摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
通过MRF5P21240 / D
射频亚微米MOSFET线
射频功率场效应晶体管
专为W- CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器应用。
要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL应用。
为V（典型） 2载波W- CDMA性能
DD
= 28伏，
I
DQ
= 2× 1100毫安， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145兆赫，
信道带宽= 3.84 MHz时，相邻信道测过
3.84 MHz带宽@ F1 - 5 MHz和F2 + 5兆赫。失真产物
测过一个3.84 MHz的带宽@ F1 - 10 MHz和F2 + 10 MHz时，
每个载波峰值/平均。 = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
输出功率 - 52瓦的魅力。
功率增益 - 13分贝
效率 - 24 ％
IM3 - -36 dBc的
ACPR - -39 dBc的
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， F = 2140兆赫，
180瓦的连续输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
N沟道增强模式横向MOSFET
MRF5P21240R6
2170兆赫， 52 W AVG 。 ，
2× W- CDMA ， 28 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 375D -04 ，风格1
NI–1230
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
CW操作
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
CW
价值
65
–0.5, +15
500
2.86
-65到+150
200
180
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
瓦
热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度55 ° C， 180W的CW
外壳温度45 ° C， 52 W CW
符号
R
θJC
最大
0.35
0.40
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 1
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2003
设备数据
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MRF5P21240R6
1
飞思卡尔半导体公司
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
C6 （最低）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 300
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1100 MADC ）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
RSS
—
2.75
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
3
—
—
2.8
3.8
0.26
7.5
4
5
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）（2）
2载波W- CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商。每个运营商都有峰值/平均。比=上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 52 W的魅力。我
DQ
= 2× 1100毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫，
F2 = 2167.5兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 52 W的魅力。我
DQ
= 2× 1100毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫，
F2 = 2167.5兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 52 W的魅力。我
DQ
= 2× 1100毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫，
F2 = 2167.5兆赫; IM3测过3.84 MHz带宽@ F1 -10兆赫
和f2 10兆赫）
相邻通道功率比
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 52 W的魅力。我
DQ
= 2× 1100毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫，
F2 = 2167.5兆赫; ACPR测量在3.84 MHz的带宽@ F1 - 5兆赫
和f2 5兆赫）。
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 52 W的魅力。我
DQ
= 2× 1100毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫，
F2 = 2167.5兆赫）
G
ps
12
13
—
dB
η
22.5
24
—
%
IM3
—
–36
–34
dBc的
ACPR
—
–39
–37
dBc的
IRL
—
–12
–9
dB
（1）设备的每一侧分别测得。部分是输入和输出内部匹配两种。
（2）测量取得与设备中的推挽配置。
MRF5P21240R6
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
GG
R4
+
C17
+
C15
C13
C9
R1
C5
Z11
Z3
Z1
Z2
Z7
Z4
C2
B2
Z12
Z6
Z10
Z14
Z18
Z20
C3
Z16
R2
C6
+
C23
+
C24
C7
C11
+
C25
+
C26
+
C28
V
DD
Z22
C1
DUT
Z5
Z9
Z13
Z17
Z19
C4
Z21
Z8
Z15
+
C19
+
C20
C8
C12
+
C21
+
C22
+
C27
V
DD
RF
输入
Z23
Z24
RF
产量
飞思卡尔半导体公司...
V
GG
R3
+
C18
+
C16
C14
C10
Z1
Z2, Z23
Z3, Z22
Z4, Z21
Z5, Z6
Z7, Z8
Z9, Z10
0.898 “× 0.080 ”微带
0.775 “× 0.136 ”微带
0.060 “× 0.080 ”微带
1.867 “× 0.080 ”微带
0.443 “× 0.080 ”微带
0.100 “× 0.080 ”微带
0.490 “× 0.540 ”微带
Z11, Z12
Z13, Z14
Z15, Z16
Z17, Z18
Z19, Z20
Z24
PCB
1.270 “× 0.058 ”微带
0.250 “× 0.500 ”微带
0.850 “× 0.150 ”微带
0.535 “× 0.390 ”微带
0.218 “× 0.080 ”微带
0.825 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX- 0300-55-22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5P21240R6测试电路原理图
表1. MRF5P21240R6测试电路组件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2, C3, C4
C5, C6, C7, C8
C9, C10, C11, C12
C13, C14
C15, C16
C17, C18
C19, C20, C21, C22
C23, C24, C25, C26
C27, C28
R1, R2
R3, R4
描述
短铁氧体磁珠
18 pF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
0.1
F
贴片电容
1000 pF的贴片电容
4.7
F
钽电容
10
F
电解电容
22
F
钽电容
100
F
电解电容
1.0千瓦， 1/8 W贴片电阻
10
W,
1/8 W贴片电阻
值， P / N或DWG
2743019447
100B180JCA500X
100B6R8JCA500X
CDR33BX104AKWS
100B102JCA500X
T491C475M050
EEV–HB1H100P
T491X226K035AS4394
517D107M050BB6A
生产厂家
爱色丽博览会
ATC
ATC
基美
ATC
基美
松下
基美
斯普拉格
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MRF5P21240R6
3
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
I
DQ
= 2640毫安
2420毫安
2200毫安
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
10
100
300
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
IRL ，输入回波损耗（分贝）
15
14
13
PS ，功率增益（分贝）
12
11
IRL
IM3
ACPR
2100
2120
2140
2160
2180
9
8
7
6
5
2080
10
G
ps
η
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 52 W（平均） ，我
DQ
= 2200毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
3.84 MHz信道带宽
峰值/平均。 = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
40
35
30
25
20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
2200
男，频率（MHz）
飞思卡尔半导体公司...
