飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF21045
启12 ， 10/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
不推荐用于新设计
2110-
-2170兆赫， 45 W， 28 V
横向N-
声道
RF功率MOSFET
CASE 465E-
-04 ，风格1
NI-
-400
MRF21045LR3
CASE 465F-
-04 ，风格1
NI-
-400S
MRF21045LSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
--0.5, +65
--0.5, +15
105
0.60
--65到150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(1)
1.65
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M2 （最低）
1.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
适用于W - CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器的应用
T I O 4 N秒。要beusedin 姑娘AB的PCN - PCS / cellularradioand WLL
应用程序。
典型2 - 载波W - 为V CDMA性能
DD
= 28伏，我
DQ
= 500毫安，
F = 2157.5 MHz的信道带宽= 3.84 MHz时，相邻通道
在F1 --5 MHz和F2 5兆赫测过3.84 MHz的带宽，
失真测量超过3.84 MHz的带宽，在F1 --10兆赫
和f2 10兆赫，峰值/平均。 = 8.3分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
输出功率 - 10瓦的魅力。
效率 - 23.5 ％
增益 - 15分贝
IM3 - --37.5 dBc的
ACPR - --41 dBc的
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 45瓦CW
输出功率
特点
内部匹配的易用性
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度对信息， 40μ “名义。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每32毫米， 13英寸卷筒。
MRF21045LR3
MRF21045LSR3
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100
μAdc ）
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
不推荐用于新设计
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征（ DC ）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 500 MADC ）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
3
—
—
—
3.9
0.19
3
4
5
0.21
—
VDC
VDC
VDC
S
C
RSS
—
1.8
—
pF
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统） 2 - 载波W - CDMA 。峰值/平均。 = 8.3分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫; IM3测过3.84兆赫
带宽F1 --10 MHz和F2 10兆赫）。
相邻通道功率比
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫; ACPR测量在3.84兆赫
带宽F1 --5 MHz和F2 5兆赫）。
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫）
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
（续）
G
ps
13.5
15
—
dB
η
21
23.5
—
%
IM3
—
--37.5
--35
dBc的
ACPR
—
--41
--38
dBc的
IRL
—
--12
--9
dB
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统） - 续
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
G
ps
—
14.9
—
dB
符号
民
典型值
最大
单位
不推荐用于新设计
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
两个 - 音频输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
P
OUT
， 1 dB压缩点
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 500 mA时， F = 2170兆赫）
η
—
36
—
%
IMD
—
--30
—
dBc的
IRL
—
--12
—
dB
P1dB
—
50
—
W
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
不推荐用于新设计
V
BIAS
R1
+
R2
C5
C4
C3
R3
B1
+
C2
C7
C8
R4
V
供应
L1
C9
C10
+
C11
不推荐用于新设计
Z5
RF
输入
Z10
RF
产量
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
DUT
Z6
Z7
Z8
C6
Z9
Z1, Z9
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z10
0.750 “× 0.084 ”输电线路
0.160 “× 0.084 ”输电线路
1.195 “× 0.176 ”输电线路
0.125 “× 0.320 ”输电线路
1.100 “× 0.045 ”输电线路
0.442 “× 0.650 ”输电线路
0.490 “× 0.140 ”输电线路
0.540 “× 0.084 ”输电线路
0.825 “× 0.055 ”输电线路
板
PCB
0.030 “铁氟龙玻璃
,
基恩GX - 0300--55--22 ，
ε
r
= 2.55
蚀刻电路板
MRF21045第3版， CMR
图1. MRF21045LR3 （ SR3 ）测试电路原理图
表5. MRF21045LR3 （ SR3 ）组件牌号和值
代号
B1
C1, C2, C6
C7
C3, C9
C4, C10
C5
C8
C11
L1
N1, N2
R1
R2
R3, R4
描述
短铁氧体磁珠，公平仪式， ＃ 2743019447
43 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B430JCA500X
5.6 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B5R6JCA500X
1000 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B102JCA500X
0.1μF贴片电容，基美＃ CDR33BX104AKWS
1.0 ？F的钽贴片电容，基美＃ T491C105M050
10架F钽贴片电容，基美＃ T495X106K035AS4394
