飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S21100H
启7 ， 1/2007
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
适用于W - CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器的应用
系统蒸发散。被美国海关在的Clas s AB的PCN - PCS / C ellular电台， WLL及
TD - SCDMA的应用程序。
典型2 - 载波W - 为V CDMA性能
DD
= 28伏，我
DQ
= 950毫安，
P
OUT
= 23瓦平均，全频段，信道带宽= 3.84 MHz时，
PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 15.9分贝
漏极效率 - 27.6 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - - 37 dBc的在3.84 MHz信道带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 39.5 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 100瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S21100HR3
MRF6S21100HSR3
2110年至2170年兆赫， 23瓦AVG ， 28 V 。
2 x宽 - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF6S21100HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF6S21100HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
c
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 100瓦CW
外壳温度77 ° C， 23瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.45
0.52
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2007。保留所有权利。
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
3A （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 250
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 950 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.2 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
1.5
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
0.1
2
2.8
0.21
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 950毫安，P
OUT
= 23瓦平均， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫， 2 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商， ACPR测量
3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。 IM3测量3.84 MHz信道带宽@
±10
MHz偏移。 PAR = 8.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
14.5
26
—
—
—
15.9
27.6
- 37
- 39.5
- 16
17.5
—
- 35
- 38
-9
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
BIAS
R1
R2
+
C1
+
C2
C4
C3
C5
Z8
Z5
RF
输入
Z1
C6
DUT
Z2
Z3
Z4
Z6
Z7
Z9
Z10
Z11
C7
Z12
RF
产量
C8
+
C9
+
C10
+
C11
C13
+
C12
V
供应
+
C14
Z1, Z12
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
1.250″
1.070″
0.330″
0.093″
1.255″
0.160″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.800″
x 0.800″
x 0.040″
x 0.880″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
PCB
0.320 “× 0.880 ”微带
0.120 “× 0.820 ”微带
0.035 “× 0.320 ”微带
0.335 “× 0.200 ”微带
0.650 “× 0.084 ”微带
阿尔隆GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6S21100HR3 （ SR3 ）测试电路原理图
表5. MRF6S21100HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2
C3
C4, C13
C5
C6, C7
C8
C9, C10, C11, C12
C14
R1
R2
铁氧体磁珠
1.0
μF,
50 V钽电容器
10
μF,
50 V电解电容
1000 pF的100B贴片电容
0.1
μF
100B贴片电容
5.1 pF的贴片电容
15 pF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
22
μF,
35 V钽电容器
100
μF,
50 V电解电容
1.0千瓦， 1/8 W码片电阻
10
W,
1/8 W贴片电阻
描述
产品型号
2743019447
T491C105M050AT
EEV - HB1H100P
ATC100B102JT500XT
CDR33BX104AKWY
ATC100B5R1JT500XT
ATC100B150JT500XT
ATC100B6R8JT500XT
T491X226K035AT
515D107M050BB6AE3
CRCW08051000FKTA
CRCW080510R0FKTA
生产厂家
博览会 - 爱色丽
基美
松下
ATC
基美
ATC
ATC
ATC
基美
威世/斯普拉格
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
C1
B1 R2
C5
C8
C9 C10
C14
V
GG
C11
C2
C4
C6
C3
C12
V
DD
C13
C7
切出区
2.1 GHz的
NI780
转4
图2. MRF6S21100HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
16.2
16
PS ，功率增益（分贝）
15.8
IM3 -U
IRL
15.4
15.2
ACPR -L
15
2080
2100
3.84 MHz信道带宽
PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
2120
2140
2160
2180
IM3 -L
ACPR -U
42
44
2200
40
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
15.6
38
10
20
30
40
V
DD
= 28伏直流
P
OUT
= 23瓦（平均）。
I
DQ
= 950毫安
η
D
2载波W-CDMA中
10 MHz载波间距
G
ps
36
28
27
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 23瓦的魅力。
η
D
15.4
PS ，功率增益（分贝）
15.2
15
14.8
14.6
14.4
2080
V
DD
= 28伏直流
P
OUT
= 55 W（平均）。
I
DQ
= 950毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
3.84 MHz信道带宽
IM3 -L
IM3 -U
PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
ACPR -U
ACPR -L
2100
2120
2140
2160
2180
男，频率（MHz）
28
30
2200
G
ps
42
40
24
26
η
D
，沥干
效率（％）
15.6
44
IRL
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
10
20
30
40
图4 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 55瓦的魅力。
17.5
17
PS ，功率增益（分贝）
16.5
16
15.5
15
14.5
450毫安
14
13.5
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
300
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
两个-Tone测量， 10 MHz的音调间隔
700毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 1450毫安
1200毫安
950毫安
20
25
30
35
40
45
50
700毫安
55
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
950毫安
I
DQ
= 450毫安
1450毫安
1200毫安
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
两个-Tone测量， 10 MHz的音调间隔
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
