飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S21100N
第3版， 12/2008
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
专为W- CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。要使用AB类的PCN- PCS /蜂窝无线电， WLL及
TD-SCDMA的应用程序。
典型的2载波W- CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1050毫安，
P
OUT
= 23瓦的魅力。 ， F = 2157.5 MHz的信道带宽= 3.84 MHz时，
PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 14.5分贝
漏极效率 - 25.5 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - -37 dBc的在3.84 MHz的带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - -40 dBc的在3.84 MHz的带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 100瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
225℃有能力塑料包装
后缀表示无铅端接。符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF6S21100NR1
MRF6S21100NBR1
2110至70年兆赫， 23瓦平均， 28 V
2× W- CDMA
横向N沟道
RF功率MOSFET
CASE 1486至03年，风格1
TO- 270 WB- 4
塑料
MRF6S21100NR1
案例1484年至1404年，风格1
TO- 272 WB- 4
塑料
MRF6S21100NBR1
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
-0.5, +68
-0.5, +12
-65到+150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 100瓦CW
外壳温度73 ° C， 23瓦CW
符号
R
θJC
0.57
0.66
价值
(2,3)
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2005-2008 。版权所有。
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22- A114 ）
机器型号（按照EIA / JESD22- A115 ）
充电器型号（每JESD22- C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22- A113 ， IPC / JEDEC J- STD- 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅极 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 330
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1050 MADC ）
夹具门静态电压
(1)
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1050 MADC ，测量功能测试）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.3 ADC）
动态特性
(2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
1.5
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1
—
2.2
—
2
2.8
3.1
0.24
3
—
4.4
—
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1050毫安，P
OUT
= 23瓦平均， F1 = 2112.5兆赫， F2 =
2157.5兆赫， 2载波W- CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商，咨委会在3.84 MHz信道带宽测量@
±5
兆赫
抵消。 IM3测量3.84 MHz的带宽@
±10
MHz偏移。 PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
13
24
-47
-50
—
14.5
25.5
-37
-40
-12
16
36
-35
-38
-10
dB
%
dBc的
dBc的
dB
1. V
GG
= 11/10 x垂直
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分是输入和输出内部匹配两种。
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
+
C1
R2
C2
B1
V
供应
C3
R3
Z5
Z12
C4
C5
C6
RF
产量
RF
输入
Z6
Z1
C7
Z2
Z3
Z4
Z11
C8
DUT
Z7
Z8
Z9
C9
Z10
V
供应
C10
C11
C12
Z1, Z10
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
0.743 “× 0.084 ”微带
0.893 “× 0.084 ”微带
0.175 “× 0.084 ”微带
0.420 “× 0.800 ”微带
1.231 “× 0.040 ”微带
0.100 “× 0.880 ”微带
Z7
Z8
Z9
Z11, Z12
PCB
0.259 “× 0.880 ”微带
0.215 “× 0.230 ”微带
0.787 “× 0.084 ”微带
1.171 “× 0.120 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300-55-22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
图1. MRF6S21100NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF6S21100NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2
C3, C4, C10
C5, C6, C11, C12
C7
C8
C9
R1
R2
R3
铁氧体磁珠
10
μF,
35 V钽电容器
0.01
μF
贴片电容
5.1 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
10 pF的贴片电容
1.1 pF的贴片电容
5.1 pF的贴片电容（ MRF6S21100NR1 ）
8.2 pF的贴片电容（ MRF6S21100NBR1 ）
1 kΩ的1/4 W贴片电阻
为10kΩ ， 1/4 W码片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
描述
产品型号
25008051107Y0
T491D106K035AT
C1825C103J1GAC
ATC100B5R1BT500XT
GRM55DR61H106KA88L
ATC100B100BT500XT
ATC100B1R1BT500XT
ATC100B5R1BT500XT
