【MRF4427NPN硅晶体管RF描述：该ASI MRF4427是专为通用放大器和振荡器在VHF和UH】,IC型号MRF4427,MRF4427 PDF资料,MRF4427经销商,ic,电子元器件-51电子网

MRF4427

NPN硅晶体管RF

描述：

该

ASI MRF4427

是专为

通用放大器和

振荡器在VHF和UHF

应用程序。

包装样式

最大额定值

I

C

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

P

DISS

T

J

T

英镑

θ

JC

400毫安

20 V

40 V

4.0 V

1.5瓦@ T

C

= 25 °C

-65 ° C至+150°C

125 C / W

特征

符号

BV

首席执行官

BV

CER

BV

EBO

I

首席执行官

h

FE

V

CE （ SAT ）

C

OB

f

t

G

pe

η

S

21

2

T

C

= 25 °C

NONETEST

条件

I

C

= 5.0毫安

I

C

= 5.0毫安

I

E

= 100

A

V

CB

= 12 V

V

CE

= 5.0 V

V

CE

= 5.0 V

I

C

= 50毫安

V

CB

= 12 V

V

CE

= 12 V

V

CC

= 12 V

P

OUT

= 1.0 W

I

C

= 50毫安

P

IN

= 15毫瓦

I

C

= 50毫安

I

C

= 100毫安

I

C

= 360毫安

I

B

= 20毫安

F = 1.0 MHz的

F = 200 MHz的

F = 175 MHz的

R

BE

= 10

最小典型最大

20

40

2.0

20

10

5.0

60

3.0

1600

18

60

14

16.4

50

200

单位

V

A

---

mV

pF

兆赫

dB

%

dB

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

1/1

MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

* G表示符合RoHS标准的无铅端子表面涂层

RF &微波离散

小功率三极管

特点

低噪声 - 2.5 dB的500 MHZ

增益最佳的噪声系数= 15.5分贝@ 500 MHz的

Ftau - 5.0 GHz的@ 10V ， 75毫安

高性价比MacroX套餐

万家乐X

描述：

专为高电流，低功耗，低噪声，放大器高达1.0 GHz的。

绝对最大额定值

（ TCASE = 25

°

C)

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

MRF581

18

30

2.5

200

MRF581A

15

单位

VDC

mA

热数据

P

D

器件总功耗@ TC = 50℃

减免上述50℃

器件总功耗@ TC = 25°C

减免上述25℃

存储结温范围

-65到+150

最高结温

150

C

2.5

25

1.25

10

瓦

毫瓦/°C的

瓦

毫瓦/°C的

TSTG

T

JMAX

修订A- 2008年12月

Microsemi的保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

请访问我们的网站www.microsemi.com或联系我们的厂家直销。

MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

电气特性（温度上限= 25

°

C)

STATIC

（关闭）

符号

BVCEO

BVCBO

BVEBO

ICBO

IEBO

测试条件

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = 5.0 MADC ， IB = 0 ）

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = 1.0 MADC ， IE = 0 ）

发射极 - 基极击穿电压

（IE = 0.1 MADC ， IC = 0）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 15 VDC ， VBE = 0伏）

发射Cuto FF电流

（VBE = 2.5伏）

MRF581

MRF581A

价值

分钟。

18

15

30

2.5

-

典型值。

-

马克斯。

-

0.1

单位

VDC

mA

（上）

的hFE

直流电流增益

（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0 V直流）

MRF581

MRF581A

50

90

-

200

250

-

动态

符号

COB

Ftau

测试条件

输出电容

（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

电流增益带宽积

（ IC = 75 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千兆赫）

价值

分钟。

-

典型值。

2.0

5.0

马克斯。

3.0

-

单位

pF

GHz的

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MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

