飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S21060N
第4版， 2006年12月
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为W-CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器的应用
系统蒸发散。被美国海关在的Clas s AB的PCN - PCS / C ellular电台， WLL及
TD - SCDMA的应用程序。
典型2 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 610毫安，P
OUT
= 14瓦平均，全频段，信道
带宽= 3.84 MHz时， PAR = 8.5 dB的0.01 ％的概率在CCDF 。
功率增益 - 15.5分贝
漏极效率 - 26 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - - 37 dBc的在3.84 MHz的带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 40 dBc的在3.84 MHz的带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 60瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
200℃有能力塑料包装
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF6S21060NR1
MRF6S21060NBR1
2110年至2170年兆赫， 14瓦AVG ， 28 V 。
2 x宽 - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
塑料
MRF6S21060NR1
CASE 1484至1404年，风格1
TO - 272 WB - 4
塑料
MRF6S21060NBR1
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度79 ° C， 60瓦CW
外壳温度76 ° C， 14瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.89
1.04
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
III （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征（ DC ）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 610 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.0 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
1.5
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.5
2
—
2.2
2.8
0.3
2.5
4
—
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 610毫安，P
OUT
= 14瓦平均， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫， 2 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量
3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。 IM3测量3.84 MHz的带宽@
±10
MHz偏移。 PAR = 8.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
13.5
24.5
—
—
—
15.5
26
- 37
- 40
- 14
16.5
—
- 35
- 38
- 10
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
R2
C6
C1
C2
Z6
Z15
RF
输入
R3
Z1
C7
Z2
Z3
Z4
Z5
Z7
Z16
DUT
V
供应
C9
C10
C11
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
C8
Z14
C3
C4
C5
RF
产量
V
供应
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.250 “× 0.080 ”微带
0.860 “× 0.080 ”微带
0.300 “× 0.405 ”微带
0.350 “× 0.080 ”微带
0.350 “× 0.755 ”微带
0.680 “× 0.080 ”微带
0.115 “× 0.755 ”微带
0.115 “× 1.000 ”微带
0.240 “× 1.000 ”微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
0.270 “× 0.300 ”微带
0.230 “× 0.080 ”微带
0.310 “× 0.300 ”微带
0.830 “× 0.080 ”微带
0.200 “× 0.080 ”微带
1.000 “× 0.080 ”微带
1.100 “× 0.070 ”微带
阿尔隆AD250 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
图1. MRF6S21060NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF6S21060NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C7
C3, C8, C9
C4, C5, C6, C10, C11
R1
R2
R3
描述
100 nF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
10
μF,
35 V贴片电容
1千瓦， 1/4 W码片电阻
10千瓦的1/4 W贴片电阻
10
W,
1/4 W贴片电阻
产品型号
CDR33BX104AKYS
ATC100B4R7BT500XT
ATC100B6R8BT500XT
GRM55DR61H106KA88L
CRCW12061000FKTA
CRCW12061001FKTA
CRCW120610R0FKTA
生产厂家
基美
ATC
ATC
村田
日前，Vishay
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
C4
R2
C6
C1
C2
R3
切出区
C3
C5
C7
C8
C9
C10 C11
MRF6S21060N第3版
图2. MRF6S21060NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
16
15.8
15.6
G
ps
，功率增益（分贝）
15.4
15.2
15
14.8
14.6
14.4
14.2
14
2060
2080
2100
IRL
ACPR
2140
2160
2180
2200
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 14 W（平均）。
I
DQ
= 610毫安，2-载波W-CDMA中
10 MHz载波间距， 3.84 MHz的
信道带宽， PAR = 8.5分贝
@ 0.01 ％的概率（ CCDF ）
IM3
η
D
28
27
26
G
ps
25
24
36
38
40
42
44
46
2220
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
5
10
15
20
25
η
D
，沥干
效率（％）
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
6
9
12
15
18
21
24
I
DQ
= 305毫安
IRL ，输入回波损耗（分贝）
610毫安
100
200
763毫安
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
IRL ，输入回波损耗（分贝）
2120
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 14瓦的魅力。
15.6
15.4
15.2
G
ps
，功率增益（分贝）
15
14.8
14.6
G
ps
η
D
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 28 W（平均）。
I
DQ
= 610毫安，2-载波W-CDMA中
10 MHz载波间距， 3.84 MHz的
信道带宽， PAR = 8.5分贝
@ 0.01 ％的概率（ CCDF ）
IM3
IRL
ACPR
2080
2100
2120
2140
2160
2180
2200
39
38
37
36
26
28
30
32
34
2220
14.4
14.2
14
2060
男，频率（MHz）
图4 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 28瓦的魅力。
17
16
G
ps
，功率增益（分贝）
15
458毫安
14
305毫安
13
12
11
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
200
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
两个-Tone测量， 10 MHz的音调间隔
763毫安
610毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 915毫安
10
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
两个-Tone测量， 10 MHz的音调间隔
20
30
915毫安
40
50
458毫安
60
1
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S21060N
启5 ， 12/2008
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
专为W- CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。要使用AB类的PCN- PCS /蜂窝无线电， WLL及
TD-SCDMA的应用程序。
典型的2载波W- CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 610毫安，
