飞思卡尔半导体公司
技术参数
MRF377H
第0版， 1/2005
射频功率场 - 晶体管的影响
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店从470到860兆赫。高增益和它们的宽带性能
装置使它们非常适用于大信号，共源放大器的应用
在32伏的数字电视发射机设备。
典型的宽带DVBT OFDM性能@ 470 - 860兆赫， 32伏，
I
DQ
= 2.0 A ， 8K模式， 64 QAM
输出功率 - 45瓦的魅力。
功率增益
≥
16.7分贝
效率
≥
21%
ACPR
≤
- 58 dBc的
典型的宽带ATSC 8VSB性能@ 470 - 860兆赫， 32伏，
I
DQ
= 2.0 A
输出功率 - 80瓦的魅力。
功率增益
≥
16.5分贝
效率
≥
27.5%
IMD
≤
- 31.3 dBc的
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 860兆赫， 45瓦DVBT
OFDM输出功率
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部输入和输出匹配的易用性
集成ESD保护
优良的热稳定性
低热阻封装
较低的镀金厚度上信息， 40
″
标称。
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
R5后缀=每56毫米， 13英寸卷筒50个单位。
表1.最大额定值
(1)
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
MRF377HR3
MRF377HR5
470 - 860兆赫， 240 W， 32 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 375克 - 04 ，风格1
NI - 860C3
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
17
648
3.7
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度81 ° C， 105 W CW
外壳温度77 ° C， 45瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.27
0.29
单位
° C / W
1.装置的每一侧分别测得。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
3.请参阅AN1955 / D， RF功率放大器热测量方法。去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2005年。保留所有权利。
MRF377HR3 MRF377HR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
1 （最低）
M3 （最低）
7 （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
=10
A)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
A)
基本特征
(1)
门静态电压
(V
DS
= 32 VDC ，我
D
= 225毫安）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 A)
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
共源功率增益
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000毫安，
F = 860兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000毫安，
F = 860兆赫）
相邻通道功率比
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000毫安，
F = 860兆赫）
C
RSS
—
3.2
—
pF
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
—
—
3.5
0.27
—
—
VDC
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
65
—
—
—
—
—
—
2.8
—
1
1
—
VDC
μAdc
μAdc
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
功能特点
（在DVBT OFDM单 - 通道，窄带夹具， 50欧姆系统）
(2)
G
ps
16.5
18.2
—
dB
η
21
22.9
—
%
ACPR
—
- 59.2
- 57
dBc的
典型特征
（在DVBT OFDM单 - 通道，宽带夹具， 50欧姆系统）
(2)
共源功率增益
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
1.装置的每一侧分别测得。
2.测量推 - 拉配置。
（续）
G
ps
—
—
—
—
—
17.6
17.6
17.4
17.4
16.8
—
—
—
—
—
dB
MRF377HR3 MRF377HR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
漏EF网络效率
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
相邻通道功率比
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
符号
η
—
—
—
—
—
ACPR
—
—
—
—
—
- 59.3
- 59.3
- 58.7
- 58.7
- 58.1
—
—
—
—
—
23.5
25.8
23.0
22.7
21.3
—
—
—
—
—
dBc的
民
典型值
最大
单位
%
典型特征
（在ATSC 8VSB单 - 频道，宽带夹具， 50欧姆系统）
(1)
共源功率增益
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 80瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
漏EF网络效率
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 80瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
