摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MRF5003 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式
的MRF5003是专为宽带商业和工业
应用频率为520兆赫。高增益和宽带
该器件的性能使其非常适用于大信号，常见的来源
在7.5伏和12.5伏移动，便携和基极放大器的应用
电台调频设备。
在512 MHz时， 7.5伏特保证性能
输出功率为3.0瓦
功率增益 - 9.5分贝
效率= 45％
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
S参数表征在高偏置电平
优良的热稳定性
所有黄金金超可靠性
能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.5伏， 512兆赫， 2.0分贝高速
适用于12.5伏的应用
真正的表面贴装封装
可在磁带和卷轴加入R1后缀型号。
R1后缀=每16毫米， 7英寸卷轴500单位。
电路板摄影大师可应要求提供联系
RF战术营销在亚利桑那州凤凰城。
MRF5003
3.0 W， 7.5 V， 512 MHz的
N沟道
宽带
射频功率场效应管
CASE 430-01 ，花柱2
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0兆欧）
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
VDSS
VDGR
VGS
ID
PD
TSTG
TJ
价值
36
36
±
20
1.7
12.5
0.07
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
14
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 6
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉公司1994年
MRF5003
1
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
（VGS = 0， n = 2.5 MADC ）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ）
门源漏电流
（ VGS = 20伏直流电， VDS = 0 ）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
36
—
—
—
—
—
—
1.0
1.0
VDC
MADC
μAdc
基本特征
栅极阈值电压
（ VDS = 10 VDC ， ID = 5.0 MADC ）
漏源电压
（ VGS = 10 VDC ， ID = 0.5 ADC ）
正向跨导
（ VDS = 10 VDC ， ID = 0.5 ADC ）
VGS （ TH）
VDS （上）
政府飞行服务队
1.25
—
0.6
2.25
—
—
3.5
0.375
—
VDC
VDC
姆欧
动态特性
输入电容
（ VDS = 12.5伏， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
输出电容
（ VDS = 12.5伏， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
反向传输电容
（ VDS = 12.5伏， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
3.5
16.5
37
4.4
—
—
5.4
pF
pF
pF
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具）
共源放大器功率增益
（ VDD = 7.5伏，噘= 3.0 W， IDQ = 50 mA）的
漏EF网络效率
（ VDD = 7.5伏，噘= 3.0 W， IDQ = 50 mA）的
全球定位系统
F = 512 MHz的
F = 175 MHz的
h
F = 512 MHz的
F = 175 MHz的
45
—
50
55
—
—
9.5
—
10.5
15
—
—
%
dB
MRF5003
2
摩托罗拉RF设备数据
VGG
C10
R3
C12
C11
R4
R2
C13
B1
VDD
C14
L2
C15
RF
产量
Z12
C9
RF
输入
Z1
C1
Z2
C2
Z3
C3
C4
Z4
C5
Z5
R1
L1
Z6
Z7
D.U.T.
Z8
Z9
C6
Z10
C7
Z11
C8
C1, C3, C7, C8
0至20 pF的约翰森
C2, C9
56 pF的， 100万片
C4
10 pF的， 100万片
C5
47 pF的，微型钳位云母电容器
C6
22 pF的， 100万片
C10, C15
10
F,
50 V ，电解
C11, C14
0.1
F,
电容
C12
1000pF的， 100万片
C13
160 pF的， 100万片
R1
35
,
1/4 W碳
R2
30
,
0.1 W码
R3
1.0千欧， 0.1 W码片
R4
1.0 MΩ ， 1/4 W碳
B1
公平的爱色丽产品短铁氧体磁珠（ 2743021446 ）
板 - 铁氟龙玻璃
， 31密耳
注：电镀陶瓷部件定位器（ 0.1 “× 0.15” ）焊接到Z6和Z7 。
Z1
0.350 “× 0.08 ”微带
Z2
0.190 “× 0.08 ”微带
Z3
0.800 “× 0.08 ”微带
Z4
0.380 “× 0.08 ”微带
Z5
0.150 “× 0.08 ”微带
Z6
0.285 “× 0.08 ”微带
Z7
0.340 “× 0.08 ”微带
Z8
0.070 “× 0.08 ”微带
Z9
0.280 “× 0.08 ”微带
Z10 0.840 “× 0.08 ”微带
Z11 0.180 “× 0.08 ”微带
Z12 0.600 “× 0.08 ”微带
L1
7转弯， 0.076 “ ID ， ＃ 24 AWG搪瓷
L2
5圈， 0.126 “ ID ， ＃ 20 AWG搪瓷
输入/输出连接器 - N型
图1. 512 MHz的窄带测试电路
典型特征
5
F = 400 MHz的
P了，输出功率（瓦）
4
470兆赫
520兆赫
3
P了，输出功率（瓦）
8
470兆赫
520兆赫
10
F = 400 MHz的
6
2
VDD = 7.5 V
IDQ = 50毫安
4
VDD = 12.5 V
IDQ = 50毫安
1
2
0
0
100
200
300
