飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF5S9150H - 1
第2版， 2009年12月
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向MOSFET
设计对于N -CDMA基站应用与来自869的频率
到960MHz 。适用于多载波放大器应用。
典型的单载波n -CDMA性能@ 880 MHz的： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1500毫安， P
OUT
= 33瓦平均， IS- 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 13 ） 。信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 19.7分贝
漏极效率 - 28.4 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - -46.8 dBc的30 kHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 880兆赫， 150瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
较低的镀金厚度上信息， 40
μ
″
标称。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF5S9150HR3
880兆赫， 33 W平均， 28 V
单个n -CDMA
横向N沟道
RF功率MOSFET
档案信息
CASE 465-06 ，风格1
NI-780
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
-0.5, +68
-0.5, +15
-65到+150
150
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 150瓦CW
外壳温度76 ° C， 33 W CW
符号
R
θJC
0.34
0.34
价值
(1)
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22- A114 ）
机器型号（按照EIA / JESD22- A115 ）
充电器型号（每JESD22- C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
III （最低）
1.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年， 2009年。保留所有权利。
MRF5S9150HR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
档案信息
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅极 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 600
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1500 MADC ，测量功能测试）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.15 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
3.1
91.5
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
2
3
0.1
3
4
0.2
4
5
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
500
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
档案信息
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1500毫安， P
OUT
= 33 W魅力。 N-二CDMA ，
F = 880 MHz的单载波n -CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
千赫
抵消。 PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
18.5
26.5
—
—
19.7
28.4
- 46.8
-20
21.5
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
MRF5S9150HR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
档案信息
V
BIAS
+
C14
B1
V
供应
R2
R1
C16
C17
L1
Z9
C8
C10 Z10 Z11
Z12
Z13
Z14 Z15
Z16
C2
C7
C3
C4
C5
DUT
C9
L3
C11
C12
C13
Z17
C18 C19
L2
RF
产量
C20
C21
+
C22
C15
RF
输入Z1
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
C6 Z8
V
供应
+
C23 C24
C25
C26
C27
档案信息
Z1
Z2
Z3, Z17
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.416 “× 0.080 ”微带
0.851 “× 0.080 ”微带
0.410 “× 0.080 ”微带
0.055 “× 0.220 ”微带
0.434 “× 0.220 ”微带
0.200 “× 0.220 ”× 0.630 “锥
0.077 “× 0.630 ”微带
0.221 “× 0.630 ”微带
0.193 “× 0.630 ”微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
0.105 “× 0.630 ”微带
0.200 “× 0.630 ”× 0.220 “锥
0.236 “× 0.220 ”微带
0.195 “× 0.220 ”微带
0.059 “× 0.220 ”微带
0.989 “× 0.080 ”微带
0.284 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX- 0300-55-22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5S9150HR3测试电路原理图
表5. MRF5S9150HR3测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1, C2, C17
C3, C12
C4
C5, C6
C7, C8
C9, C10
C11
C13
C14
C15
C16
C18, C23
C19, C20, C21, C24, C25, C26
C22, C27
L1, L2, L3
R1
R2
描述
小的铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容
0.8-8.0 pF的可变电容器， Gigatrim
13 pF的贴片电容
15 pF的贴片电容
12 pF的贴片电容
4.3 pF的贴片电容
8.2 pF的电容芯片
0.6-4.5 pF的可变电容， Gigatrim
22 pF的贴片电容
1
μF,
50 V钽电容器
20K pF的贴片电容
180 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容
470
μF,
63 V电解电容器
12.5 nH的电感器
180 kΩ的1/4 W贴片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447
ATC100B470JT500XT
27291SL
