摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
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通过MRF21010 / D
射频MOSFET线
MRF21010LR1
射频功率场效应晶体管MRF21010LSR1
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为W-CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
典型W - CDMA性能： - 45 dBc的ACPR ， 2140兆赫， 28伏，
5 MHz偏移/ 4.096 MHz带宽， 15 DTCH
输出功率 - 2.1瓦
功率增益 - 13.5分贝
效率 - 21 ％
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR @ 28伏直流， 2170兆赫，
10瓦CW输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
在磁带和卷轴。 R1后缀=每32毫米， 13英寸卷轴500单位。
较低的镀金厚度上信息。 L结尾的表示40μ “名义。
2170兆赫， 10 W， 28 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 360B - 05 ，风格1
NI - 360
MRF21010LR1
CASE 360℃ - 05 ，风格1
NI - 360S
MRF21010LSR1
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
65
- 0.5, +15
43.75
0.25
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
热特性
最大
5.5
单位
° C / W
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M1 （最低）
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
第七版
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2003
设备数据
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MRF21010LR1 MRF21010LSR1
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
=10
A)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 V，I
D
= 50
A)
门静态电压
(V
DS
= 28 V，I
D
= 100 mA时）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2.5
2.5
—
—
3
4
0.4
0.95
4
4.5
0.5
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 A)
正向跨导
(V
DS
= 10 V，I
D
= 1 A)
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）
两个 - 音共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦PEP ，我
DQ
= 100毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦PEP ，我
DQ
= 100毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦PEP ，我
DQ
= 100毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦PEP ，我
DQ
= 100毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
输出功率， 1 dB压缩点， CW
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 2170兆赫）
通用 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦CW ，我
DQ
= 100毫安，
F = 2170兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦CW ，我
DQ
= 100毫安，
F = 2170兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦CW ，我
DQ
= 100毫安，
F = 2170兆赫， VSWR = 10 ： 1 ，所有相位角频率为
测试）
C
RSS
—
1
—
pF
G
ps
12
13.5
—
dB
η
31
35
—
%
IMD
—
- 35
- 30
dBc的
IRL
—
- 12
- 10
dB
P1dB
G
ps
—
—
11
12
—
—
W
dB
η
—
42
—
%
Ψ
在输出功率不降低
试验前后
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
+
C3
C4
C5
Z4
Z5
RF
产量
R1
R2
C6
C7
+
C8
+
C9
V
DD
RF
输入
DUT
Z1
Z2
C2
C1
Z3
Z6
Z7
C10
Z8
飞思卡尔半导体公司...
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
0.964″
0.905″
0.433″
1.068″
0.752″
x 0.087″
x 0.087″
x 0.512″
x 0.087″
x 0.087″
微带
微带
微带
微带
微带
Z6
Z7
Z8
PCB
0.453 “× 1.118 ”微带
0.921 “× 0.154 ”微带
0.925 “× 0.087 ”微带
Taconic的TLX8 - 0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF21010L测试电路原理图
表1. MRF21010L测试电路组件牌号和值
部分
C1 *
C2
C3, C9
C4, C7
C5, C6
C8
C10
N1, N2
R1
R2
（耳）
（无耳）
描述
2.2 pF的贴片电容，B案例
1.8 pF的贴片电容，B案例
0.5 pF的贴片电容，B案例
10
F,
35 V片式钽电容器
1 nF的贴片电容，B案例
5.6 pF的贴片电容，B案例
470
F,
63 V电解电容
10 pF的贴片电容，B案例
N型连接法兰底座
1.0千瓦的贴片电阻（ 0805 ）
12
W
贴片电阻（ 0805 ）
100B100GW
3052 - 1648 - 10
ATC
MACOM
值， P / N或DWG
100B2R2BW
100B1R8BW
100B0R5BW
293D106X9035D2T
100B102JW
100B5R6BW
生产厂家
ATC
ATC
ATC
斯普拉格 - 日前，Vishay
ATC
ATC
*根据设备的耳/无耳版件的一部分。
C8
VGG
C3
R1
R2
C4 C5
C6 C7
C9
VDD
RF输入
C2
C1
C10
RF输出
切除区域
MRF21010
CXM0000101
图2. MRF21010L测试电路元件布局
摩托罗拉RF设备数据
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MRF21010LR1 MRF21010LSR1
3
飞思卡尔半导体公司
VGG
V DD
地
C1
R2
R1
T1
R3
C6
T2
P1
C4 C5
R4
C2
C3
C7
R6
R5
C8
L1
L2
L3
L4
C9
L5
飞思卡尔半导体公司...
