飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF21090
启8 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为W-CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。
典型W - 为2140兆赫， 28伏CDMA性能
4.096 MHz带宽@ 5 MHz偏移， 1 PERCH 15 DTCH ：
输出功率 - 11.5瓦
效率 - 16 ％
增益 - 12.2分贝
ACPR - - 45 dBc的
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 90瓦CW
输出功率
特点
内部匹配的易用性
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF21090R3
MRF21090SR3
2110年至2170年兆赫， 90 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF21090R3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF21090SR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
270
1.54
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.65
单位
° C / W
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF21090R3 MRF21090SR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
MRF21090R3
MRF21090SR3
MRF21090R3
MRF21090SR3
类
2 （最小）
1 （最低）
M3 （最低）
M4 （最低）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100
μAdc ）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 V，I
D
= 300
μA)
门静态电压
(V
DS
= 28 V，I
D
= 750 mA）的
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 V，I
D
= 1 A)
动态特性
反向传输电容
(1)
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（飞思卡尔测试夹具）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90瓦PEP ，我
DQ
= 750 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90瓦PEP ，我
DQ
= 750 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90瓦PEP ，我
DQ
= 750 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90瓦PEP ，我
DQ
= 750 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 75瓦CW ，我
DQ
= 750 mA时， F = 2170兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 75瓦CW ，我
DQ
= 750 mA时， F = 2170兆赫）
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
10
11.7
—
dB
C
RSS
—
4.2
—
pF
g
fs
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
—
2
3
—
7.2
3
3.8
0.1
—
4
5
0.6
S
VDC
VDC
VDC
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
65
—
—
—
—
—
—
1
10
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
η
30
33
—
%
IMD
—
- 30
- 27.5
dBc的
IRL
—
- 12
- 9.0
dB
G
ps
η
—
—
11.7
41
—
—
dB
%
MRF21090R3 MRF21090SR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R2
B1
VGG
+
C1
+
C2
C3
C4
R1
Z11
+
C7
C8
C9
+
C10
C11
+
C13
V DD
RF输出
Z10
RF输入
Z1
C5
C6
Z2
Z3
Z4
Z5
DUT
Z6
Z7
Z8
C12
C14
Z9
B1
C1, C13
C2, C10
C3, C9
C4, C8
C5, C12
C6
C7
C11
C14
R1
R2
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
铁氧体磁珠，公平祭＃ 2743019447
470
μF,
50 V电解电容器
22
μF,
35 V钽表面贴装芯片
电容，基美
20 nF的贴片电容， ATC ＃ 100B203MCA500X
5.1 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B5R1CCA500X
0.4 - 2.5 pF的可变电容器，约翰森Gigatrim
10 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B100JCA500X
1
MF，
35 V钽表面贴装片式电容器，
基美
1 nF的贴片电容， ATC ＃ 100B102JCA500X
8.2 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B8R2CCA500X
13
Ω,
1/4 W贴片电阻，
阁楼仪器＃ RM73B2B130JT ，
12
Ω,
1/4 W贴片电阻，
阁楼仪器＃ RM73B2B120JT
30.7 X 2.09毫米微带
5.99× 2.09毫米微带
7.55 X 9.89毫米微带
3.77 X 15.71毫米微带
6.89 X 26.17毫米微带
14.93 X 32.05毫米微带
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
WS1，WS2
10.23 X 2.09毫米微带
6.03 X 2.09毫米微带
23.98 X 2.09毫米微带
29.82 X 1.15毫米微带
17.08 X 1.15毫米微带
铍铜合金耐磨块5密耳厚
黄铜香蕉杰克和螺母
红香蕉杰克和螺母
绿了芭蕉杰克和螺母
N型插孔连接器， 3052 - 1648- 10 ，
全Specra
4 - 40头螺丝0.125 “长
4 - 40头螺丝0.188 “长
4 - 40头螺丝0.312 “长
4 - 40头螺丝0.438 “长
终板黄铜终板铜床架
床架
铜床架/散热器
插入
铜床架插入
PCB原材料
0.030 “铁氟龙玻璃
2盎司纯铜包钢
3“× 5 ”阿里昂
射频电路
3“× 5 ”铜包铁弗龙板
,
MRF21090 ， CMR
图1. MRF21090R3 （ SR3 ）测试电路原理图
C7 C8
门
BIAS
饲料
C3 C4
C1
C2
C6
C5
C
U
T
O
U
T
B1
漏
BIAS
饲料
R1
R2
C9
C11
C10
C13
C14
C12
MRF21090
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔
半导体签名/标志。多氯联苯可能有在任摩托罗拉，飞思卡尔标记
过渡期。这些变化将会对外形，装配或当前产品的功能没有任何影响。
图2. MRF21090R3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRF21090R3 MRF21090SR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
