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MRF587
射频线NPN硅高频晶体管
噪声系数3.0分贝@ 500MHz的
设计用于高增益，低噪声，超线性的使用，调整和宽
带放大器。非常适用于CATV ，美亚和仪器仪表应用
应用程序。
M / A- COM产品
发布 - 启示录07.07
产品图片
低噪声系数 -
NF = 3.0分贝（典型值） @ F = 500 MHz时，我
C
= 90毫安
高功率增益 -
G
U（最大）
= 16.5分贝（典型值） @ F = 500 MHz的
离子注入
所有黄金金制度
高F
T
= 5.5 GHz的
低互调失真：
TB
3
= -70分贝
DIN = 125分贝
μV
镍铬合金发射极镇流电阻
CASE 244A -01 ，风格1
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MRF587
射频线NPN硅高频晶体管
噪声系数3.0分贝@ 500MHz的
M / A- COM产品
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2
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射频线NPN硅高频晶体管
噪声系数3.0分贝@ 500MHz的
M / A- COM产品
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射频线NPN硅高频晶体管
噪声系数3.0分贝@ 500MHz的
M / A- COM产品
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半导体技术资料
订购此文件
由MRF587 / D
射频线
NPN硅
高频三极管
。 。 。设计用于高增益，低噪声，超线性用途，调谐和宽带
放大器。非常适用于CATV ，美亚和仪器仪表应用。
低噪声系数 -
NF = 3.0分贝（典型值） @ F = 500 MHz时，我
C
= 90毫安
高功率增益 -
G
U（最大）
= 16.5分贝（典型值） @ F = 500 MHz的
离子注入
所有黄金金制度
高F
T
= 5.5 GHz的
低互调失真：
TB
3
= -70分贝
DIN = 125分贝
V
镍铬合金发射极镇流电阻
MRF587
NF = 3.0 dB的0.5 GHz的
高频率
晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
C
= 50°C
减免上述牛逼
C
= 50°C
存储温度范围
结温
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
英镑
T
J
价值
17
34
2.5
200
5.0
33
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
°C
CASE 244A -01 ，风格1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 5.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 1.0 MADC ，我
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
C
= 0, I
E
= 0.1 MADC ）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0)
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
17
34
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
50
VDC
VDC
VDC
μAdc
基本特征
直流电流增益（ 1 ）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
注意：
1. 300
s
脉泰克576或同等学历。
h
FE
50
—
200
—
（续）
REV 6
1
MRF587
电气特性 - 续
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
动态特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
(I
C
= 90 MADC ，V
CE
= 15 VDC ， F = 0.5千兆赫）
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
f
T
C
cb
—
—
5.5
1.7
—
2.2
GHz的
pF
功能测试
窄带 - 图15
(I
C
= 90毫安， V
CC
= 15 V ， F = 0.5千兆赫）
噪声系数
功率增益为最佳的噪声系数
宽带 - 图16
(I
C
= 90毫安， V
CC
= 15 V ， F = 0.3千兆赫）
噪声系数
功率增益为最佳的噪声系数
三次差拍失真
(I
C
= 50 mA时， V
CC
= 15 V ，P
REF
= 50 dBmV的）
(I
C
= 90毫安， V
CC
= 15 V ，P
REF
= 50 dBmV的）
DIN 45004
(I
C
= 90毫安， V
CC
= 15 V)
(I
C
= 90毫安， V
CC
= 15 V)
最大可用功率增益（ 3 ）
(I
C
= 90毫安， V
CE
= 15 VDC ， F = 0.5千兆赫）
注意事项：
2.特点的HP8542自动网络分析仪
3. G
UMAX
=
|S21|2
(1–|S11|2)(1–|S22|2)
dB
NF
G
NF
—
11
3.0
13
4.0
—
dB
NF
G
NF
TB
3
—
—
—
6.3
11
–70
—
—
—
dB
DIN
—
125
—
dBμV的
G
UMAX
—
16.5
—
dB
10
9
8
NF ，噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1
0.2
0.3
0.5
男，频率（GHz ）
0.7
N.F.
