飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF5S21045
第1版， 7/2005
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
适用于W - CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器的应用
T I O 4 N秒。要beusedin 姑娘AB的PCN - PCS / cellularradioand WLL
应用程序。
典型2 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 500毫安，
P
OUT
= 10瓦平均，全频段，信道带宽=
3.84兆赫， PAR = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 14.5分贝
漏极效率 - 25.5 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - - 37 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 39 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2110兆赫， 45瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
后缀表示铅 - 免费端接
200℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF5S21045NR1
MRF5S21045NBR1
MRF5S21045MR1
MRF5S21045MBR1
2170兆赫， 10瓦平均， 28 V
2 x宽 - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
塑料
MRF5S21045NR1(MR1)
案例1484年至1402年，风格1
TO - 272 WB - 4
塑料
MRF5S21045NBR1(MBR1)
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
CW操作
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
CW
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +15
130
0.74
- 65 + 150
200
45
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
W
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 45瓦CW
外壳温度79 ° C， 10瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
1.35
1.48
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1 MRF5S21045MR1 MRF5S21045MBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4 。
湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 120
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 500 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1.2 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
0.9
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2
0.2
—
—
3.8
—
3.2
3.5
5
0.35
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 500毫安， P
OUT
= 10瓦平均， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫， 2 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量
3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。 IM3测量3.84 MHz的带宽@
±10
MHz偏移。 PAR = 8.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
13.5
24
—
—
—
14.5
25.5
- 37
- 39
- 12
16.5
—
- 35
- 37
-9
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1 MRF5S21045MR1 MRF5S21045MBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
R2
C1
C2
Z6
C3
C4
C5
+
C6
V
供应
Z13
R3
Z1
C7
C8
C9
DUT
Z8
C10
C11
Z2
Z3
Z4
Z5
Z7
Z12
Z11
Z10
C12
Z9
RF
输入
RF
产量
C13
C14
C15
Z1, Z9
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
0.250 “× 0.080 ”微带
0.987 “× 0.080 ”微带
0.157 “× 0.080 ”微带
0.375 “× 0.080 ”微带
0.480 “× 1.000 ”微带
0.510 “× 0.080 ”微带
Z7
Z8, Z13
Z10
Z11
Z12
PCB
0.500 “× 1.000 ”微带
0.270 “× 0.080 ”微带
0.789 “× 0.080 ”微带
0.527 “× 0.080 ”微带
0.179 “× 0.080 ”微带
Taconic的TLX8 - 0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5S21045NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF5S21045NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C7, C12, C13
C4, C5, C14, C15
C6
C8, C10
C9
C11
R1, R2
R3
描述
220 nF的贴片电容（ 1812 ）
6.8 pF的100B贴片电容
6.8
F
片式电容器（ 1812 ）
220
F,
63 V的电解电容器，径向
1 pF的100B贴片电容
1.5 pF的100B贴片电容
0.5 pF的100B贴片电容
10千瓦的1/4 W贴片电阻
10
W,
1/4 W贴片电阻
产品型号
1812Y224KXA
100B6R8CW
C4532X5R1H685MT
13668221
100B1R0BW
100B1R5BW
100B0R5BW
生产厂家
日前，Vishay - Vitramon
ATC
TDK
飞利浦
ATC
ATC
ATC
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1 MRF5S21045MR1 MRF5S21045MBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
R1
R2
C2
C4 C5
C3
C6
C7
C8
R3
切出区
C9
C10
C11
C12
C13
C14 C15
MRF5S21045N
第0版
图2. MRF5S21045NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路元件布局
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1 MRF5S21045MR1 MRF5S21045MBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
10
13
16
19
22
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
8
11
14
17
20
IRL ，输入回波损耗（分贝）
800毫安
650毫安
500毫安
50
60
1
350毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
15.2
15
14.8
G
ps
，功率增益（分贝）
14.6
14.4
14.2
14
13.8
13.6
IM3
ACPR
13.4
2060 2080
IRL
G
ps
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦（平均） ，我
DQ
= 500毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔，
3.84 MHz信道带宽
PAR = 8.5 dB的0.01 ％
概率（ CCDF ）
η
D
32
28
24
20
16
28
32
36
40
2100
2120
2140
2160
2180
2200
44
2220
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 10瓦
14.8
14.6
14.4
G
ps
，功率增益（分贝）
14.2
14
13.8
13.6
13.4
13.2
IM3
ACPR
13
2060 2080
IRL
G
ps
η
D
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 20 W（平均） ，我
DQ
= 500毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔，
3.84 MHz信道带宽， PAR = 8.5分贝
@ 0.01 ％的概率（ CCDF ）
46
42
38
34
30
18
22
26
30
2100
2120 2140 2160
男，频率（MHz）
2180
2200
34
2220
图4 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
20瓦特
17
16
G
ps
，功率增益（分贝）
15
14
13
12
11
1
I
DQ
= 800毫安
650毫安
500毫安
350毫安
200毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
10
20
I
DQ
= 200毫安
30
40
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1 MRF5S21045MR1 MRF5S21045MBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF5S21045
第1版， 7/2005
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
适用于W - CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器的应用
