飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF21125
牧师9 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为W-CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器的应用
T I O 4 N秒。要beusedin 姑娘AB的PCN - PCS / cellularradioand WLL
应用程序。
典型2 - 载波W - 为V CDMA性能
DD
= 28伏，我
DQ
=
1600毫安， F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz的信道带宽=
3.84兆赫，在相邻通道
±
5兆赫， ACPR和IM3测
3.84 MHz的带宽。峰值/平均。 = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
输出功率 - 20瓦
效率 - 18 ％
增益= 13分贝
IM3 - - 43 dBc的
ACPR - - 45 dBc的
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 125瓦CW
输出功率
特点
内部匹配的易用性
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF21125R3
MRF21125SR3
2110年至2170年兆赫， 125 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF21125R3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF21125SR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
330
1.89
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.53
单位
° C / W
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF21125R3 MRF21125SR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100
μAdc ）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 V，I
D
= 300
μA)
门静态电压
(V
DS
= 28 V，I
D
= 1300毫安）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 V，I
D
= 1 A)
动态特性
反向传输电容
(1)
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
RSS
—
5.4
—
pF
g
fs
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
—
2
2.5
—
10.8
—
3.9
0.12
—
4
4.5
—
S
VDC
VDC
VDC
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
65
—
—
—
—
—
—
1
10
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统） 2 - 载波W - CDMA ， 3.84 MHz信道带宽，测量IM3
在3.84 MHz的带宽。峰值/平均。 = 8.5 dB的CCDF上0.01 ％的概率。
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 20瓦平均， 2载波W-CDMA中，我
DQ
= 1600毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5
兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 20瓦平均， 2载波W-CDMA中，我
DQ
= 1600毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5
兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 20瓦平均， 2载波W-CDMA中，我
DQ
= 1600毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5
兆赫; IM3测定为f1 - 10兆赫和f2的10 MHz的参考
载波信道功率）。
相邻通道功率比
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 20瓦平均， 2载波W-CDMA中，我
DQ
= 1600毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5
兆赫; ACPR测量F1 - 5 MHz和F2 5 MHz的参考
载波信道功率）。
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 20瓦平均， 2载波W-CDMA中，我
DQ
= 1600毫安，
F1 = 2112.5兆赫， F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5
兆赫）
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
（续）
G
ps
12
13
—
dB
η
17
18
—
%
IM3
—
- 43
- 40
dBc的
ACPR
—
- 45
- 40
dBc的
IRL
—
- 12
- 9.0
dB
MRF21125R3 MRF21125SR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
典型的两个 - 音频性能
（飞思卡尔测试夹具）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 125瓦PEP ，我
DQ
= 1600毫安， F1 = 2110兆赫，
F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 125瓦PEP ，我
DQ
= 1600毫安， F1 = 2110兆赫，
F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 125瓦PEP ，我
DQ
= 1600毫安， F1 = 2110兆赫，
F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
典型CW性能
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 125瓦CW ，我
DQ
= 1600毫安， F1 = 2170.0兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 125瓦CW ，我
DQ
= 1600毫安， F = 2170.0兆赫）
G
ps
η
—
—
11.5
46
—
—
dB
%
G
ps
—
12
—
dB
符号
民
典型值
最大
单位
η
—
34
—
%
IMD
—
- 30
—
dBc的
MRF21125R3 MRF21125SR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
B1
R4
V
GG
+
R2
+
C2
C3
+
C4
R1
R3
C5
C6
C7
C8
C9
C10
W1
+
C11
+
C12
C13
C14
V
DD
+
Z6
RF
输入
Z7
RF
产量
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
Z5
DUT
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
C15
Z13
C16
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
1.212 “× 0.082 ”微带
0.236 “× 0.082 ”微带
0.086 “× 0.254 ”微带
0.357 “× 0.082 ”微带
0.274 “× 1.030 ”微带
0.466 “× 0.050 ”微带
0.501 “× 0.050 ”微带
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
PCB
0.600 “× 1.056 ”微带
0.179 “× 0.219 ”微带
0.100 “× 0.336 ”微带
0.534 “× 0.142 ”微带
0.089 “× 0.080 ”微带
0.620 “× 0.080 ”微带
阿尔隆GX0300 - 55 - 22 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF21125测试电路原理图
表5. MRF21125测试电路元件牌号和值
代号
B1
C1
C2, C4, C11, C12
C3, C7
C5, C14
C6
C8
C9
C10
C13
C15
C16
R1
R2
R3
R4
W1
描述
铁氧体磁珠（广场） ，特力屋博会＃ 2743019447
9.1 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B9R1CCA500X
22
μF,
35 V钽表面贴装片式电容，基美＃ T491X226K035AS4394
20000 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B203JCA50X
5.1 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B5R1CCA500X
100000 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B104JCA50X
10000 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B103JCA50X
7.5 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B7R5CCA500X
1.2 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B1R2CCA500X
0.1
μF
贴片电容，基美＃ CDR33BX104AKWS
16 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B160KP500X
0.6 - 4.5 pF的可变电容，约翰森Gigatrim ＃ 27271SL
1.0 kΩ的1/8 W贴片电阻
560千欧， 1/8 W码片电阻
4.7
Ω,
1/8 W贴片电阻
12
Ω,
1/8 W贴片电阻
实心铜巴斯线， 16 AWG
MRF21125R3 MRF21125SR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
VGG
V DD
C11
C9 C10
C8 R4
C7
C6
C12
W1
C13
C14
B1
R1
R2
C2 C3 C4
R3
C5
C15
C1
C16
MRF21125第5版
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MRF21125测试电路元件布局
MRF21125R3 MRF21125SR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2881677436 复制