G
NF
V
CE
= 15 V
I
C
= 90毫安
30
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0.9 10
NF ，增益噪声系数（dB ）
27
6
5
4
3
2
1
V
CE
= 15 V
F = 300 MHz的
NF ，噪声系数（dB ）
0
50
100
150
I
C
，集电极电流（毫安）
200
图1.典型噪声系数和
相关联的增益与频率关系
图2.噪声系数与集电极电流
REV 6
2
GUmax ，最大可用功率增益（dB ）
20
16
12
8
4
0
F T ，增益带宽积（千兆赫）
F = 500 MHz的
V
CE
= 15 V
6
V
CE
= 15 V
5
4
3
2
1
F = 1000 MHz的
0
50
100
150
I
C
，集电极电流（毫安）
200
0
50
100
150
I
C
，集电极电流（毫安）
200
图3.克
UMAX
与集电极电流
图4.增益带宽积与
集电极电流
典型性能
7
6
5
4
3
2
V
CC
= 15 V
F = 300 MHz的
电容（pF）
10
7
5
C
ob
NF ，噪声系数（dB ）
3
2
电路PER
图16
C
cb
40
50
80
90
100
60
70
I
C
，集电极电流（毫安）
110
120
1
1
3
5
2
V
CB
，集电极基极电压（ V）
7
10
图5.宽带噪声图
图6.结电容与电压
80
VOUT ，输出电压（ dBmV的）
76
72
68
64
60
V
CC
= 15 V
F = 200 MHz的
电路PER
图16
31
29
噘嘴，输出功率（dBm ）
27
25
23
21
19
17
15
13
40
50
80
90
100
60
70
I
C
，集电极电流（毫安）
110
11
120
噘嘴，输出功率（dBm ）
60
50
40
30
20
10
3阶
截距
1分贝
COMP 。 PT 。
电路PER
图16
f
1
= 205兆赫
f
2
= 211兆赫
V
CC
= 15 V
I
C
= 90毫安
0
10
20
30
40
50
P
in
输入功率（dBm ）
60
70
80
图7. 1.0分贝压缩点与
集电极电流
图8.三阶截点
REV 6
3
典型表现（续）
-48
-52
IMD ，失真（分贝）
-56
-60
-64
CH2
40
50
80
90
100
60
70
I
C
，集电极电流（毫安）
110
120
V
CE
= 15 V
P
REF
= 50 dBmV的
电路PER
图16
测试按照图17
-60
-64
TB3 ，失真（分贝）
-68
-72
-76
-80
70
测试按照图18
V
CC
= 15 V
P
REF
= 50 dBmV的@ 200 MHz的
电路PER
图16
CHR
CH13
80
90
100
I
C
，集电极电流（毫安）
110
120
图9.二阶失真与
集电极电流
图10.三次差拍失真与
集电极电流
-10
-20
-30
CH13
-40
-50
-60
40
电路PER
图16
测试按照图19
V
CC
= 15 V
P
REF
= 50 dBmV的
VREF时，输出电压（分贝
V)
140
V
CC
= 15 V
130
120
110
100
90
40
电路PER
图16
测试按照图20
XMD 35 ，失真（分贝）
50
80
90
100
60
70
I
C
，集电极电流（毫安）
110
120
50
80
90
100
60
70
I
C
，集电极电流（毫安）
110
120
图11. 35通道X -调制失真
与集电极电流
图12. DIN 45004B与集电极电流
REV 6
4
+j50
+j25
+j100
+j150
+j10
1
S
11
0.8
10
0.6
0.4
0.2
V
CE
= 15 V
I
C
= 90毫安
90°
120°
S
21
F = 0.1 GHz的
60°
150°
0.2
+j250
+j500
25
50
100
150
250 500
0
180°
-j500
25
20
15
10
5
1
0.4
0.6
0.6
0.4
1 F = 0.1 GHz的
0.1 0.2
0.8
30°
S
12
0.3
0.4
0.5
0°
0.6
-j10
F = 0.1 GHz的
0.4
0.2
0.8
1
F = 0.1 GHz的
S
22
-j250
-j150
-150°
-120°
-60°
-90°
-30°
-j25
-j50
-j100
图13.输入/输出的反思
系数随频率（GHz ）
图14.正向/反向传输
系数随频率（GHz ）
V
CE
（伏）
5.0
I
C
（MA ）
30
f
（兆赫）
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
S
11
|S
11
|
0.56
0.58
0.60
0.64
0.67
0.70
0.53
0.56
0.59
0.63
0.66
0.69
0.52
0.56
0.59
0.63
0.66
0.69
0.53
0.53
0.55
0.59
0.62
0.65
0.49
0.51
0.53
0.58
0.60
0.63
0.48
0.50
0.53
0.57
0.60
0.63
∠φ
–131
–159
–178
170
162
155
–141
–164
178
169
161
155
–145
–166
177
168
161
155
–122
–153
175
173
165
158
–132
–158
–178
171
164
157
–135
–160
–179
171
164
157
|S
21
|
16.45
9.42
5.00
3.61
2.92
2.55
17.89
10.05
5.31
3.82
3.09
2.67
18.26
10.20
5.38
3.86
3.12
2.70
18.36
10.63
5.71
4.16
3.37
2.95
20.19
11.54
6.12
4.43
3.58
3.12
20.82
11.77
6.22
4.50
3.64
3.18
S
21
∠φ
113
98
86
76
67
58
110
97
85
76
67
58
109
96
85
76
67
58
115
100
87
78
68
59
112
99
87
78
68
60
111
98
86
78
68
60
|S
12
|
0.04
0.06
0.08
0.11
0.14
0.17
0.04
0.05
0.09
0.12
0.15
0.18
0.04
0.05
0.09
0.12
0.15
0.19
0.04
0.05
0.08
0.10
0.13
0.15
0.03
0.05
0.08
0.11
0.14
0.16
0.03
0.05
0.08
0.11
0.14
0.17
S
12
∠φ
45
49
55
56
55
54
50
55
60
59
57