400
500
引脚，输入功率（毫瓦）
0
0
100
200
300
400
500
引脚，输入功率（毫瓦）
图2.输出功率与输入功率
图3.输出功率与输入功率
摩托罗拉RF设备数据
MRF5003
3
VGS ，栅源电压（归）
1.06
1.04
ID ，漏极电流（ AMPS ）
1.02
1.00
0.98
0.96
0.94
0.92
0.90
0.88
0.86
–25
VDD = 12.5 V
25毫安
IDQ = 150毫安
75毫安
2
1.5
TC = 25°C
1
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
TC ，外壳温度（ ° C）
1
10
36 V
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
100
图10.栅源电压与
外壳温度
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
VDD = 7.5 V， IDQ = 50 mA时，噘= 3.0 W
f
兆赫
520兆赫
460兆赫
ZOL *
F = 400 MHz的
400
430
460
490
520
寻
欧
2.8 – j9.2
2.7 – j8.5
2.5 – j7.8
2.0 – j7.2
1.3 – j6.5
ZOL *
欧
3.6 – j1.7
3.3 – j1.5
2.7 – j1.1
2.5 – j0.8
2.4 – j0.5
520兆赫
寻
ZIN =共轭的并行35源阻抗
寻=
电阻和47 pF的电容串联门。
460兆赫
ZO = 10
ZOL * =共轭的负载阻抗在给定的输出
ZOL * =
功率，电压，频率，和
η
>的50％。
F = 400 MHz的
注：基于收益之间进行权衡ZOL *被选中，漏极效率和设备的稳定性。
图12.系列等效输入和输出阻抗
摩托罗拉RF设备数据
MRF5003
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MRF5003 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式
的MRF5003是专为宽带商业和工业
应用频率为520兆赫。高增益和宽带
该器件的性能使其非常适用于大信号，常见的来源
在7.5伏和12.5伏移动，便携和基极放大器的应用
电台调频设备。
在512 MHz时， 7.5伏特保证性能
输出功率为3.0瓦
功率增益 - 9.5分贝
效率= 45％
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
S参数表征在高偏置电平
优良的热稳定性
所有黄金金超可靠性
能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.5伏， 512兆赫， 2.0分贝高速
适用于12.5伏的应用
真正的表面贴装封装
可在磁带和卷轴加入R1后缀型号。
R1后缀=每16毫米， 7英寸卷轴500单位。
电路板摄影大师可应要求提供联系
RF战术营销在亚利桑那州凤凰城。
MRF5003
3.0 W， 7.5 V， 512 MHz的
N沟道
宽带
射频功率场效应管
CASE 430-01 ，花柱2
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0兆欧）
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
VDSS
VDGR
VGS
ID
PD
TSTG
TJ
价值
36
36
±
20
1.7
12.5
0.07
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
14
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 6
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉公司1994年
MRF5003
1
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
（VGS = 0， n = 2.5 MADC ）
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 15 VDC ， VGS = 0 ）
门源漏电流
（ VGS = 20伏直流电， VDS = 0 ）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
36
—
—
—
—
—
—
1.0
1.0
VDC
MADC
μAdc
基本特征
栅极阈值电压
（ VDS = 10 VDC ， ID = 5.0 MADC ）
漏源电压
（ VGS = 10 VDC ， ID = 0.5 ADC ）
正向跨导
（ VDS = 10 VDC ， ID = 0.5 ADC ）
VGS （ TH）
VDS （上）
政府飞行服务队
1.25
—
0.6
2.25
—
—
3.5
0.375
—
VDC
VDC
姆欧
动态特性
输入电容
（ VDS = 12.5伏， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
输出电容
（ VDS = 12.5伏， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
反向传输电容
（ VDS = 12.5伏， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
3.5
16.5
37
4.4
—
—
5.4
pF
pF
pF
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具）
共源放大器功率增益
（ VDD = 7.5伏，噘= 3.0 W， IDQ = 50 mA）的
漏EF网络效率
（ VDD = 7.5伏，噘= 3.0 W， IDQ = 50 mA）的
全球定位系统
F = 512 MHz的
F = 175 MHz的
h
F = 512 MHz的
F = 175 MHz的
45
—
50
55
—
—
9.5
—
10.5
15
—
—
%
dB
MRF5003
2
摩托罗拉RF设备数据
VGG
C10
R3
C12
C11
R4
R2
C13
B1
VDD
C14
L2
C15
RF
产量
Z12
C9
RF
输入
Z1
C1
Z2
C2
Z3
C3
C4
Z4
C5
Z5
R1
L1
Z6
Z7
D.U.T.
