飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF19045
启8 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为PCN和PCS基站应用与频率
2000至00年兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。
典型的CDMA性能@ 1960兆赫， 26伏，我
DQ
= 550毫安
多载波IS - 95 CDMA导频，同步，寻呼，交通守则8到13
输出功率 - 9.5瓦的魅力。
功率增益 - 14.9分贝
效率 - 23.5 ％
邻道功率 -
885千赫： - 50 dBc的@ 30 kHz的带宽
IM3 - - 37 dBc的
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电，1960兆赫， 45瓦CW
输出功率
特点
内部匹配的易用性
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度对信息， 40μ “名义。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每32毫米， 13英寸卷筒。
MRF19045LR3
MRF19045LSR3
1930- 1990兆赫， 45 W， 26 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465E - 04 ，风格1
NI - 400
MRF19045LR3
CASE 465F - 04 ，风格1
NI - 400S
MRF19045LSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
105
0.60
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(1)
1.65
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
1.参考AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF19045LR3 MRF19045LSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征（ DC ）
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 550 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
反向传输电容
(1)
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
C
RSS
—
1.8
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
3
—
—
—
3.8
0.19
4.2
4
5
0.21
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统） 2 - 载波N - CDMA ， 1.2288 MHz信道带宽， IM3测
1.2288 MHz的集成带宽。 ACPR测量在30 kHz的综合带宽。
共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 9.5 W平均， 2 - 载波N - CDMA ，
I
DQ
= 550 mA时， F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫，
F2 = 1990兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 9.5 W平均， 2 - 载波N - CDMA ，
I
DQ
= 550 mA时， F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫，
F2 = 1990兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 9.5 W平均， 2 - 载波N - CDMA ，
I
DQ
= 550 mA时， F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫，
F2 = 1990 MHz的; IM3测量在1.2288兆赫集成带宽
中心在F1 - 2.5 MHz和F2 2.5兆赫，参考载波
信道功率）
相邻通道功率比
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 9.5 W平均， 2载波n -CDMA ，我
DQ
= 550毫安，
F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫，
F2 = 1990 MHz的; ACPR测量在30 kHz集成带宽
中心在F1 - 885 kHz和F2 885千赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 9.5 W平均， 2 - 载波N - CDMA ，
I
DQ
= 550 mA时， F1 = 1930兆赫， F2 = 1932.5 MHz和F1 = 1987.5兆赫，
F2 = 1990兆赫）
P
OUT
， 1 dB压缩点
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 550 mA时， F = 1990兆赫）
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
13
14.5
—
dB
η
21
23.5
—
%
IM3
—
- 37
- 35
dBc的
ACPR
—
- 51
- 45
dBc的
IRL
—
- 16
-9
dB
P1dB
—
45
—
W
MRF19045LR3 MRF19045LSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
R2
V
BIAS
+
C1
+
C2
C3
R1
B1
R3
W1
Z4
C4
C6
Z8
C7
C8
R4
W2
+
C9
+
R5
B2
B2
C10
C11
V
供应
+
C12
Z3
Z6
RF
输入
Z7
Z9
Z10
C13
Z11
RF
产量
Z1
C5
Z2
Z5
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
1.336 “× 0.081 ”微带
0.693 “× 0.081 ”微带
1.033 “× 0.047 ”微带
0.468 “× 0.047 ”微带
0.271 “× 0.460 ”微带
0.263 “× 0.930 ”微带
1.165 “× 0.047 ”微带
Z8
Z9
Z10
Z11
PCB
0.216 “× 0.047 ”微带
0.519 “× 0.254 ”微带
0.874 “× 0.081 ”微带
0.645 “× 0.081 ”微带
阿尔隆GX0300-55-22 ， 30密耳，
ε
r
= 2.55
注： Z3 ， Z4 ， Z7 ， Z8长度和元件贴装容差
±0.050″.
