飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF21030
启12 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为PCN和PCS基站应用与频率
2000年至2200年兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
宽带CDMA性能： - 45分贝ACPR @ 4.096兆赫， 28伏
输出功率 - 3.5瓦
功率增益 - 14分贝
效率 - 15 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2110兆赫， 30瓦CW
输出功率
特点
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度对信息， 40μ “名义。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每32毫米， 13英寸卷筒。
MRF21030LR3
MRF21030LSR3
2200兆赫， 30 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465E - 04 ，风格1
NI - 400
MRF21030LR3
CASE 465F - 04 ，风格1
NI - 400S
MRF21030LSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
83.3
0.48
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
2.1
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF21030LR3 MRF21030LSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 20
μA)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 250 mA）的
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性
输入电容（包括封装的输入匹配电容）
(1)
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
输出电容
(1)
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
—
13
—
dB
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
98.5
37
1.3
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2
—
—
3
3.3
0.29
2
4
4.5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
1
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
η
—
33
—
%
IMD
—
- 30
—
dBc的
IRL
—
- 13
—
dB
G
ps
12
13
—
dB
η
31
33
—
%
IMD
—
- 30
- 27.5
dBc的
IRL
—
- 13
-9
dB
MRF21030LR3 MRF21030LSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
C6
C5
B1
B2
V
供应
+
C12
C13
R1
+
C4
C8
C10
C11
R2
L1
RF
输入
L2
RF
产量
Z1
Z2
Z3
C2
C1
Z4
Z5
Z6
DUT
Z7
Z8
Z9
C9
Z10
C3
C7
B1, B2
C1
C2
C3
C4
C5, C12
C6, C13
C7, C8
C9
C10
C11
L1, L2
R1, R2
短铁氧体磁珠
1 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
3.9 pF的贴片电容
0.1
μF
贴片电容
470
μF,
63 V电解贴片电容
0.3 pF的贴片电容
3.6 pF的贴片电容
22
μF
片式钽电容器
5.1 pF的贴片电容
12.5 nH的电感器
12
Ω
贴片电阻（ 1206 ）
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
PCB
0.153 “× 0.087 ”微带
0.509 “× 0.156 ”微带
0.572 “× 0.087 ”微带
0.509 “× 0.232 ”微带
0.277 “× 0.143 ”微带
0.200 “× 0.305 ”微带
0.200 “× 0.511 ”微带
0.510 “× 0.328 ”微带
0.608 “× 0.081 ”微带
Taconic的TLX8 ， 30密耳，
ε
r
= 2.55
图1. MRF21030LR3 （ SR3 ）测试电路原理图
C13
+
V BIAS
C6
C5
R1
B1
C4
WB1
WB2
C2
L1
C10
C8
L2
C7
切出区
R2
B2
C12
C11
+
V供电
C9
C1
C3
地
地
MRF21030
REV 1
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MRF21030LR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRF21030LR3 MRF21030LSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
典型特征
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
60
50
IRL
40
30
20
10
IMD
0
2080
2100
2120
2140
2160
男，频率（MHz）
2180
35
2200
η
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30 W（ PEP ） ，我
DQ
= 250毫安
双色测量， 100 kHz音调间距
G
ps
15
20
25
30
5
10
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
30
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
信道间隔（信道带宽） ：
4.096兆赫（ 5兆赫）