C10
MRF21010
CXM9900101
图3. MRF21010L演示板组件布局
表2. MRF21010L演示板组件牌号和值
代号
C1
C2, C6
C3, C4
C5
C7
C8, C10
C9
L1
L2
L3
L4
L5
R1, R6
R2, R3
R4
R5
P1
T1
T2
PCB
描述
1
mF
贴片电容（ 0805 ） ， AVX ＃ 08053G105ZATEA
10
MF，
35 V钽电容，日前，Vishay - 斯普拉格＃ 293D106X9035D
6.8 pF的贴片电容， ACCU - P（ 0805 ） ， AVX ＃ 08051J6R8CBT
10 nF的贴片电容（ 0805 ） ， AVX ＃ 08055C103KATDA
1.5 pF的贴片电容， ACCU - P（ 0805 ） ， AVX ＃ 08051J2R2BBT
0.5 pF的贴片电容， ACCU - P（ 0805 ） ， AVX ＃ 08051J0R5BBT
10 pF的贴片电容， ACCU - P（ 0805 ） ， AVX ＃ 08055J100GBT
19 mm
×
1.07 mm
7.7 mm
×
13.8 mm
9.3 mm
×
22 mm
17.7 mm
×
3.5 mm
3.4 mm
×
1.5 mm
10
W,
1/8 W贴片电阻（ 0805 ）
1千瓦， 1/8 W码电阻器（ 0805 ）
2.2千瓦， 1/8 W码电阻（ 0805 ）
0
W,
1/8 W贴片电阻（ 0805 ）
5千瓦电位CMS金属陶瓷多 - 反过来，商Bourns ＃ 3224W
电压调节器，微型 - 8 ，摩托罗拉＃ LP2951
双极NPN晶体管， SOT - 23日，摩托罗拉＃ BC847
罗杰斯RO4350 ，0.5毫米，
ε
r
= 3.53
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
4
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
2000
2080
2110
2140
2170
男，频率（MHz）
2200
G
ps
IMD
IRL
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10 W（ PEP ） ，我
DQ
= 100毫安
双色测量， 100 kHz音调间距
η
0
5
10
15
20
25
30
35
40
2280
30
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 130 mA时， F = 2140 MHz的
信道间隔为5MHz ，BW 4.096兆赫
25 （ 15个频道）
η
G
ps
10
ACPR ，相邻信道功率比（dB ）
IMD ，互调失真（ DBC）
20
20
30
15
40
10
ACPR
50
60
3.5
5
0.5
1.5
2
2.5
3
P
OUT
输出功率（瓦平均） W- CDMA
1
飞思卡尔半导体公司...