55
52
57
62
60
58
55
48
51
57
58
57
55
51
57
61
60
59
57
53
59
63
62
59
57
|S
22
|
0.49
0.38
0.35
0.38
0.41
0.44
0.47
0.39
0.38
0.40
0.44
0.47
0.47
0.39
0.39
0.41
0.45
0.48
0.50
0.36
0.33
0.35
0.39
0.42
0.46
0.35
0.33
0.36
0.40
0.44
0.45
0.34
0.33
0.36
0.41
0.44
S
22
∠φ
–91
–116
–132
–138
–144
–152
–102
–126
–141
–146
–153
–160
–106
–130
–144
–149
–155
–162
–75
–96
–112
–119
–127
–136
–85
–107
–123
–129
–136
–144
–88
–111
–126
–131
–139
–147
（续）
60
90
10
30
60
90
表1.共发射极S参数
REV 6
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MRF587 / D
射频线
NPN硅
高频三极管
。 。 。设计用于高增益，低噪声，超线性用途，调谐和宽带
放大器。非常适用于CATV ，美亚和仪器仪表应用。
低噪声系数 -
NF = 3.0分贝（典型值） @ F = 500 MHz时， IC = 90毫安
高功率增益 -
GU （最大值） = 16.5分贝（典型值） @ F = 500 MHz的
离子注入
所有黄金金制度
高FT - 5.5 GHz的
低互调失真：
TB3 = - 70分贝
DIN = 125分贝
V
镍铬合金发射极镇流电阻
MRF587
NF = 3.0 dB的0.5 GHz的
高频率
晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TC = 50℃
减免上述TC = 50℃
存储温度范围
结温
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TSTG
TJ
价值
17
34
2.5
200
5.0
33
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
°C
CASE 244A -01 ，风格1
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 5.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IC = 0 ，IE = 0.1 MADC ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
17
34
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
50
VDC
VDC
VDC
μAdc
基本特征
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
注意：
1. 300
s
脉泰克576或同等学历。
的hFE
50
—
200
—
（续）
REV 6
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉公司1994年
MRF587
1
电气特性 - 续
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
动态特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 90 MADC ， VCE = 15 VDC ， F = 0.5千兆赫）
集电极 - 基极电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
fT
建行
—
—
5.5
1.7
—
2.2
GHz的
pF
功能测试
窄带 - 图15
（ IC = 90 mA时， VCC = 15 V ， F = 0.5千兆赫）
噪声系数
功率增益为最佳的噪声系数
宽带 - 图16
（ IC = 90 mA时， VCC = 15 V ， F = 0.3千兆赫）
噪声系数
功率增益为最佳的噪声系数
三次差拍失真
（ IC = 50 mA时， VCC = 15 V ，县= 50 dBmV的）
（ IC = 90 mA时， VCC = 15 V ，县= 50 dBmV的）
DIN 45004
（ IC = 90 mA时， VCC = 15 V ）
（ IC = 90 mA时， VCC = 15 V ）
最大可用功率增益（ 3 ）
（ IC = 90 mA时， VCE = 15 VDC ， F = 0.5千兆赫）
注意事项：
2.特点的HP8542自动网络分析仪
3. GUmax =
|S21|2
(1
–
|S11|2)(1
–
|S22|2)
dB
NF
GNF
—
11
3.0
13
4.0
—
dB
NF
GNF
TB3
—
—
—
6.3
11
– 70
—
—
—
dB
DIN
—
125
—
dBμV的
GUmax
—
16.5
—
dB
10
9
8
NF ，噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1
0.2
0.3
0.5
男，频率（GHz ）
0.7
N.F.
GNF
VCE = 15 V
IC = 90毫安
30
NF ，增益噪声系数（dB ）
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0.9 10
6
VCE = 15 V
F = 300 MHz的
5
NF ，噪声系数（dB ）
4
3
2
1
0
50
100
150
IC ，集电极电流（毫安）
200
图1.典型噪声系数和
相关联的增益与频率关系
图2.噪声系数与集电极电流
MRF587
2
摩托罗拉RF设备数据
GUmax ，最大可用功率增益（dB ）
20
16
F T ，增益带宽积（千兆赫）
F = 500 MHz的
VCE = 15 V
6
VCE = 15 V
5
12
4
8
4
3
2
1
F = 1000 MHz的
0
0
50
100
150
IC ，集电极电流（毫安）
200
0
100
150
50
IC ，集电极电流（毫安）
200
图3. GUmax与集电极电流
图4.增益带宽积与
集电极电流
典型性能
7
10
7
电容（pF）
5
COB
3
2
建行
6
NF ，噪声系数（dB ）
VCC = 15 V
F = 300 MHz的
5
4
电路PER
图16
3
2
1
40
50
80
90
100
60
70
IC ，集电极电流（毫安）
110
120
1
3
5
2
VCB ，集电极基极电压（ V）
7
10
