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摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MRF19090 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
专为AB类PCN和PCS基站应用
频率从1.9至2.0千兆赫。适用于CDMA,TDMA ,GSM和
多载波放大器应用。
典型的CDMA业绩:1990兆赫, 26伏
IS- 97 CDMA导频,同步,寻呼,交通守则8到13
输出功率 - 9瓦
功率增益 - 10分贝
邻道功率 -
885千赫: -47 dBc的@ 30 kHz的带宽
1.25兆赫: -55 dBc的@ 12.5 kHz的带宽
2.25兆赫: -55 dBc的@ 1 MHz带宽
内部匹配,控制Q,为方便使用
高增益,高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 : 1 VSWR , @ 26伏直流电, 1.93千兆赫, 90瓦( CW)
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
可在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米, 13英寸卷轴250单位。
MRF19090
MRF19090S
MRF19090SR3
1990年兆赫, 90 W, 26 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
CASE 465B -03 ,风格1
(NI–880)
(MRF19090)
CASE 465C -02 ,风格1
(NI–880S)
(MRF19090S)
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
> = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
+15, –0.5
270
1.54
-65到+150
200
单位
VDC
VDC
W / ℃,
°C
°C
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
1 (最低)
M3 (最低)
热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.65
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施,并
包装MOS器件应观察。
REV 3
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司,2002年
设备数据
MRF19090 MRF19090S MRF19090SR3
1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏,我
D
= 100
A)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏,V
GS
= 0伏)
门源漏电流
(V
GS
= 5伏,V
DS
= 0伏)
基本特征
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 3 ADC)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 300
μAdc )
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流,我
D
= 750 MADC )
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 1 ADC)
动态特性
反向传输电容( 1 )
(V
DS
= 26伏,V
GS
= 0中,f = 1 MHz)的
功能测试
(在摩托罗拉测试夹具)
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 90瓦PEP ,我
DQ
= 750毫安,
F = 1930 MHz和1990 MHz的音调间隔= 100千赫)
双色漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 90瓦PEP ,我
DQ
= 750毫安,
F = 1930 MHz和1990 MHz的音调间隔= 100千赫)
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 90瓦PEP ,我
DQ
= 750毫安,
F = 1930 MHz和1990 MHz的音调间隔= 100千赫)
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 90瓦PEP ,我
DQ
= 750毫安,
F = 1930 MHz和1990 MHz的音调间隔= 100千赫)
P
OUT
, 1 dB压缩点
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 90瓦CW, F = 1990兆赫)
输出失配应力
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 90瓦CW,我
DQ
= 750毫安,
F = 1930兆赫, VSWR = 10 : 1 ,所有相位角在测试的频率)
( 1 )部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
10
11.5
dB
C
RSS
4.2
pF
g
fs
VGS
( TH )
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
2.0
2.5
7.2
3.8
0.10
4.0
4.5
S
VDC
VDC
VDC
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
65
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
