摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MRF281 / D
射频亚微米MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
专为数字和模拟蜂窝PCN和PCS基站
应用频率1000至2500年兆赫。特点是
操作A类和AB类在26伏在商业和工业
应用程序。
指定双色性能@ 1930年和2000年兆赫， 26伏
输出功率 - 4瓦特PEP
功率增益 - 11分贝
效率 - 30 ％
互调失真 - -29 dBc的
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电，
2000兆赫， 4瓦的连续输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
S参数表征在高偏置电平
可在磁带和卷轴。每R1后缀= 500单位
12mm时， 7英寸卷轴。
MRF281SR1
MRF281ZR1
2000兆赫， 4 W， 26 V
横向N沟道
宽带
RF功率MOSFET
CASE 458B -03 ，风格1
(NI–200S)
(MRF281SR1)
CASE 458C -03 ，风格1
(NI–200Z)
(MRF281ZR1)
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
±20
20
0.115
-65到+150
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
5.74
单位
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
= 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0)
门源漏电流
(V
GS
= 20伏，V
DS
= 0)
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
74
—
—
—
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 3
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司，2002年
设备数据
MRF281SR1 MRF281ZR1
1
电气特性继续
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 20
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 25 MADC ）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 0.1 A)
动态特性
输入电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输出电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W，I
DQ
= 25毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W CW ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W CW ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W CW ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫， VSWR = 10 ： 1 ，
所有相位角在测试的频率）
G
ps
11
12.5
—
dB
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
5.5
3.3
0.17
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
2.4
3
0.18
3.2
4.1
0.24
4
5
0.30
VDC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
η
30
33
—
%
IRL
—
–16
–10
dB
IMD
—
–31
–29
dBc的
G
ps
11
12.5
—
dB
η
30
—
—
%
IRL
—
–16
–10
dB
IMD
—
–31
—
dBc的
G
ps
10.5
12
—
dB
η
40
44
—
%
Ψ
在输出功率不降低
MRF281SR1 MRF281ZR1
2
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MRF281 / D
射频亚微米MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
专为数字和模拟蜂窝PCN和PCS基站
应用频率1000至2500年兆赫。特点是
操作A类和AB类在26伏在商业和工业
应用程序。
指定双色性能@ 1930年和2000年兆赫， 26伏
输出功率 - 4瓦特PEP
功率增益 - 11分贝
效率 - 30 ％
互调失真 - -29 dBc的
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电，
2000兆赫， 4瓦的连续输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
S参数表征在高偏置电平
可在磁带和卷轴。每R1后缀= 500单位
12mm时， 7英寸卷轴。
MRF281SR1
MRF281ZR1
2000兆赫， 4 W， 26 V
横向N沟道
宽带
RF功率MOSFET
CASE 458B -03 ，风格1
(NI–200S)
(MRF281SR1)
CASE 458C -03 ，风格1
(NI–200Z)
(MRF281ZR1)
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
±20
20
0.115
-65到+150
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
5.74
单位
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
= 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0)
门源漏电流
(V
GS
= 20伏，V
DS
= 0)
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
74
—
—
—
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 3
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司，2002年
设备数据
MRF281SR1 MRF281ZR1
1
电气特性继续
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 20
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 25 MADC ）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 0.1 A)
动态特性
输入电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输出电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W，I
DQ
= 25毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W CW ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W CW ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W CW ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫， VSWR = 10 ： 1 ，
所有相位角在测试的频率）
G
ps
11
12.5
—
dB
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
5.5
3.3
0.17
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
2.4
3
0.18
3.2
4.1
0.24
4
5
0.30
VDC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
η
30
33
—
%
IRL
—
–16
–10
dB
IMD
—
–31
–29
dBc的
G
ps
11
12.5
—
dB
η
30
—
—
%
IRL
—
–16
–10
dB
IMD
—
–31
—
dBc的
G
ps
10.5
12
—
dB
η
40
44
—
%
Ψ
在输出功率不降低
MRF281SR1 MRF281ZR1
2
摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF281
启5 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为数字和模拟蜂窝PCN和PCS基站
应用频率1000至2500年兆赫。特点是
操作A类和AB类在26伏在商业和工业
应用程序。
指定了两个 - 音频性能@ 1930和2000兆赫， 26伏
输出功率 - 4瓦特PEP
功率增益 - 11分贝
效率 - 30 ％
互调失真 - - 29 dBc的
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电，
2000兆赫， 4瓦的连续输出功率
特点
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
的S - 在高偏置电平参数表征
符合RoHS
可在磁带和卷轴。每R1后缀= 500单位
12mm时， 7英寸卷轴。
MRF281SR1
MRF281ZR1
2000兆赫， 4 W， 26 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 458B - 03 ，风格1
NI - 200S
MRF281SR1
CASE 458C - 03 ，风格1
NI - 200Z
MRF281ZR1
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
±
20
20
0.115
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
5.74
单位
° C / W
表3.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
= 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0)
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 20伏，V
DS
= 0)
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
74
—
—
—
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF281SR1 MRF281ZR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 20
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 25 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 0.1 A)
动态特性
输入电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输出电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
功能测试
（飞思卡尔测试夹具）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫， F2 = 2000.1兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W，I
DQ
= 25毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W PEP ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 1930.0兆赫， F2 = 1930.1兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W CW ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 4 W CW ，我
DQ
= 25毫安，
F1 = 2000.0兆赫）
G
ps
11
12.5
—
dB
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
5.5
3.3
0.17
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
2.4
3
0.18
3.2
4.1
0.24
4
5
0.30
VDC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
η
30
33
—
%
IRL
—
- 16
- 10
dB
IMD
—
- 31
- 29
dBc的
G
ps
11
12.5
—
dB
η
30
—
—
%
IRL
—
- 16
- 10
dB
IMD
—
- 31
—
dBc的
G
ps
10.5
12
—
dB
η
40
44
—
%
MRF281SR1 MRF281ZR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
QQ：2881677436 复制