飞思卡尔半导体公司
技术参数
MRF6S21100H
第2版， 2004年12月
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
适用于W - CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器的应用
T I O 4 N秒。要beusedin 姑娘AB的PCN - PCS / cellularradioand WLL
应用程序。
典型2 - 载波W - 为V CDMA性能
DD
= 28伏，
I
DQ
= 950毫安，P
OUT
= 23瓦平均，全频段，信道频带 -
宽度= 3.84兆赫，峰值/平均。 = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 15.9分贝
漏极效率 - 27.6 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - - 37 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 39.5 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 100瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配，控制Q，为方便使用
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
较低的镀金厚度上信息， 40
″
标称。
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S21100HR3
MRF6S21100HSR3
2170兆赫， 23瓦平均， 28 V
2 x宽 - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF6S21100HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF6S21100HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
388
2.2
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 100瓦CW
外壳温度77 ° C， 23瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1)
0.45
0.52
单位
° C / W
1.参考AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司2004版权所有。
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 - G）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 - A）
充电器型号（每JESD22 - C101- A）
类
3A （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 950 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
1.5
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
1
2
—
—
2
2.8
0.21
5.3
3
4
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 950毫安，P
OUT
= 23瓦平均， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫， 2 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商， ACPR测量
3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。 IM3测量3.84 MHz信道带宽@
±10
MHz偏移。峰值/平均。 = 8.5 dB的
0.01 ％的概率在CCDF 。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
15
26
—
—
—
15.9
27.6
- 37
- 39.5
- 16
17
—
- 35
- 38
-9
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
BIAS
R1
R2
+
C1
+
C2
C4
C3
C5
Z8
Z5
RF
输入
Z1
C6
DUT
Z2
Z3
Z4
Z6
Z7
Z9
Z10
Z11
C7
Z12
RF
产量
C8
+
C9
+
C10
+
C11
C13
+
C12
V
供应
+
C14
Z1, Z12
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
1.250″
1.070″
0.330″
0.093″
1.255″
0.160″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.800″
x 0.800″
x 0.040″
x 0.880″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
PCB
0.320 “× 0.880 ”微带
0.120 “× 0.820 ”微带
0.035 “× 0.320 ”微带
0.335 “× 0.200 ”微带
0.650 “× 0.084 ”微带
阿尔隆GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6S21100HR3 （ SR3 ）测试电路原理图
表5. MRF6S21100HR3 （ SR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2
C3
C4, C13
C5
C6, C7
C8
C9, C10, C11, C12
C14
R1
R2
铁氧体磁珠
1.0
F,
50 V钽电容器
10
F,
50 V电解电容
1000 pF的100B贴片电容
0.1
F
100B贴片电容
5.1 pF的贴片电容
15 pF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
22
F,
35 V钽电容器
100
F,
50 V电解电容
1.0千瓦， 1/8 W码片电阻
10
W,
1/8 W贴片电阻
描述
产品型号
2743019447
T491C105M050
EEV - HB1H100P
100B102JCA500X
CDR33BX104AKWS
100B5R1JCA500X
100B150JCA500X
100B6R8JCA500X
T491X226K035AS4394
515D107M050BB6A
生产厂家
博览会 - 爱色丽
基美
松下
ATC
基美
ATC
ATC
ATC
基美
威世/斯普拉格
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
C1
B1 R2
C5
C8
C9 C10
C14
V
GG
C11
C2
C4
C6
C3
C12
V
DD
C13
C7
切出区
HV6
2.1 GHz的
NI780
转4
图2. MRF6S21100HR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
16.2
16
PS ，功率增益（分贝）
15.8
IM3U
IRL
15.4
15.2
ACPR -L
15
2080
2100
3.84 MHz信道带宽
峰值/平均。 = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
2120
2140
2160
2180
IM3L
ACPR -U
42
44
2200
40
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
15.6
38
10
20
30
40
V
DD
= 28伏直流
P
OUT
= 23瓦（平均）。
I
DQ
= 950毫安
η
D
2载波W-CDMA中
10 MHz载波间距
G
ps
36
28
27
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波W - CDMA的宽带性能
η
D
15.4
PS ，功率增益（分贝）
15.2
15
14.8
14.6
14.4
2080
V
DD
= 28伏直流
P
OUT
= 55 W（平均）。
I
DQ
= 950毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
3.84 MHz信道带宽
IM3L
IM3U
峰值/平均。 = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
ACPR -U
ACPR -L
2100
2120
2140
2160
2180
男，频率（MHz）
28
30
2200
G
ps
42
40
24
26
η
D
，沥干
效率（％）
15.6
44
IRL
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
10
20
30
40
图4 2 - 载波W - CDMA的宽带性能
17.5
17
PS ，功率增益（分贝）
16.5
16
15.5
700毫安
15
14.5
450毫安
14
13.5
1
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
10
100
500
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 1450毫安
1200毫安
950毫安
20
25
30
35
40
45
50
700毫安
55
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
950毫安
I
DQ
= 450毫安
1450毫安
1200毫安
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
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