飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6P9220H
第2版， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率最高到1000 MHz 。高增益和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器
应用28伏基站设备。
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 880 MHz的： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1600毫安， P
OUT
。 = 47瓦的魅力， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 13 ） 。信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 20分贝
漏极效率 - 30 ％
ACPR @ 750 kHz偏置= - 47.1 dBc的30 kHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 880兆赫， 220瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
器件专为推 - 拉操作仅
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
较低的镀金厚度上信息， 40
μ
″
标称。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6P9220HR3
880兆赫， 47 W平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 375克 - 04 ，风格1
NI - 860C3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
700
4
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 220 W CW
外壳温度76 ° C， 47 W CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.25
0.28
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器来
按产品访问MTTF计算器。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF6P9220HR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
3B （最低）
C（最小值）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(4)
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(4)
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 350
μAdc ）
门静态电压
(3)
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1600 MADC ，测量功能测试）
漏源开 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.4 ADC）
正向跨导
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2.4 ADC）
动态特性
(1,2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
2.1
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
1
2
0.1
—
2.2
2.8
0.22
7.4
3
4
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(3)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1600毫安， P
OUT
= 47 W魅力。 N - CDMA ，
F = 880 MHz的单 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
千赫
抵消。 PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.
2.
3.
4.
设备的每一侧分别测得。
部分内部对输入和输出匹配两种。
测量与制作设备推 - 拉配置。
水渠是在内部联系在一起，因为这是一个总的元件值。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
18.5
28.5
—
—
20
30
- 47.1
- 14
23
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
MRF6P9220HR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
B1
+
R3
COAX1
C1
C2
C3
Z19
Z8
Z10
Z12
Z14
Z16
C14
C10
Z3
C5
R2
COAX2
V
BIAS
+
C9
C7
C8
C24
Z1, Z18
Z2, Z3
Z4, Z5
Z6, Z7
Z8, Z9
0.401 “× 0.081 ”微带
0.563 “× 0.081 ”微带
0.416 “× 0.727 ”微带
0.058 “× 1.01 ”微带
0.191 “× 0.507 ”微带
Z10, Z11
Z12, Z13
Z14, Z15
Z16, Z17
Z19, Z20
PCB
+
C19
C20
+
C22
C21
B2
Z7
Z20
C6
Z5
DUT
C11
C12
RF
产量
Z18
C23
+
C15
C16
+
C18
C17
V
供应
COAX3
Z6
Z2
RF
输入
Z1
C4
Z4
Z9
Z13
Z15
Z17
C13
Z11
COAX4
V
供应
1.054 “× 0.150 ”微带
0.225 “× 0.507 ”微带
0.440 “× 0.335 ”微带
0.123 “× 0.140 ”微带
0.165 “× 0.339 ”微带
GX - 0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF6P9220HR3测试电路原理图
表5. MRF6P9220HR3测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C9
C2, C7, C17, C21
C3, C8, C16, C20
C4, C5, C13, C14
C6, C12
C10
C11
C15, C19
C18, C22
C23, C24
COAX1 ， 2，3， 4
R1, R2
R3
描述
铁氧体磁珠，短
1.0
μF,
50 V片式钽电容器
0.1
μF
贴片电容
1000 pF的100B贴片电容
100 pF的100B贴片电容
8.2 pF的600B贴片电容
9.1 pF的600B贴片电容
1.8 pF的600B贴片电容
47
μF,
50 V电解电容器
470
μF,
63 V电解电容器
22 pF的600B贴片电容
50
Ω,
半刚性同轴电缆， 2.40 “长
10
Ω,
1/8 W贴片电阻（ 1206 ）
1.0 kΩ的1/8 W贴片电阻（ 1206 ）
产品型号
2743019447
T491C105K050AS
CDR33BX104AKWS
100B102JP50X
100B101JP500X
600B8R2BT250XT
600B9R1BT250XT
600B1R8BT250XT
MVK50VC47RM8X10TP
SME63V471M12X25LL
600B220FT250XT
UT - 141A- TP
基美
基美
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
日本
美贵弥功 - 精读
ATC
微同轴电缆
生产厂家
Fair-仪式
MRF6P9220HR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
7
9
11
13
15
17
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
7
9
11
13
15
17
2400毫安
50
2000毫安
1600毫安
60
3
10
100
500
5
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
500
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
21
20.7
20.4
G
ps
，功率增益（分贝）
20.1
19.8
19.5
19.2
18.9
18.6
18.3
18
850
860
870
880
890
900
男，频率（MHz）
ALT1
IRL
ACPR
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 47 W（平均）。
I
DQ
= 1600毫安， N-二CDMA IS -95
（先导，同步，寻呼，交通守则
8到13）的
G
ps
η
D
31
30
29
28
27
45
50
55
60
65
70
910
图3.单 - 载波N - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 47瓦的魅力。
20
19.8
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 94 W（平均）。
I
DQ
= 1600毫安， N-二CDMA IS -95
19.4 （先导，同步，寻呼，交通守则
8到13）的
19.2
19.6
19
18.8
18.6
18.4
18.2
18
850
860
870
880
890
900
男，频率（MHz）
ALT1
IRL
ACPR
η
D
42
41
40
39
G
ps
38
35
40
45
50
55
60
910
20.5
20
G
ps
，功率增益（分贝）
19.5
19
18.5
800毫安
18
17.5
17
V
DD
= 28伏直流， F1 = 879.95兆赫， F2 = 880.05兆赫
双色测量， 100 kHz音调间距
2000毫安
1600毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 2400毫安
G
ps
，功率增益（分贝）
图4.单 - 载波N - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 94瓦的魅力。
10
V
DD
= 28伏直流， F1 = 879.95兆赫， F2 = 880.05兆赫
双色测量， 100 kHz音调间距
20
30
1200毫安
I
DQ
= 800毫安
40
1200毫安
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6P9220HR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