实用

符号

NF

测试条件

噪声系数（ 50欧姆）

（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 0.5千兆赫）

功率增益@ NFmin

（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 0.5千兆赫）

最大单向增益（ 1 ）

IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 500 MHz的

最大稳定增益

IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 500 MHz的

插入增益

IC = 50 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 500 MHz的

价值

分钟。

-

13

-

14

典型值。

3.0

15.5

17.8

20

15

-

马克斯。

3.5

单位

dB

G

NF

ü最大

味精

|S

21

|

2

表1.共发射极S参数， @ VCE = 10 V ， IC = 50毫安

f

S11

S21

S12

S22

（兆赫）

100

200

300

400

500

600

700

800

900

1000

|S11|

.610

.659

.671

.675

.677

.678

.677

.679

.678

.682

∠φ

-137

-161

-171

-178

176

172

168

184

160

156

|S21|

23.8

13.2

9.0

6.8

5.5

4.6

4.0

3.5

3.1

2.8

∠φ

116

98

89

83

77

72

68

64

60

56

|S12|

.026

.033

.040

.047

.055

.064

.073

.082

.092

.102

∠φ

46

47

51

55

58

61

62

63

64

65

|S22|

.522

.351

.304

.292

.293

.299

.306

.314

.322

.311

∠φ

-78

-106

-120

-128

-132

-134

-135

-136

-138

-139

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MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