ATC100B130JT500XT
ATC100B150JT500XT
ATC100B120JT500XT
ATC100B4R3JT500XT
ATC100B8R2JT500XT
27271SL
ATC100B220JT500XT
T491C105K050AT
CDR35BP203AKYM
ATC100B181JT500XT
GRM55DR61H106KA88B
EMVY630GTR471MMH0S
A04T
CRCW12061803FKEA
CRCW120610R0FKEA
生产厂家
爱色丽博览会
ATC
约翰森
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
约翰森
ATC
Kemit
Kemit
ATC
村田
日本贵弥功
Coilcraft公司
日前，Vishay
日前，Vishay
MRF5S9150HR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
档案信息
典型特征
20
19.6
19.2
G
ps
，功率增益（分贝）
18.8
18.4
18
17.6
17.2
16.8
16.4
ALT1
840
850
860
870
880
890
900
910
ACPR
G
ps
η
D
32
30
28
26
24
-40
-45
-50
-55
-60
-65
920
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
η
D
，沥干
效率（％）
-3
-8
-13
-18
-23
-28
IRL ，输入回波损耗（分贝）
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 33 W（平均）。
I
DQ
= 1500毫安，N -CDMA IS- 95
（先导，同步，寻呼，交通守则
8到13）的
IRL
档案信息
男，频率（MHz）
图3.单载波n -CDMA宽带性能
@ P
OUT
= 33瓦的魅力。
19.5
19
18.5
G
ps
，功率增益（分贝）
18
17.5
17
16.5
16
15.5
15
14.5
840
850
860
870
880
890
900
910
男，频率（MHz）
ALT1
ACPR
IRL
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 66 W（平均）。
I
DQ
= 1500毫安，N -CDMA IS- 95
（先导，同步，寻呼，交通守则
8到13）的
η
D
G
ps
43
41
39
37
35
-35
-40
-45
-50
-55
-60
920
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
η
D
，沥干
效率（％）
-3
-8
-13
-18
-23
-28
图4.单载波n -CDMA宽带性能
@ P
OUT
= 66瓦的魅力。
22
21
G
ps
，功率增益（分贝）
20
19
1125毫安
18
17
16
1
10
100
400
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
750毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 880兆赫， F2 = 880.1兆赫
双色测量
I
DQ
= 2250毫安
1875毫安
1500毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
-10
-20
-30
I
DQ
= 750毫安
-40
-50
1875毫安
-60
1125毫安
-70
1
10
100
400
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
1500毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 880兆赫， F2 = 880.1兆赫
双色测量
2250毫安
图5.两个-T 1功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF5S9150HR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
档案信息
16
IRL ，输入回波损耗（分贝）
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF5S9150H
第1版， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为N - CDMA基站应用与869的频率
到960MHz 。适用于多载波放大器应用。
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 880 MHz的： V
DD
= 28伏，
I
DQ
= 1500毫安， P
OUT
。 = 33瓦的魅力， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 13 ） 。信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 19.7分贝
漏极效率 - 28.4 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 46.8 dBc的30 kHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 880兆赫， 150瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
低热阻封装
较低的镀金厚度上信息， 40
μ
″
标称。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF5S9150HR3
MRF5S9150HSR3
880兆赫， 33 W平均， 28 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF5S9150HR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF5S9150HSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +15
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 150瓦CW
外壳温度76 ° C， 33 W CW
符号
R
θJC
价值
(1)
0.34
0.34
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
III （最低）
1.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF5S9150HR3 MRF5S9150HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 600
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1500 MADC ，测量功能测试）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.15 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
C
OSS
—
—
3.1
91.5
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
2
3
0.1
3
4
0.2
4
5
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
500
μAdc
μAdc
NADC
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 1500毫安， P
OUT
= 33 W魅力。 N - CDMA ，