互调失真
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 80瓦的魅力。我
DQ
= 2 ×1000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
1.测量推 - 拉配置。
G
ps
—
—
—
—
—
η
—
—
—
—
—
IMD
—
—
—
—
—
31.7
32.7
32.9
34.2
35.4
—
—
—
—
—
31.0
34.3
30.1
29.6
27.8
—
—
—
—
—
dBc的
17.5
17.5
17.2
17.2
16.6
—
—
—
—
—
%
dB
MRF377HR3 MRF377HR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
表5. 845 - 875 MHz的窄带测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
平衡 - 不平衡变压器1 ，双绞线传输器2
C1
C2
C3
C4, C5
C6
C7, C8, C9, C10
C11, C12
C13, C14, C15, C16
C17, C18
C19, C20
C21, C22, C23, C24
C25, C26
L1
L2
L3, L4
R1, R2
WB1 ， WB2 ， WB3 ， WB4
PCB
描述
铁氧体磁珠，表面贴装， 11
(0805)
0.8 - 1GHz的杏儿巴伦
33 pF的贴片电容（ 0805 ）
2.7 pF的贴片电容（ 0603 ）
12 pF的贴片电容（ 0805 ）
6.8 pF的片式电容器（ 0805 ）
2.7 pF的贴片电容（ 0805 ）
3.3 pF的片式电容器（ 0805 ）
2.2
F,
50 V贴片电容
0.01
F,
100 V贴片电容
0.56
F,
50 V贴片电容
10
F,
50 V片式钽电容器
47
F,
16 V片式钽电容器
470
F,
63 V电解电容器
12 nH的电感器（ 0603 ）
7.15 nH的电感器
10 nH的电感器（ 0603 ）
24
,
1/8 W， 5 ％贴片电阻（ 1206 ）
铜管上穿垫片
阿尔隆30万，
ε
r
= 2.56
DS1152
DS电子
3A412
08055J330JBT
06035J2R7BBT
08051J120GBT
08051J6R8BBT
0805J2R7BBT
08051J3R3BBT
C1825C225J5RAC3810
C1825C103J1GAC
C1825C564J5RAC
522Z050/100MTRE
TPSD476K016R0150
NACZF471M63V （ 18x22 ）
0603HC- 12NXJB
1606 - 7
0603HC- 10NXJB
产品型号
2508051107Y0
生产厂家
博览会 - 爱色丽
Anaran
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
基美
基美
基美
特卡特
AVX /京瓷
日本
Coilcraft公司
Coilcraft公司
Coilcraft公司
MRF377门
C19
V
GG
C22
C21
平衡 - 不平衡变压器1
C14
R1
WB1
L3
B1
C15
WB3
C18
C11
C9
MRF377漏
V
DD
C26
平衡 - 不平衡变压器2
L2
C5
C6
C7
C2
C1
L1
WB2
C3
C4
WB4
C8
R2
C13
C24
V
GG
C23
L4
C10
B2
C16
C17
C25
C12
C20
DS1152 -A版本0
V
DD
DS1152 -B版本0
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图1： 845 - 875 MHz的窄带测试电路元件布局
MRF377HR3 MRF377HR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型窄带特性
IMD ，互调失真（ DBC）
19
18.5
G
ps
PS ，功率增益（分贝）
18
20
30
I
DQ
= 1400毫安
40
1600毫安
50
1800毫安
2000毫安
2200毫安
60
V
DD
= 32 VDC
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
17.5
17
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
16.5
16
70
图2.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图3.三阶互调失真
与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
20
30
η
，漏极效率（ ％ ）
40
50
60
7阶
70
80
10
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
45
40
35
30
25
20
15
10
5
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
η
3阶
五阶
图4.互调失真产品
与输出功率
图5.两个 - 音漏极效率与
输出功率
18
PS ，功率增益（分贝）
17
16
15
14
13
12
10
G
ps
40
20
η
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
IMD
0
20
40
60
80
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图6.功率增益，效率和IMD
与输出功率
MRF377HR3 MRF377HR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
η
，漏极效率（ ％ ）
IMD ，互调失真（ DBC）
19
60
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF377H
第1版， 5/2006
射频功率场 - 晶体管的影响
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店从470到860兆赫。高增益和它们的宽带性能
装置使它们非常适用于大信号，共源放大器的应用
在32伏的数字电视发射机设备。
典型的宽带DVBT OFDM性能@ 470 - 860兆赫， 32伏，
