线宽带和多载波放大器应用。
使用在AB类和C类的WLL应用。
典型2 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1000毫安，
P
OUT
= 20瓦平均，全频段，信道带宽=
3.84兆赫， PAR = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 15.4分贝
漏极效率 - 23.5 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - - 37 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 40.5 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2390兆赫， 100瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
较低的镀金厚度上信息， 40
μ
″
标称。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S23100HR3
MRF6S23100HSR3
2300至2400年兆赫， 20瓦AVG ， 28 V 。
2 x宽 - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF6S23100HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF6S23100HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
330
1.9
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 100瓦CW
外壳温度75 ° C， 20瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.53
0.59
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
3A （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 250
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1000 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
1.5
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
1
2
0.1
—
2
2.8
0.21
5.3
3
4
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1000毫安， P
OUT
= 20瓦平均， F1 = 2300兆赫，
F2 = 2310 MHz和F1 = 2390兆赫， F2 = 2400兆赫， 2 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量
3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。 IM3测量3.84 MHz的带宽@
±10
MHz偏移。 PAR = 8.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
14
22.5
- 35
- 38
—
15.4
23.5
- 37
- 40.5
- 10
17
—
—
—
—
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
BIAS
+
C6
RF
输入Z1
C1
+
C5
C4
C3
R1
C8
C2
Z11
Z12
Z13
C7
DUT
Z14
C9
C10
C11
V
供应
+
C12
RF
产量
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
0.725 “× 0.080 ”微带
0.240 “× 0.080 ”微带
0.110 “× 0.240 ”微带
0.140 “× 0.080 ”微带
0.167 “× 0.500 ”微带
0.130 “× 0.080 ”微带
0.250 “× 0.611 ”微带
0.060 “× 0.080 ”微带
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
PCB
0.329 “× 0.756 ”微带
0.083 “× 0.756 ”微带
0.092 “× 0.800 ”微带
0.436 “× 0.800 ”微带
0.974 “× 0.080 ”微带
0.727 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX - 0300 - 5022 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
图1. MRF6S23100HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF6S23100HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1, C2, C7, C8
C3
C4, C9
C5
C6
C10, C11
C12
R1
铁氧体磁珠
5.6 pF的贴片电容，B案例
0.01
μF
贴片电容（ 1825 ）
2.2
μF,
50 V贴片电容（ 1825 ）
22
μF,
25 V钽电容器
47
μF,
16 V钽电容器
10
μF,
50 V贴片电容（ 2220 ）
330
μF,
63 V电解电容
10
Ω,
1/8 W贴片电阻（ 1206）
描述
产品型号
2743019447
100B5R6CP500X
C1825C103J1RAC
C1825C225J5RAC
ECS - T1ED226R
T491D476K016AS
GRM55DR61H106KA88B
NACZF331M63V
CRC120610R0F100
生产厂家
博览会 - 爱色丽
ATC
基美
基美
松下TE系列
基美
村田
日本
戴尔/威世
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C4 C3
C2
C8
R1
B1
C6
C5
C11
C12
C9
C10
C1
切出区
C7
MRF6S23100版本2.0
图2. MRF6S23100HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 20 W（平均） ，我
DQ
=千毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
12
15
18
21
24
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
12
14
16
18
20
22
IRL ，输入回波损耗（分贝）
1500毫安
30
40
50
750毫安
60
70
1
10
100
300
0.1
1
10
100
300
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
千毫安
I
DQ
= 500毫安
1250毫安
IRL ，输入回波损耗（分贝）
16
15.8
G
ps
，功率增益（分贝）
15.6
15.4
15.2
15
14.8
ACPR
14.6
G
ps
η
D
25.4
24.8
24.2
23.6
3.84 MHz信道带宽
35
PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
IM3
37
IRL
39
41
43
14.4
2300 2310 2320 2330 2340 2350 2360 2370 2380 2390 2400
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 20瓦的魅力。
15.2
15.1
15
G
ps
，功率增益（分贝）
14.9
14.8
14.7
14.6
14.5
14.4
14.3
η
D
35.5
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 40瓦（平均） ，我
DQ
=千毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
35
34.5
34
G
ps
35.5
3.84 MHz信道带宽
PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
IM3
25
27
29
31
ACPR
IRL
33
14.2
35
2300 2310 2320 2330 2340 2350 2360 2370 2380 2390 2400
男，频率（MHz）
图4 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 40瓦的魅力。
18
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 1500毫安
17
G
ps
，功率增益（分贝）
1250毫安
16
15
14
13
12
0.1
500毫安
千毫安
750毫安
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2345 MHz的
F2 = 2355 MHz的双音测量
10 MHz的音调间隔
0
10
20
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2345兆赫， F2 = 2355 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S23100H
第0版， 8/2005
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为802.16的WiBro和双模式应用程序与频率
二三〇〇年至2400年兆赫。适用于AB类前馈和预失真
系统。
典型2 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1000毫安，