F = 880 MHz的单 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz的信道带宽@
±750
千赫
抵消。 PAR =上CCDF 9.8分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分内部输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
18.5
26.5
—
—
19.7
28.4
- 46.8
- 20
21.5
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
MRF5S9150HR3 MRF5S9150HSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
C14
B1
V
供应
R2
R1
C16
C17
L1
Z9
C8
C10 Z10 Z11
Z12
Z13
Z14 Z15
Z16
C2
C7
C3
C4
C5
DUT
C9
L3
C11
C12
C13
Z17
C18 C19
L2
RF
产量
C20
C21
+
C22
C15
RF
输入
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
C6 Z8
V
供应
+
C23 C24
C25
C26
C27
Z1
Z2
Z3, Z17
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
0.416 “× 0.080 ”微带
0.851 “× 0.080 ”微带
0.410 “× 0.080 ”微带
0.055 “× 0.220 ”微带
0.434 “× 0.220 ”微带
0.200 “× 0.220 ”× 0.630 “锥
0.077 “× 0.630 ”微带
0.221 “× 0.630 ”微带
0.193 “× 0.630 ”微带
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
PCB
0.105 “× 0.630 ”微带
0.200 “× 0.630 ”× 0.220 “锥
0.236 “× 0.220 ”微带
0.195 “× 0.220 ”微带
0.059 “× 0.220 ”微带
0.989 “× 0.080 ”微带
0.284 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX - 0300- 55- 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5S9150HR3 （ HSR3 ）测试电路原理图
表5. MRF5S9150HR3 （ HSR3 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1, C2, C17
C3, C12
C4
C5, C6
C7, C8
C9, C10
C11
C13
C14
C15
C16
C18, C23
C19, C20, C21, C24, C25, C26
C22, C27
L1, L2, L3
R1
R2
描述
小的铁氧体磁珠
47 pF的贴片电容
0.8- 8.0 pF的可变电容器， Gigatrim
13 pF的贴片电容
15 pF的贴片电容
12 pF的贴片电容
4.3 pF的贴片电容
8.2 pF的电容芯片
0.6 4.5 pF的可变电容， Gigatrim
22 pF的贴片电容
1
μF,
50 V钽电容器
20K pF的贴片电容
180 pF的贴片电容
10
μF,
50 V贴片电容（ 2220 ）
470
μF,
63 V电解电容器
12.5 nH的电感器
180 kΩ的1/4 W贴片电阻
10
Ω,
1/4 W贴片电阻
产品型号
2743019447
100B470JP500X
27291SL
100B130JP500X
100B150JP500X
100B120JP500X
100B4R3JP500X
100B8R2JP500X
27271SL
100B220JP500X
T491C105K0J0AS
CDR353P203AK0S
100B181JP500X
GRM55DR61H106KA88B
KME63VB471M12x25LL
A04T
生产厂家
爱色丽博览会
ATC
约翰森
ATC
ATC
ATC
ATC
ATC
约翰森
ATC
Kemit
Kemit
ATC
村田
美贵弥功 - 精读
Coilcraft公司
MRF5S9150HR3 MRF5S9150HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C14
900兆赫
第3版
C16
C15
R2
R1
C17
C5
L1
C1
切出区
C3
C7 C9
L2
L3
C11
C12
C8 C10
C23
C18
C19
C22
B1
C20 C21
C4
C6
C13
C2
C24
C25 C26
C27
图2. MRF5S9150HR3 （ HSR3 ）测试电路元件布局
MRF5S9150HR3 MRF5S9150HSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
19.6
19.2
G
ps
，功率增益（分贝）
18.8
18.4
18
17.6
17.2
16.8
16.4
16
840
850
860
ALT1
ACPR
G
ps
η
D
30
28
26
24
40
45
50
55
60
3
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
8
13
18
23
28
IRL
870
880
890
900
910
65
920
男，频率（MHz）
图3.单 - 载波N - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 33瓦的魅力。
η
D
，沥干
效率（％）
3
ACPR （ DBC） ， ALT1 （ DBC）
8
13
18
23
28
2250毫安
I
DQ
= 750毫安
40
50
1875毫安
60
1125毫安
70
1
10
100
400
1
10
100
400
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
1500毫安
19.5
19
18.5
G
ps
，功率增益（分贝）
18
17.5
17
16.5
16
15.5
15
14.5
840
850
860
870
880
890
900
910
男，频率（MHz）
ALT1
ACPR
IRL
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 66 W（平均）。
I
DQ
= 1500毫安，N -CDMA IS- 95
（先导，同步，寻呼，交通守则
8到13）的
η
D
G
ps
43
41
39
37
35
35
40
45
50
55
60
920
图4.单 - 载波N - CDMA的宽带性能
@ P
OUT
= 66瓦的魅力。
22
21
G
ps
，功率增益（分贝）
20
19
1125毫安
18
17
16
750毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 880兆赫， F2 = 880.1兆赫
双色测量
I
DQ
= 2250毫安
1875毫安
1500毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
10
20
30
V
DD
= 28伏直流
F1 = 880兆赫， F2 = 880.1兆赫
双色测量
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF5S9150HR3 MRF5S9150HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 33 W（平均）。
I
DQ
= 1500毫安，N -CDMA IS- 95
（先导，同步，寻呼，交通守则
8到13）的
η
D
，沥干
效率（％）
20
32
QQ：2880707522 复制