22女性钽贴片电容，基美＃ T491X226K035AS4394
1打开， ＃ 20 AWG ， 0.100 “ ID
N型法兰支架，全方位光谱＃ 3052--1648--10
1.0 K， 1/8 W码片电阻
180 K， 1/8 W码片电阻
10 ， 1/8 W贴片电阻
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
不推荐用于新设计
C8
C7
R1
B1 R3
C2
L1
C10 R4
C9
R2
C5
C4 C3
不推荐用于新设计
C1
WB1
WB2
C6
MRF21045
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MRF21045LR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
不推荐用于新设计
C11
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF21045
牧师11 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为W-CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器的应用
T I O 4 N秒。要beusedin 姑娘AB的PCN - PCS / cellularradioand WLL
应用程序。
为V（典型） 2载波W- CDMA性能
DD
= 28伏，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的信道带宽= 3.84 MHz时，
相邻信道测得超过3.84 MHz的带宽，在F1 - 5兆赫
和f2 5兆赫，失真测量的产品在一个3.84MHz的带宽
在F1 - 10 MHz和F2 10兆赫，峰值/平均。 = 8.3分贝@ 0.01 ％概率
在CCDF 。
输出功率 - 10瓦的魅力。
效率 - 23.5 ％
增益 - 15分贝
IM3 - - 37.5 dBc的
ACPR - - 41 dBc的
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 45瓦CW
输出功率
特点
内部匹配的易用性
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度对信息， 40μ “名义。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每32毫米， 13英寸卷筒。
MRF21045LR3
MRF21045LSR3
2110年至2170年兆赫， 45 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465E - 04 ，风格1
NI - 400
MRF21045LR3
CASE 465F - 04 ，风格1
NI - 400S
MRF21045LSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
105
0.60
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(1)
1.65
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M2 （最低）
1.参考AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征（ DC ）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 500 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性
(1)
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫; IM3
测过3.84 MHz带宽时为f1 - 10兆赫和f2 10 MHz）的
相邻通道功率比
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫; ACPR
测过3.84 MHz的带宽，在F1 - 5 MHz和F2 5兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫）
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
（续）
C
RSS
—
1.8
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
3
—
—
—
3.9
0.19
3
4
5
0.21
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统） 2 - 载波W - CDMA 。峰值/平均。 = 8.3分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。
G
ps
13.5
15
—
dB
η
21
23.5
—
%
IM3
—
- 37.5
- 35
dBc的
ACPR
—
- 41
- 38
dBc的
IRL
—
- 12
-9
dB
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
（续）
特征
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统） - 续
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
两个 - 音频输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
P
OUT
， 1 dB压缩点
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 500 mA时， F = 2170兆赫）
G
ps
—
14.9
—
dB
符号
民
典型值
最大
单位
η
—
36
—
%
IMD
—
- 30
—
dBc的
IRL
—
- 12
—
dB
P1dB
—
50
—
W
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
V
BIAS
R1
+
R2
C5
C4
C3
R3
B1
+
C2
C7
C8
R4
V
供应
+
C9
C10
C11
L1
Z5
RF
输入
Z10
RF
产量
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
DUT
Z6
Z7
Z8
C6
Z9
Z1, Z9
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z10
0.750 “× 0.084 ”输电线路
0.160 “× 0.084 ”输电线路
1.195 “× 0.176 ”输电线路
0.125 “× 0.320 ”输电线路
1.100 “× 0.045 ”输电线路
0.442 “× 0.650 ”输电线路
0.490 “× 0.140 ”输电线路
0.540 “× 0.084 ”输电线路
0.825 “× 0.055 ”输电线路
板
PCB
0.030 “铁氟龙玻璃
,
基恩GX - 0300- 55- 22 ，
ε
r
= 2.55
蚀刻电路板
MRF21045第3版， CMR
图1. MRF21045LR3 （ SR3 ）测试电路原理图
表5. MRF21045LR3 （ SR3 ）组件牌号和值
代号
B1
C1, C2, C6
C7
C3, C9
C4, C10
C5
C8
C11
L1
N1, N2
R1
R2
R3, R4
描述
短铁氧体磁珠，公平仪式， ＃ 2743019447
43 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B430JCA500X
