飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6P3300H
第1版， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率在470到860兆赫。高增益和宽带性能
该器件的使其非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器
应用在32伏的模拟或数字电视发射机设备。
典型的窄带两个 - 音频性能@ 860 MHz的： V
DD
= 32伏，
I
DQ
= 1600毫安， P
OUT
= 270瓦特PEP
功率增益 - 20.2分贝
漏极效率 - 44.1 ％
IMD - - 30.8 dBc的
典型的窄带OFDM DVBT性能@ 860 MHz的： V
DD
=
32伏特，我
DQ
= 1600毫安， P
OUT
= 60瓦平均， 8K模式， 64 QAM
功率增益 - 20.4分贝
漏极效率 - 29 ％
ACPR @ 3.9 MHz偏移 - - 57 dBc的@ 20 kHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 860兆赫， 300瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
专为推 - 拉操作仅
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
较低的镀金厚度上信息， 40
μ
″
标称。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
R5后缀=每56毫米， 13英寸卷筒50个单位。
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
MRF6P3300HR3
MRF6P3300HR5
470 - 860兆赫， 300 W， 32 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 375克 - 04 ，风格1
NI - 860C3
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
761
4.3
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 300瓦CW
外壳温度82 ° C， 220 W CW
外壳温度79 ° C， 100瓦CW
外壳温度81 ° C， 60瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.23
0.24
0.27
0.27
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器来
按产品访问MTTF计算器。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
3B （最低）
C（最小值）
IV （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(4)
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(4)
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 350
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 32 VDC ，我
D
= 1600 MADC ，测量功能测试）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.4 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2.4 ADC）
动态特性
(1,2)
反向传输电容
(V
DS
= 32 VDC
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
1.4
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
1
2
—
—
2.2
2.8
0.22
7.4
3
4
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(3)
（飞思卡尔窄带测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 32 VDC ，我
DQ
= 1600毫安， P
OUT
= 270 W PEP ，
F1 = 857兆赫， F2 = 863 MHz的
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
输入回波损耗
P
OUT
@ 1 dB压缩点， CW
（ F = 860兆赫）
1.
2.
3.
4.
该装置的每一侧分别测得。
部分内部对输入和输出匹配两种。
测量与制作设备推 - 拉配置。
水渠是在内部联系在一起，因为这是一个总的元件值。
G
ps
η
D
IMD
IRL
P1dB
19
41
—
—
—
20.2
44.1
- 30.8
- 24
320
23
—
- 28
-9
—
dB
%
dBc的
dB
W
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
B1
+
R3
COAX1
Z4
Z2
RF
输入
Z1
C4
Z3
C5
R2
COAX2
V
BIAS
+
C9
C7
C8
C24
+
C19
C20
+
C22
C21
B2
Z5
C13
Z11
COAX4
V
供应
C6
Z7
DUT
C10 C11
C12
Z6
Z8
C1
C2
C3
Z10
Z12
Z14
Z16
C14
RF
产量
Z18
C23
+
C15
C16
+
C18
C17
V
供应
COAX3
Z9
Z13
Z15
Z17
Z1, Z18
Z2, Z3
Z4, Z5
Z6, Z7
Z8, Z9
0.401 “× 0.810 ”微带
0.563 “× 0.810 ”微带
1.643 “× 0.058 ”微带
0.416 “× 0.727 ”微带
0.191 “× 0.507 ”微带
Z10, Z11
Z12, Z13
Z14, Z15
Z16, Z17
PCB
1.054 “× 0.150 ”微带
0.225 “× 0.507 ”微带
0.440 “× 0.335 ”微带
0.123 “× 0.140 ”微带
阿尔隆GX - 0300- 55- 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
图1： 820 - 900 MHz的窄带测试电路原理图
表5. 820 - 900 MHz的窄带测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C9
C2, C7, C17, C21
C3, C8, C16, C20
C4, C5, C13, C14
C6, C12
C10
C11
C15, C19
C18, C22
C23, C24
COAX1 ， 2，3， 4
R1, R2
R3
描述
铁氧体磁珠，短
1.0
μF,
50 V Tantulum贴片电容
0.1
μF,
50 V贴片电容
1000 pF的100B贴片电容
100 pF的100B贴片电容
8.2 pF的600B贴片电容
9.1 pF的600B贴片电容
1.8 pF的600B贴片电容
47
μF,
50 V电解电容器
470
μF,
63 V电解电容器
22 pF的600B贴片电容
50
Ω,
半刚性同轴电缆， 2.06 “长
10
Ω,
1/8 W贴片电阻（ 1206 ）
1 kΩ的1/8 W贴片电阻（1206 ）
产品型号
2743019447
T491C105K050AS
CDR33BX104AKWS
100B102JP50X
100B101JP500X
600B8R2BT250XT
600B9R1BT250XT
600B1R8BT250XT
MVK50VC47RM8X10TP
SME63V471M12X25LL
600B220FT250XT
UT - 141A- TP
CRCW1206100J
CRCW1206102J
基美
基美
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
日本
美贵弥功 - 精读
ATC
微同轴电缆
戴尔/威世
戴尔/威世
生产厂家
Fair-仪式
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
C23
V
GG
R3
C2 C3
R1
B1
C15
C18
V
DD
C16
C17
COAX1
COAX3
MRF6P9220 ，第2版
C4
切出区
C14
C12
C5
C6
C10 C11
C13
COAX2
COAX4
R2
V
GG
C7
C8
B2
C24
C20
V
DD
C21
C22
C9
C19
图2： 820 - 900 MHz的窄带测试电路元件布局
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型窄带特性
21
20.5
G
ps
，功率增益（分贝）
20
19.5
19
18.5
18
17.5
17
820
830
840
850
860
870
880
890
男，频率（MHz）
ACPR
V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 60瓦（平均）。
I
DQ
= 1600毫安， 8K模式OFDM
64 QAM数据载波调制
5符号
G
ps
η
D
，沥干
效率（％）
5
ACPR （ DBC）
10
15
20
25
η
D
，沥干
效率（％）
5
ACPR （ DBC）
10
15
20
25
1200毫安
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
η
D
31
29
27
25
IRL
45
50
55
60
65
900
图3.单 - 载波OFDM宽带性能@ 60瓦的魅力。
21
44
η
D
G
ps
42
40
38
45
47
IRL
ACPR
51
53
900
49
G
ps
，功率增益（分贝）
V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 120 W（平均）。
I
DQ
= 1600毫安， 8K模式OFDM
20.5
64 QAM数据载波
20调制， 5符号
19.5
19
18.5
18
17.5
17
820
830
840
850
860
870
880
890
男，频率（MHz）
图4.单 - 载波OFDM宽带性能@ 120瓦的魅力。
21.5
21
G
ps
，功率增益（分贝）
20.5
20
19.5
19
18.5
18
17.5
5
10
I
DQ
= 800毫安
V
DD
= 32 VDC
F1 = 857兆赫， F2 = 863 MHz的
双色测量， 6 MHz的音调间隔
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
600
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
2400毫安
2000毫安
1600毫安
1200毫安
10
V
DD
= 32 VDC ， F1 = 857兆赫， F2 = 863 MHz的
双色测量， 6 MHz的音调间隔
20
30
I
DQ
= 2400毫安
800毫安
40
2000毫安
50
60
5
1600毫安
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
600
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
