摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
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由MRF377 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店从470到860兆赫。高增益和该宽带性能
设备使其理想用于大信号，在32个共源放大器的应用
伏数字电视发射机设备。
典型的宽带DVBT OFDM性能@ 470-860兆赫， 32伏，
I
DQ
= 2.0 A ， 8K模式， 64 QAM
输出功率 - 45瓦的魅力。
功率增益
≥
16.7分贝
效率
≥
21%
ACPR
≤
-58 dBc的
典型的宽带ATSC 8VSB性能@ 470-860兆赫， 32伏，
I
DQ
= 2.0 A
输出功率 - 80瓦的魅力。
功率增益
≥
16.5分贝
效率
≥
27.5%
IMD
≤
-31.3 dBc的
内部输入和输出匹配的易用性
集成ESD保护
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 860兆赫， 45瓦DVBT
OFDM输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
可在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
R5后缀=每56毫米， 13英寸卷筒50个单位。
最大额定值
(1)
等级
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
N沟道增强模式横向MOSFET
MRF377
MRF377R3
MRF377R5
470 - 860兆赫， 240 W， 32 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 375克-04 ，风格1
NI–860C3
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
– 0.5, +15
17
486
2.78
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.36
单位
° C / W
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
（1）设备的每一侧分别测得。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
类
1 （最低）
M3 （最低）
7 （最低）
REV 0
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2003
设备数据
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MRF377 MRF377R3 MRF377R5
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
=10
A)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏）
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
1
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
A)
门静态电压
(V
DS
= 32 VDC ，我
D
= 225毫安）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
—
—
—
2.8
3.5
0.27
—
—
—
VDC
VDC
VDC
飞思卡尔半导体公司...
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 A)
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
RSS
—
3.2
—
pF
功能特点
（在DVBT OFDM单通道，窄带夹具， 50欧姆系统）
(2)
共源功率增益
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000毫安，
F = 860兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000毫安，
F = 860兆赫）
相邻通道功率比
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000毫安，
F = 860兆赫）
G
ps
16.5
18.2
—
dB
η
21
22.9
—
%
ACPR
—
–59.2
–57
dBc的
典型特征
（在DVBT OFDM单通道，宽带夹具， 50欧姆系统）
(2)
共源功率增益
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
漏EF网络效率
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
相邻通道功率比
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
（1）设备的每一侧分别测得。
（2 ）测量在推挽式结构。
G
ps
—
—
—
—
—
η
—
—
—
—
—
ACPR
—
—
—
—
—
–59.3
–59.3
–58.7
–58.7
–58.1
—
—
—
—
—
23.5
25.8
23.0
22.7
21.3
—
—
—
—
—
dBc的
17.6
17.6
17.4
17.4
16.8
—
—
—
—
—
%
dB
MRF377 MRF377R3 MRF377R5
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
（在ATSC 8VSB单通道，宽带夹具， 50欧姆系统）
(2)
特征
共源功率增益
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 80瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
漏EF网络效率
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 80瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
互调失真
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 80瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
（2 ）测量在推挽式结构。
符号
G
ps
—
—
—
—
—
η
—
—
—
—
—
IMD
—
—
—
—
—
31.7
32.7
32.9
34.2
35.4
—
—
—
—
—
31.0
34.3
30.1
29.6
27.8
—
—
—
—
—
dBc的
17.5
17.5
17.2
17.2
16.6
—
—
—
—
—
%
民
典型值
最大
单位
dB
飞思卡尔半导体公司...
摩托罗拉RF设备数据
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MRF377 MRF377R3 MRF377R5
3
飞思卡尔半导体公司
表1. 845-875 MHz的窄带测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
平衡 - 不平衡变压器1 ，双绞线传输器2
C1
C2
C3
C4, C5
C6
C7, C8, C9, C10
C11, C12
C13, C14, C15, C16
C17, C18
C19, C20
C21, C22, C23, C24
描述
铁氧体磁珠，表面贴装， 11
(0805)
0.8-1GHz杏儿巴伦
33 pF的贴片电容（ 0805 ）
2.7 pF的贴片电容（ 0603 ）
12 pF的贴片电容（ 0805 ）
6.8 pF的片式电容器（ 0805 ）
2.7 pF的贴片电容（ 0805 ）
3.3 pF的片式电容器（ 0805 ）
2.2
F,
50 V贴片电容
0.01
F,
100 V贴片电容
0.56
F,
50 V贴片电容
10
F,
50 V片式钽电容器
47
F,
16 V片式钽电容器
470
F,
63 V电解电容器
12 nH的电感器（ 0603 ）
7.15 nH的电感器
10 nH的电感器（ 0603 ）
24
,
1/8 W， 5 ％贴片电阻（ 1206 ）
铜管上穿垫片
阿尔隆30万，
ε
r
= 2.56
DS1152
DS电子
值， P / N或DWG
2508051107Y0
3A412
08055J330JBT
06035J2R7BBT
08051J120GBT
08051J6R8BBT
0805J2R7BBT
08051J3R3BBT
C1825C225J5RAC3810
C1825C103J1GAC
C1825C564J5RAC
522Z050/100MTRE
TPSD476K016R0150
NACZF471M63V （ 18x22 ）
0603HC–12NXJB
1606–7
0603HC–10NXJB
生产厂家
商Fair-Rite
Anaran
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
基美
基美
基美
特卡特
AVX /京瓷
日本
Coilcraft公司
Coilcraft公司
Coilcraft公司
飞思卡尔半导体公司...