5.6 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B5R6JCA500X
1000 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B102JCA500X
0.1
mF
贴片电容，基美＃ CDR33BX104AKWS
1.0
mF
片式钽电容，基美＃ T491C105M050
10
mF
片式钽电容，基美＃ T495X106K035AS4394
22
mF
片式钽电容，基美＃ T491X226K035AS4394
1打开， ＃ 20 AWG ， 0.100 “ ID
N型法兰支架，全方位光谱＃ 3052 - 1648- 10
1.0 kΩ的1/8 W贴片电阻
180千欧， 1/8 W码片电阻
10
Ω,
1/8 W贴片电阻
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C8
C7
R1
B1 R3
C2
L1
C10 R4
C9
R2
C5
C4 C3
C11
C6
WB1
WB2
C1
MRF21045
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MRF21045LR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
通过MRF21045 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
专为W-CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器的应用
T I O 4 N秒。要beusedin 姑娘AB的PCN - PCS / cellularradioand WLL
应用程序。
为V（典型） 2载波W- CDMA性能
DD
= 28伏，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的信道带宽= 3.84 MHz时，
相邻信道测得超过3.84 MHz的带宽，在F1 - 5兆赫
和f2 5兆赫，失真测量的产品在一个3.84MHz的带宽
在F1 - 10 MHz和F2 10兆赫，峰值/平均。 = 8.3分贝@ 0.01 ％概率
在CCDF 。
输出功率 - 10瓦的魅力。
效率 - 23.5 ％
增益 - 15分贝
IM3 - - 37.5 dBc的
ACPR - - 41 dBc的
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2170兆赫， 45瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度对信息， 40μ “名义。
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每32毫米， 13英寸卷筒。
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF21045LR3
MRF21045LSR3
2170兆赫， 45 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 465E - 04 ，风格1
NI - 400
MRF21045LR3
CASE 465F - 04 ，风格1
NI - 400S
MRF21045LSR3
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
测试条件
人体模型
机器型号
价值
65
- 0.5, +15
105
0.60
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
ESD保护特性
类
1 （最低）
M2 （最低）
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
1.65
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
9牧师
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征（ DC ）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 500 MADC ）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
3
—
—
—
3.9
0.19
3
4
5
0.21
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性（ 1 ）
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
RSS
—
1.8
—
pF
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统） 2 - 载波W - CDMA 。峰值/平均。比= 8.3分贝@ 0.01 ％概率
在CCDF 。
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫; IM3
测过3.84 MHz带宽时为f1 - 10兆赫和f2 10 MHz）的
相邻通道功率比
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫; ACPR
测过3.84 MHz的带宽，在F1 - 5 MHz和F2 5兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦CW ，我
DQ
= 500 mA时， F = 2170 MHz的
驻波比= 5:1 ，全相位角在测试的频率）
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
13.5
15
—
dB
η
21
23.5
—
%
IM3
—
- 37.5
- 35
dBc的
ACPR
—
- 41
- 38
dBc的
IRL
—
- 12
-9
dB
Ψ
在输出功率不降低
试验前后
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
2
欲了解更多有关该产品，
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
电气特性 - 续
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
两个 - 音频输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
符号
G
ps
民
—
典型值
14.9
最大
—
单位
dB
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统） - 续
η
—
36
—
%
IMD
—
- 30
—
dBc的
IRL
—
- 12
—
dB
飞思卡尔半导体公司...
P
OUT
， 1 dB压缩点
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 500 mA时， F = 2170兆赫）
P1dB
—
50
—
W
摩托罗拉RF设备数据
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MRF21045LR3 MRF21045LSR3
3
飞思卡尔半导体公司
V
GG
R1
+
R2
C5
C4
C3
C2
C7
R3
B1
+
C8
L1
C9
C10
V
DD
+
C11
R4
Z5
RF
输入
Z10
RF
产量
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
DUT
Z6
Z7
Z8
C6
Z9
飞思卡尔半导体公司...