20
相邻信道功率比（dB ）
IMD ，互调失真（ DBC）
25
30
20
ACPR
40
15
η
G
ps
50
10
60
5
0
1
3
2
4
5
P
OUT
输出功率（瓦平均） CDMA
6
70
图3. AB类宽带电路性能
图4. CDMA ACPR ，功率增益和
漏极效率与输出功率
25
IMD ，互调失真（ DBC）
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 28伏， F = 2140 MHz的
双色测量，
30
100 kHz音调间距
35
40
45
50
55
1.0
200毫安
250毫安
400毫安
300毫安
350毫安
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
20
30
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
双色测量，
100 kHz音调间距
3阶
40
7阶
五阶
50
60
70
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
图5.互调失真
与输出功率
图6.互调失真产品
与输出功率
16
15
22
24
PS ，功率增益（分贝）
15
PS ，功率增益（分贝）
400毫安
350毫安
300毫安
250毫安
200毫安
V
DD
= 28伏， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
13
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
14.5
G
ps
14
IMD
26
28
30
32
14
13.5
P
OUT
= 30 W（ PEP ）
I
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
22
24
26
28
30
32
34
36
38
34
13
20
V
DD
，漏极电压（伏）
图7.功率增益与输出功率
图8.功率增益和
互调失真与电源电压
MRF21030LR3 MRF21030LSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
通过MRF21030 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
专为PCN和PCS基站应用与频率
2.0至2.2千兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
宽带CDMA性能： - 45分贝ACPR @ 4.096兆赫， 28伏
输出功率 - 3.5瓦
功率增益 - 14分贝
效率 - 15 ％
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 2.11千兆赫， 30瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度对信息， 40μ “名义。
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每32毫米， 13英寸卷筒。
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF21030LR3
MRF21030LSR3
2.2千兆赫， 30 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 465E - 04 ，风格1
NI - 400
MRF21030LR3
CASE 465F - 04 ，风格1
NI - 400S
MRF21030LSR3
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
测试条件
人体模型
机器型号
价值
65
- 0.5, +15
83.3
0.48
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
ESD保护特性
类
2 （最小）
M3 （最低）
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
2.1
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
启示录10
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
MRF21030LR3 MRF21030LSR3
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 20
A)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 250 mA）的
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2
—
—
3
3.3
0.29
2
4
4.5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
1
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性
输入电容（包括输入匹配电容的封装） （ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
输出电容（ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦CW ，我
DQ
= 250毫安，
F = 2110兆赫， VSWR = 10 ： 1 ，所有相位角在测试的频率）
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
98.5
37
1.3
—
—
—
pF
pF
pF
G
ps
—
13
—
dB
η
—
33
—
%
IMD
—
- 30
—
dBc的
IRL
—
- 13
—
dB
G
ps
12
13
—
dB
η
31
33
—
%
IMD
—
- 30
- 27.5
dBc的
IRL
—
- 13
-9
dB
Ψ
在输出功率不降低
试验前后
MRF21030LR3 MRF21030LSR3
2
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
+
C6
C5
B1
B2
V
DD
+
C12
C13
R1
+
C4
C8
C10
C11
R2
L1
RF
输入
L2
RF
产量
Z1
Z2
Z3
C2
C1
Z4
Z5
Z6
DUT
Z7
Z8
Z9
C9
Z10
C3
C7
飞思卡尔半导体公司...