P
OUT
= 20瓦平均，全频段，信道带宽=
3.84兆赫， PAR = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 15.4分贝
漏极效率 - 23.5 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - - 37 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 40.5 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2390兆赫， 100瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
较低的镀金厚度上信息， 40
″
标称。
铅 - 免费并符合RoHS标准
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S23100HR3
MRF6S23100HSR3
2300至2400年兆赫， 20瓦AVG ， 28 V 。
2 x宽 - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF6S23100HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF6S23100HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
CW操作
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
CW
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
330
1.9
- 65 + 150
200
100
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
W
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 100瓦CW
外壳温度75 ° C， 20瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.53
0.59
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
3A （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 250
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1000 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
1.5
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
1
2
0.1
—
2
2.8
0.21
5.3
3
4
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1000毫安， P
OUT
= 20瓦平均， F1 = 2300兆赫，
F2 = 2310 MHz和F1 = 2390兆赫， F2 = 2400兆赫， 2 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量
3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。 IM3测量3.84 MHz的带宽@
±10
MHz偏移。 PAR = 8.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
14
22.5
- 35
- 38
—
15.4
23.5
- 37
- 40.5
- 10
17
—
—
—
—
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
BIAS
+
C6
RF
输入Z1
C1
+
C5
C4
C3
R1
C8
C2
Z11
Z12
Z13
C7
DUT
Z14
C9
C10
C11
V
供应
+
C12
RF
产量
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
0.725 “× 0.080 ”微带
0.240 “× 0.080 ”微带
0.110 “× 0.240 ”微带
0.140 “× 0.080 ”微带
0.167 “× 0.500 ”微带
0.130 “× 0.080 ”微带
0.250 “× 0.611 ”微带
0.060 “× 0.080 ”微带
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
PCB
0.329 “× 0.756 ”微带
0.083 “× 0.756 ”微带
0.092 “× 0.800 ”微带
0.436 “× 0.800 ”微带
0.974 “× 0.080 ”微带
0.727 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX - 0300 - 5022 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
图1. MRF6S23100HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF6S23100HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1, C2, C7, C8
C3
C4, C9
C5
C6
C10, C11
C12
R1
铁氧体磁珠
5.6 pF的贴片电容，B案例
0.01
F
贴片电容（ 1825 ）
2.2
F,
50 V贴片电容（ 1825 ）
22
F,
25 V钽电容器
47
F,
16 V钽电容器
10
F,
50 V贴片电容（ 2220 ）
330
F,
63 V电解电容
10
,
1/8 W贴片电阻（ 1206）
描述
产品型号
2743019447
100B5R6CP500X
C1825C103J1RAC
C1825C225J5RAC
ECS - T1ED226R
T491D476K016AS
GRM55DR61H106KA88B
NACZF331M63V
CRC120610R0F100
生产厂家
博览会 - 爱色丽
ATC
基美
基美
松下TE系列
基美
村田
日本
戴尔/威世
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C4 C3
C2
C8
R1
B1
C6
C5
C11
C12
C9
C10
C1
切出区
C7
MRF6S23100版本2.0
图2. MRF6S23100HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 20 W（平均） ，我
DQ
=千毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
12
15
18
21
24
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
12
14
16
18
20
22
IRL ，输入回波损耗（分贝）
1500毫安
30
40
50
750毫安
60
70
1
10
100
300
0.1
1
10
100
300
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
千毫安
I
DQ
= 500毫安
1250毫安
IRL ，输入回波损耗（分贝）
16
15.8
G
ps
，功率增益（分贝）
15.6
15.4
15.2
15
14.8
ACPR
14.6
G
ps
η
D
25.4
24.8
24.2
23.6
3.84 MHz信道带宽
35
PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
IM3
37
IRL
39
41
43
14.4
2300 2310 2320 2330 2340 2350 2360 2370 2380 2390 2400
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 20瓦的魅力。
15.2
15.1
15
G
ps
，功率增益（分贝）
14.9
14.8
14.7
14.6
14.5
14.4
14.3
η
D
35.5
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 40瓦（平均） ，我
DQ
=千毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
35
34.5
34
G
ps
35.5
3.84 MHz信道带宽
PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
IM3
25
27
29
31
ACPR
IRL
33
14.2
35
2300 2310 2320 2330 2340 2350 2360 2370 2380 2390 2400
男，频率（MHz）
图4 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 40瓦的魅力。
18
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 1500毫安
17
G
ps
，功率增益（分贝）
1250毫安
16
15
14
13
12
0.1
500毫安
千毫安
750毫安
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2345 MHz的
F2 = 2355 MHz的双音测量
10 MHz的音调间隔
0
10
20
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2345兆赫， F2 = 2355 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S23100HR3 MRF6S23100HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