C1 ， C4 ， C5 ， C6 ， C8 ， C9 - 1000 PF，贴片电容

C7, C10 — 10

F,

钽电容

RFC - VK- 200 ， Ferroxcube公司

TL1 ， TL7 ， TL8 - 微带0.162 ， X 0.600 ，

TL3 - 微带0.162 ， X 0.800 ，

TL5 - 微带0.120 ， X 0.440 ，

TL9 ， TL10 - 微带0.025 ， X 4.250 ，

板材料 - 0.0625 ，厚厚的玻璃铁氟龙

ε

r = 2.55

C2 ， C3 - 1.0-10 PF，约翰森电容器

R1 - 1.0 kΩ的水库。

FB - 铁氧体磁珠， Ferroxcube公司， 56-590-65 / 3B

TL2 - 微带0.162 ， X 1.000 ，

TL4 - 微带0.162 ， X 0.440 ，

TL6 - 微带0.120 ， X 1.160 ，

图1.最小噪声系数和增益@最小噪声系数。

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MRF581

MRF581G

MRF581A

MRF581AG

射频低功率PA， LNA ，和通用离散选择指南

GPE频率（MHz ）

效率（％）

顾MAX（分贝）

IC最大（MA ）

建行（PF ）

BVCEO

IC最大（MA ）

3.5

20 400

30 400

1

3

1

2.6

噘嘴（瓦特）

NF（ dB）的

NF IC （MA ）

NF VCE

GN （ dB）的

频率（MHz ）

设备

SO-8

TO-39

POWER指令

TO-39

TO-72

MRF4427 ， R2

2N4427

MRF553

MRF553T

MRF607

2N6255

2N5179

NPN

175 0.15

175

1

175 1.5

175 1.75

175

3

200

512

400

470

0.5

1

1.5

18

10

11.5

7.8

20

10

13

10

11

6.5

9.5

8

60

50

60

50

12

12.5

6

20 400

16 500

16 330

18 1000

12 50

TO-39

SO-8

TO-72

TO-39

TO-72

万家乐牛逼

SO-8

万家乐X

万家乐

TO-72

万家乐X

TO-39

2N5109

MRF5943C

2N5179

2N2857

MRF517

MRF904

2N6304

BFR91

BFR96

MRF581A

BFR90

BFY90

MRF914

MRF581

MRF586

NPN 200

NPN 300

NPN 450

NPN 500

3

10 15

12

15

17

13

1200

1300

900

1600

3.4 30 15

4.5 1.5

5.5 50

6

11.4 1000

MRF5943中，R 1 ，R 2的NPN 200

Ftau （兆赫）

4000

1400

5000

1300

4500

GPE （ dB）的

GPE VCC

包

BVCEO

设备

TYPE

PACKAG

TYPE

12 50

15 40

25 150

15 30

15 50

12 35

15 100

15 200

7.5 50 15

1.5

5

1.9

2

2.4

2.5

3

5

2

6

5

11

5.5 4600

11

14

16.5 5000

14.5 500

万家乐X

MRF559

万家乐X

MRF559

TO-39

2N3866A

SO-8

MRF3866中，R1， R2的

POWER指令

MRF555

POWER指令

MRF555T

65 7.5 16 150

60 12.5 16 150

45 28 30 400

50 12.5 16 400

70

65

55

7.5

12.5

16

150

200

400

10 10

50 10

2

5

10

5

10

15

11

14

15

MRF5812中，R 1 ，R 2的NPN 500

50 10 15.5 17.8 5000

15

18

20

15

1

15 30

15 50

12 40

16 200

2.5 50 10

90 15

17.8 5000

14.5 4500

2.2

17 200

万家乐X

MRF559

NPN 870 0.5

万家乐X

MRF559

NPN 870 0.5

SO-8

MRF8372中，R 1 ，R 2的NPN 870 0.75

POWER指令

MRF557

NPN 870 1.5

POWER指令

MRF557T

NPN 870 1.5

万家乐X

万家乐牛逼

MRF951

MRF571

BFR91

BFR90

NPN 1000 1.3

NPN 1000 2.5

NPN 1000

3

5

2

6

5

10

14

10

8

10

17

11

8000 0.45 10 100

8000

5000

1

10 70

12 35

15 30

NPN 1000 1.5 10

12.5 5000

TO-39

MRF545

MRF544

PNP

NPN

14

1400

2

70 400

13.5 1500

RF （低功率PA /通用）选择指南

RF （ LNA /通用）选择指南

低成本RF塑料包装选项

1

4

3

2

4

2

8

1

5

4

万家乐牛逼

万家乐X

动力

SO-8

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MRF4427中，R1， R2的

RF &微波离散

小功率三极管

特点

低成本SO- 8塑料表面贴装封装。

S参数表征

可用的磁带和卷轴包装选项

MRF3866的低电压版本

最高可用增益 - 20分贝（典型值） @ 200MHz的

R1后缀磁带和卷轴， 500个单位

R2的后缀磁带和卷轴， 2500单位

SO-8

描述：

设计为通用的RF放大器应用，

例如;预驱动器，振荡器等。

绝对最大额定值

（ TCASE = 25

°

C)

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

价值

20

40

2.0

400

单位

VDC

mA

热数据

P

T

英镑

R

D

器件总功耗@ TC = 25°

减免上述25°

储存温度

1.5

12.5

-65到+ 150

瓦

毫瓦/ ？C

C

° C / W

θJA

热阻，结到环境

125

MRF4427.PDF 03年4月24日

先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

请访问我们的网站：

www.advancedpower.com

或者联系我们的厂家直销。

MRF4427中，R1， R2的

电气特性（温度上限= 25

°

C)

STATIC

（关闭）

符号

BVCEO

BVCBO

BVEBO

ICEO

测试条件

分钟。

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = 5.0 MADC ， IB = 0 ）

集电极 - 基极击穿电压

（IC = 0.1 MADC ，IE = 0）

发射极 - 基极击穿电压

（IE = 0.1 MADC ， IC = 0）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 20伏直流电， VBE = 0伏）

20

40

2.0

-

价值

典型值。

-

马克斯。

-

.02

单位

VDC

mA

（上）

的hFE

直流电流增益

（ IC = 100 MADC ， VCE = 5 VDC ）

（ IC = 360 MADC ， VCE = 5 VDC ）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 100 MADC ， IB = 20 mA）的

