飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6P27160H
第1版， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
专为CDMA基站应用的频率从2600到
2700兆赫。适用于WiMAX和无线宽带和多载波放大器应用。
使用在AB类和C类的WLL应用。
典型的单载波N - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1800
MA ，P
OUT
。 = 35瓦的魅力，全频波段， IS - 95 CDMA （先导，同步，
寻呼，交通守则8 13 ）信道带宽=
1.2288兆赫。 PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 14.6分贝
漏极效率 - 22.6 ％
ACPR @ 885 kHz偏置 - - 47.8 dBc的30 kHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2650兆赫， 160瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
专为低记忆效应和宽瞬时带宽
应用
较低的镀金厚度上信息， 40
μ
″
标称。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
MRF6P27160HR6
2600- 2700兆赫， 35瓦平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 375D - 05 ，风格1
NI - 1230
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
603
3.45
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度79 ° C，为160W CW
外壳温度71 ° C， 35瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.29
0.31
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF6P27160HR6
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
III （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 250
μAdc ）
门静态电压
(3)
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1800 MADC ）
漏源开 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.2 ADC）
正向跨导
(1)
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
(1,2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
2.8
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
1
2
—
—
2
2.8
0.21
5.3
3
4
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(3)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1800毫安， P
OUT
= 35瓦的魅力。 N - CDMA ，
F = 2630和2660 MHz的单 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽
@
±885
kHz偏置。在CCDF PAR = 9.8分贝@ 0.01 ％概率
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.装置的每一侧分别测得。
2.部分内部对输入和输出匹配两种。
3.测量与制作设备推 - 拉配置。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
13
20
—
—
14.6
22.6
- 47.8
- 13
16
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
MRF6P27160HR6
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
BIAS
+
C7
+
C6
C5
C4
R1
C3
Z35
Z37
+
C15
C16
C17
C18
+
C19
Z31
C13
RF
产量
Z32 Z33
DUT
V
供应
Z17 Z19 Z21 Z23 Z25 Z27 Z29
Z3
RF
输入Z1
Z2
C2
C1
Z5
Z7
Z9
Z11
Z13
Z15
Z4
Z6
Z8
Z10
Z12
Z14
Z16 Z18 Z20 Z22 Z24 Z26 Z28
C14
B2
V
BIAS
+
+
C10 C9
C8
C20
C21
C22
R2
C12 C11
Z34
Z36
+
C23
+
C24
Z30
V
供应
Z1
Z2, Z31
Z3, Z30
Z4, Z5
Z6, Z7
Z8, Z9
Z10, Z11
Z12, Z13
Z14, Z15
Z16, Z17
Z18, Z19
1.011 “× 0.139 ”微带
0.150 “× 0.070 ”微带
1.500 “× 0.086 ”微带
0.050 “× 0.230 ”微带
0.170 “× 0.080 ”微带
0.144 “× 0.340 ”微带
0.400 “× 0.210 ”微带
0.280 “× 0.710 ”微带
0.461 “× 0.490 ”微带
0.357 “× 0.766 ”微带
0.284 “× 0.415 ”微带
Z20, Z21
Z22, Z23
Z24, Z25
Z26, Z27
Z28, Z29
Z32
Z33
Z34, Z35
Z36, Z37
PCB
0.160 “× 0.760 ”微带
0.240 “× 0.150 ”微带
0.170 “× 0.420 ”微带
0.260 “× 0.080 ”微带
0.040 “× 0.258 ”微带
0.622 “× 0.139 ”微带
0.346 “× 0.081 ”微带
0.801 “× 0.050 ”微带
0.460 “× 0.095 ”微带
阿尔隆GX - 0300- 5022 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.5
图1. MRF6P27160HR6测试电路原理图
表5. MRF6P27160HR6测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2
C3, C8, C15, C20
C4, C9
C5, C10
C6, C11
C7, C12
C13, C14
C16, C17, C21, C22
C18, C23
C19, C24
R1, R2
描述
珠，表面贴装
5.6 pF的贴片电容
3.3 pF的贴片电容
0.01
μF
片式电容器（ 1825 ）
2.2
μF,
50 V贴片电容（ 1825 ）
22
μF,
25 V片式钽电容器
47
μF,
16 V片式钽电容器
4.3 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容（ 2220 ）
47
μF,
50 V电解电容器
330
μF,
63 V电解电容器
3.3
W,
1/4 W贴片电阻（ 1210 ）
产品型号
2743019447
100B5R6CP500X
100B3R3CP500X
C1825C103J1RAC
C1825C225J5RAC
ECS - T1ED226R
T491D476K016AS
100B4R3CP500X
GRM55DR61H106KA88B
MVK50VC47RM8X10TP
NACZF331M63V
生产厂家
Fair-仪式
ATC
ATC
基美
基美
松下TE系列
基美
ATC
村田
日本
日本
MRF6P27160HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C17
C7 C6
B1
R1
C3
C5* C4*
C15
C16
C18
+
-
C19
C1
C13
切出区
C2
C14
MRF6P27160H
第5版
C20
C21
C24
C10*
C8
B2
C12 C11
R2
C22
C23
*叠放
图2. MRF6P27160HR6测试电路元件布局
MRF6P27160HR6
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
+
-
C9*
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
10
11
12
13
14
15
η
D
，沥干
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
10
11
12
13
14
15
16
IRL ，输入回波损耗（分贝）
2700毫安
I
DQ
= 900毫安
40
IRL ，输入回波损耗（分贝）
16
15.8
15.6
G
ps
，功率增益（分贝）
15.4
15.2 V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 35 W（平均） ，
15 I
DQ
= 1800毫安，N -CDMA IS- 95飞行员，
同步，寻呼，交通守则8到13
14.8
14.6
14.4
14.2
G
ps
η
D
24
23
22
21
20
IRL -40
45
ACPR
ALT1
50
55
60
65
14
2600 2610 2620 2630 2640 2650 2660 2670 2680 2690 2700
男，频率（MHz）
图3.单 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 35瓦的魅力。
15.2
15.1
15
G
ps
，功率增益（分贝）
14.9
14.8
14.7
14.6
14.5
14.4
14.3
14.2
ACPR
ALT1
G
ps
η
D
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 70 W（平均） ，
I
DQ
= 1800毫安，N -CDMA IS- 95飞行员，
同步，寻呼，交通守则8到13
35
34
33
32
31
30
30
35
40
45
50
IRL
55
14.1
60
14
2600 2610 2620 2630 2640 2650 2660 2670 2680 2690 2700
男，频率（MHz）
图4.单 - 载波N - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 70瓦的魅力。
17
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 2700毫安
16
G
ps
，功率增益（分贝）
2250毫安
1800毫安
15
1350毫安
14
20
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2643.75兆赫， F2 = 2646.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
30
50
1800毫安
60
0.1
1
1350毫安
10
2250毫安
13
12
0.1
900毫安
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2643.75兆赫， F2 = 2646.25兆赫
双色测量， 2.5 MHz的音调间隔
1
10
100
1000
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF6P27160HR6
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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