P
OUT
= 14瓦的魅力。 ， F = 2115.5 MHz的信道带宽= 3.84 MHz时，
PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 15.5分贝
漏极效率 - 26 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - -37 dBc的在3.84 MHz的带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - -40 dBc的在3.84 MHz的带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 60瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
225℃有能力塑料包装
后缀表示无铅端接。符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF6S21060NR1
MRF6S21060NBR1
2110至70年兆赫， 14瓦平均， 28 V
2× W- CDMA
横向N沟道
RF功率MOSFET
CASE 1486至03年，风格1
TO- 270 WB- 4
塑料
MRF6S21060NR1
案例1484年至1404年，风格1
TO- 272 WB- 4
塑料
MRF6S21060NBR1
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
-0.5, +68
-0.5, +12
-65到+150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度79 ° C， 60瓦CW
外壳温度76 ° C， 14瓦CW
符号
R
θJC
0.89
1.04
价值
(2,3)
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2005年至2006年， 2008年。保留所有权利。
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22- A114 ）
机器型号（按照EIA / JESD22- A115 ）
充电器型号（每JESD22- C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
III （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD22- A113 ， IPC / JEDEC J- STD- 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅极 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征（ DC ）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 610 MADC ，测量功能测试）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.0 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
1.5
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.5
2
—
2.2
2.8
0.3
2.5
4
—
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 610毫安，P
OUT
= 14瓦平均， F1 = 2115.5兆赫， F2 =
2122.5兆赫， 2载波W-CDMA中， 3.84MHz的信道带宽的载体。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
兆赫
抵消。 IM3测量3.84 MHz的带宽@
±10
MHz偏移。 PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
13.5
24.5
—
—
—
15.5
26
-37
-40
-14
16.5
—
-35
-38
-10
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
R2
C6
C1
C2
Z6
Z15
RF
输入
R3
Z1
C7
Z2
Z3
Z4
Z5
Z7
Z16
DUT
V
供应
C9
C10
C11
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
C8
Z14
C3
C4
C5
RF
产量
V
供应
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.250 “× 0.080 ”微带
0.860 “× 0.080 ”微带
0.300 “× 0.405 ”微带
0.350 “× 0.080 ”微带
0.350 “× 0.755 ”微带
0.680 “× 0.080 ”微带
0.115 “× 0.755 ”微带
0.115 “× 1.000 ”微带
0.240 “× 1.000 ”微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
0.270 “× 0.300 ”微带
0.230 “× 0.080 ”微带
0.310 “× 0.300 ”微带
0.830 “× 0.080 ”微带
0.200 “× 0.080 ”微带
1.000 “× 0.080 ”微带
1.100 “× 0.070 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300-55-22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6S21060NR1 （ NBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF6S21060NR1 （ NBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C7
C3, C8, C9
C4, C5, C6, C10, C11
R1
R2
R3
描述
100 nF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
10
μF,
35 V贴片电容
1千瓦， 1/4 W码片电阻
10千瓦的1/4 W贴片电阻
10
W,
1/4 W贴片电阻
产品型号
CDR33BX104AKYS
ATC100B4R7BT500XT
ATC100B6R8BT500XT
GRM55DR61H106KA88L
CRCW12061001FKEA
CRCW12061002FKEA
CRCW120610R0FKEA
生产厂家
基美
ATC
ATC
村田
日前，Vishay
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
R1
C4
R2
C6
C1
C2
R3
C3
C5
切出区
C7
C8
C9
C10 C11
MRF6S21060N第3版
图2. MRF6S21060NR1 （ NBR1 ）测试电路元件布局
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
16
15.8
15.6
G
ps
，功率增益（分贝）
15.4
15.2
15
14.8
14.6
14.4
14.2
14
2060
2080
2100
IRL
2120
2140
ACPR
2160
2180
2200
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 14 W（平均）。
I
DQ
= 610毫安，2-载波W-CDMA中
10 MHz载波间距， 3.84 MHz的
信道带宽， PAR = 8.5分贝
@ 0.01 ％的概率（ CCDF ）
IM3
η
D
28
27
26
G
ps
25
24
-36
-38
-40
-42
-44
-46
2220
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
-5
-10
-15
-20
-25
η
D
，沥干
效率（％）
男，频率（MHz）
图3. 2载波W- CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 14瓦的魅力。
15.6
15.4
15.2
G
ps
，功率增益（分贝）
15
14.8
14.6
IM3
14.4
14.2
14
2060
2080
2100
2120
2140
IRL
ACPR
2160
2180
2200
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 28 W（平均）。
I
DQ
= 610毫安，2-载波W-CDMA中
10 MHz载波间距， 3.84 MHz的
信道带宽， PAR = 8.5分贝
@ 0.01 ％的概率（ CCDF ）
39
η
D
38
37
36
-26
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
-28
-30
-32
-34
2220
η
D
，沥干
效率（％）
G
ps
-6
-9
-12
-15
-18
-21
-24
男，频率（MHz）
图4. 2载波W- CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 28瓦的魅力。
17
16
G
ps
，功率增益（分贝）
15
458毫安
14
305毫安
13
12
11
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
200
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
763毫安
610毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 915毫安
-1 0
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
-2 0
I
DQ
= 305毫安
-3 0
915毫安
-4 0
-5 0
458毫安
-60
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
200
763毫安
610毫安
图5.两个-T 1功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S21060NR1 MRF6S21060NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
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