10

5.0

-

60

200

-

MVDC

VCE （ SAT ）

动态

符号

Ftau

COB

测试条件

分钟。

电流增益带宽积

（ IC = 50 MADC ， VCE = 12 VDC， F = 200兆赫）

输出电容

（ VCB = 12 VDC， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

-

价值

典型值。

1.3

-

马克斯。

-

3.4

单位

GHz的

MRF4427.PDF 03年4月24日

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MRF4427中，R1， R2的

实用

符号

测试条件

分钟。

最大单向增益

IC = 50 MADC ， VCE = 12 VDC， F = 200 MHz的

最大可用增益

IC = 50 MADC ， VCE = 12 VDC， F = 200 MHz的

插入增益（计算值）

IC = 50 MADC ， VCE = 12 VDC， F = 200 MHz的

价值

典型值。

18

20

14

马克斯。

-

单位

dB

G

ü最大

16

18

12

MAG

|S

21

|

2

表1.共发射极S参数， @ VCE = 12 V ， IC = 50毫安

f

S11

（兆赫）

50

100

200

500

750

1000

|S11|

.672

.721

.743

.768

.775

.778

∠φ

-145

-163

-174

170

161

152

S21

|S21|

20.15

10.78

5.37

2.18

1.53

1.07

∠φ

112

96

85

63

48

36

S12

|S12|

.021

.026

.037

.070

.096

.122

∠φ

45

44

54

59

62

65

S22

|S22|

.447

.271

.199

.264

.356

.437

∠φ

-59

-67

-72

-86

-98

-109

MRF4427.PDF 03年4月24日

先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

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MRF4427中，R1， R2的

射频低功率PA， LNA ，和通用离散选择指南

频率（MHz ）

效率（％）

IC最大（MA ）

顾MAX（分贝）

建行（PF ）

BVCEO

IC最大（MA ）

3.5

20

30

1

3

1

2.6

12

15

25

15

12

15

1

15

12

16

2.2

0.45

1

17

10

12

15

400

50

40

150

30

50

35

100

200

30

50

40

200

100

70

35

30

噘嘴（瓦特）

SO-8

TO-39

POWER指令

TO-39

TO-72

MA C R ○×

TO-39

SO-8

P O w制备ER MA C R

MA C R ○×

SO-8

P O w制备ER MA C R

MRF4427 ， R2

2N4427

MRF553

MRF553T

MRF607

2N6255

2N5179

MRF559

2N3866A

MRF555

MRF555T

MRF559

MRF8372,R1,R2

MRF557

MRF557T

NPN 175

NPN 200

NPN 5 1 2

NPN 4 0 0

NPN 4 7 0

NPN型8 7 0

0.15

1

1.5

1.75

3

18

10

11.5

7.8

20

60

50

60

50

12

12.5

6

20

16

18

12

16

30

16

400

500

330

1000

50

150

400

150

200

400

TO-39

SO-8

TO-72

TO-39

TO-72

万家乐牛逼

2N5109

MRF5943C

MRF5943中，R1， R2的

2N5179

2N2857

MRF517

MRF904

2N6304

BFR91

BFR96

MRF5812中，R1， R2的

MRF581A

BFR90

BFY90

MRF914

MRF581

MRF586

MRF951

MRF571

BFR91

BFR90

NPN

200

300

450

500

1000

NF（ dB）的

NF IC （MA ）

NF VCE

GNF （分贝）

包

频率（MHz ）

设备

3

3.4

4.5

5.5

7.5

1.5

5

1.9

2

2.4

2.5

3

1.3

1.5

2.5

3

10

30

1.5

50

5

2

10

50

2

5

50

90

5

10

2

15

6

15

6

5

10

5

10

15

6

5

10

15

11

14

10

8

10

15.5

14

15

11

12

11.4

15

17

13

5.5

11

14

16.5

14.5

17.8

15

18

20

15

17.8

14.5

17

1200

1000

1300

900

1600

4600

4000

1400

5000

500

5000

1300

4500

5000

4500

8000

0.5

1

1.5

0.5

0.75

1.5

10

13

10

11

6.5

9.5

8

65

60

45

50

70

65

55

7.5

12.5

28

12.5

7.5

12.5

万家乐牛逼

SO-8

万家乐X

万家乐

TO-72

万家乐X

TO-39

万家乐X

万家乐牛逼

M R F 3 8 6 6 ， R 1，R 2的NPN 4 0 0

11

12.5

5000

TO-39

MRF545

MRF544

PNP

NPN

14

13.5

1400

1500

Ftau （兆赫）

GPE （ dB）的

GPE VCC

包

设备

BVCEO

TYPE

2

70

400

RF （低功率PA /通用）选择指南

RF （ LNA /通用）选择指南

1

8

2

4

3

2

4

1

4

MRF4427.PDF 03年4月24日

先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息

请访问我们的网站：

www.advancedpower.com

或者联系我们的厂家直销。

MRF4427中，R1， R2的

.

PIN 1.辐射源

2.收集

3.收集

4.发射器

5.发射

6.基地

7.基地

8.辐射源

8.

5.

1.

4.