图5.宽带噪声图
图6.结电容与电压
80
VOUT ，输出电压（ dBmV的）
31
29
噘嘴，输出功率（dBm ）
噘嘴，输出功率（dBm ）
60
3阶
截距
76
27
25
50
72
VCC = 15 V
F = 200 MHz的
68
电路PER
图16
64
60
40
50
80
90
100
60
70
IC ，集电极电流（毫安）
110
23
21
19
17
15
13
11
120
40
1分贝
COMP 。 PT 。
30
F1 = 205 MHz的
F2 = 211 MHz的
VCC = 15 V
IC = 90毫安
0
10
20
30
40
50
引脚，输入功率（dBm ）
60
70
80
电路PER
图16
20
10
图7. 1.0分贝压缩点与
集电极电流
图8.三阶截点
摩托罗拉RF设备数据
MRF587
3
典型表现（续）
– 48
VCE = 15 V
PREF = 50 dBmV的
CHR
CH13
TB3 ，失真（分贝）
电路PER
图16
– 56
测试按照图17
– 60
VCC = 15 V
PREF = 50 dBmV的@ 200 MHz的
– 64
电路PER
图16
– 68
– 52
IMD ，失真（分贝）
– 60
– 64
CH2
40
50
80
90
100
60
70
IC ，集电极电流（毫安）
110
120
– 72
– 76
– 80
70
测试按照图18
80
90
100
IC ，集电极电流（毫安）
110
120
图9.二阶失真与
集电极电流
图10.三次差拍失真与
集电极电流
– 10
VCC = 15 V
PREF = 50 dBmV的
VREF时，输出电压（ dBμV为单位）
140
VCC = 15 V
130
– 20
XMD 35 ，失真（分贝）
– 30
CH13
– 40
– 50
电路PER
图16
测试按照图19
120
电路PER
图16
测试按照图20
100
90
40
110
– 60
40
50
80
90
100
60
70
IC ，集电极电流（毫安）
110
120
50
80
90
100
60
70
IC ，集电极电流（毫安）
110
120
图11. 35通道X -调制失真
与集电极电流
图12. DIN 45004B与集电极电流
MRF587
4
摩托罗拉RF设备数据
+ j50
+ j25
+ j100
+ j150
VCE = 15 V IC = 90毫安
120°
90°
F = 0.1 GHz的
S21
150°
0.2
0.8
1
0.4
0.6
0.6
0.4
1 F = 0.1 GHz的
0.1 0.2
0.3
60°
30°
S12
0.4
0.5
+ j10
1
10
0.8
25
50
100
150
250 500
+ j250
+ j500
180°
– j500
F = 0.1 GHz的
S22
– j25
– j50
– j100
– j250
– j150
–120°
–150°
25
20
15
10
5
0
S11
0°
0.6
0.4
0.2
0.6
– j10
F = 0.1 GHz的
0.4
0.2
0.8
1
– 30°
– 60°
– 90°
图13.输入/输出的反思
系数随频率（GHz ）
图14.正向/反向传输
系数随频率（GHz ）
VCE
（伏）
5.0
IC
（MA ）
30
f
（兆赫）
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
S11
|S11|
0.56
0.58
0.60
0.64
0.67
0.70
0.53
0.56
0.59
0.63
0.66
0.69
0.52
0.56
0.59
0.63
0.66
0.69
0.53
0.53
0.55
0.59
0.62
0.65
0.49
0.51
0.53
0.58
0.60
0.63
0.48
0.50
0.53
0.57
0.60
0.63
φ
– 131
– 159
– 178
170
162
155
– 141
– 164
178
169
161
155
– 145
– 166
177
168
161
155
– 122
– 153
175
173
165
158
– 132
– 158
– 178
171
164
157
– 135
– 160
– 179
171
164
157
|S21|
16.45
9.42
5.00
3.61
2.92
2.55
17.89
10.05
5.31
3.82
3.09
2.67
18.26
10.20
5.38
3.86
3.12
2.70
18.36
10.63
5.71
4.16
3.37
2.95
20.19
11.54
6.12
4.43
3.58
3.12
20.82
11.77
6.22
4.50
3.64
3.18
S21
φ
113
98
86
76
67
58
110
97
85
76
67
58
109
96
85
76
67
58
115
100
87
78
68
59
112
99
87
78
68
60
111
98
86
78
68
60
|S12|
0.04
0.06
0.08
0.11
0.14
0.17
0.04
0.05
0.09
0.12
0.15
0.18
0.04
0.05
0.09
0.12
0.15
0.19
0.04
0.05
0.08
0.10
0.13
0.15
0.03
0.05
0.08
0.11
0.14
0.16
0.03
0.05
0.08
0.11
0.14
0.17
S12
φ
45
49
55
56
55
54
50
55
60
59
57
55
52
57
62
60
58
55
48
51
57
58
57
55
51
57
61
60
59
57
53
59
63
62
59
57
|S22|
0.49
0.38
0.35
0.38
0.41
0.44
0.47
0.39
0.38
0.40
0.44
0.47
0.47
0.39
0.39
0.41
0.45
0.48
0.50
0.36
0.33
0.35
0.39
0.42
0.46
0.35
0.33
0.36
0.40
0.44
0.45
0.34
0.33
0.36
0.41
0.44
S22
φ
– 91
– 116
– 132
– 138
– 144
– 152
– 102
– 126
– 141
– 146
– 153
– 160
– 106
– 130
– 144
– 149
– 155
– 162
– 75
– 96
– 112
– 119
– 127
– 136
– 85
– 107
– 123
– 129
– 136
– 144
– 88
– 111
– 126
– 131
– 139
– 147
（续）
60
90
10
30
60
90
表1.共发射极S参数
摩托罗拉RF设备数据
MRF587
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MRF587 / D
