摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MRF19030 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
专为AB类PCN和PCS基站应用
频率从1.8至2.0千兆赫。适于调频，TDMA，CDMA和
多载波放大器应用。
CDMA性能@ 1990兆赫， 26伏
IS- 97 CDMA导频，同步，寻呼，交通守则8直通13
885千赫 - -47 dBc的@ 30 kHz的带宽
1.25兆赫 - -55 dBc的@ 12.5 kHz的带宽
2.25兆赫 - -55 dBc的@ 1 MHz带宽
输出功率 - 4.5瓦的魅力。
功率增益 - 13.5分贝
效率 - 17 ％
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 1.93千兆赫， 30瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每32毫米， 13英寸卷筒。
MRF19030R3
MRF19030SR3
2.0千兆赫， 30 W， 26 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
CASE 465E -03 ，风格1
NI–400
MRF19030R3
CASE 465F -03 ，风格1
NI–400S
MRF19030SR3
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
–0.5, +15
83.3
0.48
-65到+200
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
2.1
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
第七版
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司，2002年
设备数据
MRF19030R3 MRF19030SR3
1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 20
A)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 300 mA）的
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性
输入电容（包括输入匹配电容的封装） （ 1 ）
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
输出电容（ 1 ）
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300毫安，
F1 = 1960.0兆赫， F2 = 1960.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300毫安，
F1 = 1960.0兆赫， F2 = 1960.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300毫安，
F1 = 1960.0兆赫， F2 = 1960.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300毫安，
F1 = 1960.0兆赫， F2 = 1960.1兆赫）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300 mA时， F1 = 1930.0兆赫，
F2 = 1930.1 MHz和F1 = 1990.0兆赫， F2 = 1990.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300 mA时， F1 = 1930.0兆赫，
F2 = 1930.1 MHz和F1 = 1990.0兆赫， F2 = 1990.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300 mA时， F1 = 1930.0兆赫，
F2 = 1930.1 MHz和F1 = 1990.0兆赫， F2 = 1990.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300 mA时， F1 = 1930.0兆赫，
F2 = 1930.1 MHz和F1 = 1990.0兆赫， F2 = 1990.1兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦CW ，我
DQ
= 300毫安，
F = 1930兆赫， VSWR = 10 ： 1 ，所有相位角在测试的频率）
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
—
13
—
dB
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
98.5
37
1.3
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2
—
—
3
3.3
0.29
2
4
4.5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
1
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
η
—
36
—
%
IMD
—
–31
—
dBc的
IRL
—
–13
—
dB
G
ps
12
13
—
dB
η
33
36
—
%
IMD
—
–31
–28
dBc的
IRL
—
–13
–9
dB
Ψ
在输出功率不降低
试验前后
MRF19030R3 MRF19030SR3
2
摩托罗拉RF设备数据
V
GG
+
C2
B1
B2
R3
B3
B4
B5
V
DD
+
C8
R1
R2
C3
C4
R4
+
C6
C9
R5
C5
R6
R7
L2
L3
RF
产量
Z6
RF
输入
Z5
DUT
Z7
Z8
C7
C10
Z9
L4
Z10
Z1
L1
Z2
C1
Z3
Z4
B1 – B5
C1, C7
C2, C8
C3, C5
C4, C6
C9
C10
L1 – L4
R1 – R7
Z1
Z2
短铁氧体磁珠
10 pF的贴片电容，B案例
470
F,
35 V电解电容器
0.1
F
贴片电容，B案例
5.1 pF的贴片电容，B案例
22
F
片式钽电容器
0.4 - 2.5 pF的可变电容，约翰森Gigatrim
12.5 nH的电感器
12
贴片电阻（ 0805 ）
0.080 “× 0.595 ”微带
