飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S18140H
第0版， 9/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为N- CDMA基站应用从1805频率
到1880兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器的应用
T I O 4 N秒。要beusedin 姑娘AB的PCN - PCS / cellularradioand WLL
应用程序。
典型2 - 载波N - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1200毫安，
P
OUT
。 = 29瓦的魅力，全频波段， IS - 95 CDMA （先导，同步，
寻呼，交通守则8 13 ）信道带宽= 1.2288兆赫。
PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 16分贝
漏极效率 - 27.5 ％
IM3 @ 2.5 MHz偏移 - - 36 dBc的在1.2288 MHz带宽
ACPR @ 885 kHz偏置 - - 50.5 dBc的30 kHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 1840兆赫， 140瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
较低的镀金厚度上信息， 40
μ
″
标称。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S18140HR3
MRF6S18140HSR3
1805年至1880年兆赫， 29 W AVG ， 28 V 。
2× N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF6S18140HR3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF6S18140HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 140瓦特CW
外壳温度73 ° C， 29 W CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.31
0.35
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 300
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1200 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
2.2
685
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
2
0.1
2
2.7
0.22
2.7
3.8
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1200毫安， P
OUT
= 29 W平均， F1 = 1805兆赫，
F2 = 1807.5 MHz和F1 = 1877.5兆赫， F2 = 1880兆赫， 2 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量
30 kHz的信道带宽@
±885
kHz偏置。 IM3测1.2288 MHz的信道带宽@
±2.5
MHz偏移。 PAR = 9.8分贝@
0.01 ％的概率在CCDF 。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
15
25.5
—
—
—
16
27.5
- 36
- 50.5
- 10.5
18
—
- 34.5
- 48
—
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
供应
+
R3
V
BIAS
+
C8
R5
C4
R1
C6
Z18
RF
输入
Z14
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
C1
R4
+
C9
R6
C5
B2
R2
C7
C3
Z15
C11
C14
C15
Z7
Z8
Z9
Z10 Z11 Z12
Z13
Z17
DUT
C2
Z16
Z19 Z20 Z21 Z22
RF
产量
Z23
B1
C10
C12
C13
C16
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
0.166″
0.250″
0.140″
0.092″
0.130″
0.109″
0.070″
0.350″
0.092″
0.720″
0.090″
0.342″
x 0.082″
x 0.334″
x 0.340″
x 0.164″
x 0.234″
x 0.082″
x 0.082″
x 0.644″
x 0.420″
x 0.082″
x 0.485″
x 1.070″
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
微带
X 0.580 “锥
微带
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
Z19
Z20
Z21
Z22
Z23
PCB
0.108 “× 1.070 ”微带
0.960 “× 0.046 ”微带
0.084 “× 0.046 ”微带
0.996 “× 0.080 ”微带
1.015 “× 0.080 ”微带
0.099 “× 1.070 ”微带
0.516 “× 1.070 ”微带
0.292 “× 0.288 ”微带
0.198 “× 0.114 ”微带
0.372 “× 0.080 ”微带
1.181 “× 0.080 ”微带
DS电子GX0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6S18140HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF6S18140HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2
C3
C4, C5, C12, C13,
C14, C15
C6, C7, C10, C11
C8, C9
C16
R1, R2
R3, R4
R5, R6
描述
47
Ω,
100 MHz的小铁氧体磁珠，表面贴装
39 pF的贴片电容
0.1 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
9.1 pF的贴片电容
47
μF,
50 V电解电容器
470
μF,
63 V电解电容
12
Ω,
1/8瓦的电阻
1.0 KΩ ， 1/8瓦的电阻
560 KΩ 1/8 W码片电阻
产品型号
2743019447
700B390FW500XT
100B0R1BP500X
GRM55DR61H106KA88B
600B9R1BT250XT
MVK50VC47RM8X10TP
NACZF471M63V
CRCW120612R0F100
CRCW12061001F100
CRCW12065602F101
生产厂家
博览会 - 爱色丽
ATC
ATC
村田
ATC
美贵弥功 - 精读
日本贵弥功 - 精读
戴尔/威世
戴尔/威世
戴尔/威世
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C10
R3
C8
+
B1 R1
C6
C12 C13
C16
R5
C4
C1
C2
R6
C5
R4
B2
R2
C7
C11
切出区
+
C9
C3
C14 C15
MRF6S18140H/HS
第1版