射频线
NPN硅
高频三极管
。 。 。设计用于高增益，低噪声，超线性用途，调谐和宽带
放大器。非常适用于CATV ，美亚和仪器仪表应用。
低噪声系数 -
NF = 3.0分贝（典型值） @ F = 500 MHz时， IC = 90毫安
高功率增益 -
GU （最大值） = 16.5分贝（典型值） @ F = 500 MHz的
离子注入
所有黄金金制度
高FT - 5.5 GHz的
低互调失真：
TB3 = - 70分贝
DIN = 125分贝
V
镍铬合金发射极镇流电阻
MRF587
NF = 3.0 dB的0.5 GHz的
高频率
晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TC = 50℃
减免上述TC = 50℃
存储温度范围
结温
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
TSTG
TJ
价值
17
34
2.5
200
5.0
33
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
°C
CASE 244A -01 ，风格1
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 5.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IC = 0 ，IE = 0.1 MADC ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
17
34
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
50
VDC
VDC
VDC
μAdc
基本特征
直流电流增益（ 1 ）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
注意：
1. 300
s
脉泰克576或同等学历。
的hFE
50
—
200
—
（续）
REV 6
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉公司1994年
MRF587
1
电气特性 - 续
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
动态特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 90 MADC ， VCE = 15 VDC ， F = 0.5千兆赫）
集电极 - 基极电容
（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
fT
建行
—
—
5.5
1.7
—
2.2
GHz的
pF
功能测试
窄带 - 图15
（ IC = 90 mA时， VCC = 15 V ， F = 0.5千兆赫）
噪声系数
功率增益为最佳的噪声系数
宽带 - 图16
（ IC = 90 mA时， VCC = 15 V ， F = 0.3千兆赫）
噪声系数
功率增益为最佳的噪声系数
三次差拍失真
（ IC = 50 mA时， VCC = 15 V ，县= 50 dBmV的）
（ IC = 90 mA时， VCC = 15 V ，县= 50 dBmV的）
DIN 45004
（ IC = 90 mA时， VCC = 15 V ）
（ IC = 90 mA时， VCC = 15 V ）
最大可用功率增益（ 3 ）
（ IC = 90 mA时， VCE = 15 VDC ， F = 0.5千兆赫）
注意事项：
2.特点的HP8542自动网络分析仪
3. GUmax =
|S21|2
(1
–
|S11|2)(1
–
|S22|2)
dB
NF
GNF
—
11
3.0
13
4.0
—
dB
NF
GNF
TB3
—
—
—
6.3
11
– 70
—
—
—
dB
DIN
—
125
—
dBμV的
GUmax
—
16.5
—
dB
10
9
8
NF ，噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1
0.2
0.3
0.5
男，频率（GHz ）
0.7
N.F.
GNF
VCE = 15 V
IC = 90毫安
30
NF ，增益噪声系数（dB ）
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0.9 10
6
VCE = 15 V
F = 300 MHz的
5
NF ，噪声系数（dB ）
4
3
2
1
0
50
100
150
IC ，集电极电流（毫安）
200
图1.典型噪声系数和
相关联的增益与频率关系
图2.噪声系数与集电极电流
MRF587
2
摩托罗拉RF设备数据
GUmax ，最大可用功率增益（dB ）
20
16
F T ，增益带宽积（千兆赫）
F = 500 MHz的
VCE = 15 V
6
VCE = 15 V
5
12
4
8
4
3
2
1
F = 1000 MHz的
0
0
50
100
150
IC ，集电极电流（毫安）
200
0
100
150
50
IC ，集电极电流（毫安）
200
图3. GUmax与集电极电流
图4.增益带宽积与
集电极电流
典型性能
7
10
7
电容（pF）
5
COB
3
2
建行
6
NF ，噪声系数（dB ）
VCC = 15 V
F = 300 MHz的
5
4
电路PER
图16
3
2
1
40
50
80
90
100
60
70
IC ，集电极电流（毫安）
110
120
1
3
5
2
VCB ，集电极基极电压（ V）
7
10
图5.宽带噪声图
图6.结电容与电压
80
VOUT ，输出电压（ dBmV的）
31
29
噘嘴，输出功率（dBm ）
噘嘴，输出功率（dBm ）
60
3阶
截距
76
27
25
50
72
VCC = 15 V
F = 200 MHz的
68
电路PER
图16
64
60
40
50
80
90
100
60
70
IC ，集电极电流（毫安）
110
23
21
19
17
15
13
11
120
40
1分贝
COMP 。 PT 。
30
F1 = 205 MHz的
F2 = 211 MHz的
VCC = 15 V
IC = 90毫安
0
10
20
30
40
50
引脚，输入功率（dBm ）
60
70
80
电路PER
图16
20
10
图7. 1.0分贝压缩点与
集电极电流
图8.三阶截点
摩托罗拉RF设备数据
MRF587
3
典型表现（续）
– 48
VCE = 15 V
PREF = 50 dBmV的
CHR
CH13
TB3 ，失真（分贝）
电路PER
图16
– 56
测试按照图17
– 60
VCC = 15 V
PREF = 50 dBmV的@ 200 MHz的
– 64
电路PER