典型性能（飞思卡尔测试夹具）
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝
60
IRL
5
10
15
η
V
DD
= 28伏直流
P
OUT
= 90 W（ PEP ）
I
DQ
= 750毫安
双色测量
100 kHz音调间距
20
25
30
IMD
0
35
2080
2100
2120
2140
2160
男，频率（MHz）
2180
2200
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
30
V
DD
= 28伏直流
I
DQ
=千毫安
F = 2140 MHz的
信道间隔（信道带宽） ：
4.096兆赫（ 5兆赫）
ACPR
15
G
ps
η
0
5.0
10
15
20
50
20
相邻信道功率比（dB ）
IMD ，互调失真（ DBC）
50
25
30
40
30
20
40
20
G
ps
10
10
5
60
70
P
OUT
，输出功率（瓦）的魅力。
图3. AB类宽带线路
性能
图4. CDMA ACPR ，功率增益和漏极
效率与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 28伏直流
F = 2140 MHz的
-30双色测量
100 kHz音调间距
35
40
45
50
55
IMD ，互调失真（ DBC）
25
20
30
40
50
60
70
80
V
DD
= 28伏直流
I
DQ
= 750毫安
F = 2140 MHz的
双色测量
100 kHz音调间距
500毫安
2000毫安
1500毫安
3阶
五阶
7阶
800毫安
千毫安
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
图5.互调失真与
输出功率
图6.互调失真产品
与输出功率
15
V
DD
= 28伏直流
F = 2140 MHz的
双色测量
100 kHz音调间距
11.8
11.6
PS ，功率增益（分贝）
11.4
11.2
11.0
10.8
500毫安
IMD
100
10.6
20
22
24
26
28
30
V
DS
，漏极电压（伏）
32
34
P
OUT
= 90 W（ PEP ）
I
DQ
= 750毫安
F = 2140 MHz的
双色测量
100 kHz音调间距
夹具调整了28伏
22
24
26
28
30
32
34
14
PS ，功率增益（分贝）
2000毫安
1500毫安
13
12
千毫安
800毫安
G
ps
11
10
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图7.功率增益与输出功率
MRF21090R3 MRF21090SR3
4
图8.功率增益和互调
失真与电源电压
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
通过MRF21090 / D
射频亚 - 美光MOSFET线
射频功率场效应晶体管
专为W-CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。
典型W - 为2140兆赫， 28伏CDMA性能
4.096 MHz带宽@ 5 MHz偏移， 1 PERCH 15 DTCH ：
输出功率 - 11.5瓦
效率 - 16 ％
增益 - 12.2分贝
ACPR - - 45 dBc的
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2110兆赫， 90瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF21090R3
MRF21090SR3
2170兆赫， 90 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF21090R3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF21090SR3
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
+15, - 0.5
270
1.54
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.65
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 6
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
欲了解更多有关该产品，
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MRF21090R3 MRF21090SR3
1
飞思卡尔半导体公司
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
MRF21090R3
MRF21090SR3
MRF21090R3
MRF21090SR3
类
2 （最小）
1 （最低）
M3 （最低）
M4 （最低）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100
μAdc ）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
65
—
—
—
—
—
—
1
10
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 V，I
D
= 300
A)
门静态电压
(V
DS
= 28 V，I
D
= 750 mA）的
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 V，I
D
= 1 A)
动态特性
反向传输电容（ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90瓦PEP ，我
DQ
= 750 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90瓦PEP ，我
DQ
= 750 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90瓦PEP ，我
DQ
= 750 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90瓦PEP ，我
DQ
= 750 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 75瓦CW ，我
DQ
= 750 mA时， F = 2170兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 75瓦CW ，我
DQ
= 750 mA时， F = 2170兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90瓦CW，我
DQ
= 750 mA时， F = 2110兆赫，
驻波比= 10 ：1，所有的相角在测试的频率）
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
g
fs
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
—
2
3
—
7.2
3
3.8
0.1
—
4
5
0.6
S
VDC
VDC
VDC
C
RSS
—
4.2
—
pF
G
ps
10
11.7
—
dB
η
30
33
—
%
IMD
—
- 30
- 27.5
dBc的
IRL
—
- 12
- 9.0
dB
G
ps
η
Ψ
—
—
11.7
41
—
—
dB
%
在输出功率不降低
试验前后
MRF21090R3 MRF21090SR3
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R2
B1
VGG
+
C1
+
C2
C3
C4
R1
Z11
+
C7
C8
C9
+
C10
C11
+
C13
V DD
RF输出
Z10
RF输入
Z1
C5
C6
Z2
Z3
Z4
Z5
DUT
Z6
Z7
Z8
C12
C14
Z9
飞思卡尔半导体公司...