B1, B2
C1
C2
C3
C4
C5, C12
C6, C13
C7, C8
C9
C10
C11
L1, L2
R1, R2
短铁氧体磁珠
1 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
3.9 pF的贴片电容
0.1
F
贴片电容
470
F,
63 V电解贴片电容
0.3 pF的贴片电容
3.6 pF的贴片电容
22
F
片式钽电容器
5.1 pF的贴片电容
12.5 nH的电感器
12
贴片电阻（ 1206 ）
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
PCB
0.153 “× 0.087 ”微带
0.509 “× 0.156 ”微带
0.572 “× 0.087 ”微带
0.509 “× 0.232 ”微带
0.277 “× 0.143 ”微带
0.200 “× 0.305 ”微带
0.200 “× 0.511 ”微带
0.510 “× 0.328 ”微带
0.608 “× 0.081 ”微带
Taconic的TLX8 ， 30密耳，
ε
r
= 2.55
图1. MRF21030LR3 （ LSR3 ）测试电路原理图
C13
+
V BIAS
C6
C5
R1
B1
C4
WB1
WB2
C2
L1
C10
C8
L2
C7
切出区
R2
B2
C12
C11
+
V供电
C9
C1
C3
地
地
MRF21030
REV 1
图2. MRF21030LR3 （ LSR3 ）测试电路元件布局
摩托罗拉RF设备数据
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MRF21030LR3 MRF21030LSR3
3
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
60
50
IRL
40
30
20
10
IMD
0
2080
2100
2120
2140
2160
男，频率（MHz）
2180
35
2200
η
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30 W（ PEP ） ，我
DQ
= 250毫安
双色测量， 100 kHz音调间距
G
ps
15
20
25
30
5
10
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
30
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
信道间隔（信道带宽） ：
4.096兆赫（ 5兆赫）
20
相邻信道功率比（dB ）
IMD ，互调失真（ DBC）
25
30
20
ACPR
40
15
η
G
ps
50
10
60
5
0
1
2
3
4
5
P
OUT
输出功率（瓦平均） CDMA
6
70
飞思卡尔半导体公司...
图3. AB类宽带电路性能
图4. CDMA ACPR ，功率增益和
漏极效率与输出功率
25
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 28伏， F = 2140 MHz的
双色测量，
30
100 kHz音调间距
35
40
45
50
55
1.0
200毫安
250毫安
400毫安
300毫安
350毫安
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
IMD ，互调失真（ DBC）
20
30
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
双色测量，
100 kHz音调间距
3阶
40
7阶
五阶
50
60
70
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
图5.互调失真
与输出功率
图6.互调失真产品
与输出功率
16
15
22
24
PS ，功率增益（分贝）
15
PS ，功率增益（分贝）
400毫安
350毫安
300毫安
250毫安
200毫安
V
DD
= 28伏， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
13
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
14.5
G
ps
14
IMD
26
28
30
32
14
13.5
P
OUT
= 30 W（ PEP ）
I
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
22
24
26
28
30
32
34
36
38
34
13
20
V
DD
，漏极电压（伏）
图7.功率增益与输出功率
图8.功率增益和
互调失真与电源电压
MRF21030LR3 MRF21030LSR3
4
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摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
通过MRF21030 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
专为PCN和PCS基站应用与频率
2.0至2.2千兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
宽带CDMA性能： - 45分贝ACPR @ 4.096兆赫， 28伏
输出功率 - 3.5瓦
功率增益 - 14分贝
效率 - 15 ％
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流电， 2.11千兆赫， 30瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度对信息， 40μ “名义。
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每32毫米， 13英寸卷筒。
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF21030LR3
MRF21030LSR3
2.2千兆赫， 30 W， 28 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 465E - 04 ，风格1
NI - 400
MRF21030LR3
CASE 465F - 04 ，风格1
NI - 400S
MRF21030LSR3
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
测试条件
人体模型
机器型号
价值
65
- 0.5, +15
83.3
0.48
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
ESD保护特性
类
2 （最小）
M3 （最低）
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
2.1
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
启示录10
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
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MRF21030LR3 MRF21030LSR3
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 20
A)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 250 mA）的
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2
—
—
3
3.3
0.29
2
4
4.5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
1
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性
输入电容（包括输入匹配电容的封装） （ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
输出电容（ 1 ）
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250毫安，
F1 = 2140.0兆赫， F2 = 2140.1兆赫）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 250 mA时， F1 = 2110.0兆赫，
F2 = 2110.1 MHz和F1 = 2170.0兆赫， F2 = 2170.1兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30瓦CW ，我
DQ
= 250毫安，
F = 2110兆赫， VSWR = 10 ： 1 ，所有相位角在测试的频率）
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
98.5
37
1.3
—
—
—
pF
pF
pF
G
ps
—
13
—
dB
η
—
33
—
%
IMD
—
- 30
—
dBc的
IRL
—
- 13
—
dB
G
ps
12
13
—
dB
η
31
33
—
%
IMD
—
- 30
- 27.5
dBc的
IRL
—
- 13
-9
dB
Ψ
在输出功率不降低
试验前后
MRF21030LR3 MRF21030LSR3
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
+
C6
C5
B1
B2
V
DD
+
C12
C13
R1
+
C4
C8
C10
C11
R2
L1
RF
输入
L2
RF
产量
Z1
Z2
Z3
C2
C1
Z4
Z5
Z6
DUT
Z7
Z8
Z9
C9
Z10
C3
C7
飞思卡尔半导体公司...