图2. MRF6S18140HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
0
4
8
12
16
20
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
0
4
8
12
16
20
1800毫安
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
16.8
16.6
16.4
G
ps
，功率增益（分贝）
16.2
16
15.8
15.6
15.4
15.2
15
14.8
1760
ACPR
1780
1800
1820
1840
1860
1880
1900
IRL
G
ps
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 29 W（平均）。
I
DQ
= 1200毫安， 2载波的N- CDMA
2.5 MHz的载波间隔， 1.2288兆赫
信道带宽， PAR = 9.8分贝
@ 0.01 ％的概率（ CCDF ）
IM3
η
D
30
29
28
27
26
24
30
36
42
48
54
1920
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波N - CDMA宽带性能@ P
OUT
= 29瓦的魅力。
16.4
16.2
16
G
ps
，功率增益（分贝）
15.8
15.6
15.4
15.2
15
14.8
14.6
14.4
1760
ACPR
1780
1800
1820
1840
1860
1880
1900
IM3
IRL
G
ps
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 60瓦（平均）。
I
DQ
= 1200毫安， 2载波的N- CDMA
2.5 MHz的载波间隔， 1.2288兆赫
信道带宽， PAR = 9.8分贝
@ 0.01 ％的概率（ CCDF ）
η
D
42
41
40
39
38
12
18
24
30
36
42
1920
男，频率（MHz）
图4 2 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 60瓦的魅力。
19
18
G
ps
，功率增益（分贝）
17
16
900毫安
15
14 600毫安
13
1
10
100
400
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1838.75兆赫， F2 = 1841.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
I
DQ
= 1800毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
10
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1838.75兆赫， F2 = 1841.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
20
1500毫安
1200毫安
30
I
DQ
= 600毫安
40
50
900毫安
60
1
10
1200毫安
1500毫安
100
400
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S18140H
修订版1.1 ， 12/2009
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
设计对于N -CDMA基站应用从1805频率
到1880兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器的应用
系统蒸发散。要使用AB类的PCN- PCS /蜂窝无线电和WLL应用
系统蒸发散。
典型的2载波n -CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1200毫安，
P
OUT
= 29瓦的魅力。 ， F = 1877.5兆赫， IS- 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 13 ）信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 16分贝
漏极效率 - 27.5 ％
IM3 @ 2.5 MHz偏移 - -36 dBc的在1.2288 MHz带宽
ACPR @ 885 kHz偏置 - -50.5 dBc的30 kHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 1840兆赫， 140瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S18140HR3
MRF6S18140HSR3
档案信息
CASE 465B -03 ，风格1
NI-880
MRF6S18140HR3
CASE 465C -02 ，风格1
NI-880S
MRF6S18140HSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
-0.5, +68
-0.5, +12
-65到+150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 140瓦特CW
外壳温度73 ° C， 29 W CW
符号
R
θJC
0.31
0.35
价值
(2,3)
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问
MTTF计算器副产品。
3.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年， 2008至2009年。版权所有。
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
档案信息
1805-1880兆赫， 29 W平均， 28 V
2 X N- CDMA
横向N沟道
RF功率MOSFET
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22- A114 ）
机器型号（按照EIA / JESD22- A115 ）
充电器型号（每JESD22- C101 ）
类
2 （最小）
A（最小）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
档案信息
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 300
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 28伏直流，我
D
= 1200 MADC ，测量功能测试）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
2.2
685
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
2
0.1
2
2.7
0.22
2.7
3.8
0.3
VDC
VDC
VDC
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1200毫安， P
OUT
= 29 W平均， F1 = 1877.5兆赫， F2 =
1880兆赫， 2载波n -CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±885
千赫
抵消。 IM3测1.2288 MHz的信道带宽@
±2.5
MHz偏移。 PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
15
25.5
—
—
—
16
27.5
-36
-50.5
-10.5
18
—
-34.5
-48
—