B1
C1, C13
C2, C10
C3, C9
C4, C8
C5, C12
C6
C7
C11
C14
R1
R2
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
铁氧体磁珠，公平祭＃ 2743019447
470
F,
50 V电解电容器
22
F,
35 V钽表面贴装芯片
电容，基美
20 nF的贴片电容， ATC ＃ 100B203MCA500X
5.1 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B5R1CCA500X
0.4 - 2.5 pF的可变电容器，约翰森Gigatrim
10 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B100JCA500X
1
MF，
35 V钽表面贴装片式电容器，
基美
1 nF的贴片电容， ATC ＃ 100B102JCA500X
8.2 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B8R2CCA500X
13
,
1/4 W贴片电阻，
阁楼仪器＃ RM73B2B130JT ，
12
,
1/4 W贴片电阻，
阁楼仪器＃ RM73B2B120JT
30.7 X 2.09毫米微带
5.99× 2.09毫米微带
7.55 X 9.89毫米微带
3.77 X 15.71毫米微带
6.89 X 26.17毫米微带
14.93 X 32.05毫米微带
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
WS1，WS2
10.23 X 2.09毫米微带
6.03 X 2.09毫米微带
23.98 X 2.09毫米微带
29.82 X 1.15毫米微带
17.08 X 1.15毫米微带
铍铜合金耐磨块5密耳厚
黄铜香蕉杰克和螺母
红香蕉杰克和螺母
绿了芭蕉杰克和螺母
N型插孔连接器， 3052 - 1648至10年，
全Specra
4 - 40头螺丝0.125 “长
4 - 40头螺丝0.188 “长
4 - 40头螺丝0.312 “长
4 - 40头螺丝0.438 “长
终板黄铜终板铜床架
床架
铜床架/散热器
插入
铜床架插入
PCB原材料
0.030 “铁氟龙玻璃
2盎司纯铜包钢
3“× 5 ”阿里昂
射频电路
3“× 5 ”铜包铁弗龙板
,
MRF21090 ， CMR
图1. MRF21090R3 （ SR3 ）测试电路原理图
C7 C8
门
BIAS
饲料
C3 C4
C1
C2
C6
C5
C
U
T
O
U
T
B1
漏
BIAS
饲料
R1
R2
C9
C11
C10
C13
C14
C12
MRF21090
图2. MRF21090R3 （ SR3 ）测试电路元件布局
摩托罗拉RF设备数据
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MRF21090R3 MRF21090SR3
3
飞思卡尔半导体公司
典型性能（摩托罗拉测试夹具）
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
60
50
IRL
5
10
15
η
V
DD
= 28伏直流
P
OUT
= 90 W（ PEP ）
I
DQ
= 750毫安
双色测量
100 kHz音调间距
20
25
30
IMD
0
35
2080
2100
2120
2140
2160
男，频率（MHz）
2180
2200
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
30
V
DD
= 28伏直流
I
DQ
=千毫安
F = 2140 MHz的
信道间隔（信道带宽） ：
4.096兆赫（ 5兆赫）
ACPR
15
G
ps
η
0
5.0
10
15
P
OUT
，输出功率（瓦）的魅力。
20
50
20
相邻信道功率比（dB ）
IMD ，互调失真（ DBC）
25
30
40
30
20
G
ps
10
20
40
10
5
60
70
飞思卡尔半导体公司...