Z8
Z9
C6
Z10
C7
Z11
C8
C1, C3, C7, C8
0至20 pF的约翰森
C2, C9
56 pF的， 100万片
C4
10 pF的， 100万片
C5
47 pF的，微型钳位云母电容器
C6
22 pF的， 100万片
C10, C15
10
F,
50 V ，电解
C11, C14
0.1
F,
电容
C12
1000pF的， 100万片
C13
160 pF的， 100万片
R1
35
,
1/4 W碳
R2
30
,
0.1 W码
R3
1.0千欧， 0.1 W码片
R4
1.0 MΩ ， 1/4 W碳
B1
公平的爱色丽产品短铁氧体磁珠（ 2743021446 ）
板 - 铁氟龙玻璃
， 31密耳
注：电镀陶瓷部件定位器（ 0.1 “× 0.15” ）焊接到Z6和Z7 。
Z1
0.350 “× 0.08 ”微带
Z2
0.190 “× 0.08 ”微带
Z3
0.800 “× 0.08 ”微带
Z4
0.380 “× 0.08 ”微带
Z5
0.150 “× 0.08 ”微带
Z6
0.285 “× 0.08 ”微带
Z7
0.340 “× 0.08 ”微带
Z8
0.070 “× 0.08 ”微带
Z9
0.280 “× 0.08 ”微带
Z10 0.840 “× 0.08 ”微带
Z11 0.180 “× 0.08 ”微带
Z12 0.600 “× 0.08 ”微带
L1
7转弯， 0.076 “ ID ， ＃ 24 AWG搪瓷
L2
5圈， 0.126 “ ID ， ＃ 20 AWG搪瓷
输入/输出连接器 - N型
图1. 512 MHz的窄带测试电路
典型特征
5
F = 400 MHz的
P了，输出功率（瓦）
4
470兆赫
520兆赫
3
P了，输出功率（瓦）
8
470兆赫
520兆赫
10
F = 400 MHz的
6
2
VDD = 7.5 V
IDQ = 50毫安
4
VDD = 12.5 V
IDQ = 50毫安
1
2
0
0
100
200
300
400
500
引脚，输入功率（毫瓦）
0
0
100
200
300
400
500
引脚，输入功率（毫瓦）
图2.输出功率与输入功率
图3.输出功率与输入功率
摩托罗拉RF设备数据
MRF5003
3
VGS ，栅源电压（归）
1.06
1.04
ID ，漏极电流（ AMPS ）
1.02
1.00
0.98
0.96
0.94
0.92
0.90
0.88
0.86
–25
VDD = 12.5 V
25毫安
IDQ = 150毫安
75毫安
2
1.5
TC = 25°C
1
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
TC ，外壳温度（ ° C）
1
10
36 V
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
100
图10.栅源电压与
外壳温度
图11.最大额定正向偏置
安全工作区
VDD = 7.5 V， IDQ = 50 mA时，噘= 3.0 W
f
兆赫
520兆赫
460兆赫
ZOL *
F = 400 MHz的
400
430
460
490
520
寻
欧
2.8 – j9.2
2.7 – j8.5
2.5 – j7.8
2.0 – j7.2
1.3 – j6.5
ZOL *
欧
3.6 – j1.7
3.3 – j1.5
2.7 – j1.1
2.5 – j0.8
2.4 – j0.5
520兆赫
寻
ZIN =共轭的并行35源阻抗
寻=
电阻和47 pF的电容串联门。
460兆赫
ZO = 10
ZOL * =共轭的负载阻抗在给定的输出
ZOL * =
功率，电压，频率，和
η
>的50％。
F = 400 MHz的
注：基于收益之间进行权衡ZOL *被选中，漏极效率和设备的稳定性。
图12.系列等效输入和输出阻抗
摩托罗拉RF设备数据
MRF5003
5
MRF5003
甚高频功率MOSFET
描述：
该
ASI MRF5003
是常见的来源
设备，设计用于宽带
放大器应用的频率
520兆赫。
包装样式
产品特点：
P
G
= 9.5 dB的：3.0 W 512兆赫
表面贴装封装
最大额定值
I
D
V
DSS
V
GS
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
8.0 A
36 V
±20
V
60瓦@ T
C
= 25 C
-65℃至+ 150℃
-65℃至+ 150℃
2.08 C / W
O
O
O
O
特征
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
gM
R
儿子
I
DSAT
V
DS
= 7.5 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 200 A
V
DS
= 10 V
I
DS
= 8.0 A
V
DS
= 10 V
I
D
= 200 A
T
C
= 25 °C
测试条件
V
GS
= 0 V
V
GS
= 30 V
V
GS
= V
DS
V
GS
= 5.0 V
V
GS
= 20 V
V
GS
= 20 V
最低
36
典型
最大
2.0
1.0
单位
V
mA
A
V
姆欧
A
1.0
1.7
0.40
13
7.0
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1202
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/2
错误！未找到引用源。
MRF5003
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
G
ps
η
VSWR
V
DS
= 7.5 V
V
DS
= 7.5 V
V
GS
= 0 V
I
DQ
= 400毫安
F = 1.0 MHz的
F = 500 MHz的
10
50
40
2.0
50
5:1
pF
dB
%
---
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1202
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
2/2
QQ：2880707522 复制