图4. AB类宽带电路性能
图5. W - CDMA ACPR ，功率增益和
漏极效率与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
IMD ，互调失真（ DBC）
25
30
35
40
45
50
55
60
0.1
1
130毫安
80毫安
百毫安
150毫安
V
DD
= 28伏， F = 2140 MHz的
双色测量，
100 kHz音调间距
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0.1
1
10
100
7阶
五阶
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
3阶
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图6.互调失真与
输出功率
图7.互调失真产品
与输出功率
14.5
V
DD
= 28伏， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
14.0
PS ，功率增益（分贝）
150毫安
13.5
130毫安
百毫安
13.0
80毫安
PS ，功率增益（分贝）
15
P
OUT
= 10 W（ PEP ） ，我
DQ
= 100 mA时， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
30
32
34
G
ps
36
38
IMD
40
14
13
12.5
12.0
0.1
1
10
100
12
22
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
26
28
30
V
DD
，漏极电压（伏）
42
32
图8.功率增益与输出功率
图9.互调以及增益与供应
电压
摩托罗拉RF设备数据
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MRF21010LR1 MRF21010LSR1
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF21010
牧师9 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为W-CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。
典型W - CDMA性能： - 45 dBc的ACPR ， 2140兆赫， 28伏，
5 MHz偏移/ 4.096 MHz带宽， 15 DTCH
输出功率 - 2.1瓦
功率增益 - 13.5分贝
效率 - 21 ％
能够处理10 ： 1 VSWR @ 28伏直流， 2140兆赫，
10瓦CW输出功率
特点
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度上信息。 L结尾的表示40μ “名义。
符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 R1后缀=每32毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF21010LR1
MRF21010LSR1
2110年至2170年兆赫， 10 W， 28 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 360B - 05 ，风格1
NI - 360
MRF21010LR1
CASE 360℃ - 05 ，风格1
NI - 360S
MRF21010LSR1
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
43.75
0.25
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
5.5
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M1 （最低）
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
=10
μA)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 V，I
D
= 50
μA)
门静态电压
(V
DS
= 28 V，I
D
= 100 mA时）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 A)
正向跨导
(V
DS
= 10 V，I
D
= 1 A)
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
两个 - 音共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦PEP ，我
DQ
= 100毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦PEP ，我
DQ
= 100毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦PEP ，我
DQ
= 100毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦PEP ，我
DQ
= 100毫安，
F1 = 2110兆赫， F2 = 2170 MHz的音调间隔= 100千赫）
输出功率， 1 dB压缩点， CW
(V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 2170兆赫）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦CW ，我
DQ
= 100毫安，
F = 2170兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10瓦CW ，我
DQ
= 100毫安，
F = 2170兆赫）
G
ps
12
13.5
—
dB
C
RSS
—
1
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2.5
2.5
—
—
3
4
0.4
0.95
4
4.5
0.5
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
η
31
35
—
%
IMD
—
- 35
- 30
dBc的
IRL
—
- 12
- 10
dB
P1dB
G
ps
—
—
11
12
—
—
W
dB
η
—
42
—
%
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
+
C3
R1
R2
C6
C4
C5
Z4
Z5
C7
+
C8
+
C9
V
DD
RF
输入
DUT
Z1
Z2
C2
C1
Z3
Z6
Z7
C10
Z8
RF
产量
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
0.964 “× 0.087 ”微带
0.905 “× 0.087 ”微带