0.080 “× 0.600 ”微带
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
基板
0.080 “× 0.480 ”微带
0.325 “× 0.280 ”微带
0.510 “× 0.200 ”微带
0.510 “× 0.200 ”微带
0.325 “× 0.280 ”微带
0.080 “× 0.480 ”微带
0.080 “× 0.530 ”微带
0.080 “× 0.671 ”微带
0.030 “× 3.00 ”× 5.00 “特氟龙玻璃
,
阿尔隆
图1. MRF19030测试电路原理图
C2
C3
R1
B1
B2
R2
R3 R4
L2
C1
C4
B3 R5
C9
L3
C6
C7
L4
C5
C8
R6
B4
R7
B5
L1
C10
MRF19030
第0版
图2. MRF19030测试电路元件布局
摩托罗拉RF设备数据
MRF19030R3 MRF19030SR3
3
典型特征
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
50
40
30
20
10
0
1900
IRL
η
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 300毫安， P
OUT
= 30 W（ PEP ）
双色测量， 100 kHz音调间距
G
ps
IMD
1920
1960
1980
1940
男，频率（MHz）
2000
-30
-35
2020
-20
-25
-10
-15
45
40
相邻信道功率比（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 350 mA时， F = 1960 MHz的信道间隔
（信道带宽） ： 885千赫（ kHz的30 ） ，
1.25兆赫（12.5千赫），2.25兆赫（1兆赫）
2.25兆赫
885千赫
-20
-30
-40
-50
η
-60
-70
G
ps
9 CDMA正向信道
飞行员： 0 ，分页： 1 ，交通： 8-13 ， SYNC ： 32
0
8
10
2
6
4
P
OUT
输出功率（瓦平均） CDMA
-80
-90
35
30
25
20 1.25兆赫
15
10
5
-100
12
图3. AB类宽带电路性能
图4. CDMA ACPR ，功率增益和
漏极效率与输出功率
-25
IMD ，互调失真（ DBC）
-30
-35
-40
-45
-50
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 26伏， F = 1960 MHz的
双色测量，
100 kHz音调间距
200毫安
300毫安
400毫安
350毫安
300毫安
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
1.0
V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 300 mA时， F = 1960 MHz的
双色测量，
100 kHz音调间距
3阶
五阶
7阶
-55
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
图5.互调失真
与输出功率
15
14
图6.互调失真产品
与输出功率
-22
-24
-26
-28
-30
-32
-34
-36
100
12
20
22
24
26
28
30
32
-38
34
PS ，功率增益（分贝）
PS ，功率增益（分贝）
14
400毫安
350毫安
300毫安
300毫安
13.5
F = 1960 MHz的
I
DQ
= 300毫安， P
OUT
= 30 W（ PEP ）
双色测量， 100 kHz音调间距
G
ps
13
13
IMD
12
200毫安
V
DD
= 26伏， F = 1960 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
12.5
11
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
V
DD
，漏极电压（伏）
图7.功率增益与输出功率
图8.功率增益和
互调失真与电源电压
MRF19030R3 MRF19030SR3
4
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MRF19030 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
专为AB类PCN和PCS基站应用
频率从1.8至2.0千兆赫。适于调频，TDMA，CDMA和
多载波放大器应用。
CDMA性能@ 1990兆赫， 26伏
IS- 97 CDMA导频，同步，寻呼，交通守则8直通13
885千赫 - -47 dBc的@ 30 kHz的带宽
1.25兆赫 - -55 dBc的@ 12.5 kHz的带宽
2.25兆赫 - -55 dBc的@ 1 MHz带宽
输出功率 - 4.5瓦的魅力。
功率增益 - 13.5分贝
效率 - 17 ％
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 1.93千兆赫， 30瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每32毫米， 13英寸卷筒。
MRF19030R3
MRF19030SR3
2.0千兆赫， 30 W， 26 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
CASE 465E -03 ，风格1
NI–400
MRF19030R3
CASE 465F -03 ，风格1
NI–400S
MRF19030SR3
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
–0.5, +15
83.3
0.48
-65到+200
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
2.1
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
第七版
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司，2002年
设备数据
MRF19030R3 MRF19030SR3
1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 20
A)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 300 mA）的