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
档案信息
栅极 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
V
供应
+
R3
V
BIAS
+
C8
R5
C4
R1
C6
Z18
RF
输入
Z14
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
C1
Z15
R4
+
B2
R2
C5
C7
C3
C11
C14
C15
Z7
Z8
Z9
Z10 Z11 Z12
Z13
Z17
DUT
C2
Z16
Z19 Z20 Z21 Z22
RF
产量
Z23
B1
C10
C12
C13
C16
档案信息
C9
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
0.166 “× 0.082 ”微带
0.250 “× 0.334 ”微带
0.140 “× 0.340 ”微带
0.092 “× 0.164 ”微带
0.130 “× 0.234 ”微带
0.109 “× 0.082 ”微带
0.070 “× 0.082 ”微带
0.350 “× 0.644 ”微带
0.092 “× 0.420 ”微带
0.720 “× 0.082 ”微带
0.090 “× 0.485 ”× 0.580 “锥
0.342 “× 1.070 ”微带
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
Z19
Z20
Z21
Z22
Z23
PCB
0.108 “× 1.070 ”微带
0.960 “× 0.046 ”微带
0.084 “× 0.046 ”微带
0.996 “× 0.080 ”微带
1.015 “× 0.080 ”微带
0.099 “× 1.070 ”微带
0.516 “× 1.070 ”微带
0.292 “× 0.288 ”微带
0.198 “× 0.114 ”微带
0.372 “× 0.080 ”微带
1.181 “× 0.080 ”微带
DS电子GX0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6S18140HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF6S18140HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2
C3
C4, C5, C12, C13,
C14, C15
C6, C7, C10, C11
C8, C9
C16
R1, R2
R3, R4
R5, R6
描述
47
Ω,
100 MHz的小铁氧体磁珠，表面贴装
39 pF的贴片电容
0.1 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
9.1 pF的贴片电容
47
μF,
50 V电解电容器
470
μF,
63 V电解电容
12
Ω,
1/4瓦的电阻
1.0 KΩ ， 1/4瓦的电阻
560 KΩ 1/4 W码片电阻
产品型号
2743019447
ATC700B390FT500XT
ATC100B0R1BT500XT
GRM55DR61H106KA88B
ATC100B9R1BT500XT
EMVY500ADA470MF80G
EMVY630GTR471MMH0S
CRCW120612R0FKEA
CRCW12061001FKEA
CRCW12065602FKEA
生产厂家
商Fair-Rite
ATC
ATC
村田
ATC
日本贵弥功
日本贵弥功
日前，Vishay
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
档案信息
R6
C10
R3
C8
+
B1 R1
C6
C12 C13
C16
R5
C4
C1
C2
切出区
档案信息
R6
C5
+
C9
R4
B2
MRF6S18140H/HS
第1版
R2
C7
C3
C14 C15
C11
图2. MRF6S18140HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
档案信息
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
16.8
16.6
16.4
G
ps
，功率增益（分贝）
16.2
16
15.8
15.6
15.4
15.2
15
14.8
1760
ACPR
1780
1800
1820
1840
1860
1880
1900
IRL
G
ps
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 29 W（平均）。
I
DQ
= 1200毫安， 2载波的N- CDMA
2.5 MHz的载波间隔， 1.2288兆赫
信道带宽， PAR = 9.8分贝
@ 0.01 ％的概率（ CCDF ）
IM3
η
D
30
29
28
27
26
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
-24
-30
-36
-42
-48
-54
1920
0
-4
-8
-12
-16
-20
档案信息
IRL ，输入回波损耗（分贝）
男，频率（MHz）
图3. 2载波n -CDMA宽带性能@ P
OUT
= 29瓦的魅力。
16.4
16.2
16
G
ps
，功率增益（分贝）
15.8
15.6
15.4
15.2
15
14.8
14.6
14.4
1760
IRL
ACPR
1780
1800
1820
1840
1860
1880
1900
IM3
G
ps
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 60瓦（平均）。
I
DQ
= 1200毫安， 2载波的N- CDMA
2.5 MHz的载波间隔， 1.2288兆赫
信道带宽， PAR = 9.8分贝
@ 0.01 ％的概率（ CCDF ）
η
D
42
41
40
39
38
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
-12
-18
-24
-30
-36
-42
1920
0
-4
-8
-12
-16
-20
男，频率（MHz）
图4. 2载波n -CDMA宽带性能@ P
OUT
= 60瓦的魅力。
19
18
G
ps
，功率增益（分贝）
17
16
900毫安
15
14 600毫安
13
1
10
100
400
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1838.75兆赫， F2 = 1841.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
I
DQ
= 1800毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
-1 0
V
DD
= 28伏直流
F1 = 1838.75兆赫， F2 = 1841.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
-2 0
1500毫安
1200毫安
-3 0
I
DQ
= 600毫安
-4 0
1800毫安
-5 0
900毫安
-60
1
10
1200毫安
1500毫安
100
400
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图5.两个-T 1功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
档案信息
η
D
，沥干
效率（％）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
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