0.433 “× 0.512 ”微带
1.068 “× 0.087 ”微带
0.752 “× 0.087 ”微带
Z6
Z7
Z8
PCB
0.453 “× 1.118 ”微带
0.921 “× 0.154 ”微带
0.925 “× 0.087 ”微带
Taconic的TLX8 - 0300 ， 0.030 “ ，
ε
r
= 2.55
图1. MRF21010L测试电路原理图
表5. MRF21010L测试电路元件牌号和值
部分
C1 *
C2
C3, C9
C4, C7
C5, C6
C8
C10
N1, N2
R1
R2
（耳）
（无耳）
描述
2.2 pF的贴片电容
1.8 pF的贴片电容
0.5 pF的贴片电容
10
μF,
35 V片式钽电容器
1 nF的贴片电容
5.6 pF的贴片电容
470
μF,
63 V电解电容
10 pF的贴片电容
N型连接法兰底座
1.0千瓦的贴片电阻（ 0805 ）
12
W
贴片电阻（ 0805 ）
100B100GW
3052- 1648- 10
ATC
MACOM
产品型号
100B2R2BW
100B1R8BW
100B0R5BW
293D106X9035D2T
100B102JW
100B5R6BW
生产厂家
ATC
ATC
ATC
Sprague-日前，Vishay
ATC
ATC
*根据设备的耳/无耳版件的一部分。
C8
VGG
C3
R1
R2
C4 C5
C6 C7
C9
VDD
RF输入
C2
C1
C10
RF输出
切除区域
MRF21010
CXM0000101
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化
将会对外形，装配或当前产品的功能没有任何影响。
图2. MRF21010L测试电路元件布局
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
VGG
V DD
地
C1
R2
R1
T1
R3
C6
T2
P1
C4 C5
R4
C2
C3
C7
C10
R6
R5
C8
L1
L2
L3
L4
C9
L5
MRF21010
CXM9900101
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化
将会对外形，装配或当前产品的功能没有任何影响。
图3. MRF21010L演示板组件布局
表6. MRF21010L演示板组件牌号和值
代号
C1
C2, C6
C3, C4
C5
C7
C8, C10
C9
L1
L2
L3
L4
L5
R1, R6
R2, R3
R4
R5
P1
T1
T2
PCB
描述
1
mF
贴片电容（ 0805 ） ， AVX ＃ 08053G105ZATEA
10
MF，
35 V钽电容，日前，Vishay - 斯普拉格＃ 293D106X9035D
6.8 pF的贴片电容， ACCU - P（ 0805 ） ， AVX ＃ 08051J6R8CBT
10 nF的贴片电容（ 0805 ） ， AVX ＃ 08055C103KATDA
1.5 pF的贴片电容， ACCU - P（ 0805 ） ， AVX ＃ 08051J2R2BBT
0.5 pF的贴片电容， ACCU - P（ 0805 ） ， AVX ＃ 08051J0R5BBT
10 pF的贴片电容， ACCU - P（ 0805 ） ， AVX ＃ 08055J100GBT
19 mm
×
1.07 mm
7.7 mm
×
13.8 mm
9.3 mm
×
22 mm
17.7 mm
×
3.5 mm
3.4 mm
×
1.5 mm
10
W,
1/8 W贴片电阻（ 0805 ）
1千瓦， 1/8 W码电阻器（ 0805 ）
2.2千瓦， 1/8 W码电阻（ 0805 ）
0
W,
1/8 W贴片电阻（ 0805 ）
5千瓦电位CMS金属陶瓷多 - 反过来，商Bourns ＃ 3224W
电压调节器，微型 - 8 ， ＃ LP2951
双极NPN晶体管， SOT - 23 ， ＃ BC847
罗杰斯RO4350 ，0.5毫米，
ε
r
= 3.53
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
2000
2080
2140
2110
2170
男，频率（MHz）
2200
G
ps
IMD
IRL
V
DD
= 28伏直流电，P
OUT
= 10 W（ PEP ） ，我
DQ
= 100毫安
双色测量， 100 kHz音调间距
η
0
5
10
15
20
25
30
35
40
2280
30
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 130 mA时， F = 2140 MHz的
信道间隔为5MHz ，BW 4.096兆赫
25 （ 15个频道）
η
G
ps
10
ACPR ，相邻信道功率比（dB ）
IMD ，互调失真（ DBC）
20
20
30
15
40
10
ACPR
50
60
3.5
5
0.5
2
1.5
2.5
3
P
OUT
输出功率（瓦平均） W- CDMA
1
图4. AB类宽带电路性能
图5. W - CDMA ACPR ，功率增益和
漏极效率与输出功率
IMD ，互调失真（ DBC）
IMD ，互调失真（ DBC）
25
30
35
40
45
50
55
60
0.1
1
130毫安
80毫安
百毫安
150毫安
V
DD
= 28伏， F = 2140 MHz的
双色测量，
100 kHz音调间距
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0.1
1
10
100
7阶
五阶
V
DD
= 28伏直流，我
DQ
= 100 mA时， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
3阶
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
图6.互调失真与
输出功率
图7.互调失真产品
与输出功率
14.5
V
DD
= 28伏， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
14.0
PS ，功率增益（分贝）
150毫安
13.5
130毫安
百毫安
13.0
80毫安
PS ，功率增益（分贝）
15
P
OUT
= 10 W（ PEP ） ，我
DQ
= 100 mA时， F = 2140 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
30
32
34
G
ps
36
38
IMD
40
14
13
12.5
12.0
0.1
1
10
100
12
22
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
26
28
30
V
DD
，漏极电压（伏）
42
32
图8.功率增益与输出功率
图9.互调以及增益与供应
电压
MRF21010LR1 MRF21010LSR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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