典型值
最大
单位
η
33
35
%
IMD
–30
–28
dBc的
IRL
–12
dB
P1dB
Ψ
90
W
在输出功率不降低
试验前后
MRF19090 MRF19090S MRF19090SR3
2
摩托罗拉RF设备数据
V
GG
+
B1
+
C13
+
C14
+
C19
C9
B3
B4
+
+
C16
+
C17
B2
V
DD
+
C10
C8
C7
C5
C6
C11
C12
C15
L1
R1
L2
RF
输入
Z1
Z2
C2
C1
Z3
Z4
R2
Z5
DUT
Z6
Z7
C3
C4
Z8
Z9
RF
产量
C18
B1, B2
B3, B34
C1, C18
C2, C5, C8
C3
C4
C6, C7
C9, C12
C10, C11
C13, C17
C14, C16
C15, C19
2铁氧体磁珠,圆形, Ferroxcube公司# 56-590-65-3B
铁氧体磁珠,表面贴装, Ferroxcube公司
0.4 - 2.5 pF的可变电容器,约翰森Gigatrim # 27285
10 pF的贴片电容,B为例, ATC # 100B100CCA500X
12 pF的贴片电容,B为例, ATC # 100B120CCA500X
0.3 pF的贴片电容,B为例, ATC # 100B0R3CCA500X
120 pF的贴片电容,B为例, ATC # 100B12R1CCA500X
0.1
F
贴片电容,基美# CDR33BX104AKWS
1000 pF的贴片电容,B为例, ATC # 100B102JCA50X
22
F,
35 V片式钽电容器,
基美# T491X226K035AS4394
10
F,
35 V片式钽电容器,
基美# T495X106K035AS4394
1
F,
35 V片式钽电容器,
基美# T495X105K035AS4394
L1, L2
8匝, # 26 AWG , 0.085 “OD , 0.330 ”
龙铜线
R1, R2
270
,
1/4 W码电阻器,盖瑞特
仪器# RM73B2B271JT
Z1
ZO = 50欧姆
Z2
ZO = 50欧姆,波长= 0.123
Z3
ZO = 15.24欧姆,波长= 0.0762
Z4
ZO = 10.11欧姆,波长= 0.0392
Z5
ZO = 6.34欧姆,波长= 0.0711
Z6
ZO = 5.02欧姆,波长= 0.0476
Z7
ZO = 5.54欧姆,波长= 0.0972
Z8
ZO = 50.0欧姆,波长= 0.194
Z9
ZO = 50.0欧姆
原PCB材料0.030 “铁氟龙玻璃
,
ε
r
= 2.55,
2盎司铜, 3 “ ×5 ”尺寸
图1. MRF19090测试电路原理图
摩托罗拉RF设备数据
MRF19090 MRF19090S MRF19090SR3
3
C9
RFB1
C19
C13 C14
C10
RFB2
RFB3 C11 C12
RFB4
C6
C5
C7
C8
L2
C15
C16 C17
L1
R1
C2
C1
R2
切断
C3
C4
C18
0.14λ
0.212λ
MRF19090
图2. MRF19090测试电路元件布局
MRF19090 MRF19090S MRF19090SR3
4
摩托罗拉RF设备数据
典型特征
η
,漏极效率( % ) ,G PS ,功率增益(分贝)
η
,漏极效率( % ) ,G PS ,功率增益(分贝)
40
η
35
30
25
20
IMD
15
G
ps
10
1900
1920
1960
1980
1940
男,频率(MHz)
2000
-35
2020
V
DD
= 26伏直流
P
OUT
= 90 W( PEP )
I
DQ
= 750毫安
100 kHz音调间距
IRL
-15
-20
-25
-30
-10
IRL ,输入回波损耗(分贝)
IMD ,互调失真( DBC)
相邻信道功率比(dB )
IMD ,互调失真( DBC)
35
30
25
20
1.25兆赫
15
10
η
-30
V
DD
= 26伏直流,我
DQ
= 1.1 A, F = 1960 MHz的信道间隔
(信道带宽) : 885千赫( kHz的30 ) , 1.25 MHz的
(12.5千赫),2.25兆赫(1兆赫)
885千赫
2.25兆赫
9通道前进
飞行员: 0 ,分页: 1 ,交通: 8-13 ,
同步: 32
G
ps
0
5
15
10
20
25
P
OUT
,输出功率(瓦(平均) )
30
-80
35
-60
-70
-40
-50
图3. AB类的性能与频率
图4. CDMA ACPR性能,增益和
漏极效率与输出功率
-20
IMD ,互调失真( DBC)
IMD ,互调失真( DBC)
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
1
950毫安
750毫安
V
DD
= 26伏直流
F = 1960 MHz的
100 kHz音调间距
550毫安
-20
-30
-40
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 750毫安
F = 1960 MHz的
100 kHz音调间距
3阶
-50
-60
-70
五阶
7阶
10
P
OUT
,输出功率(瓦)人教版
100
1
10
P
OUT
,输出功率(瓦)人教版
100
图5.三阶互调失真
与输出功率
13
12.5
PS ,功率增益(分贝)
12
750毫安
550毫安
V
DD
= 26伏直流
F = 1960 MHz的
100 kHz音调间距
1
10
P
OUT
,输出功率(瓦)人教版
100
PS ,功率增益(分贝)
950毫安
12
12.5
图6.互调产物
与输出功率
-22
-24
-26
-28
-30
IMD
11
-32
-34
-36
10.5
22
24
26
28
30
-38
32
P
OUT
= 90 W( PEP )
I
DQ
= 750 mA时, F = 1960 MHz的
100 kHz音调间距
G
ps
11.5
11
11.5
10.5
10
V
DD
,漏极电压(伏)
图7.功率增益与输出功率
图8.三阶互调失真
和增益与电源电压
摩托罗拉RF设备数据