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性
输入电容（包括输入匹配电容的封装） （ 1 ）
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
输出电容（ 1 ）
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300毫安，
F1 = 1960.0兆赫， F2 = 1960.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300毫安，
F1 = 1960.0兆赫， F2 = 1960.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300毫安，
F1 = 1960.0兆赫， F2 = 1960.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300毫安，
F1 = 1960.0兆赫， F2 = 1960.1兆赫）
双色共源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300 mA时， F1 = 1930.0兆赫，
F2 = 1930.1 MHz和F1 = 1990.0兆赫， F2 = 1990.1兆赫）
双色漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300 mA时， F1 = 1930.0兆赫，
F2 = 1930.1 MHz和F1 = 1990.0兆赫， F2 = 1990.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300 mA时， F1 = 1930.0兆赫，
F2 = 1930.1 MHz和F1 = 1990.0兆赫， F2 = 1990.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300 mA时， F1 = 1930.0兆赫，
F2 = 1930.1 MHz和F1 = 1990.0兆赫， F2 = 1990.1兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦CW ，我
DQ
= 300毫安，
F = 1930兆赫， VSWR = 10 ： 1 ，所有相位角在测试的频率）
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
—
13
—
dB
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
98.5
37
1.3
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2
—
—
3
3.3
0.29
2
4
4.5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
1
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
η
—
36
—
%
IMD
—
–31
—
dBc的
IRL
—
–13
—
dB
G
ps
12
13
—
dB
η
33
36
—
%
IMD
—
–31
–28
dBc的
IRL
—
–13
–9
dB
Ψ
在输出功率不降低
试验前后
MRF19030R3 MRF19030SR3
2
摩托罗拉RF设备数据
V
GG
+
C2
B1
B2
R3
B3
B4
B5
V
DD
+
C8
R1
R2
C3
C4
R4
+
C6
C9
R5
C5
R6
R7
L2
L3
RF
产量
Z6
RF
输入
Z5
DUT
Z7
Z8
C7
C10
Z9
L4
Z10
Z1
L1
Z2
C1
Z3
Z4
B1 – B5
C1, C7
C2, C8
C3, C5
C4, C6
C9
C10
L1 – L4
R1 – R7
Z1
Z2
短铁氧体磁珠
10 pF的贴片电容，B案例
470
F,
35 V电解电容器
0.1
F
贴片电容，B案例
5.1 pF的贴片电容，B案例
22
F
片式钽电容器
0.4 - 2.5 pF的可变电容，约翰森Gigatrim
12.5 nH的电感器
12
贴片电阻（ 0805 ）
0.080 “× 0.595 ”微带
0.080 “× 0.600 ”微带
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
基板
0.080 “× 0.480 ”微带
0.325 “× 0.280 ”微带
0.510 “× 0.200 ”微带
0.510 “× 0.200 ”微带
0.325 “× 0.280 ”微带
0.080 “× 0.480 ”微带
0.080 “× 0.530 ”微带
0.080 “× 0.671 ”微带
0.030 “× 3.00 ”× 5.00 “特氟龙玻璃
,
阿尔隆
图1. MRF19030测试电路原理图
C2
C3
R1
B1
B2
R2
R3 R4
L2
C1
C4
B3 R5
C9
L3
C6
C7
L4
C5
C8
R6
B4
R7
B5
L1
C10
MRF19030
第0版
图2. MRF19030测试电路元件布局
摩托罗拉RF设备数据
MRF19030R3 MRF19030SR3
3
典型特征
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
50
40
30
20
10
0
1900
IRL
η
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 300毫安， P
OUT
= 30 W（ PEP ）
双色测量， 100 kHz音调间距
G
ps
IMD
1920
1960
1980
1940
男，频率（MHz）
2000
-30
-35
2020
-20
-25
-10
-15
45
40
相邻信道功率比（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 350 mA时， F = 1960 MHz的信道间隔
（信道带宽） ： 885千赫（ kHz的30 ） ，
1.25兆赫（12.5千赫），2.25兆赫（1兆赫）
2.25兆赫
885千赫
-20
-30
-40
-50
η
-60
-70
G
ps
9 CDMA正向信道
飞行员： 0 ，分页： 1 ，交通： 8-13 ， SYNC ： 32
0
8
10
2
6
4
P
OUT
输出功率（瓦平均） CDMA
-80
-90
35
30
25
20 1.25兆赫
15
10
5
-100
12
图3. AB类宽带电路性能
图4. CDMA ACPR ，功率增益和
漏极效率与输出功率
-25
IMD ，互调失真（ DBC）
-30
-35