图16
– 68
– 52
IMD ，失真（分贝）
– 60
– 64
CH2
40
50
80
90
100
60
70
IC ，集电极电流（毫安）
110
120
– 72
– 76
– 80
70
测试按照图18
80
90
100
IC ，集电极电流（毫安）
110
120
图9.二阶失真与
集电极电流
图10.三次差拍失真与
集电极电流
– 10
VCC = 15 V
PREF = 50 dBmV的
VREF时，输出电压（ dBμV为单位）
140
VCC = 15 V
130
– 20
XMD 35 ，失真（分贝）
– 30
CH13
– 40
– 50
电路PER
图16
测试按照图19
120
电路PER
图16
测试按照图20
100
90
40
110
– 60
40
50
80
90
100
60
70
IC ，集电极电流（毫安）
110
120
50
80
90
100
60
70
IC ，集电极电流（毫安）
110
120
图11. 35通道X -调制失真
与集电极电流
图12. DIN 45004B与集电极电流
MRF587
4
摩托罗拉RF设备数据
+ j50
+ j25
+ j100
+ j150
VCE = 15 V IC = 90毫安
120°
90°
F = 0.1 GHz的
S21
150°
0.2
0.8
1
0.4
0.6
0.6
0.4
1 F = 0.1 GHz的
0.1 0.2
0.3
60°
30°
S12
0.4
0.5
+ j10
1
10
0.8
25
50
100
150
250 500
+ j250
+ j500
180°
– j500
F = 0.1 GHz的
S22
– j25
– j50
– j100
– j250
– j150
–120°
–150°
25
20
15
10
5
0
S11
0°
0.6
0.4
0.2
0.6
– j10
F = 0.1 GHz的
0.4
0.2
0.8
1
– 30°
– 60°
– 90°
图13.输入/输出的反思
系数随频率（GHz ）
图14.正向/反向传输
系数随频率（GHz ）
VCE
（伏）
5.0
IC
（MA ）
30
f
（兆赫）
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
S11
|S11|
0.56
0.58
0.60
0.64
0.67
0.70
0.53
0.56
0.59
0.63
0.66
0.69
0.52
0.56
0.59
0.63
0.66
0.69
0.53
0.53
0.55
0.59
0.62
0.65
0.49
0.51
0.53
0.58
0.60
0.63
0.48
0.50
0.53
0.57
0.60
0.63
φ
– 131
– 159
– 178
170
162
155
– 141
– 164
178
169
161
155
– 145
– 166
177
168
161
155
– 122
– 153
175
173
165
158
– 132
– 158
– 178
171
164
157
– 135
– 160
– 179
171
164
157
|S21|
16.45
9.42
5.00
3.61
2.92
2.55
17.89
10.05
5.31
3.82
3.09
2.67
18.26
10.20
5.38
3.86
3.12
2.70
18.36
10.63
5.71
4.16
3.37
2.95
20.19
11.54
6.12
4.43
3.58
3.12
20.82
11.77
6.22
4.50
3.64
3.18
S21
φ
113
98
86
76
67
58
110
97
85
76
67
58
109
96
85
76
67
58
115
100
87
78
68
59
112
99
87
78
68
60
111
98
86
78
68
60
|S12|
0.04
0.06
0.08
0.11
0.14
0.17
0.04
0.05
0.09
0.12
0.15
0.18
0.04
0.05
0.09
0.12
0.15
0.19
0.04
0.05
0.08
0.10
0.13
0.15
0.03
0.05
0.08
0.11
0.14
0.16
0.03
0.05
0.08
0.11
0.14
0.17
S12
φ
45
49
55
56
55
54
50
55
60
59
57
55
52
57
62
60
58
55
48
51
57
58
57
55
51
57
61
60
59
57
53
59
63
62
59
57
|S22|
0.49
0.38
0.35
0.38
0.41
0.44
0.47
0.39
0.38
0.40
0.44
0.47
0.47
0.39
0.39
0.41
0.45
0.48
0.50
0.36
0.33
0.35
0.39
0.42
0.46
0.35
0.33
0.36
0.40
0.44
0.45
0.34
0.33
0.36
0.41
0.44
S22
φ
– 91
– 116
– 132
– 138
– 144
– 152
– 102
– 126
– 141
– 146
– 153
– 160
– 106
– 130
– 144
– 149
– 155
– 162
– 75
– 96
– 112
– 119
– 127
– 136
– 85
– 107
– 123
– 129
– 136
– 144
– 88
– 111
– 126
– 131
– 139
– 147
（续）
60
90
10
30
60
90
表1.共发射极S参数
摩托罗拉RF设备数据
MRF587
5
半导体技术资料
订购此文件
由MRF587 / D
射频线
NPN硅
高频三极管
。 。 。设计用于高增益，低噪声，超线性用途，调谐和宽带
放大器。非常适用于CATV ，美亚和仪器仪表应用。
低噪声系数 -
NF = 3.0分贝（典型值） @ F = 500 MHz时，我
C
= 90毫安
高功率增益 -
G
U（最大）
= 16.5分贝（典型值） @ F = 500 MHz的
离子注入
所有黄金金制度
高F
T
= 5.5 GHz的
低互调失真：
TB
3
= -70分贝
DIN = 125分贝
V
镍铬合金发射极镇流电阻
MRF587
NF = 3.0 dB的0.5 GHz的
高频率
晶体管
NPN硅
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
C
= 50°C
减免上述牛逼
C
= 50°C
存储温度范围
结温
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
英镑
T
J
价值
17
34
2.5
200
5.0
33
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
毫瓦/°C的
°C
°C