MRF19090 MRF19090S MRF19090SR3
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MRF19090 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
专为AB类PCN和PCS基站应用
频率从1.9至2.0千兆赫。适用于CDMA,TDMA ,GSM和
多载波放大器应用。
典型的CDMA业绩:1990兆赫, 26伏
IS- 97 CDMA导频,同步,寻呼,交通守则8到13
输出功率 - 9瓦
功率增益 - 10分贝
邻道功率 -
885千赫: -47 dBc的@ 30 kHz的带宽
1.25兆赫: -55 dBc的@ 12.5 kHz的带宽
2.25兆赫: -55 dBc的@ 1 MHz带宽
内部匹配,控制Q,为方便使用
高增益,高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 : 1 VSWR , @ 26伏直流电, 1.93千兆赫, 90瓦( CW)
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
可在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米, 13英寸卷轴250单位。
MRF19090
MRF19090S
MRF19090SR3
1990年兆赫, 90 W, 26 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
CASE 465B -03 ,风格1
(NI–880)
(MRF19090)
CASE 465C -02 ,风格1
(NI–880S)
(MRF19090S)
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
> = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
+15, –0.5
270
1.54
-65到+150
200
单位
VDC
VDC
W / ℃,
°C
°C
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
1 (最低)
M3 (最低)
热特性
特征
热阻,结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.65
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施,并
包装MOS器件应观察。
REV 3
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司,2002年
设备数据
MRF19090 MRF19090S MRF19090SR3
1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏,我
D
= 100
A)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏,V
GS
= 0伏)
门源漏电流
(V
GS
= 5伏,V
DS
= 0伏)
基本特征
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 3 ADC)
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ,我
D
= 300
μAdc )
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流,我
D
= 750 MADC )
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ,我
D
= 1 ADC)
动态特性
反向传输电容( 1 )
(V
DS
= 26伏,V
GS
= 0中,f = 1 MHz)的
功能测试
(在摩托罗拉测试夹具)
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 90瓦PEP ,我
DQ
= 750毫安,
F = 1930 MHz和1990 MHz的音调间隔= 100千赫)
双色漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 90瓦PEP ,我
DQ
= 750毫安,
F = 1930 MHz和1990 MHz的音调间隔= 100千赫)
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 90瓦PEP ,我
DQ
= 750毫安,
F = 1930 MHz和1990 MHz的音调间隔= 100千赫)
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 90瓦PEP ,我
DQ
= 750毫安,
F = 1930 MHz和1990 MHz的音调间隔= 100千赫)
P
OUT
, 1 dB压缩点
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 90瓦CW, F = 1990兆赫)
输出失配应力
(V
DD
= 26伏直流电,P
OUT
= 90瓦CW,我
DQ
= 750毫安,
F = 1930兆赫, VSWR = 10 : 1 ,所有相位角在测试的频率)
( 1 )部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
10
11.5
dB
C
RSS
4.2
pF
g
fs
VGS
( TH )
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
2.0
2.5
7.2
3.8
0.10
4.0
4.5
S
VDC
VDC
VDC
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
65
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
典型值
最大
单位
η
33