MRF4427.PDF 03年4月24日

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140 COMMERCE DRIVE

蒙哥马利， PA

18936-1013

电话：（ 215 ） 631-9840

传真：（ 215 ） 631-9855

MRF4427中，R1， R2的

RF &微波离散

小功率三极管

特点

低成本SO- 8塑料表面贴装封装。

S参数表征

可用的磁带和卷轴包装选项

MRF3866的低电压版本

最高可用增益 - 20分贝（典型值） @ 200MHz的

SO-8

R1后缀磁带和卷轴， 500个单位

R2的后缀磁带和卷轴， 2500单位

描述：

设计用于一般用途的RF放大器应用，如;预驱动器，振荡器等。

绝对最大额定值

（ TCASE = 25

°

C)

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

价值

20

40

2.0

400

单位

VDC

mA

热数据

P

T

英镑

R

D

器件总功耗@ TC = 25°C

减免上述25℃

储存温度

1.5

12.5

-65到+ 150

瓦

毫瓦/°C的

C

摄氏度/ W

θJA

热阻，结到环境

125

MSC1313.PDF 99年10月25日

MRF4427中，R1， R2的

电气特性（温度上限= 25

°

C)

STATIC

（关闭）

符号

BVCEO

BVCBO

BVEBO

ICEO

测试条件

分钟。

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = 5.0 MADC ， IB = 0 ）

集电极 - 基极击穿电压

（IC = 0.1 MADC ，IE = 0）

发射极 - 基极击穿电压

（IE = 0.1 MADC ， IC = 0）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 20伏直流电， VBE = 0伏）

20

40

2.0

-

价值

典型值。

-

马克斯。

-

.02

单位

VDC

mA

（上）

的hFE

直流电流增益

（ IC = 100 MADC ， VCE = 5 VDC ）

（ IC = 360 MADC ， VCE = 5 VDC ）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 100 MADC ， IB = 20 mA）的