CASE 244A -01 ，风格1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 5.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 1.0 MADC ，我
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
C
= 0, I
E
= 0.1 MADC ）
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0)
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
17
34
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
50
VDC
VDC
VDC
μAdc
基本特征
直流电流增益（ 1 ）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
注意：
1. 300
s
脉泰克576或同等学历。
h
FE
50
—
200
—
（续）
REV 6
1
MRF587
电气特性 - 续
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
动态特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
(I
C
= 90 MADC ，V
CE
= 15 VDC ， F = 0.5千兆赫）
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
f
T
C
cb
—
—
5.5
1.7
—
2.2
GHz的
pF
功能测试
窄带 - 图15
(I
C
= 90毫安， V
CC
= 15 V ， F = 0.5千兆赫）
噪声系数
功率增益为最佳的噪声系数
宽带 - 图16
(I
C
= 90毫安， V
CC
= 15 V ， F = 0.3千兆赫）
噪声系数
功率增益为最佳的噪声系数
三次差拍失真
(I
C
= 50 mA时， V
CC
= 15 V ，P
REF
= 50 dBmV的）
(I
C
= 90毫安， V
CC
= 15 V ，P
REF
= 50 dBmV的）
DIN 45004
(I
C
= 90毫安， V
CC
= 15 V)
(I
C
= 90毫安， V
CC
= 15 V)
最大可用功率增益（ 3 ）
(I
C
= 90毫安， V
CE
= 15 VDC ， F = 0.5千兆赫）
注意事项：
2.特点的HP8542自动网络分析仪
3. G
UMAX
=
|S21|2
(1–|S11|2)(1–|S22|2)
dB
NF
G
NF
—
11
3.0
13
4.0
—
dB
NF
G
NF
TB
3
—
—
—
6.3
11
–70
—
—
—
dB
DIN
—
125
—
dBμV的
G
UMAX
—
16.5
—
dB
10
9
8
NF ，噪声系数（dB ）
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1
0.2
0.3
0.5
男，频率（GHz ）
0.7
N.F.
G
NF
V
CE
= 15 V
I
C
= 90毫安
30
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0.9 10
NF ，增益噪声系数（dB ）
27
6
5
4
3
2
1
V
CE
= 15 V
F = 300 MHz的
NF ，噪声系数（dB ）
0
50
100
150
I
C
，集电极电流（毫安）
200
图1.典型噪声系数和
相关联的增益与频率关系
图2.噪声系数与集电极电流
REV 6
2
GUmax ，最大可用功率增益（dB ）
20
16
12
8
4
0
F T ，增益带宽积（千兆赫）
F = 500 MHz的
V
CE
= 15 V
6
V
CE
= 15 V
5
4
3
2
1
F = 1000 MHz的
0
50
100
150
I
C
，集电极电流（毫安）
200
0
50
100
150
I
C
，集电极电流（毫安）
200
图3.克
UMAX
与集电极电流
图4.增益带宽积与
集电极电流
典型性能
7
6
5
4
3
2
V
CC
= 15 V
F = 300 MHz的
电容（pF）
10
7
5
C
ob
NF ，噪声系数（dB ）
3
2
电路PER
图16
C
cb
40
50
80
90
100
60
70
I
C
，集电极电流（毫安）
110
120
1
1
3
5
2
V
CB
，集电极基极电压（ V）
7
10
图5.宽带噪声图
图6.结电容与电压
80
VOUT ，输出电压（ dBmV的）
76
72
68
64
60
V
CC
= 15 V
F = 200 MHz的
电路PER
图16
31
29
噘嘴，输出功率（dBm ）
27
25
23
21
19
17
15
13
40
50
80
90
100
60
70
I
C
，集电极电流（毫安）
110
11
120
噘嘴，输出功率（dBm ）
60
50
40
30
20
10
3阶
截距
1分贝
COMP 。 PT 。
电路PER
图16
f
1
= 205兆赫
f
2
= 211兆赫
V
CC
= 15 V
I
C
= 90毫安
0
10
20
30
40
50
P
in
输入功率（dBm ）
60
70
80
图7. 1.0分贝压缩点与
集电极电流
图8.三阶截点
REV 6
3
典型表现（续）
-48
-52
IMD ，失真（分贝）
-56
-60
-64
CH2
40
50
80
90
100
60
70
I
C
，集电极电流（毫安）
110
120
V
CE
= 15 V
P
REF
= 50 dBmV的
电路PER
图16
测试按照图17
-60
-64
TB3 ，失真（分贝）
-68
-72
-76
-80
70
测试按照图18
V
CC
= 15 V
P
REF
= 50 dBmV的@ 200 MHz的
电路PER
图16
CHR
CH13
80
90
100
I
C
，集电极电流（毫安）
110
120
图9.二阶失真与
集电极电流
图10.三次差拍失真与
集电极电流
-10
-20
-30
CH13
-40
-50
-60
40
电路PER
图16
测试按照图19
V
CC
= 15 V
P
REF
= 50 dBmV的
VREF时，输出电压（分贝
V)
140
V
CC
= 15 V
130
120
110
100
90
40
电路PER
图16
测试按照图20
XMD 35 ，失真（分贝）
50
80
90
100
60
70
I
C
，集电极电流（毫安）
110
120
50
80
90
100
60
70
I
C
，集电极电流（毫安）
110
120
图11. 35通道X -调制失真
与集电极电流
图12. DIN 45004B与集电极电流