35
%
IMD
–30
–28
dBc的
IRL
–12
dB
P1dB
Ψ
90
W
在输出功率不降低
试验前后
MRF19090 MRF19090S MRF19090SR3
2
摩托罗拉RF设备数据
V
GG
+
B1
+
C13
+
C14
+
C19
C9
B3
B4
+
+
C16
+
C17
B2
V
DD
+
C10
C8
C7
C5
C6
C11
C12
C15
L1
R1
L2
RF
输入
Z1
Z2
C2
C1
Z3
Z4
R2
Z5
DUT
Z6
Z7
C3
C4
Z8
Z9
RF
产量
C18
B1, B2
B3, B34
C1, C18
C2, C5, C8
C3
C4
C6, C7
C9, C12
C10, C11
C13, C17
C14, C16
C15, C19
2铁氧体磁珠,圆形, Ferroxcube公司# 56-590-65-3B
铁氧体磁珠,表面贴装, Ferroxcube公司
0.4 - 2.5 pF的可变电容器,约翰森Gigatrim # 27285
10 pF的贴片电容,B为例, ATC # 100B100CCA500X
12 pF的贴片电容,B为例, ATC # 100B120CCA500X
0.3 pF的贴片电容,B为例, ATC # 100B0R3CCA500X
120 pF的贴片电容,B为例, ATC # 100B12R1CCA500X
0.1
F
贴片电容,基美# CDR33BX104AKWS
1000 pF的贴片电容,B为例, ATC # 100B102JCA50X
22
F,
35 V片式钽电容器,
基美# T491X226K035AS4394
10
F,
35 V片式钽电容器,
基美# T495X106K035AS4394
1
F,
35 V片式钽电容器,
基美# T495X105K035AS4394
L1, L2
8匝, # 26 AWG , 0.085 “OD , 0.330 ”
龙铜线
R1, R2
270
,
1/4 W码电阻器,盖瑞特
仪器# RM73B2B271JT
Z1
ZO = 50欧姆
Z2
ZO = 50欧姆,波长= 0.123
Z3
ZO = 15.24欧姆,波长= 0.0762
Z4
ZO = 10.11欧姆,波长= 0.0392
Z5
ZO = 6.34欧姆,波长= 0.0711
Z6
ZO = 5.02欧姆,波长= 0.0476
Z7
ZO = 5.54欧姆,波长= 0.0972
Z8
ZO = 50.0欧姆,波长= 0.194
Z9
ZO = 50.0欧姆
原PCB材料0.030 “铁氟龙玻璃
,
ε
r
= 2.55,
2盎司铜, 3 “ ×5 ”尺寸
图1. MRF19090测试电路原理图
摩托罗拉RF设备数据
MRF19090 MRF19090S MRF19090SR3
3
C9
RFB1
C19
C13 C14
C10
RFB2
RFB3 C11 C12
RFB4
C6
C5
C7
C8
L2
C15
C16 C17
L1
R1
C2
C1
R2
切断
C3
C4
C18
0.14λ
0.212λ
MRF19090
图2. MRF19090测试电路元件布局
MRF19090 MRF19090S MRF19090SR3
4
摩托罗拉RF设备数据
典型特征
η
,漏极效率( % ) ,G PS ,功率增益(分贝)
η
,漏极效率( % ) ,G PS ,功率增益(分贝)
40
η
35
30
25
20
IMD
15
G
ps
10
1900
1920
1960
1980
1940
男,频率(MHz)
2000
-35
2020
V
DD
= 26伏直流
P
OUT
= 90 W( PEP )
I
DQ
= 750毫安
100 kHz音调间距
IRL
-15
-20
-25
-30
-10
IRL ,输入回波损耗(分贝)
IMD ,互调失真( DBC)
相邻信道功率比(dB )
IMD ,互调失真( DBC)
35
30
25
20
1.25兆赫
15
10
η
-30
V
DD
= 26伏直流,我
DQ
= 1.1 A, F = 1960 MHz的信道间隔
(信道带宽) : 885千赫( kHz的30 ) , 1.25 MHz的
(12.5千赫),2.25兆赫(1兆赫)
885千赫
2.25兆赫
9通道前进
飞行员: 0 ,分页: 1 ,交通: 8-13 ,
同步: 32
G
ps
0
5
15
10
20
25
P
OUT
,输出功率(瓦(平均) )
30
-80
35
-60
-70
-40
-50
图3. AB类的性能与频率
图4. CDMA ACPR性能,增益和
漏极效率与输出功率
-20
IMD ,互调失真( DBC)
IMD ,互调失真( DBC)
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
1
950毫安
750毫安
V
DD
= 26伏直流
F = 1960 MHz的
100 kHz音调间距
550毫安
-20
-30
-40
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 750毫安
F = 1960 MHz的
100 kHz音调间距
3阶
-50
-60
-70
五阶
7阶
10
P
OUT
,输出功率(瓦)人教版
100
1
10
P
OUT
,输出功率(瓦)人教版
100
图5.三阶互调失真
与输出功率
13
12.5
PS ,功率增益(分贝)
12
750毫安
550毫安
V
DD
= 26伏直流
F = 1960 MHz的
100 kHz音调间距
1
10
P
OUT
,输出功率(瓦)人教版
100
PS ,功率增益(分贝)
950毫安
12
12.5
图6.互调产物
与输出功率
-22
-24
-26
-28
-30
IMD
11
-32
-34
-36
10.5
22
24
26
28
30
-38
32
P
OUT
= 90 W( PEP )
I
DQ
= 750 mA时, F = 1960 MHz的
100 kHz音调间距
G
ps
11.5
11
11.5
10.5
10
V
DD
,漏极电压(伏)
图7.功率增益与输出功率
图8.三阶互调失真
和增益与电源电压
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