Z1, Z9
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z10
0.750″
0.160″
1.195″
0.125″
1.100″
0.442″
0.490″
0.540″
0.825″
X 0.084 “传输
X 0.084 “传输
X 0.176 “传输
X 0.320 “传输
X 0.045 “传输
X 0.650 “传输
X 0.140 “传输
X 0.084 “传输
X 0.055 “传输
LINE
LINE
LINE
LINE
LINE
LINE
LINE
LINE
LINE
板
PCB
0.030 “铁氟龙玻璃
,
基恩GX - 0300 - 55 - 22 ，
ε
r
= 2.55
蚀刻电路板
MRF21045第3版， CMR
图1. MRF21045LR3 （ LSR3 ）测试电路原理图
表1. MRF21045LR3 （ LSR3 ）组件牌号和值
代号
B1
C1, C2, C6
C7
C3, C9
C4, C10
C5
C8
C11
L1
N1, N2
R1
R2
R3, R4
描述
短铁氧体磁珠，公平仪式， ＃ 2743019447
43 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B430JCA500X
5.6 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B5R6JCA500X
1000 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B102JCA500X
0.1
mF
贴片电容，基美＃ CDR33BX104AKWS
1.0
mF
片式钽电容，基美＃ T491C105M050
10
mF
片式钽电容，基美＃ T495X106K035AS4394
22
mF
片式钽电容，基美＃ T491X226K035AS4394
1打开， ＃ 20 AWG ， 0.100 “ID ，摩托罗拉
N型法兰支架，全方位光谱＃ 3052 - 1648至1610年
1.0 kΩ的1/8 W贴片电阻
180千欧， 1/8 W码片电阻
10
,
1/8 W贴片电阻
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
4
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C8
C7
R1
B1 R3
C2
L1
C10 R4
C9
R2
C5
C4 C3
C11
C6
WB1
WB2
C1
MRF21045
飞思卡尔半导体公司...
图2. MRF21045LR3 （ LSR3 ）测试电路元件布局
摩托罗拉RF设备数据
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MRF21045LR3 MRF21045LSR3
5
摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
通过MRF21045 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
专为W-CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器的应用
T I O 4 N秒。要beusedin 姑娘AB的PCN - PCS / cellularradioand WLL
应用程序。
为V（典型） 2载波W- CDMA性能
DD
= 28伏，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2135兆赫， F2 = 2145 MHz的信道带宽= 3.84 MHz时，
相邻信道测得超过3.84 MHz的带宽，在F1 - 5兆赫
和f2 5兆赫，失真测量的产品在一个3.84MHz的带宽
在F1 - 10 MHz和F2 10兆赫，峰值/平均。 = 8.3分贝@ 0.01 ％概率
在CCDF 。
输出功率 - 10瓦的魅力。
效率 - 23.5 ％
增益 - 15分贝
IM3 - - 37.5 dBc的
ACPR - - 41 dBc的
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2170兆赫， 45瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度对信息， 40μ “名义。
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每32毫米， 13英寸卷筒。
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF21045LR3
MRF21045LSR3
2170兆赫， 45 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 465E - 04 ，风格1
NI - 400
MRF21045LR3
CASE 465F - 04 ，风格1
NI - 400S
MRF21045LSR3
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
测试条件
人体模型
机器型号
价值
65
- 0.5, +15
105
0.60
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
ESD保护特性
类
1 （最低）
M2 （最低）
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
1.65
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
9牧师
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
欲了解更多有关该产品，
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MRF21045LR3 MRF21045LSR3
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征（ DC ）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 500 MADC ）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
3
—
—
—
3.9
0.19
3
4
5
0.21
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性（ 1 ）