10

5.0

-

60

200

-

MVDC

VCE （ SAT ）

动态

符号

Ftau

COB

测试条件

分钟。

电流增益带宽积

（ IC = 50 MADC ， VCE = 12 VDC， F = 200兆赫）

输出电容

（ VCB = 12 VDC， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

-

价值

典型值。

1.3

-

马克斯。

-

3.4

单位

GHz的

MSC1313.PDF 99年10月25日

MRF4427中，R1， R2的

实用

符号

测试条件

分钟。

最大单向增益

IC = 50 MADC ， VCE = 12 VDC， F = 200 MHz的

最大可用增益

IC = 50 MADC ， VCE = 12 VDC， F = 200 MHz的

插入增益（计算值）

IC = 50 MADC ， VCE = 12 VDC， F = 200 MHz的

价值

典型值。

18

20

14

马克斯。

-

单位

dB

G

ü最大

16

18

12

MAG

|S

21

|

2

表1.共发射极S参数， @ VCE = 12 V ， IC = 50毫安

f

S11

（兆赫）

50

100

200

500

750

1000

|S11|

.672

.721

.743

.768

.775

.778

∠φ

-145

-163

-174

170

161

152

S21

|S21|

20.15

10.78

5.37

2.18

1.53

1.07

∠φ

112

96

85

63

48

36

S12

|S12|

.021

.026

.037

.070

.096

.122

∠φ

45

44

54

59

62

65

S22

|S22|

.447

.271

.199

.264

.356

.437

∠φ

-59

-67

-72

-86

-98

-109

MSC1313.PDF 99年10月25日

MRF4427中，R1， R2的

射频低功率PA， LNA ，和通用离散选择指南

频率（MHz ）

效率（％）

IC最大（MA ）

顾MAX（分贝）

建行（PF ）

BVCEO

IC最大（MA ）

3.5

20

30

1

3

1

2.6

12

15

25

15

12

15

1

15

12

16

2.2

17

400

50

40

150

30

50

35

100

200

30

50

40

200

噘嘴（瓦特）

频率（MHz ）

SO-8

TO-39

POWER指令

TO-39

TO-72

MA C R ○×

TO-39

SO-8

P O w制备ER MA C R

MA C R ○×

SO-8

P O w制备ER MA C R

MRF4427 ， R2

2N4427

MRF553

MRF553T

MRF607

2N6255

2N5179

MRF559

2N3866A

MRF555

MRF555T

MRF559

MRF8372,R1,R2

MRF557

MRF557T

NPN 175

NPN 200

NPN 5 1 2

NPN 4 0 0

NPN 4 7 0

NPN型8 7 0

0.15

1

1.5

1.75

3

18

10

11.5

7.8

20

60

50

60

50

12

12.5

6

20

16

18

12

16

30

16

400

500

330

1000

50

150

400

150

200

400

TO-39

SO-8

TO-72

TO-39

TO-72

万家乐牛逼

2N5109

MRF5943C

MRF5943中，R1， R2的

2N5179

2N2857

MRF517

MRF904

2N6304

BFR91

BFR96

MRF5812中，R1， R2的

MRF581A

BFR90

BFY90

MRF914

MRF581

MRF586

NPN

200

300

450

500

NF（ dB）的

NF IC （MA ）

NF VCE

GNF （分贝）

包

设备

3

3.4

4.5

5.5

7.5

1.5

5

1.9

2

2.4

2.5

3

10

30

1.5

50

5

2

10

50

2

5

50

90

15

6

15

6

5

10

5

10

15

11

15.5

14

15

11

12

11.4

15

17

13

5.5

11

14

16.5

14.5

17.8

15

18

20

15

17.8

14.5

1200

1000

1300

900

1600

4600

4000

1400

5000

500

5000

1300

4500

5000

4500

0.5

1

1.5

0.5

0.75

1.5

10

13

10

11

6.5

9.5

8

65

60

45

50

70

65

55

7.5

12.5

28

12.5

7.5

12.5

万家乐牛逼

SO-8

万家乐X

万家乐

TO-72

万家乐X

TO-39

M R F 3 8 6 6 ， R 1，R 2的NPN 4 0 0

万家乐X

万家乐牛逼

TO-39

MRF951

MRF571

BFR91

BFR90

MRF545

MRF544

NPN 1000

PNP

NPN

1.3

1.5

2.5

3

5

10

2

6

5

10

14

10

8

10

17

8000

Ftau （兆赫）

GPE （ dB）的

GPE VCC

包

设备

BVCEO

TYPE

0.45

1

2

10 100

10

12

15

70

35

30

400

11

5000

12.5 5000

14

13.5

1400

1500

RF （低功率PA /通用）选择指南

RF （ LNA /通用）选择指南

1

8

2

4

3

2

4

1

4

MSC1313.PDF 99年10月25日

MRF4427中，R1， R2的

.

PIN 1.辐射源

2.收集

3.收集

4.发射器

5.发射

6.基地

7.基地

8.辐射源

8.

5.

1.

4.

MSC1313.PDF 99年10月25日

摩托罗拉

射频线

半导体技术资料

订购此文件

由MRF4427 / D

NPN硅

低RF功率晶体管

专为放大器，倍频器，或振荡器应用

与表面贴装元件构成的工业设备。适合

使用如在VHF和UHF设备输出驱动器或前置驱动器级。

低成本SORF塑料表面贴装封装

保证RF规格 - | S21 | 2

S参数表征

MRF3866的低电压版本

卷带式封装可供选择。

R2的后缀= 2500单位每卷

MRF4427R2

1.0 W， 175兆赫

高频率

晶体管

NPN硅

CASE 751-05 ，风格1

SORF

(SO–8)

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗@ TC = 75℃

减免上述75℃

工作结存储温度范围

符号

VCEO

VCBO

VEBO

IC

PD

TJ ， TSTG

符号

R

θJC

价值

20

40

2.0

400

1.67

22.2

- 65 + 150

单位

VDC

MADC

瓦

毫瓦/°C的

°C

热特性

特征

热阻，结到外壳

最大

45

单位

° C / W

器件标识

MRF4427 = 4427

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极耐受电压

（ IC = 5.0 MADC ， IB = 0 ）

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = 5.0 MADC ， RBE = 10欧姆）

发射极 - 基极击穿电压（IE = 100

μAdc ）

集电极截止电流（ VCE = 12 VDC， IB = 0 ）

V（ BR ） CEO

V（ BR ） CER

V（ BR ） EBO

ICEO

20

40

2.0

—

20

VDC

μAdc

（续）

注意：

1.Case温度测量集电极引线紧邻包装的主体。

转8

摩托罗拉RF设备数据

摩托罗拉1997年公司

MRF4427R2

1

电气特性 - 续

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

基本特征

直流电流增益

（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）

（ IC = 360 MADC ， VCE = 5.0 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC = 100 MADC ， IB = 20 MADC ）

