飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S19200H
第0版， 3/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为CDMA基站应用的频率，从1930年到
1990年兆赫。适用于CDMA和多载波放大器应用。要
PCS /蜂窝无线电应用 - 在AB类和C类的PCN使用。
典型的单 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
=
1600毫安，P
OUT
= 56瓦平均，全频段， 3GPP测试模型1 ，
64 DPCH 50 ％裁剪，信道带宽= 3.84 MHz的输入信号
PAR =上CCDF 7.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 17.9分贝
漏极效率 - 29.5 ％
仪输出信号的PAR - 5.9分贝@ CCDF上0.01 ％的概率
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 36 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ，1960兆赫， 130瓦CW
输出功率
特点
100 ％测试PAR针对有保证的输出功率能力
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
集成ESD保护
更大的负栅 - 源电压范围为改良C级
手术
优化的Doherty应用
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S19200HR3
MRF6S19200HSR3
1930年 - 1990兆赫， 56 W AVG ， 28 V 。
单W - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF6S19200HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF6S19200HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
工作电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
CW操作@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
符号
V
DSS
V
GS
V
DD
T
英镑
T
C
T
J
CW
价值
- 0.5, +66
- 6.0, +10
32, +0
- 65 + 150
150
225
130
0.49
单位
VDC
VDC
VDC
°C
°C
°C
W
W / ℃，
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度110 ° C， 89 W CW
外壳温度100 ° C， 55瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.35
0.36
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF6S19200HR3 MRF6S19200HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1B （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 66伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 372
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1600 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.71 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输入电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1兆赫）
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
—
—
—
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1
2
0.1
2
3
0.2
3
4
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
10
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
2.3
185
503
—
—
—
pF
pF
pF
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1600毫安， P
OUT
= 56 W平均， F = 1932.5 MHz和
F = 1987.5兆赫，单 - 载波W - CDMA ， 3GPP测试模型1 ， 64 DPCH ， 50％的裁剪，输入信号PAR = 7.5 dB的0.01 ％的概率
CCDF 。 ACPR测量在3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
15
26
5.5
—
—
17.9
29.5
5.9
- 36
- 14
19
—
—
- 34
-8
dB
%
dB
dBc的
dB
（续）
MRF6S19200HR3 MRF6S19200HSR3
2
RF设备数据
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表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
IMD对称性@ 130 W PEP ，P
OUT
其中， IMD三阶
互
`
30 dBc的
上，下之间（增量IMD三阶互调
边带> 2分贝）
VBW共振点
（ IMD三阶互调拐点）
增益平坦度为60 MHz带宽@ P
OUT
= 56 W魅力。
从线性相位在60 MHz带宽平均偏差
@ P
OUT
= 130 W CW
平均群时延@ P
OUT
= 130 W CW ， F = 1960 MHz的
部分 - 到 - 部分插入相位变化@ P
OUT
= 130 W CW ，
F = 1960兆赫，六西格玛窗口
增益随温度变化
（ - 30 ° C至+ 85°C ）
符号
IMD
符号
民
典型值
最大
单位
兆赫
—
20
—
典型的表演
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1600毫安， 1930年 - 1990 MHz带宽
VBW
水库
G
F
Φ
延迟
ΔΦ
ΔG
—
—
—
—
—
—
50
0.6
1.94
2.44
59.4
0.04
—
—
—
—
—
—
兆赫
dB
°
ns
°
分贝/°C的
MRF6S19200HR3 MRF6S19200HSR3
RF设备数据
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3
B1
V
BIAS
+
R1
C1
C2
R2
C4
Z8
RF
输入
Z5
Z1
C3
Z2
Z3
Z4
Z6
Z9
DUT
Z7
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
C13
C5
C7
C9
+
C11
+
C14
V
供应
Z15
RF
产量
V
供应
+
C6
C8
C10
C12
+
C15
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8, Z9
0.859″
0.470″
0.362″
0.145″
0.040″
0.418″
0.103″
0.198″
x 0.084″
x 0.084″
x 0.244″
x 1.040″
x 0.257″
x 1.040″
x 1.203″
x 0.160″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
PCB
0.547 “× 1.203 ”微带
0.119 “× 0.755 ”微带
0.222 “× 0.365 ”微带
0.225 “× 0.220 ”微带
0.192 “× 0.084 ”微带
0.843 “× 0.084 ”微带
阿尔隆CuClad 250GX - 0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6S19200HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF6S19200HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1
C2, C9, C10
C3, C13
C4, C5, C6
C7, C8
C11, C12
C14, C15
R1
R2
描述
短式铁氧体磁珠
10
μF,
50 V电解电容
0.1
μF,
100伏电容
33 pF的贴片电容
10 pF的贴片电容
10
μF,
50 V电容器
22
μF,
35 V钽电容器
22
μF,
50 V电解电容器
1000
Ω,
1/4 W贴片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447
EMVY500ADA100MF55G
CDR33BX104AKYS
ATC100B330JT500XT
ATC100B100CT500XT
GRMSSDRG1H106KA88B
T491X226K035AT
EMVY500ADA220MF55G
CRCW12061001FKEA
CRCW120610R1FKEA
生产厂家
爱色丽博览会
日本贵弥功 - 精读
基美
ATC
ATC
村田
基美
日本贵弥功 - 精读
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF6S19200HR3 MRF6S19200HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
C7
C11
C5
R1
C4
C2
C1
R2
C9
C14
C3
切出区
C13
C10
C6
C15
C12
C8
MRF6S19200H/HS
第2版
图2. MRF6S19200HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF6S19200HR3 MRF6S19200HSR3
RF设备数据
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5
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