I
DQ
= 2000毫安， 8K模式， 64 QAM
输出功率 - 45瓦的魅力。
功率增益
≥
16.7分贝
漏EF网络效率
≥
21%
ACPR
≤
- 58 dBc的
典型的宽带ATSC 8VSB性能@ 470 - 860兆赫， 32伏，
I
DQ
= 2000毫安
输出功率 - 80瓦的魅力。
功率增益
≥
16.5分贝
漏EF网络效率
≥
27.5%
IMD
≤
- 31.3 dBc的
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 860兆赫， 45瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
器件专为推 - 拉操作仅
集成ESD保护
优良的热稳定性
低热阻封装
较低的镀金厚度上信息， 40
μ
″
标称。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
R5后缀=每56毫米， 13英寸卷筒50个单位。
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
CW操作@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
C
T
J
CW
MRF377HR3
MRF377HR5
470 - 860兆赫， 45瓦AVG ， 32 V 。
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 375克 - 04 ，风格1
NI - 860C3
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
17
648
3.7
- 65 + 150
150
200
235
1.38
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
W
W / ℃，
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度81 ° C， 105 W CW
外壳温度77 ° C， 45瓦CW
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.27
0.29
单位
° C / W
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
2.请参阅AN1955 ， RF功率放大器热测量方法。去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF377HR3 MRF377HR5
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
1 （最低）
M3 （最低）
7 （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
(1)
漏极 - 源极击穿电压
(4)
(V
GS
= 0伏，我
D
=10
μA)
零栅极电压漏极电流
(4)
(V
DS
= 32 VDC ，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μA)
基本特征
门静态电压
(3)
(V
DS
= 32 VDC ，我
D
= 2000 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(1)
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3 A)
动态特性
(1,2)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
共源功率增益
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2000毫安，
F = 860兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2000毫安，
F = 860兆赫）
相邻通道功率比
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2000毫安，
F = 860兆赫）
C
RSS
—
3.2
—
pF
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
2.5
—
3.5
0.27
4.5
—
VDC
VDC
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
65
—
—
—
—
—
—
2.8
—
1
1
—
VDC
μAdc
μAdc
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(3)
（在DVBT OFDM单 - 通道，窄带夹具， 50欧姆系统）
G
ps
16.5
18.2
—
dB
η
D
21
22.9
—
%
ACPR
—
- 59.2
- 57
dBc的
典型的表演
(3)
（在DVBT OFDM单 - 通道，宽带夹具， 50欧姆系统）
共源功率增益
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
1.
2.
3.
4.
设备的每一侧分别测得。
部分是输入和输出内部匹配两种。
测量与制作设备推 - 拉配置。
水渠是在内部联系在一起，因为这是一个总的元件值。
（续）
G
ps
—
—
—
—
—
17.6
17.6
17.4
17.4
16.8
—
—
—
—
—
dB
MRF377HR3 MRF377HR5
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
漏EF网络效率
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
相邻通道功率比
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 45瓦的魅力。我
DQ
= 2000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
符号
η
D
—
—
—
—
—
ACPR
—
—
—
—
—
- 59.3
- 59.3
- 58.7
- 58.7
- 58.1
—
—
—
—
—
23.5
25.8
23.0
22.7
21.3
—
—
—
—
—
dBc的
民
典型值
最大
单位
%
典型的表演
(1)
（在ATSC 8VSB单 - 频道，宽带夹具， 50欧姆系统）