的hFE

10

5.0

VCE （ SAT ）

—

50

—

60

200

—

MVDC

—

动态特性

电流增益 - 带宽积

（ IC = 50 MADC ， VCE = 12 VDC， F = 200兆赫）

输出电容

（ VCB = 12 VDC， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

fT

COB

—

1600

—

3.0

兆赫

pF

功能测试

共发射极放大器的功率增益

（ PIN = 15毫瓦， VCC = 12 VDC， F = 175兆赫）

集电效率（图1）

（噘= 1.0 W， VCC = 12 VDC， F = 175兆赫）

插入增益

（ VCE = 12 VDC， IC = 50 mA时， F = 200兆赫）

GPE

η

|S21|2

—

18

60

—

dB

%

14

16.4

—

dB

C3

D.U.T.

C1

C2

RFC2

RFC1

L1

C4

L2

C5

C8

C6

C7

C9

RFC3

C10

C11

C12

C13

C14

RFC4

C15

C16

+

D1

R1

R2

VCC

C1 ， C2 - 5.5 - 18 pF的伊利瓷介微调

C3 - 1000 pF的ATC 100万片帽。

C4 - 9.0 - 35 pF的伊利瓷介微调

C5 - 阿科405云母微调

C6, C8, C10, C14 — 0.1

F

伊利蓝帽。

C7 ， C9 - 470 pF的ATC 100万片帽。

C11, C13, C15 — 1.0

F

伊利蓝帽，非极性

C12 - 1000 pF的馈通

C16 — 10

F,

25 V钽

D1 - 1N4148或1N914

L1 - 6T ＃ 20 AWG的＃ 2钻头

L2 - 4T ＃ 20 AWG的4号钻头

R1 - 4.7 kΩ的1/8瓦碳

R2 — 100

1/8瓦碳

RFC1 - 4 - 10

H

模扼流圈

图1. 175 MHz的射频放大器电路功能测试

MRF4427R2

2

摩托罗拉RF设备数据

典型特征

10

9

COB，输出电容（pF ）

8

7

6

5

4

3

2

1

0

3

6

9

12

15

18

21

24

27

30

F = 1 MHz的

f

τ

，增益带宽积（兆赫）

2000

1800

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

0

20

40

10 120 140

IC ，收藏家0

电流（mA ）

60

80

160

180

200

VCC = 12伏直流

F = 200 MHz的

VCB ，集电极 - 基极电压（ V）

图2.集电极 - 基极电容

与电压

图3.增益带宽积与

集电极电流

1200

1100

噘嘴，输出功率（毫瓦）

1000

900

800

700

600

500

400

300

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

F = 136 MHz的

175兆赫

PIN = 15毫瓦

噘嘴，输出功率（毫瓦）

1200

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

110

120

130

140

150

160

170

180

190

200

210

VCC = 5 V

PIN = 30毫瓦

VCC = 7.5 V

PIN = 30毫瓦

VCC = 12.5 V

PIN = 15毫瓦

VCC ，集电极电压（V ）

男，频率（MHz）

图4的输出功率与电压

图5.输出功率与频率

摩托罗拉RF设备数据

MRF4427R2

3

VCE

（伏）

5.0

IC

（MA ）

5.0

f

（兆赫）

50

100

200

500

750

1000

50

100

200

500

750

1000

50

100

200

500

750

1000

50

100

200

500

750

1000

50

100

200

500

750

1000

50

100

200

500

750

1000

S11

|S11|

0.82

0.83

0.81

0.80

0.79

0.76

0.77

0.79

0.78

0.77

0.74

0.77

0.79

0.78

0.77

0.74

0.83

0.82

0.81

0.79

0.78

0.75

0.73

0.76

0.77

0.76

0.75

0.72

0.73

0.75

0.76

0.75

0.74

0.71

∠φ

– 104

– 141

– 165

169

156

144

– 151

– 168

– 180

163

152

141

– 163

– 174

177

162

151

140

– 97

– 135