图3. 2载波W-CDMA的宽带性能
14
2420毫安
PS ，功率增益（分贝）
13.5
2200毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 2640毫安
-25
-30
-35
-40
-45
13
1980毫安
1760毫安
12.5
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
12
2
10
100
300
-50 1980毫安
1760毫安
-55
2
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图4.双音功率增益与
输出功率
图5.三阶互调失真
与输出功率
-25
IMD ，互调失真（ DBC）
-30
-35
-40
-45
-50
-55
五阶
7阶
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 240 W（ PEP ） ，我
DQ
= 2200毫安
双色测量，中心频率= 2140 MHz的
0.1
1
TWO- TONE间隔（MHz ）
10
30
3阶
60
59
噘嘴，输出功率（dBm ）
58
57
56
55
54
53
52
51
50
36
37
38
39
40
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 2200毫安
脉冲CW ， 8
微秒（上） ，
1.6毫秒（关闭）
中心频率= 2140 MHz的
41
42
43
44
45
46
P
in
输入功率（dBm ）
P3dB = 55.03 dBm的（ 318.24 W）
的P1dB = 54.36 dBm的（ 272.9 W）
实际
理想
图6.互调失真产品
与音频间隔
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
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射频亚微米MOSFET线
射频功率场效应晶体管
专为W- CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器应用。
要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL应用。
为V（典型） 2载波W- CDMA性能
DD
= 28伏，
I
DQ
= 2× 1100毫安， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145兆赫，
信道带宽= 3.84 MHz时，相邻信道测过
3.84 MHz带宽@ F1 - 5 MHz和F2 + 5兆赫。失真产物
测过一个3.84 MHz的带宽@ F1 - 10 MHz和F2 + 10 MHz时，
每个载波峰值/平均。 = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
输出功率 - 52瓦的魅力。
功率增益 - 13分贝
效率 - 24 ％
IM3 - -36 dBc的
ACPR - -39 dBc的
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， F = 2140兆赫，
180瓦的连续输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
在磁带和卷轴。 R6后缀=每56毫米， 13英寸卷筒150个单位。
N沟道增强模式横向MOSFET
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2170兆赫， 52 W AVG 。 ，
2× W- CDMA ， 28 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
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CASE 375D -04 ，风格1
NI–1230
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
CW操作
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
CW
价值
65
–0.5, +15
500
2.86
-65到+150
200
180
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
瓦
热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度55 ° C， 180W的CW
外壳温度45 ° C， 52 W CW
符号
R
θJC
最大
0.35
0.40
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
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摩托罗拉RF
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1
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ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
C6 （最低）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 300
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 1100 MADC ）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
RSS
—
2.75
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
3
—
—
2.8
3.8
0.26
7.5
4
5
0.3
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）（2）
2载波W- CDMA ， 3.84 MHz信道带宽的运营商。每个运营商都有峰值/平均。比=上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 52 W的魅力。我
DQ
= 2× 1100毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫，
F2 = 2167.5兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 52 W的魅力。我
DQ
= 2× 1100毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫，
F2 = 2167.5兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 52 W的魅力。我
DQ
= 2× 1100毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫，
F2 = 2167.5兆赫; IM3测过3.84 MHz带宽@ F1 -10兆赫
和f2 10兆赫）
相邻通道功率比
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 52 W的魅力。我
DQ
= 2× 1100毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫，
F2 = 2167.5兆赫; ACPR测量在3.84 MHz的带宽@ F1 - 5兆赫
和f2 5兆赫）。
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 52 W的魅力。我
DQ
= 2× 1100毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫，
F2 = 2167.5兆赫）
G
ps
12
13
—
dB
η
22.5
24
—
%
IM3
—
–36
–34
dBc的
ACPR
—
–39
–37
dBc的
IRL
—
–12
–9
dB
（1）设备的每一侧分别测得。部分是输入和输出内部匹配两种。
（2）测量取得与设备中的推挽配置。
MRF5P21240R6
2
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飞思卡尔半导体公司
B1
V
GG
R4
+
C17
+
C15
C13
C9
R1
C5
Z11
Z3
Z1
Z2
Z7
Z4
C2
B2
Z12
Z6
Z10
Z14
Z18
Z20
C3
Z16
R2
C6
+
C23
+
C24
C7
C11
+
C25
+
C26
+
C28
V
DD
Z22
C1
DUT
Z5
Z9
Z13
Z17
Z19
C4
Z21
Z8
Z15
+
C19
+
C20
C8
C12
+
C21
+
C22
+
C27
V
DD
RF
输入
Z23
Z24
RF
产量
飞思卡尔半导体公司...