T I O 4 N秒。要beusedin 姑娘AB的PCN - PCS / cellularradioand WLL
应用程序。
典型2 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 500毫安，
P
OUT
= 10瓦平均，全频段，信道带宽=
3.84兆赫， PAR = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
功率增益 - 14.5分贝
漏极效率 - 25.5 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - - 37 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 39 dBc的@ 3.84 MHz信道带宽
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2110兆赫， 45瓦CW
输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
后缀表示铅 - 免费端接
200℃有能力塑料包装
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF5S21045NR1
MRF5S21045NBR1
MRF5S21045MR1
MRF5S21045MBR1
2170兆赫， 10瓦平均， 28 V
2 x宽 - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 1486至1403年，风格1
TO - 270 WB - 4
塑料
MRF5S21045NR1(MR1)
案例1484年至1402年，风格1
TO - 272 WB - 4
塑料
MRF5S21045NBR1(MBR1)
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
CW操作
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
CW
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +15
130
0.74
- 65 + 150
200
45
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
W
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 45瓦CW
外壳温度79 ° C， 10瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
1.35
1.48
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1 MRF5S21045MR1 MRF5S21045MBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
1C （最低）
A（最小）
IV （最低）
表4 。
湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 68伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 120
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 500 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1.2 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
RSS
—
0.9
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2
0.2
—
—
3.8
—
3.2
3.5
5
0.35
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 500毫安， P
OUT
= 10瓦平均， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫， 2 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商。 ACPR测量
3.84 MHz信道带宽@
±5
MHz偏移。 IM3测量3.84 MHz的带宽@
±10
MHz偏移。 PAR = 8.5 dB的0.01 ％
概率上的CCDF 。
功率增益
漏EF网络效率
互调失真
相邻通道功率比
输入回波损耗
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
η
D
IM3
ACPR
IRL
13.5
24
—
—
—
14.5
25.5
- 37
- 39
- 12
16.5
—
- 35
- 37
-9
dB
%
dBc的
dBc的
dB
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1 MRF5S21045MR1 MRF5S21045MBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R1
V
BIAS
R2
C1
C2
Z6
C3
C4
C5
+
C6
V
供应
Z13
R3
Z1
C7
C8
C9
DUT
Z8
C10
C11
Z2
Z3
Z4
Z5
Z7
Z12
Z11
Z10
C12
Z9
RF
输入
RF
产量
C13
C14
C15
Z1, Z9
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
0.250 “× 0.080 ”微带
0.987 “× 0.080 ”微带
0.157 “× 0.080 ”微带
0.375 “× 0.080 ”微带
0.480 “× 1.000 ”微带
0.510 “× 0.080 ”微带
Z7
Z8, Z13
Z10
Z11
Z12
PCB
0.500 “× 1.000 ”微带
0.270 “× 0.080 ”微带
0.789 “× 0.080 ”微带
0.527 “× 0.080 ”微带
0.179 “× 0.080 ”微带
Taconic的TLX8 - 0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5S21045NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路原理图
表6. MRF5S21045NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路元件牌号和值
部分
C1
C2, C3, C7, C12, C13
C4, C5, C14, C15
C6
C8, C10
C9
C11
R1, R2
R3
描述
220 nF的贴片电容（ 1812 ）
6.8 pF的100B贴片电容
6.8
F
片式电容器（ 1812 ）
220
F,
63 V的电解电容器，径向
1 pF的100B贴片电容
1.5 pF的100B贴片电容
0.5 pF的100B贴片电容
10千瓦的1/4 W贴片电阻
10
W,
1/4 W贴片电阻
产品型号
1812Y224KXA
100B6R8CW
C4532X5R1H685MT
13668221
100B1R0BW
100B1R5BW
100B0R5BW
生产厂家
日前，Vishay - Vitramon
ATC
TDK
飞利浦
ATC
ATC
ATC
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1 MRF5S21045MR1 MRF5S21045MBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
R1
R2
C2
C4 C5
C3
C6
C7
C8
R3
切出区
C9
C10
C11
C12
C13
C14 C15
MRF5S21045N
第0版
图2. MRF5S21045NR1 （ NBR1 ） / MR1 （ MBR1 ）测试电路元件布局
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1 MRF5S21045MR1 MRF5S21045MBR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
D
，沥干
效率（％）
10
13
16
19
22
η
D
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
8
11
14
17
20
IRL ，输入回波损耗（分贝）
800毫安
650毫安
500毫安
50
60
1
350毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
15.2
15
14.8
G
ps
，功率增益（分贝）
14.6
14.4
14.2
14
13.8
13.6
IM3
ACPR
13.4
2060 2080
IRL
G
ps
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦（平均） ，我
DQ
= 500毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔，
3.84 MHz信道带宽
PAR = 8.5 dB的0.01 ％
概率（ CCDF ）
η
D
32
28
24
20
16
28
32
36
40
2100
2120
2140
2160
2180
2200
44
2220
男，频率（MHz）
图3 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
= 10瓦
14.8
14.6
14.4
G
ps
，功率增益（分贝）
14.2
14
13.8
13.6
13.4
13.2
IM3
ACPR
13
2060 2080
IRL
G
ps
η
D
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 20 W（平均） ，我
DQ
= 500毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔，
3.84 MHz信道带宽， PAR = 8.5分贝
@ 0.01 ％的概率（ CCDF ）
46
42
38
34
30
18
22
26
30
2100
2120 2140 2160
男，频率（MHz）
2180
2200
34
2220
图4 2 - 载波W - CDMA的宽带性能@ P
OUT
20瓦特
17
16
G
ps
，功率增益（分贝）
15
14
13
12
11
1
I
DQ
= 800毫安
650毫安
500毫安
350毫安
200毫安
V
DD
= 28伏直流
F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
10
20
I
DQ
= 200毫安
30
40
图5.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图6.三阶互调失真
与输出功率
MRF5S21045NR1 MRF5S21045NBR1 MRF5S21045MR1 MRF5S21045MBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
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