C25, C26
L1
L2
L3, L4
R1, R2
WB1 ， WB2 ， WB3 ， WB4
PCB
MRF377门
C19
V
GG
C22
平衡 - 不平衡变压器1
C11
C9
C14
R1
WB1
L3
B1
C15
WB3
C18
MRF377漏
V
DD
C26
平衡 - 不平衡变压器2
C21
L2
C5
C6
WB2
WB4
C1
C2
L1
C3
C4
C7
C8
R2
C13
C24
V
GG
C23
C12
L4
C10
B2
C16
C17
C25
V
DD
C20
DS1152 -A版本0
DS1152 -B版本0
图1： 845-875 MHz的窄带测试电路元件布局
MRF377 MRF377R3 MRF377R5
4
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飞思卡尔半导体公司
典型窄带特性
IMD ，互调失真（ DBC）
19
18.5
PS ，功率增益（分贝）
18
-20
-30
-40
1600毫安
-50
-60
-70
1800毫安
2000毫安
I
DQ
= 1400毫安
G
ps
17.5
17
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
2200毫安
16.5
16
V
DD
= 32 VDC
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
飞思卡尔半导体公司...
图2.双色功率增益与
输出功率
图3.三阶互调失真
与输出功率
-20
IMD ，互调失真（ DBC）
-30
η
，漏极效率（ ％ ）
-40
-50
-60
-70
-80
45
40
35
30
25
20
15
10
5
10
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
η
3阶
五阶
7阶
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图4.互调失真产品
与输出功率
图5.双色漏极效率与
输出功率
18
PS ，功率增益（分贝）
17
16
15
14
13
12
10
G
ps
40
20
η
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
IMD
0
-20
-40
-60
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
-80
图6.功率增益，效率和IMD
与输出功率
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η
，漏极效率（ ％ ）
IMD ，互调失真（ DBC）
19
60
MRF377 MRF377R3 MRF377R5
5
摩托罗拉
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由MRF377 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店从470到860兆赫。高增益和该宽带性能
设备使其理想用于大信号，在32个共源放大器的应用
伏数字电视发射机设备。
典型的宽带DVBT OFDM性能@ 470-860兆赫， 32伏，
I
DQ
= 2.0 A ， 8K模式， 64 QAM
输出功率 - 45瓦的魅力。
功率增益
≥
16.7分贝
效率
≥
21%
ACPR
≤
-58 dBc的
典型的宽带ATSC 8VSB性能@ 470-860兆赫， 32伏，
I
DQ
= 2.0 A
输出功率 - 80瓦的魅力。
功率增益
≥
16.5分贝
效率
≥
27.5%
IMD
≤
-31.3 dBc的
内部输入和输出匹配的易用性
集成ESD保护
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 860兆赫， 45瓦DVBT
OFDM输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
可在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
R5后缀=每56毫米， 13英寸卷筒50个单位。
最大额定值
(1)
等级
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
N沟道增强模式横向MOSFET
MRF377
MRF377R3
MRF377R5
470 - 860兆赫， 240 W， 32 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 375克-04 ，风格1
NI–860C3
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
– 0.5, +15
17
486
2.78
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.36
单位
° C / W
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
（1）设备的每一侧分别测得。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
类
1 （最低）
M3 （最低）
7 （最低）
REV 0
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2003
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MRF377 MRF377R3 MRF377R5
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
=10
A)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏）
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
1
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
(1)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
A)
门静态电压
(V
DS
= 32 VDC ，我
D
= 225毫安）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
—
—
—
2.8
3.5
0.27
—
—
—
VDC
VDC
VDC
飞思卡尔半导体公司...
