飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF5S9100
第3版， 7/2005
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为宽带商业和工业应用
频率最高到1000 MHz 。高增益和宽带性能
这些设备使它们非常适用于大型 - 信号，常见的 - 源极放大器
应用26伏基站设备。
典型的单 - 载波N - CDMA性能@ 880兆赫，V
DD
= 26伏，
I
DQ
= 950毫安，P
OUT
。 = 20瓦的魅力， IS - 95 CDMA （先导，同步，寻呼，
交通守则8 13 ）信道带宽= 1.2288兆赫。 PAR =
9.8分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 19.5分贝
漏极效率 - 28 ％
ACPR @ 750 kHz偏置 - - 46.8 dBc的@ 30 kHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 880兆赫， 100瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
后缀表示铅 - 免费端接
200℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF5S9100NR1
MRF5S9100NBR1
MRF5S9100MR1
MRF5S9100MBR1
880兆赫， 20瓦平均， 26 V
单N - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
塑料
MRF5S9100NR1(MR1)
案例1484年至1402年，风格1
TO - 272 WB - 4
塑料
MRF5S9100NBR1(MBR1)
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, + 15
336
1.92
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 20瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.52
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MRF5S9100NR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 400
A)
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 950 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2.0 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 6 ADC）
动态特性
(1)
输出电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
OSS
C
RSS
—
—
70
2.2
—
—
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
—
—
—
2.8
3.7
0.21
7
3.5
—
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 950毫安，P
OUT
= 20瓦的魅力。 N - CDMA ， F = 880 MHz时，
单载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽的载体。 ACPR测量在30 kHz带宽@
±750
kHz偏置。 PAR = 9.8分贝
@ CCDF上0.01 ％的概率
功率增益
漏EF网络效率
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分是内部的输入匹配。
G
ps
η
D
ACPR
IRL
18
26
—
—
19.5
28
- 46.8
- 19
—
—
- 45
-9
dB
%
dBc的
dB
MRF5S9100NR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
BIAS
+
C22
+
C21
+
C20
C19
C18
L1
L2
C17
C16
+
C15
+
V
供应
C14
+
C13
C6
RF
输入
DUT
Z1
C1
Z2
Z3
C2
Z4
C3
Z5
C4
Z6
Z7
C5
Z8
Z9
C8
Z10
Z11
Z12
C10
Z13
Z14
C12
Z15
RF
产量
C7
C9
C11
Z1, Z15
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z11
Z7
0.200 “× 0.080 ”微带
0.105 “× 0.080 ”微带
0.954 “× 0.080 ”微带
0.115 “× 0.220 ”微带
0.375 “× 0.220 ”微带
0.200 “× 0.220 ”× 0.620 “锥
0.152 “× 0.620 ”微带
Z8
Z9
Z10
Z12
Z13
Z14
PCB
0.163 “× 0.620 ”微带
0.238 “× 0.620 ”微带
0.077 “× 0.620 ”微带
0.381 “× 0.220 ”微带
0.114 “× 0.220 ”微带
1.052 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5S9100NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF5S9100NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
B1
C1, C12, C18
C2
C3, C11
C4
C5, C6
C7, C8
C9, C10
C13
C14, C15
C16, C17, C19
C20, C21
C22
L1
L2
描述
铁氧体磁珠，表面贴装
18 pF的贴片电容
0.6 4.5 pF的可变电容， Gigatrim
0.8- 8.0 pF的可变电容器， Gigatrim
6.2 pF的贴片电容
12 pF的贴片电容
11 pF的贴片电容
5.1 pF的贴片电容
470
MF，
63 V电解电容
22
MF，
50 V钽电容器
0.56
MF，
50 V贴片电容
47
MF，
16 V钽电容
100
MF，
50 V电解电容
7.15 nH的电感器
22 nH的电感器
产品型号
2743019447
100B180JP 500X
27271SL
27291SL
100B6R2JP 500X
100B120JP 500X
100B110JP 500X
100B5R1JP 500X
NACZF471M63V
T491X226K035AS
C1825C564J5GAC
T491D4T6K016AS
515D107M050BB6A
1606- 7
B07T- 5
生产厂家
Fair-仪式
ATC
Johanson电介质
Johanson电介质
ATC
ATC
ATC
ATC
日本
基美
基美
基美
MULTICOMP
Coilcraft公司
Coilcraft公司
MRF5S9100NR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C21 C20
C15 C14
V
GG
C22
C19
C16
C13
V
DD
C17
C10
C4
切出区
L1
WB1
WB2
B1
C18
C1
C6
C8
C12
L2
C2
C3
C5
C9
C7
C11
MRF9100M
REV 2
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MRF5S9100NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路元件布局
MRF5S9100NR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
22
20
PS ，功率增益（分贝）
18
16
14
12
10
8
6
830
ALT
IRL
ACPR
G
ps
η
D
V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 20 W（平均） ，我
DQ
= 950毫安
N-二CDMA IS- 95 （先导，同步，寻呼，交通
码8至13 ）
50
40
30
20
30
40
50
60
70
920
η
D，排水
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT （ DBC）
10
15
20
25
30
η
D，排水
效率（％）
ACPR （ DBC） ， ALT （ DBC）
10
15
20
25
30
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
840
850
860
870
880
890
900
910
男，频率（MHz）
图3. IS - 95宽带性能@ P
OUT
= 20瓦的魅力。
22
20
PS ，功率增益（分贝）
18
16
14
IRL
12
10
8
6
830
ALT
840
850
860
870
880
890
900
910
ACPR
G
ps
η
D
10
8
6
V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 2 W （平均） ，我
DQ
= 950毫安
N-二CDMA IS- 95 （先导，同步，寻呼，交通
码8至13 ）
4
40
50
60
70
80
920
男，频率（MHz）
图4. IS - 95宽带性能@ P
OUT
= 2瓦的魅力。
21
20
PS ，功率增益（分贝）
1150毫安
950毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 1425毫安
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0.1
1
700毫安
V
DD
= 26伏直流电， F1 = 880兆赫， F2 = 880.1兆赫
双色测量， 100 kHz音调间距
10
100
1000
950毫安
1150毫安
I
DQ
= 475毫安
1425毫安
19
700毫安
18
475毫安
V
DD
= 26伏直流电， F1 = 880兆赫， F2 = 880.1兆赫
双色测量， 100 kHz音调间距
1
10
100
1000
17
16
0.1
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF5S9100NR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