ZX长度是组件之间的微带线的长度，中心线到中心线。
所有组件和z长度公差
±0.015″,
除非另有说明。
图1. 1930年至1990年兆赫2载波n -CDMA测试电路原理图
表5. 1930年 - 1990 MHz的2载波n -CDMA测试电路元件牌号和值
代号
B1, B2
C1, C2
C3, C11
C4, C8
C5
C6, C7
C9, C10, C12
C13
R1
R2, R3, R4, R5
W1, W2
WS1，WS2
描述
0.120 “× 0.333 ”× 0.100“ ，表面贴装铁氧体磁珠，公平祭＃ 2743019446
10
MF，
35 V钽表面贴装片式电容，基美＃ T495X106K035AS4394
0.1
mF
贴片电容，基美＃ CDR33BX104AKWS
24 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B240JP500X
470 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B471JP200X
11 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B110JP500X
22
MF，
35 V钽表面贴装片式电容，基美＃ T491X226K035AS4394
8.2 pF的贴片电容， ATC ＃ 100B8R2CP500X
560千欧， 1/4 W码电阻（ 0.08 “× 0.13 ” ）
8.2
Ω,
1/4 W码电阻器（ 0.08 “× 0.13 ” ） ，加勒特仪器＃ RM73B2B110JT
实心铜巴斯线， 16 AWG
铍铜合金耐磨块（ 0.005 “× 0.150 ”× 0.350 “ ）名义
MRF19045LR3 MRF19045LSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C1
R1
B1
R2
C3
C5
C4
W1
R3
C6
C7
C8
W2
R4
C9 C10
C12
B2
R5
C11
C2
WS1
WS2
C13
MRF19045/S
冯 - 0
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. 1930年至1990年兆赫2载波n -CDMA测试电路元件布局
MRF19045LR3 MRF19045LSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
P
OUT
，输出功率（瓦） （平均2载波n -CDMA ）
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 450毫安
F1 = 1960兆赫， F2 = 1960.1兆赫
30
35
IM3
η
ACPR
G
ps
55
60
65
70
40
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC）
45
50
35
30
25
η
30
IM3
40
G
ps
50
ACPR
5
1900
1930
1960
1990
2020
男，频率（MHz）
60
20
15
10
V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 550毫安为2.5MHz载波间隔
1.2288 MHz的信源信道带宽
9 CH FWD载波（9.8 dB峰值/平均比率@ 0.01 ％ ）
IRL
0
IM3 （ DBC） ， ACPR （ DBC） ， IRL （分贝）
10
20
图3. 2载波N - CDMA ACPR ， IM3 ，功率增益
和漏极效率与输出功率
30
IM3 ，三阶
互调失真（ DBC）
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 550毫安
F1 = 1960兆赫， F2 = 1962.5兆赫
350毫安
450毫安
45
550毫安
700毫安
50
1.2288 MHz的信源信道带宽，
9 CH FWD运营商
（9.8 dB峰值/平均比率@ 0.01 ％ ）
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
图4. 2载波n -CDMA ACPR ， IM3 ，功率增益， IRL
和漏极效率与输出功率
ACPR ，相邻通道功率比（ DBC）
45
50
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 550毫安
F1 = 1960兆赫， F2 = 1962.5兆赫
350毫安
450毫安
60
700毫安
65
550毫安
0
1
2
3
4
1.2288 MHz的信源信道带宽，
9 CH FWD运营商
（9.8 dB峰值/平均比率@ 0.01 ％
概率） （ CCDF ）
5
6
7
8
9
10
11
12
35
40
55
55
P
OUT
，输出功率（瓦） （平均2载波n -CDMA ）
70
P
OUT
，输出功率（瓦） （平均2载波n -CDMA ）
图5. 2载波n -CDMA IM3
与输出功率
η
，漏极效率（ ％ ） ，噘输出功率（瓦CW）
15.5
700毫安
15.0
PS ，功率增益（分贝）
550毫安
450毫安
14.5
350毫安
V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 550毫安
F1 = 1960兆赫， F2 = 1962.5兆赫
14.0
1.2288 MHz的信源信道带宽，
9 CH FWD运营商
（9.8 dB峰值/平均比率@ 0.01 ％概率） （ CCDF ）
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
图6. 2载波n -CDMA ACPR
与输出功率
17
P 1分贝
P出来
P 3分贝
η
PS ，功率增益（分贝）
15
14
13
全球定位系统
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 550毫安
F = 1960 MHz的
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
12
11
10
P
in
，输入功率（瓦CW）
16
13.5
P
OUT
，输出功率（瓦） （平均2载波n -CDMA ）
图7. 2载波n -CDMA功率增益
与输出功率
图8. CW输出功率，功率增益和漏极
效率与输入功率
MRF19045LR3 MRF19045LSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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