ATC100B8R2BT500XT
CRCW12061001FKEA
CRCW12061002FKEA
CRCW120610R0FKEA
生产厂家
商Fair-Rite
基美
基美
ATC
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
B1 R3
R1
R2
C2
C1
C3
C4
C5
C6
C7
C8
切出区
C9
C11 C12
MRF6S21100N / NB ，第3版
C10
图2. MRF6S21100NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 22.5 W（平均） ，我
DQ
= 1050毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
3.84 MHz信道带宽， PAR = 8.5分贝
@ 0.01 ％的概率（ CCDF ）
14.8
14.6
G
ps
，功率增益（分贝）
14.4
14.2
14
13.8
13.6
13.4
13.2
13
2060 2080
η
D
27
26
25
24
η
D
，沥干
效率（％）
15
28
G
ps
IM3
ACPR
IRL
2100
2120
2140
2160
2180
2200
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
-31
-34
-37
-40
-43
-46
2220 2240
-9
-10
-1 1
-12
-13
-14
男，频率（MHz）
图3. 2载波W- CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 22.5瓦的魅力。
14
13.8
G
ps
，功率增益（分贝）
13.6
13.4
13.2
13
12.8
12.6
12.4
η
D
37
36
35
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45 W（平均） ，我
DQ
= 1050毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
3.84 MHz信道带宽， PAR = 8.5分贝
@ 0.01 ％的概率（ CCDF ）
IM3
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
-24
-26
-28
-9
-10
-1 1
-12
-13
-14
ACPR
IRL
2100
2120
2140
2160
2180
2200
-30
-32
-34
2220 2240
12.2
2060 2080
男，频率（MHz）
图4. 2载波W- CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 45瓦的魅力。
16
I
DQ
= 1575毫安
15
G
ps
，功率增益（分贝）
14
787毫安
13
12
11
10
525毫安
1312毫安
1050毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
-1 0
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
-2 0
1575毫安
I
DQ
= 525毫安
-4 0
1312毫安
-5 0
787毫安
-60
100
300
0.1
1
10
100
300
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
1050毫安
-3 0
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
0.1
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图5.两个-T 1功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
G
ps
34
η
D
，沥干
效率（％）
14.2
38
IRL ，输入回波损耗（分贝）
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S21100N
第2版， 1/2007
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为W-CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器的应用
系统蒸发散。被美国海关在的Clas s AB的PCN - PCS / C ellular电台， WLL及
TD - SCDMA的应用程序。
典型2 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1050毫安，
P
OUT
= 23瓦平均，全频段，信道带宽= 3.84 MHz时，
PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 14.5分贝
漏极效率 - 25.5 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - - 37 dBc的在3.84 MHz的带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 40 dBc的在3.84 MHz的带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 100瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
200℃有能力塑料包装
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF6S21100NR1
MRF6S21100NBR1
2110年至2170年兆赫， 23瓦AVG ， 28 V 。
2 x宽 - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
塑料
MRF6S21100NR1
CASE 1484至1404年，风格1
TO - 272 WB - 4
塑料
MRF6S21100NBR1
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 +175
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 100瓦CW
外壳温度73 ° C， 23瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.57
0.66
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 330
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1050 MADC ）
夹具门静态电压
(1)
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1050 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.3 ADC）
动态特性
(2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
1.5
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
GG （ Q）
V
DS （ ON）
1
—
2.2
—
2
2.8
3.1
0.24
3
—
4.4
—
VDC
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1050毫安，P
OUT