B1, B2
C1
C2
C3
C4
C5, C12
C6, C13
C7, C8
C9
C10
C11
L1, L2
R1, R2
短铁氧体磁珠
1 pF的贴片电容
4.7 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
3.9 pF的贴片电容
0.1
F
贴片电容
470
F,
63 V电解贴片电容
0.3 pF的贴片电容
3.6 pF的贴片电容
22
F
片式钽电容器
5.1 pF的贴片电容
12.5 nH的电感器
12
贴片电阻（ 1206 ）
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
PCB
0.153 “× 0.087 ”微带
0.509 “× 0.156 ”微带
0.572 “× 0.087 ”微带
0.509 “× 0.232 ”微带
0.277 “× 0.143 ”微带
0.200 “× 0.305 ”微带
0.200 “× 0.511 ”微带
0.510 “× 0.328 ”微带
0.608 “× 0.081 ”微带
Taconic的TLX8 ， 30密耳，
ε
r
= 2.55
图1. MRF21030LR3 （ LSR3 ）测试电路原理图
C13
+
V BIAS
C6
C5
R1
B1
C4
WB1
WB2
C2
L1
C10
C8
L2
C7
切出区
R2
B2
C12
C11
+
V供电
C9
C1
C3
地
地
MRF21030
REV 1
图2. MRF21030LR3 （ LSR3 ）测试电路元件布局
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MRF21030LR3 MRF21030LSR3
3
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
60
50
IRL
40
30
20
10
IMD
0
2080
2100
2120
2140
2160
男，频率（MHz）
2180
35
2200
η
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 30 W（ PEP ） ，我
DQ
= 250毫安
双色测量， 100 kHz音调间距
G
ps
15
20
25
30
5
10
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
30
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
信道间隔（信道带宽） ：
4.096兆赫（ 5兆赫）
20
相邻信道功率比（dB ）
IMD ，互调失真（ DBC）
25
30
20
ACPR
40
15
η
G
ps
50
10
60
5
0
1
2
3
4
5
P
OUT
输出功率（瓦平均） CDMA
6
70
飞思卡尔半导体公司...
图3. AB类宽带电路性能
图4. CDMA ACPR ，功率增益和
漏极效率与输出功率
25
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 28伏， F = 2140 MHz的
双色测量，
30
100 kHz音调间距
35
40
45
50
55
1.0
200毫安
250毫安
400毫安
300毫安
350毫安
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
IMD ，互调失真（ DBC）
20
30
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
双色测量，
100 kHz音调间距
3阶
40
7阶
五阶
50
60
70
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
图5.互调失真
与输出功率
图6.互调失真产品
与输出功率
16
15
22
24
PS ，功率增益（分贝）
15
PS ，功率增益（分贝）
400毫安
350毫安
300毫安
250毫安
200毫安
V
DD
= 28伏， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
13
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
14.5
G
ps
14
IMD
26
28
30
32
14
13.5
P
OUT
= 30 W（ PEP ）
I
DQ
= 250 mA时， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
22
24
26
28
30
32
34
36
38
34
13
20
V
DD
，漏极电压（伏）
图7.功率增益与输出功率
图8.功率增益和
互调失真与电源电压
MRF21030LR3 MRF21030LSR3
4
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QQ：2880707522 复制