共源功率增益
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 80瓦的魅力。我
DQ
= 2000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
漏EF网络效率
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 80瓦的魅力。我
DQ
= 2000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
互调失真
(V
DD
= 32 VDC ，P
OUT
= 80瓦的魅力。我
DQ
= 2000 mA）的
F = 470 MHz的
F = 560 MHz的
F = 660 MHz的
F = 760 MHz的
F = 860 MHz的
1.测量取得与设备推 - 拉配置。
G
ps
—
—
—
—
—
η
D
—
—
—
—
—
IMD
—
—
—
—
—
31.7
32.7
32.9
34.2
35.4
—
—
—
—
—
31.0
34.3
30.1
29.6
27.8
—
—
—
—
—
dBc的
17.5
17.5
17.2
17.2
16.6
—
—
—
—
—
%
dB
MRF377HR3 MRF377HR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
表5. 845 - 875 MHz的窄带测试电路元件牌号和值
部分
B1, B2
平衡 - 不平衡变压器1 ，双绞线传输器2
C1
C2
C3
C4, C5
C6
C7, C8, C9, C10
C11, C12
C13, C14, C15, C16
C17, C18
C19, C20
C21, C22, C23, C24
C25, C26
L1
L2
L3, L4
R1, R2
WB1 ， WB2 ， WB3 ， WB4
PCB
描述
铁氧体磁珠，表面贴装， 11
Ω
(0805)
0.8 - 1GHz的杏儿巴伦
33 pF的贴片电容（ 0805 ）
2.7 pF的贴片电容（ 0603 ）
12 pF的贴片电容（ 0805 ）
6.8 pF的片式电容器（ 0805 ）
2.7 pF的贴片电容（ 0805 ）
3.3 pF的片式电容器（ 0805 ）
2.2
μF,
50 V贴片电容
0.01
μF,
100 V贴片电容
0.56
μF,
50 V贴片电容
10
μF,
50 V片式钽电容器
47
μF,
16 V片式钽电容器
470
μF,
63 V电解电容器
12 nH的电感器（ 0603 ）
7.15 nH的电感器
10 nH的电感器（ 0603 ）
24
Ω,
1/8 W， 5 ％贴片电阻（ 1206 ）
铜管上穿垫片
阿尔隆30万，
ε
r
= 2.56
DS1152
DS电子
3A412
08055J330JBT
06035J2R7BBT
08051J120GBT
08051J6R8BBT
0805J2R7BBT
08051J3R3BBT
C1825C225J5RAC3810
C1825C103J1GAC
C1825C564J5RAC
522Z050/100MTRE
TPSD476K016R0150
NACZF471M63V （ 18x22 ）
0603HC- 12NXJB
1606 - 7
0603HC- 10NXJB
产品型号
2508051107Y0
生产厂家
博览会 - 爱色丽
Anaran
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
AVX /京瓷
基美
基美
基美
特卡特
AVX /京瓷
日本
Coilcraft公司
Coilcraft公司
Coilcraft公司
MRF377门
C19
V
GG
C22
C21
平衡 - 不平衡变压器1
C14
R1
WB1
L3
B1
C15
WB3
C18
C11
C9
MRF377漏
V
DD
C26
平衡 - 不平衡变压器2
L2
C5
C6
C7
C2
C1
L1
WB2
C3
C4
WB4
C8
R2
C13
C24
V
GG
C23
L4
C10
B2
C16
C17
C25
C12
C20
DS1152 -A版本0
V
DD
DS1152 -B版本0
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图1： 845 - 875 MHz的窄带测试电路元件布局
MRF377HR3 MRF377HR5
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型窄带特性
IMD ，互调失真（ DBC）
19
18.5
G
ps
PS ，功率增益（分贝）
18
20
30
I
DQ
= 1400毫安
40
1600毫安
50
1800毫安
2000毫安
2200毫安
60
V
DD
= 32 VDC
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
17.5
17
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
16.5
16
70
图2.两个 - 音频功率增益与
输出功率
图3.三阶互调失真
与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
20
30
η
D
,
排水 FFI效率（ ％ ）
40
50
60
7阶
70
80
10
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
45
40
35
30
25
20
15
10
5
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
η
D
3阶
五阶
图4.互调失真产品
与输出功率
图5.两个 - 音漏极效率与
输出功率
18
PS ，功率增益（分贝）
17
G
ps
40
20
η
D
0
V
DD
= 32 VDC
I
DQ
= 2000毫安
F1 = 859.95兆赫， F2 = 860.05兆赫
IMD
20
40
60
80
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
16
15
14
13
12
图6.功率增益，效率和IMD
与输出功率
MRF377HR3 MRF377HR5
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
η
D
,
排水 FFI效率（ ％ ）
IMD ，互调失真（ DBC）
19
60
QQ：2880707522 复制