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
C
RSS
—
1.8
—
pF
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统） 2 - 载波W - CDMA 。峰值/平均。比= 8.3分贝@ 0.01 ％概率
在CCDF 。
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫; IM3
测过3.84 MHz带宽时为f1 - 10兆赫和f2 10 MHz）的
相邻通道功率比
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫; ACPR
测过3.84 MHz的带宽，在F1 - 5 MHz和F2 5兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦的魅力。我
DQ
= 500 mA时， F1 = 2112.5兆赫，
F2 = 2122.5 MHz和F1 = 2157.5兆赫， F2 = 2167.5兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦CW ，我
DQ
= 500 mA时， F = 2170 MHz的
驻波比= 5:1 ，全相位角在测试的频率）
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
13.5
15
—
dB
η
21
23.5
—
%
IM3
—
- 37.5
- 35
dBc的
ACPR
—
- 41
- 38
dBc的
IRL
—
- 12
-9
dB
Ψ
在输出功率不降低
试验前后
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
电气特性 - 续
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
两个 - 音频输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 45瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2120 MHz和F1 = 2160兆赫， F2 = 2170兆赫）
符号
G
ps
民
—
典型值
14.9
最大
—
单位
dB
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统） - 续
η
—
36
—
%
IMD
—
- 30
—
dBc的
IRL
—
- 12
—
dB
飞思卡尔半导体公司...
P
OUT
， 1 dB压缩点
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 500 mA时， F = 2170兆赫）
P1dB
—
50
—
W
摩托罗拉RF设备数据
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MRF21045LR3 MRF21045LSR3
3
飞思卡尔半导体公司
V
GG
R1
+
R2
C5
C4
C3
C2
C7
R3
B1
+
C8
L1
C9
C10
V
DD
+
C11
R4
Z5
RF
输入
Z10
RF
产量
Z1
C1
Z2
Z3
Z4
DUT
Z6
Z7
Z8
C6
Z9
飞思卡尔半导体公司...
Z1, Z9
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z10
0.750″
0.160″
1.195″
0.125″
1.100″
0.442″
0.490″
0.540″
0.825″
X 0.084 “传输
X 0.084 “传输
X 0.176 “传输
X 0.320 “传输
X 0.045 “传输
X 0.650 “传输
X 0.140 “传输
X 0.084 “传输
X 0.055 “传输
LINE
LINE
LINE
LINE
LINE
LINE
LINE
LINE
LINE
板
PCB
0.030 “铁氟龙玻璃
,
基恩GX - 0300 - 55 - 22 ，
ε
r
= 2.55
蚀刻电路板
MRF21045第3版， CMR
图1. MRF21045LR3 （ LSR3 ）测试电路原理图
表1. MRF21045LR3 （ LSR3 ）组件牌号和值
代号
B1
C1, C2, C6
C7
C3, C9
C4, C10
C5
C8
C11
L1
N1, N2
R1
R2
R3, R4
描述
短铁氧体磁珠，公平仪式， ＃ 2743019447
43 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B430JCA500X
5.6 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B5R6JCA500X
1000 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B102JCA500X
0.1
mF
贴片电容，基美＃ CDR33BX104AKWS
1.0
mF
片式钽电容，基美＃ T491C105M050
10
mF
片式钽电容，基美＃ T495X106K035AS4394
22
mF
片式钽电容，基美＃ T491X226K035AS4394
1打开， ＃ 20 AWG ， 0.100 “ID ，摩托罗拉
N型法兰支架，全方位光谱＃ 3052 - 1648至1610年
1.0 kΩ的1/8 W贴片电阻
180千欧， 1/8 W码片电阻
10
,
1/8 W贴片电阻
MRF21045LR3 MRF21045LSR3
4
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转到： www.freescale.com
摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
C8
C7
R1
B1 R3
C2
L1
C10 R4
C9
R2
C5
C4 C3
C11
C6
WB1
WB2
C1
MRF21045
飞思卡尔半导体公司...
图2. MRF21045LR3 （ LSR3 ）测试电路元件布局
摩托罗拉RF设备数据
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MRF21045LR3 MRF21045LSR3
5
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