摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MRF18090A / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
专为GSM和EDGE基站应用与频率
1.8至2.0千兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。要使用在AB类用于GSM和EDGE蜂窝无线电
应用程序。
GSM和EDGE的演出，全频波段
功率增益 - 13.5分贝（典型值） @ 90瓦（ CW）
效率 - 52 ％ （典型值） @ 90瓦（ CW）
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏， 90瓦（ CW）输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
MRF18090A
MRF18090AS
1.80 - 1.88千兆赫， 90 W， 26 V
横向N沟道
RF功率MOSFET
CASE 465B -03 ，风格1
(NI–880)
(MRF18090A)
CASE 465C -02 ，风格1
(NI–880S)
(MRF18090AS)
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
+15, –0.5
250
1.43
-65到+200
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.7
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 3
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司，2002年
设备数据
MRF18090A MRF18090AS
1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 100
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0伏）
门源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 750 MADC ）
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 3 ADC）
动态特性
反向传输电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具）
共源放大器功率增益@ 90 W（ 1 ）
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 750 mA时， F = 1805至1880年兆赫）
漏极效率@ 90 W（ 1 ）
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 750 mA时， F = 1805至1880年兆赫）
输入回波损耗（ 1 ）
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 90瓦CW，我
DQ
= 750毫安，
F = 1805年至1880年兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 90瓦CW，我
DQ
= 750毫安驻波比= 10 ：1，
所有相位角在测试的频率）
G
ps
12.0
η
47
IRL
—
Ψ
—
–10
52
—
dB
13.5
—
%
dB
C
RSS
—
4.2
—
pF
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2.5
—
—
3.7
0.1
7.2
4.5
—
—
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
10
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
在输出功率不降低
试验前后
（1）为了满足应用的要求，摩托罗拉测试装置已被设计为覆盖全部的GSM1800频带，保证批与批
一致性。
MRF18090A MRF18090AS
2
摩托罗拉RF设备数据
R1
R2
T1
Z8
V
DD
C6
R3
V
GG
R5
R4
C4
C1
C2
C3
R6
Z1
Z3
Z4
C7
Z5
Z6
DUT
Z7
Z9
C8
Z10
C5
+
RF
输入
RF
产量
Z2
C1, C3
C2
C4, C5
C6
C7, C8
R1
R2, R3, R6
R4
R5
T1
Z1
1.0
mF
片式电容器（ 0805 ）
1.0 nF的贴片电容（ 0805 ）
6.8 pF的， 100B贴片电容， ATC
220
MF，
50 V电解电容
12 pF的， 100B贴片电容， ATC
2.2千瓦的贴片电阻（ 0805 ）
1.0千瓦的贴片电阻（ 0805 ）
10千瓦的贴片电阻（ 0805 ）
6.8千瓦的贴片电阻（ 0805 ）
BC847 SOT- 23
0.697 “× 0.087 ”微带
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
PCB
0.197 “× 0.087 ”微带
0.819 “× 0.087 ”微带
0.181 “× 0.144 ”微带
0.383 “× 1.148 ”微带
0.400 “× 1.380 ”微带
0.351 “× 0.351 ”微带
0.126 “× 0.087 ”微带
1.280 “× 0.087 ”微带
≈1.275″
X 0.055 “微带
特在佛罗里达州
玻璃
图1： 1.80 - 1.88 GHz的测试夹具示意图
C6
VBIAS
R1
R3 R5
R2
T1 R4
C1 C2
C3
R6
C4 C5
V供电
WB2
WB1
C7
C8
地
MRF18090A
地
图2： 1.80 - 1.88 GHz的测试夹具元件布局
摩托罗拉RF设备数据
MRF18090A MRF18090AS
3
T1
C1
C2
R3
T2
R4
C8
C9
C10
MRF18090A
图4： 1.80 - 1.88 GHz的演示板组件布局
MRF18090A MRF18090AS
4
T1
C1, C3
C2
C4
C5
C6, C7
C8, C9, C10
R1
R2, R3
R4
R1
R2
R6
R5
C3
C5
+
V
供应
C6
C4
C7
RF
输入
Z1
C8
Z2
C9
Z3
C10
Z4
RF
产量
1
mF
片式电容器（ 0805 ）
0.1
mF
贴片电容（ 0805 ）
1 nF的贴片电容（ 0805 ）
220
MF，
50 V电解电容
8.2 pF的， 100A贴片电容
22 pF的， 100A贴片电容
10
贴片电阻（ 0805 ）
1 kΩ的片式电阻器（ 0805 ）
2.2 kΩ的贴片电阻（ 0805 ）
R5
10 kΩ的片式电阻器（ 0603 ）
R6
5千欧，贴片电位器
T1
LP2951微8稳压器
T2
BC847 SOT- 23 NPN晶体管
Z1
0.210 “× 0.055 ”微带
Z2
0.419 “× 0.787 ”微带
Z3
0.836 “× 0.512 ”微带
Z4
0.164 “× 0.055 ”微带
底= 0.5毫米聚四氟乙烯
玻璃
图3： 1.80 - 1.88 GHz的演示电路板原理图
V供电
地
C1 ，R1牛逼1
R2
R3
R4
T2
C2
C5
R5
C3
C6
C7
R6
C4
MRF18090A
摩托罗拉RF设备数据
QQ：2880707522 复制