– 162

171

157

145

– 143

– 164

– 177

165

154

143

– 156

– 171

59

164

153

142

|S21|

10.3

6.1

3.2

1.3

0.8

0.6

19

9.9

5.0

2.0

1.3

0.9

21.1

10.7

5.4

2.2

1.4

1.1

11

6.8

3.6

1.4

0.9

0.7

22.1

11.7

6.0

2.4

1.6

1.1

25.5

13.1

6.6

2.6

1.7

1.2

S21

∠φ

125

103

85

57

42

30

107

94

82

61

48

36

103

92

82

62

50

38

129

107

88

60

44

32

111

96

84

63

49

38

106

94

83

64

51

38

|S12|

0.05

0.06

0.07

0.08

0.11

0.02

0.03

0.04

0.07

0.10

0.13

0.02

0.03

0.07

0.10

0.13

0.04

0.05

0.06

0.07

0.09

0.02

0.03

0.06

0.08

0.11

0.02

0.03

0.06

0.09

0.12

S12

∠φ

38

26

21

32

49

61

36

37

49

62

66

37

50

62

67

69

67

46

29

24

37

55

68

38

39

48

64

67

69

41

49

60

69

70

|S22|

0.68

0.51

0.44

0.49

0.58

0.65

0.35

0.21

0.16

0.22

0.31

0.37

0.29

0.19

0.16

0.20

0.26

0.32

0.75

0.61

0.54

0.47

0.64

0.70

0.43

0.29

0.22

0.27

0.35

0.42

0.32

0.20

0.15

0.20

0.27

0.34

S22

∠φ

– 34

– 40

– 46

– 73

– 94

– 114

– 75

– 87

– 97

– 106

– 115

– 127

– 98

– 119

– 134

– 131

– 130

– 139

– 26

– 29

– 34

– 57

– 76

– 95

– 52

– 53

– 69

– 84

– 98

– 67

– 69

– 71

– 81

– 92

– 104

25

50

12

5.0

25

50

表1.共发射极S参数

频率。

（兆赫）

136

175

136

175

136

175

136

175

136

175

136

175

针

（ mW）的

15

—

30

—

30

—

噘

（ mW）的

—

1000

—

650

—

450

VCC

（伏）

12.5

7.5

5.0

寻

（欧姆）

6.2 – j11.6

4.6 – j10.4

—

5.65 – j12.6

6.25 – j12.2

—

6.1 – j13.3

5.9 – j12.22

—

ZOL *

（欧姆）

—

47.7 + j41.7

47.4 – j34.4

—

27.6 – j32.4

27.9 – j27.6

—

24.8 – j22.8

28.3 – j29.3

ZOL * =共轭到该装置的输出工作在一个给定的输出功率，电压和频率的最佳负载阻抗的。

表2.系列输入/输出阻抗

MRF4427R2

4

摩托罗拉RF设备数据

包装尺寸

A

8

D

5

C

E

1

4

H

0.25

M

B

M

h

B

C

e

A

座位

飞机

X 45

_

注意事项：

1.尺寸和公差符合ASME

Y14.5M ， 1994年。

2.尺寸以毫米为单位。

3.尺寸D和E不包括塑模

前伸。

4.最大模具PROTRUSION 0.15每边。

5.尺寸b不包括模型

前伸。允许的dambar

突出应该0.127总数过量

THE B尺寸为最大材料的

条件。

暗淡

A

A1

B

C

D

E

e

H

h

L

MILLIMETERS

民

最大

1.35

1.75

0.10

0.25

0.35

0.49

0.18

0.25

4.80

5.00

3.80

4.00

1.27 BSC

5.80

6.20

0.25

0.50

0.40

1.25

0

_

7

_

q

L

0.10

A1

0.25

B

M

C B

S

A

S

风格1 ：

PIN 1 。

2.

3.

4.

5.

6.

7.

8.

辐射源

集热器

辐射源

BASE

辐射源

q

CASE 751-05

ISSUE S

摩托罗拉RF设备数据

MRF4427R2

5