= 23瓦平均， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫， 2 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商， ACPR测量
3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。 IM3测量3.84 MHz的带宽@
±10
MHz偏移。 PAR = 8.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
13
24
- 47
- 50
—
14.5
25.5
- 37
- 40
- 12
16
36
- 35
- 38
- 10
dB
%
dBc的
dBc的
dB
1. V
GG
= 11/10 x垂直
GS （ Q）
。参数测量飞思卡尔测试夹具，由于电路板上的电阻分压器网络。请参考测试电路
原理图。
2.部分是输入和输出内部匹配两种。
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
+
C1
R2
C2
B1
V
供应
C3
R3
Z5
Z12
C4
C5
C6
RF
产量
RF
输入
Z6
Z1
C7
Z2
Z3
Z4
Z7
Z8
Z9
C9
Z10
Z11
C8
DUT
V
供应
C10
C11
C12
Z1, Z10
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
0.743″
0.893″
0.175″
0.420″
1.231″
0.100″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.800″
x 0.040″
x 0.880″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z7
Z8
Z9
Z11, Z12
PCB
0.259 “× 0.880 ”微带
0.215 “× 0.230 ”微带
0.787 “× 0.084 ”微带
1.171 “× 0.120 ”微带
阿尔隆AD250 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
图1. MRF6S21100NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF6S21100NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2
C3, C4, C10
C5, C6, C11, C12
C7
C8
C9
R1
R2
R3
铁氧体磁珠
10
μF,
35 V钽电容器
0.01
μF
贴片电容
5.1 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
10 pF的贴片电容
1.1 pF的贴片电容
5.1 pF的贴片电容（ MRF6S21100NR1 ）
8.2 pF的贴片电容（ MRF6S21100NBR1 ）
1 kΩ的1/4 W贴片电阻
为10kΩ ， 1/4 W码片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
描述
产品型号
25008051107Y0
T491D106K035AT
C1825C103J1GAC
ATC600B5R1BT250XT
GRM55DR61H106KA88L
ATC600B100BT250XT
ATC600B1R1BT250XT
AT600B5R1BT250XT
ATC600B8R2BT250XT
CRCW12061000FKTA
CRCW12061001FKTA
CRCW120610R0FKTA
生产厂家
博览会 - 爱色丽
基美
基美
ATC
村田
ATC
ATC
ATC
ATC
日前，Vishay
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
B1 R3
R1
R2
C2
C1
C3
C4
C5
C6
C7
C8
切出区
C9
C11 C12
MRF6S21100N / NB ，第3版
C10
图2. MRF6S21100NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 22.5 W（平均） ，我
DQ
= 1050毫安
2 -Carrier W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
3.84 MHz信道带宽， PAR = 8.5分贝
@ 0.01 ％的概率（ CCDF ）
14.8
14.6
G
ps
，功率增益（分贝）
14.4
14.2
14
13.8
13.6
13.4
13.2
13
2060 2080
η
D
27
26
25
24
η
D
，沥干
效率（％）
15
28
G
ps
IM3
ACPR
IRL
2100 2120
2140
2160
2180 2200
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
31
34
37
40
43
46
2220 2240
9
10
11
12
13
14
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 22.5瓦的魅力。
14
13.8
G
ps
，功率增益（分贝）
13.6
13.4
13.2
13
12.8
12.6
12.4
η
D
37
36
35
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45 W（平均） ，我
DQ
= 1050毫安
2 -Carrier W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
3.84 MHz信道带宽， PAR = 8.5分贝
@ 0.01 ％的概率（ CCDF ）
IM3
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
24
26
28
9
10
11
12
13
14
ACPR
IRL
2100 2120
2140
2160
2180 2200
30
32
34
2220 2240
12.2
2060 2080
男，频率（MHz）
图4 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 45瓦的魅力。
16
I
DQ
= 1575毫安
15
G
ps
，功率增益（分贝）
14
787毫安
13
12
11
10
525毫安
1312毫安
1050毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
10
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
两个-Tone测量， 10 MHz的音调间隔
20
1575毫安
I
DQ
= 525毫安
40
1312毫安
50
787毫安
60
0.1
1
10
100
300
1050毫安
30
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
两个-Tone测量， 10 MHz的音调间隔
0.1
1
10
100
300
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S21100NR1 MRF6S21100NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
G
ps
34
η
D
，沥干
效率（％）
14.2
38
IRL ，输入回波损耗（分贝）
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