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 A)
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
RSS
—
3.2
—
pF
功能特点
（在DVBT OFDM单通道，窄带夹具， 50欧姆系统）
(2)
共源功率增益
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000毫安，
F = 860兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000毫安，
F = 860兆赫）
相邻通道功率比
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000毫安，
F = 860兆赫）
G
ps
16.5
18.2
—
dB
η
21
22.9
—
%
ACPR
—
–59.2
–57
dBc的
典型特征
（在DVBT OFDM单通道，宽带夹具， 50欧姆系统）
(2)
共源功率增益
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
漏EF网络效率
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
相邻通道功率比
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
（1）设备的每一侧分别测得。
（2 ）测量在推挽式结构。
G
ps
—
—
—
—
—
η
—
—
—
—
—
ACPR
—
—
—
—
—
–59.3
–59.3
–58.7
–58.7
–58.1
—
—
—
—
—
23.5
25.8
23.0
22.7
21.3
—
—
—
—
—
dBc的
17.6
17.6
17.4
17.4
16.8
—
—
—
—
—
%
dB
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2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
（在ATSC 8VSB单通道，宽带夹具， 50欧姆系统）
(2)
特征
共源功率增益
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 80瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
漏EF网络效率
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 80瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
互调失真
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 80瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
（2 ）测量在推挽式结构。
符号
G
ps
—
—
—
—
—
η
—
—
—
—
—
IMD
—
—
—
—
—
31.7
32.7
32.9
34.2
35.4
—
—
—
—
—
31.0
34.3
30.1
29.6
27.8
—
—
—
—
—
dBc的
17.5
17.5
17.2
17.2
16.6
—
—
—
—
—
%
民
典型值
最大
单位
dB
飞思卡尔半导体公司...
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MRF377 MRF377R3 MRF377R5
3
飞思卡尔半导体公司
表1. 845-875 MHz的窄带测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
平衡 - 不平衡变压器1 ，双绞线传输器2
C1
C2
C3
C4, C5
C6
C7, C8, C9, C10
C11, C12
C13, C14, C15, C16
C17, C18
C19, C20
C21, C22, C23, C24
描述
铁氧体磁珠，表面贴装， 11
(0805)
0.8-1GHz杏儿巴伦
33 pF的贴片电容（ 0805 ）
2.7 pF的贴片电容（ 0603 ）
12 pF的贴片电容（ 0805 ）
6.8 pF的片式电容器（ 0805 ）
2.7 pF的贴片电容（ 0805 ）
3.3 pF的片式电容器（ 0805 ）
2.2
F,
50 V贴片电容
0.01
F,
100 V贴片电容
0.56
F,
50 V贴片电容
10
F,
50 V片式钽电容器
47
F,
16 V片式钽电容器
470
F,
63 V电解电容器
12 nH的电感器（ 0603 ）
7.15 nH的电感器
10 nH的电感器（ 0603 ）
24
,
1/8 W， 5 ％贴片电阻（ 1206 ）
铜管上穿垫片
阿尔隆30万，
ε
r
= 2.56
DS1152
DS电子
值， P / N或DWG
2508051107Y0
3A412
08055J330JBT
06035J2R7BBT
08051J120GBT
08051J6R8BBT
0805J2R7BBT
08051J3R3BBT
C1825C225J5RAC3810
C1825C103J1GAC
C1825C564J5RAC
522Z050/100MTRE
TPSD476K016R0150
NACZF471M63V （ 18x22 ）
0603HC–12NXJB
1606–7
0603HC–10NXJB
生产厂家
商Fair-Rite
Anaran
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
基美
基美
基美
特卡特
AVX /京瓷
日本
Coilcraft公司
Coilcraft公司
Coilcraft公司
飞思卡尔半导体公司...
C25, C26
L1
L2
L3, L4
R1, R2
WB1 ， WB2 ， WB3 ， WB4
PCB
MRF377门
C19
V
GG
C22
平衡 - 不平衡变压器1
C11
C9
C14
R1
WB1
L3
B1
C15
WB3
C18
MRF377漏
V
DD
C26
平衡 - 不平衡变压器2
C21
L2
C5
C6
WB2
WB4
C1
C2
L1
C3
C4
C7
C8
R2
C13
C24
V
GG
C23
C12
L4
C10
B2
C16
C17
C25
V
DD
C20
DS1152 -A版本0
DS1152 -B版本0
图1： 845-875 MHz的窄带测试电路元件布局
MRF377 MRF377R3 MRF377R5
4
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飞思卡尔半导体公司
典型窄带特性
IMD ，互调失真（ DBC）
19
18.5
PS ，功率增益（分贝）
18
-20
-30
-40
1600毫安
-50
-60
-70
1800毫安
2000毫安
I
DQ
= 1400毫安
G
ps
17.5
17
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
2200毫安
16.5
16
V
DD
= 32 VDC
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
飞思卡尔半导体公司...
图2.双色功率增益与
输出功率
图3.三阶互调失真
与输出功率
-20
IMD ，互调失真（ DBC）
-30
η
，漏极效率（ ％ ）
-40
-50
-60
-70
-80
45
40
35
30
25
20
15
10
5
10
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
η
3阶
五阶
7阶
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图4.互调失真产品
与输出功率
图5.双色漏极效率与
输出功率
18
PS ，功率增益（分贝）
17
16
15
14
13
12
10
G
ps
40
20
η
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
IMD
0
-20
-40
-60
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
-80
图6.功率增益，效率和IMD
与输出功率
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η
，漏极效率（ ％ ）
IMD ，互调失真（ DBC）
19
60
MRF377 MRF377R3 MRF377R5
5
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