图3. AB类宽带线路
性能
图4. CDMA ACPR ，功率增益和漏极
效率与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 28伏直流
F = 2140 MHz的
-30双色测量
100 kHz音调间距
35
IMD ，互调失真（ DBC）
25
20
30
40
50
60
70
80
V
DD
= 28伏直流
I
DQ
= 750毫安
F = 2140 MHz的
双色测量
100 kHz音调间距
500毫安
2000毫安
1500毫安
3阶
五阶
7阶
40
45
50
55
800毫安
千毫安
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
图5.互调失真与
输出功率
图6.互调失真产品
与输出功率
15
V
DD
= 28伏直流
F = 2140 MHz的
双色测量
100 kHz音调间距
11.8
11.6
PS ，功率增益（分贝）
11.4
11.2
11.0
10.8
500毫安
IMD
100
10.6
20
22
24
26
28
30
V
DS
，漏极电压（伏）
32
34
P
OUT
= 90 W（ PEP ）
I
DQ
= 750毫安
F = 2140 MHz的
双色测量
100 kHz音调间距
夹具调整了28伏
22
24
26
28
30
32
34
14
PS ，功率增益（分贝）
2000毫安
1500毫安
13
12
千毫安
800毫安
G
ps
11
10
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图7.功率增益与输出功率
图8.功率增益和互调
失真与电源电压
摩托罗拉RF设备数据
MRF21090R3 MRF21090SR3
4
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摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
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通过MRF21090 / D
射频亚 - 美光MOSFET线
射频功率场效应晶体管
专为W-CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。
典型W - 为2140兆赫， 28伏CDMA性能
4.096 MHz带宽@ 5 MHz偏移， 1 PERCH 15 DTCH ：
输出功率 - 11.5瓦
效率 - 16 ％
增益 - 12.2分贝
ACPR - - 45 dBc的
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2110兆赫， 90瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF21090R3
MRF21090SR3
2170兆赫， 90 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF21090R3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF21090SR3
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
+15, - 0.5
270
1.54
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.65
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 6
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
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MRF21090R3 MRF21090SR3
1
飞思卡尔半导体公司
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
MRF21090R3
MRF21090SR3
MRF21090R3
MRF21090SR3
类
2 （最小）
1 （最低）
M3 （最低）
M4 （最低）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100
μAdc ）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
65
—
—
—
—
—
—
1
10
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
基本特征
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 V，I
D
= 300
A)
门静态电压
(V
DS
= 28 V，I
D
= 750 mA）的
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 V，I
D
= 1 A)
动态特性
反向传输电容（ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90瓦PEP ，我
DQ
= 750 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90瓦PEP ，我
DQ
= 750 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90瓦PEP ，我
DQ
= 750 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90瓦PEP ，我
DQ
= 750 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 75瓦CW ，我
DQ
= 750 mA时， F = 2170兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 75瓦CW ，我
DQ
= 750 mA时， F = 2170兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 90瓦CW，我
DQ
= 750 mA时， F = 2110兆赫，
驻波比= 10 ：1，所有的相角在测试的频率）
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
g
fs
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
—
2
3
—
7.2
3
3.8
0.1
—
4
5
0.6
S
VDC
VDC
VDC
C
RSS
—
4.2
—
pF
G
ps
10
11.7
—
dB
η
30
33
—
%
IMD
—
- 30
- 27.5
dBc的
IRL
—
- 12
- 9.0
dB
G
ps
η
Ψ
—
—
11.7
41
—
—
dB
%
在输出功率不降低
试验前后
MRF21090R3 MRF21090SR3
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R2
B1
VGG
+
C1
+
C2
C3
C4
R1
Z11
+
C7
C8
C9
+
C10
C11
+
C13
V DD
RF输出
Z10
RF输入
Z1
C5
C6
Z2
Z3
Z4
Z5
DUT
Z6
Z7
Z8
C12
C14
Z9
飞思卡尔半导体公司...
