飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF19060
牧师9 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为PCN和PCS基站应用与频率
2000至00年兆赫。适用于CDMA，TDMA， GSM和多载波放大器
应用程序。
典型的CDMA业绩：1960兆赫， 26伏
IS - 95 CDMA导频，同步，寻呼，交通守则8到13
输出功率 - 7.5瓦
功率增益 - 12.5分贝
邻道功率 -
885千赫： - 47 dBc的@ 30 kHz的带宽
1.25兆赫： - 55 dBc的@ 12.5 kHz的带宽
2.25兆赫： - 55 dBc的@ 1 MHz带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电，1960兆赫， 60瓦CW
输出功率
特点
内部匹配的易用性
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
可提供低镀金厚度上信息。 L结尾的表示
40μ “名义。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF19060LR3
MRF19060LSR3
1930- 1990兆赫， 60 W， 26 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF19060LR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF19060LSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
180
1.03
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.97
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
1 （最低）
M3 （最低）
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF19060LR3 MRF19060LSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 300
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 500 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
反向传输电容
(1)
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F = 1930 MHz和1990 MHz的音调间隔= 100千赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F = 1930 MHz和1990 MHz的音调间隔= 100千赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F = 1930 MHz和1990 MHz的音调间隔= 100千赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦PEP ，我
DQ
= 500毫安，
F = 1930 MHz和1990 MHz的音调间隔= 100千赫）
P
OUT
， 1 dB压缩点
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦CW ， F = 1990兆赫）
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
11
12.5
—
dB
C
RSS
—
2.7
—
pF
VGS
（ TH ）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
2
2.5
—
—
3.9
0.27
4
4.5
—
V
V
V
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
6
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
η
33
36
—
%
IMD
—
- 31
- 28
dBc的
IRL
—
- 12
—
dB
P1dB
—
60
—
W
MRF19060LR3 MRF19060LSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R4
V
GG
+
+
C1
C2
R2
C3
C4
C5
R1
R3
+
C6
B2
C7
C8
B3
V
DD
+
Z9
Z10
Z11
RF
输入
Z1
Z2
C10
C9
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
DUT
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
C11
Z17
Z18
RF
产量
C12
B2 - B3
C1
C2, C7
C3, C8
C4
C5
C6
C9
C10, C11
C12
R1
R2
R3
R4
Z1
Z2
Z3
铁氧体磁珠，公平仪式， 2743019447
10
μF,
50 V电解电容，松下＃ ECEV1HV100R
1000 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B102JCA500X
0.10
μF
贴片电容，基美＃ CDR33BX104AKWS
5.1 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B5R1JCA500X
6.2 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B6R2JCA500X
22
μF,
35 V钽电容，贴片，斯普拉格
0.8 pF的 - 8.0 pF的可变电容，约翰森Gigatrim
10 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B100JCA500X
0.4 pF的 - 2.5 pF的可变电容，约翰森Gigatrim
1 kΩ的1/4 W固定的片式电阻器， 0.08 “× 0.13 ”
560 kΩ的1/4 W固定的片式电阻器， 0.08 “× 0.13 ”
15
Ω,
1/4 W固定的片式电阻器， 0.08 “× 0.13 ”
10
Ω,
1/4 W固定的片式电阻器， 0.08 “× 0.13 ”
0.580 “× 0.074 ”微带
0.100 “× 0.074 ”微带
0.384 “× 0.074 ”微带
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z18
板
0.152 “× 0.140 ”微带
0.090 “× 0.102 ”微带
0.245 “× 0.217 ”微带
0.090 “× 0.737 ”微带
0.530 “× 0.941 ”微带
1.010 “× 0.050 ”微带
1.060 “× 0.050 ”微带
0.446 “× 1.137 ”微带
0.152 “× 0.567 ”微带
0.183 “× 0.220 ”微带
0.100 “× 0.338 ”微带
0.480 “× 0.142 ”微带
0.140 “× 0.080 ”微带
0.173 “× 0.080 ”微带
0.420 “× 0.080 ”微带
0.030 “铁氟龙玻璃
阿尔隆
GX - 0300- 55- 22 ， 2盎司铜
图1. MRF19060L测试电路原理图
MRF19060LR3 MRF19060LSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
栅
BIAS
FEEDTHRU
C1
C2
R2
R1
R3
C3
C4
C5
R4
C7
C6
B2
B3
C8
地漏
BIAS
FEEDTHRU
C9
C10
C11
C12
MRF19060
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将
对于产品的外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MRF19060L测试电路元件布局
MRF19060LR3 MRF19060LSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1900
1920
IRL
V
DD
= 26伏直流
P
OUT
= 60 W（ PEP ） ，我
DQ
= 500毫安
双色测量， 100 kHz音调间距
G
ps
IMD
η
0
5
10
15
20
25
30
35
2000
40
2020
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
45
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 700 mA时， F = 1960 MHz的信道间隔
（信道带宽） ： 885千赫（ kHz的30 ） ，
1.25兆赫（12.5千赫），2.25兆赫（1兆赫）
2.25兆赫
60
885千赫
1.25兆赫
G
ps
9 CDMA正向信道
飞行员： 0 ，分页： 1 ，交通： 8-13 ， SYNC ： 32
4
12
8
16
P
OUT
输出功率（瓦平均） CDMA
η
70
80
90
100
20
20
30
40
50
相邻信道功率比（dB ）
IMD ，互调失真（ DBC）
40
35
30
25
20
15
10
5
1940
1960
1980
男，频率（MHz）
图3. AB类宽带电路性能
图4. CDMA ACPR ，功率增益和
漏极效率与输出功率
25
IMD ，互调失真（ DBC）
IMD ，互调失真（ DBC）
30
35
40
45
50
55
60
65
0.1
10
1.0
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
500毫安
700毫安
V
DD
= 26伏直流
F = 1960 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
900毫安
20
30
40
3阶
50
60
70
80
0.1
五阶
7阶
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 700 mA时， F = 1960 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
图5.互调失真
与输出功率
图6.互调产物
与输出功率
14
900毫安
PS ，功率增益（分贝）
13
700毫安
13.5
P
OUT
= 60 W（ PEP ） ，我
DQ
= 500毫安
F = 1960 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
22
24
26
28
13
PS ，功率增益（分贝）
12
500毫安
12.5
G
ps
30
32
IMD
12
11
V
DD
= 26伏直流
F = 1960 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
1.0
10
100
34
36
10
0.1
11.5
22
24
26
28
30
38
32
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
V
DD
，漏极电压（伏）
图7.功率增益与输出功率
图8.功率增益和互调
失真与电源电压
MRF19060LR3 MRF19060LSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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