V
GG
R3
+
C18
+
C16
C14
C10
Z1
Z2, Z23
Z3, Z22
Z4, Z21
Z5, Z6
Z7, Z8
Z9, Z10
0.898 “× 0.080 ”微带
0.775 “× 0.136 ”微带
0.060 “× 0.080 ”微带
1.867 “× 0.080 ”微带
0.443 “× 0.080 ”微带
0.100 “× 0.080 ”微带
0.490 “× 0.540 ”微带
Z11, Z12
Z13, Z14
Z15, Z16
Z17, Z18
Z19, Z20
Z24
PCB
1.270 “× 0.058 ”微带
0.250 “× 0.500 ”微带
0.850 “× 0.150 ”微带
0.535 “× 0.390 ”微带
0.218 “× 0.080 ”微带
0.825 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX- 0300-55-22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF5P21240R6测试电路原理图
表1. MRF5P21240R6测试电路组件牌号和值
部分
B1, B2
C1, C2, C3, C4
C5, C6, C7, C8
C9, C10, C11, C12
C13, C14
C15, C16
C17, C18
C19, C20, C21, C22
C23, C24, C25, C26
C27, C28
R1, R2
R3, R4
描述
短铁氧体磁珠
18 pF的贴片电容
6.8 pF的贴片电容
0.1
F
贴片电容
1000 pF的贴片电容
4.7
F
钽电容
10
F
电解电容
22
F
钽电容
100
F
电解电容
1.0千瓦， 1/8 W贴片电阻
10
W,
1/8 W贴片电阻
值， P / N或DWG
2743019447
100B180JCA500X
100B6R8JCA500X
CDR33BX104AKWS
100B102JCA500X
T491C475M050
EEV–HB1H100P
T491X226K035AS4394
517D107M050BB6A
生产厂家
爱色丽博览会
ATC
ATC
基美
ATC
基美
松下
基美
斯普拉格
摩托罗拉RF设备数据
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MRF5P21240R6
3
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
，沥干
效率（％）
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
I
DQ
= 2640毫安
2420毫安
2200毫安
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
10
100
300
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
IRL ，输入回波损耗（分贝）
15
14
13
PS ，功率增益（分贝）
12
11
IRL
IM3
ACPR
2100
2120
2140
2160
2180
9
8
7
6
5
2080
10
G
ps
η
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 52 W（平均） ，我
DQ
= 2200毫安
2载波W-CDMA中， 10MHz的载波间隔
3.84 MHz信道带宽
峰值/平均。 = 8.5 dB的0.01 ％的概率（ CCDF ）
40
35
30
25
20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
2200
男，频率（MHz）
飞思卡尔半导体公司...
图3. 2载波W-CDMA的宽带性能
14
2420毫安
PS ，功率增益（分贝）
13.5
2200毫安
IMD ，三阶
互调失真（ DBC）
I
DQ
= 2640毫安
-25
-30
-35
-40
-45
13
1980毫安
1760毫安
12.5
V
DD
= 28伏直流， F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的
双色测量， 10 MHz的音调间隔
12
2
10
100
300
-50 1980毫安
1760毫安
-55
2
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图4.双音功率增益与
输出功率
图5.三阶互调失真
与输出功率
-25
IMD ，互调失真（ DBC）
-30
-35
-40
-45
-50
-55
五阶
7阶
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 240 W（ PEP ） ，我
DQ
= 2200毫安
双色测量，中心频率= 2140 MHz的
0.1
1
TWO- TONE间隔（MHz ）
10
30
3阶
60
59
噘嘴，输出功率（dBm ）
58
57
56
55
54
53
52
51
50
36
37
38
39
40
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 2200毫安
脉冲CW ， 8
微秒（上） ，
1.6毫秒（关闭）
中心频率= 2140 MHz的
41
42
43
44
45
46
P
in
输入功率（dBm ）
P3dB = 55.03 dBm的（ 318.24 W）
的P1dB = 54.36 dBm的（ 272.9 W）
实际
理想
图6.互调失真产品
与音频间隔
图7.脉冲CW输出功率与
输入功率
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MRF5P21240R6
5
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