-40
-45
-50
IMD ，互调失真（ DBC）
V
DD
= 26伏， F = 1960 MHz的
双色测量，
100 kHz音调间距
200毫安
300毫安
400毫安
350毫安
300毫安
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
1.0
V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 300 mA时， F = 1960 MHz的
双色测量，
100 kHz音调间距
3阶
五阶
7阶
-55
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
图5.互调失真
与输出功率
15
14
图6.互调失真产品
与输出功率
-22
-24
-26
-28
-30
-32
-34
-36
100
12
20
22
24
26
28
30
32
-38
34
PS ，功率增益（分贝）
PS ，功率增益（分贝）
14
400毫安
350毫安
300毫安
300毫安
13.5
F = 1960 MHz的
I
DQ
= 300毫安， P
OUT
= 30 W（ PEP ）
双色测量， 100 kHz音调间距
G
ps
13
13
IMD
12
200毫安
V
DD
= 26伏， F = 1960 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
12.5
11
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
V
DD
，漏极电压（伏）
图7.功率增益与输出功率
图8.功率增益和
互调失真与电源电压
MRF19030R3 MRF19030SR3
4
摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF19030
启12 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为AB类PCN和PCS基站应用
频率1800至2000年兆赫。适于调频，TDMA，CDMA和
多载波放大器应用。
CDMA性能@ 1990兆赫， 26伏
IS - 95 CDMA导频，同步，寻呼，交通守则8直通13
885千赫 - - 47 dBc的30 kHz的带宽
1.25兆赫 - - 55 dBc的12.5 kHz的带宽
2.25兆赫 - - 55 dBc的1 MHz带宽
输出功率 - 4.5瓦的魅力。
功率增益 - 13.5分贝
效率 - 17 ％
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电，1960兆赫， 30瓦CW
输出功率
特点
内部匹配的易用性
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
较低的镀金厚度对信息， 40μ “名义。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀= 250单位每32毫米， 13英寸卷筒。
MRF19030LR3
MRF19030LSR3
1930- 1990兆赫， 30 W， 26 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465E - 04 ，风格1
NI - 400
MRF19030LR3
CASE 465F - 04 ，风格1
NI - 400S
MRF19030LSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
83.3
0.48
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
2.1
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF19030LR3 MRF19030LSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 20
μA)
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 28伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 28伏直流，我
D
= 300 mA）的
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性
输入电容（包括封装的输入匹配电容）
(1)
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
输出电容
(1)
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0中，f = 1 MHz）的
功能测试
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300毫安，
F1 = 1960.0兆赫， F2 = 1960.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300毫安，
F1 = 1960.0兆赫， F2 = 1960.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300毫安，
F1 = 1960.0兆赫， F2 = 1960.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300毫安，
F1 = 1960.0兆赫， F2 = 1960.1兆赫）
两种 - 普通音 - 源放大器功率增益
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300 mA时， F1 = 1930.0兆赫，
F2 = 1930.1 MHz和F1 = 1990.0兆赫， F2 = 1990.1兆赫）
两个 - 音漏极效率
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300 mA时， F1 = 1930.0兆赫，
F2 = 1930.1 MHz和F1 = 1990.0兆赫， F2 = 1990.1兆赫）
三阶互调失真
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300 mA时， F1 = 1930.0兆赫，
F2 = 1930.1 MHz和F1 = 1990.0兆赫， F2 = 1990.1兆赫）
输入回波损耗
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 30瓦PEP ，我
DQ