REV 6
4
+j50
+j25
+j100
+j150
+j10
1
S
11
0.8
10
0.6
0.4
0.2
V
CE
= 15 V
I
C
= 90毫安
90°
120°
S
21
F = 0.1 GHz的
60°
150°
0.2
+j250
+j500
25
50
100
150
250 500
0
180°
-j500
25
20
15
10
5
1
0.4
0.6
0.6
0.4
1 F = 0.1 GHz的
0.1 0.2
0.8
30°
S
12
0.3
0.4
0.5
0°
0.6
-j10
F = 0.1 GHz的
0.4
0.2
0.8
1
F = 0.1 GHz的
S
22
-j250
-j150
-150°
-120°
-60°
-90°
-30°
-j25
-j50
-j100
图13.输入/输出的反思
系数随频率（GHz ）
图14.正向/反向传输
系数随频率（GHz ）
V
CE
（伏）
5.0
I
C
（MA ）
30
f
（兆赫）
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
100
200
400
600
800
1000
S
11
|S
11
|
0.56
0.58
0.60
0.64
0.67
0.70
0.53
0.56
0.59
0.63
0.66
0.69
0.52
0.56
0.59
0.63
0.66
0.69
0.53
0.53
0.55
0.59
0.62
0.65
0.49
0.51
0.53
0.58
0.60
0.63
0.48
0.50
0.53
0.57
0.60
0.63
∠φ
–131
–159
–178
170
162
155
–141
–164
178
169
161
155
–145
–166
177
168
161
155
–122
–153
175
173
165
158
–132
–158
–178
171
164
157
–135
–160
–179
171
164
157
|S
21
|
16.45
9.42
5.00
3.61
2.92
2.55
17.89
10.05
5.31
3.82
3.09
2.67
18.26
10.20
5.38
3.86
3.12
2.70
18.36
10.63
5.71
4.16
3.37
2.95
20.19
11.54
6.12
4.43
3.58
3.12
20.82
11.77
6.22
4.50
3.64
3.18
S
21
∠φ
113
98
86
76
67
58
110
97
85
76
67
58
109
96
85
76
67
58
115
100
87
78
68
59
112
99
87
78
68
60
111
98
86
78
68
60
|S
12
|
0.04
0.06
0.08
0.11
0.14
0.17
0.04
0.05
0.09
0.12
0.15
0.18
0.04
0.05
0.09
0.12
0.15
0.19
0.04
0.05
0.08
0.10
0.13
0.15
0.03
0.05
0.08
0.11
0.14
0.16
0.03
0.05
0.08
0.11
0.14
0.17
S
12
∠φ
45
49
55
56
55
54
50
55
60
59
57
55
52
57
62
60
58
55
48
51
57
58
57
55
51
57
61
60
59
57
53
59
63
62
59
57
|S
22
|
0.49
0.38
0.35
0.38
0.41
0.44
0.47
0.39
0.38
0.40
0.44
0.47
0.47
0.39
0.39
0.41
0.45
0.48
0.50
0.36
0.33
0.35
0.39
0.42
0.46
0.35
0.33
0.36
0.40
0.44
0.45
0.34
0.33
0.36
0.41
0.44
S
22
∠φ
–91
–116
–132
–138
–144
–152
–102
–126
–141
–146
–153
–160
–106
–130
–144
–149
–155
–162
–75
–96
–112
–119
–127
–136
–85
–107
–123
–129
–136
–144
–88
–111
–126
–131
–139
–147
（续）
60
90
10
30
60
90
表1.共发射极S参数
REV 6
5
MRF587
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI MRF587
是专为
高线性功率放大器
应用高达500兆赫。
包装风格.280 4L螺柱
A
45°
1
B
2
4
3
产品特点：
P
G
= 16 dB，典型值在220 W / 500 MHz的
低噪声系数
扩散镇流电阻
Omnigold
金属化系统
暗淡
D
E
F
G
C
J
I
H
K
最低
英寸/毫米
＃ 8-32 UNC
最大
英寸/毫米
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
200毫安
34 V
17 V
2.5 V
5.0 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
1.010 / 25.65
.220 / 5.59
.270 / 6.86
.003 / 0.08
.117 / 2.97
.572 / 14.53
.130 / 3.30
.245 / 6.22
.640 / 16.26
.175 / 4.45
.275 / 6.99
1.055 / 26.80
.230 /5.84
.285 / 7.24
.007 / 0.18
.137 / 3.48
.255 / 6.48
.217 / 5.51
.285 / 7.24
导致1 =收藏家
2 & 3 =发射器
4 =基本
特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
cb
G
P
η
C
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 1.0毫安
I
C
= 5.0毫安
I
E
= 100 A
V
CB
= 10 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 10 V
I
C
= 50毫安
F = 1.0 MHz的
最小典型最大
34
17
2.5
50
50
1.7
11
200
2.2
单位
V
V
V
A
---
pF
dB
%
V
CC
= 15 V
I
C
= 90毫安
F = 0.3 GHz的
65
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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