摩托罗拉
射频线
半导体技术资料
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由MRF653 / D
NPN硅
RF功率晶体管
专为在工业12.5伏UHF大信号放大器的应用
和商业调频设备运行于512 MHz的。
指定12.5伏, 512 MHz的特点
输出功率= 10瓦
增益= 8.0分贝(典型值)
效率= 65 % (典型值)
黄金金属化,发射器碴的长寿命和可靠性
可20 : 1 VSWR负载不匹配在16 V电源电压
电路板摄影大师可应要求提供联系
RF战术营销在亚利桑那州凤凰城。
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TSTG
TJ
价值
16.5
38
4.0
2.75
44
0.25
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃,
°C
°C
MRF653
10瓦, 512兆赫
射频功率
晶体管
NPN硅
CASE 244-04 ,风格1
热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
最大
4.0
单位
° C / W
电气特性
( TC = 25° C除非另有说明)
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( IC = 20 MADC , IB = 0 )
集电极 - 发射极击穿电压( IC = 20 MADC , VBE = 0 )
发射极 - 基极击穿电压( IE = 5.0 MADC , IC = 0 )
集电极截止电流( VCE = 15 VDC , VBE = 0 )
V( BR ) CEO
V( BR ) CES
V( BR ) EBO
冰
的hFE
COB
GPE
η
c
ψ
在输出功率不降低
16.5
38
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
VDC
VDC
VDC
MADC
基本特征
直流电流增益( IC = 1.0 ADC , VCE = 5.0 V直流)
20
—
120
—
动态特性
输出电容( VCB = 12.5伏, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
—
22
28
pF
功能测试
共发射极放大器的功率增益
( VCC = 12.5伏,噘= 10 W,F = 512兆赫)
收藏家EF网络效率
( VCC = 12.5伏,噘= 10 W,F = 512兆赫)
负载失配应力
( VCC = 16伏, F = 512 MHz时,针( 1 ) = 2.6 W,
VSWR = 20 : 1 ,所有相位角)
7.0
55
8.0
65
—
—
dB
%
注意:
1. PIN = 2.0分贝超过所需的10瓦的输出功率@ 12.5伏典型的输入功率。
转8
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉1997年公司
MRF653
1
JP1
L1
+
C7
C8
B
B
L4
+
VCC
C12
–
C9
L2
插座
L3
+
C10
C11
C3
D.U.T.
Z1
C2
C4
C1
C5
Z2
Z3
Z4
C6
Z5
C1 , C5 - 1.0 - 20 pF的,约翰森
C2 , C6 - 330 pF的, 100军用空中交通管制
C3 , C4 - 36 pF的,小Unelco
C7, C12 — 10
F,
35 V ,钽
C8, C11 — 0.1
F,
陶瓷的
C9 , C10 - 91 pF的,小Unelco
L1 , L4 - 4-1 / 2圈, # 18 AWG , 0.16 “ ID
L2 , L3 - 2圈, # 18 AWG , 0.16 “ ID
B - 铁氧体磁珠, Ferroxcube公司56-590-65-3B
Z1 - 51 X 630密耳
Z2 - 162 X 1300密尔
Z3 - 210 X 1350密尔
Z4 - 210 X 280密耳
Z5 - 51 ×300密耳
板材料 - 0.032 “环氧玻璃G10 , 1盎司,铜包钢, 。
板材料 -
双面,
ε
r = 5
JP1 - 跳线, # 14 AWG W /香蕉插头
图1.宽带测试电路原理图
MRF653
2
摩托罗拉RF设备数据