B1
C1, C13
C2, C10
C3, C9
C4, C8
C5, C12
C6
C7
C11
C14
R1
R2
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
铁氧体磁珠，公平祭＃ 2743019447
470
F,
50 V电解电容器
22
F,
35 V钽表面贴装芯片
电容，基美
20 nF的贴片电容， ATC ＃ 100B203MCA500X
5.1 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B5R1CCA500X
0.4 - 2.5 pF的可变电容器，约翰森Gigatrim
10 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B100JCA500X
1
MF，
35 V钽表面贴装片式电容器，
基美
1 nF的贴片电容， ATC ＃ 100B102JCA500X
8.2 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B8R2CCA500X
13
,
1/4 W贴片电阻，
阁楼仪器＃ RM73B2B130JT ，
12
,
1/4 W贴片电阻，
阁楼仪器＃ RM73B2B120JT
30.7 X 2.09毫米微带
5.99× 2.09毫米微带
7.55 X 9.89毫米微带
3.77 X 15.71毫米微带
6.89 X 26.17毫米微带
14.93 X 32.05毫米微带
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
WS1，WS2
10.23 X 2.09毫米微带
6.03 X 2.09毫米微带
23.98 X 2.09毫米微带
29.82 X 1.15毫米微带
17.08 X 1.15毫米微带
铍铜合金耐磨块5密耳厚
黄铜香蕉杰克和螺母
红香蕉杰克和螺母
绿了芭蕉杰克和螺母
N型插孔连接器， 3052 - 1648至10年，
全Specra
4 - 40头螺丝0.125 “长
4 - 40头螺丝0.188 “长
4 - 40头螺丝0.312 “长
4 - 40头螺丝0.438 “长
终板黄铜终板铜床架
床架
铜床架/散热器
插入
铜床架插入
PCB原材料
0.030 “铁氟龙玻璃
2盎司纯铜包钢
3“× 5 ”阿里昂
射频电路
3“× 5 ”铜包铁弗龙板
,
MRF21090 ， CMR
图1. MRF21090R3 （ SR3 ）测试电路原理图
C7 C8
门
BIAS
饲料
C3 C4
C1
C2
C6
C5
C
U
T
O
U
T
B1
漏
BIAS
饲料
R1
R2
C9
C11
C10
C13
C14
C12
MRF21090
图2. MRF21090R3 （ SR3 ）测试电路元件布局
摩托罗拉RF设备数据
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MRF21090R3 MRF21090SR3
3
飞思卡尔半导体公司
典型性能（摩托罗拉测试夹具）
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
60
50
IRL
5
10
15
η
V
DD
= 28伏直流
P
OUT
= 90 W（ PEP ）
I
DQ
= 750毫安
双色测量
100 kHz音调间距
20
25
30
IMD
0
35
2080
2100
2120
2140
2160
男，频率（MHz）
2180
2200
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
30
V
DD
= 28伏直流
I
DQ
=千毫安
F = 2140 MHz的
信道间隔（信道带宽） ：
4.096兆赫（ 5兆赫）
ACPR
15
G
ps
η
0
5.0
10
15
P
OUT
，输出功率（瓦）的魅力。
20
50
20
相邻信道功率比（dB ）
IMD ，互调失真（ DBC）
25
30
40
30
20
G
ps
10
20
40
10
5
60
70
飞思卡尔半导体公司...
图3. AB类宽带线路
性能
图4. CDMA ACPR ，功率增益和漏极
效率与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 28伏直流
F = 2140 MHz的
-30双色测量
100 kHz音调间距
35
IMD ，互调失真（ DBC）
25
20
30
40
50
60
70
80
V
DD
= 28伏直流
I
DQ
= 750毫安
F = 2140 MHz的
双色测量
100 kHz音调间距
500毫安
2000毫安
1500毫安
3阶
五阶
7阶
40
45
50
55
800毫安
千毫安
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
图5.互调失真与
输出功率
图6.互调失真产品
与输出功率
15
V
DD
= 28伏直流
F = 2140 MHz的
双色测量
100 kHz音调间距
11.8
11.6
PS ，功率增益（分贝）
11.4
11.2
11.0
10.8
500毫安
IMD
100
10.6
20
22
24
26
28
30
V
DS
，漏极电压（伏）
32
34
P
OUT
= 90 W（ PEP ）
I
DQ
= 750毫安
F = 2140 MHz的
双色测量
100 kHz音调间距
夹具调整了28伏
22
24
26
28
30
32
34
14
PS ，功率增益（分贝）
2000毫安
1500毫安
13
12
千毫安
800毫安
G
ps
11
10
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图7.功率增益与输出功率
图8.功率增益和互调
失真与电源电压
摩托罗拉RF设备数据
MRF21090R3 MRF21090SR3
4
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