= 300 mA时， F1 = 1930.0兆赫，
F2 = 1930.1 MHz和F1 = 1990.0兆赫， F2 = 1990.1兆赫）
1.部分是输入和输出内部匹配两种。
G
ps
—
13
—
dB
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
98.5
37
1.3
—
—
—
pF
pF
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2
—
—
3
3.3
0.29
2
4
4.5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
1
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
η
—
36
—
%
IMD
—
- 31
—
dBc的
IRL
—
- 13
—
dB
G
ps
12
13
—
dB
η
33
36
—
%
IMD
—
- 31
- 28
dBc的
IRL
—
- 13
-9
dB
MRF19030LR3 MRF19030LSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
+
C2
B1
B2
R3
B3
B4
B5
V
供应
+
C8
R1
R2
C3
C4
R4
+
C6
C9
R5
C5
R6
R7
L2
L3
Z6
Z7
RF
输入
Z5
Z1
Z2
C1
L1
Z3
Z4
DUT
C10
Z8
C7
L4
Z9
Z10
RF
产量
B1 - B5
C1, C7
C2, C8
C3, C5
C4, C6
C9
C10
L1 - L4
R1 - R7
Z1
Z2
短铁氧体磁珠
10 pF的贴片电容
470
μF,
35 V电解电容器
0.1
μF
贴片电容
5.1 pF的贴片电容
22
μF
片式钽电容器
0.4 - 2.5 pF的可变电容，约翰森Gigatrim
12.5 nH的电感器
12
Ω
贴片电阻（ 0805 ）
0.080 “× 0.595 ”微带
0.080 “× 0.600 ”微带
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
基板
0.080 “× 0.480 ”微带
0.325 “× 0.280 ”微带
0.510 “× 0.200 ”微带
0.510 “× 0.200 ”微带
0.325 “× 0.280 ”微带
0.080 “× 0.480 ”微带
0.080 “× 0.530 ”微带
0.080 “× 0.671 ”微带
0.030 “× 3.00 ”× 5.00 “特氟龙玻璃
,
阿尔隆
图1. MRF19030LR3 （ SR3 ）测试电路原理图
MRF19030LR3 MRF19030LSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
C2
C3
R1
B1
B2
R2
R3 R4
L2
C1
C4
B3 R5
C9
L3
C6
C7
R6
B4
R7
B5
C5
C8
L1
L4
C10
MRF19030
第0版
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. MRF19030LR3 （ SR3 ）测试电路元件布局
MRF19030LR3 MRF19030LSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
典型特征
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
50
IRL
40
η
30
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 300毫安， P
OUT
= 30 W（ PEP ）
双色测量， 100 kHz音调间距
G
ps
10
IMD
0
1900
1920
1940
1960
1980
男，频率（MHz）
2000
35
2020
30
20
15
10
η
，漏极效率（ ％ ） ，G PS ，功率增益（分贝）
45
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 350 mA时， F = 1960 MHz的信道间隔
（信道带宽） ： 885千赫（ kHz的30 ） ，
1.25兆赫（12.5千赫），2.25兆赫（1兆赫）
2.25兆赫
885千赫
20
30
40
50
η
60
70
G
ps
9 CDMA正向信道
飞行员： 0 ，分页： 1 ，交通： 8-13 ， SYNC ： 32
0
2
6
8
10
4
P
OUT
输出功率（瓦平均） CDMA
80
90
100
12
相邻信道功率比（分贝）
IMD ，互调失真（ DBC）
40
35
30
25
20
25
20 1.25兆赫
15
10
5
图3. AB类宽带电路性能
图4. CDMA ACPR ，功率增益和
漏极效率与输出功率
25
IMD ，互调失真（ DBC）
IMD ，互调失真（ DBC）
30
35
40
45
350毫安
50
300毫安
55
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
V
DD
= 26伏， F = 1960 MHz的
双色测量，
100 kHz音调间距
200毫安
300毫安
400毫安
20
30
40
50
五阶
60
70
80
1.0
7阶
V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 300 mA时， F = 1960 MHz的
双色测量，
100 kHz音调间距
3阶
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
图5.互调失真
与输出功率
图6.互调失真产品
与输出功率
15
14
F = 1960 MHz的
I
DQ
= 300毫安， P
OUT
= 30 W（ PEP ）
双色测量， 100 kHz音调间距
G
ps
13
22
24
26
28
30
IMD
32
PS ，功率增益（分贝）
14
350毫安
300毫安
13
300毫安
12
200毫安
V
DD
= 26伏， F = 1960 MHz的
双色测量， 100 kHz音调间距
11
1.0
10
P
OUT
，输出功率（瓦）人教版
100
PS ，功率增益（分贝）
400毫安
13.5
12.5
34
36
12
20
22
24
26
28
30
32
38
34
V
DD
，漏极电压（伏）
图7.功率增益与输出功率
图8.功率增益和
互调失真与电源电压
MRF19030LR3 MRF19030LSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
