摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
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通过MRF18060B / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
专为PCN和PCS基站应用与频率
1.8至2.0千兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。指定用于GSM1930 - 1990兆赫。
GSM性能，全频波段（ 1930年 - 1990兆赫）
功率增益 - 14分贝（典型值） @ 60瓦CW
效率 - 45 ％ （典型值） @ 60瓦CW
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏， 60瓦CW输出功率
优良的热稳定性
可提供低镀金厚度上信息。 L结尾的表示
40
″
标称。
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF18060BR3
MRF18060BSR3
MRF18060BLSR3
1.90 - 1.99千兆赫， 60 W， 26 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
MRF18060BR3
CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
MRF18060BSR3 ， MRF18060BLSR3
最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
- 0.5, +15
180
1.03
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.97
单位
° C / W
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
第5版
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2004年
设备数据
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MRF18060BR3 MRF18060BSR3 MRF18060BLSR3
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 300
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 500 MADC ）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2.5
—
—
—
3.9
0.27
4.7
4
4.5
—
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
6
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
输入电容（包括输入匹配电容的封装） （ 1 ）
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容（ 1 ）
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）
通用 - 源放大器功率增益@ 60 W（ 2 ）
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 500 mA时， F = 1930年至1990年兆赫）
漏极效率@ 60 W（ 2 ）
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 500 mA时， F = 1930年至1990年兆赫）
输入回波损耗（ 2 ）
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦CW ，我
DQ
= 500毫安，
F = 1930至1990年兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦CW ，我
DQ
= 500毫安驻波比= 10 ：1，
所有相位角在测试的频率）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
160
740
2.7
—
—
—
pF
pF
pF
G
ps
η
IRL
dB
11.5
40
—
13
45
—
—
%
—
dB
- 10
Ψ
在输出功率不降低
试验前后
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
（2）为了满足应用的要求，摩托罗拉测试装置已被设计为覆盖全GSM1900频带，从而确保批次 - 到 - 批次
一致性。
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摩托罗拉RF设备数据
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飞思卡尔半导体公司
Z5
V
DD
V
GG
R1
R2
C1
R3
RF
输入
C9
Z1
C4
Z2
C5
Z3
DUT
C7
Z4
C6
Z6
C8
Z7
C3
+
C2
RF
产量
飞思卡尔半导体公司...
C1, C3
C2
C4, C8
C5
C6
C7, C9
R1, R2
R3
10 pF的， 100B贴片电容
10
MF，
35 V电解钽电容器
1.2 pF的， 100B贴片电容
1.0 pF的， 100B贴片电容
2.2 pF的， 100B贴片电容
0.3 pF的， 100B贴片电容
10 kΩ的片式电阻器（ 0805 ）
1.0 kΩ的贴片电阻（ 0805 ）
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
PCB
0.60 “× 0.09 ”微带
1.00 “× 0.09 ”微带
0.51 “× 0.94 ”微带
0.59 “× 0.98 ”微带
0.79 “× 0.09 ”微带
1.38 “× 0.09 ”微带
0.79 “× 0.09 ”微带
特在佛罗里达州
玻璃
图1. 1930年 - 1990 MHz的测试夹具示意图
VBIAS
R1
C1
R2
C9
C4
R3
C6
C5
C2
V供电
C3
C7
C8
地
MRF18060
地
图2. 1930年至1990年兆赫测试夹具元件布局
摩托罗拉RF设备数据
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3
飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
C1
R3
T2
R4
R6
RF
输入
C3
飞思卡尔半导体公司...
R2
R3
R4
C7
C8
C6
MRF18060
图4. 1800至2000年兆赫演示板组件布局
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T1
T1
C1
C2
C3, C5, C8
C4
C6
C7
R1
R2, R6
R3
R4
R5
C1
R1
R2
R5
V
供应
C2
C4
+
C5
Z1
C6
Z2
C7
Z3
Z6
Z4
Z5
C8
Z7
RF
产量
1
mF
贴片电容（ 0805 ）
100 nF的贴片电容（ 0805 ）
10 pF的贴片电容， ACCU - P （ 0805 ）
10
MF，
35 V钽电解电容器
1.8 pF的贴片电容， ACCU - P （ 0805 ）
1 pF的贴片电容， ACCU - P （ 0805 ）
10
贴片电阻（ 0805 ）
1 kΩ的片式电阻器（ 0805 ）
1.2 kΩ的贴片电阻（ 0805 ）
2.2 kΩ的贴片电阻（ 0805 ）
5千欧，贴片电位器
T1
LP2951微 - 8稳压器
T2
BC847 SOT - 23 NPN晶体管
Z1
0.159 “× 0.055 ”微带
Z2
0.982 “× 0.055 ”微带
Z3
0.087 “× 0.055 ”微带
Z4
0.512 “× 0.787 ”微带
Z5
0.433 “× 1.220 ”微带
Z6
1.039 “× 0.118 ”微带
Z7
0.268 “× 0.055 ”微带
底= 0.5毫米聚四氟乙烯
玻璃，
ε
r
= 2.55
图3. 1800至2000年兆赫演示电路板原理图
V
BIAS
地
V
供应
R1
T1
C4
T2
R5
C2
C3
R6
MRF18060
C5
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典型特征（数据所使用宽带演示板）
16
噘嘴，输出功率（瓦）
15
PS ，功率增益（分贝）
14
13
500毫安
12
11 300毫安
10
9
8
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
100
百毫安
V
DD
= 26伏直流
F = 1880 MHz的
I
DQ
= 750毫安
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
18
20
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 500毫安
22
24
26
V
DD
，电源电压（伏）
28
30
1W
2.5 W
P
in
= 5 W
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图5.功率增益与
输出功率
图6.输出功率与电源电压
90
噘嘴，输出功率（瓦）
80
70
3W
60
50
40
30
20
10
0
1800
1820
1840
1860
男，频率（MHz）
1880
1900
1W
0.5 W
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 500毫安
P
in
= 6 W
噘嘴，输出功率（瓦）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
P
in
，输入功率（瓦）
5
6
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 500毫安
F = 1880 MHz的
h
P
OUT
60
55
η
，漏极效率（ ％ ）
50
45
40
35
30
25
20
15
图7.输出功率与频率
图8.输出功率和效率
与输入功率
0
2
G
ps
4
6
8
10
12
14
IRL
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 500毫安
2000
2100
16
18
20
IRL ，输入回波损耗（分贝）
15.0
14.5
14.0
PS ，功率增益（分贝）
13.5
13.0
12.5
12.0
11.5
11.0
10.5
10.0
1700
1800
1900
男，频率（MHz）
图9.宽带增益和IRL
（在小信号）
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射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
专为PCN和PCS基站应用与频率
1.8至2.0千兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波放大器
应用程序。要使用AB类的PCN - PCS /蜂窝无线电和WLL
应用程序。指定用于GSM1930 - 1990兆赫。
GSM性能，全频波段（ 1930年 - 1990兆赫）
功率增益 - 14分贝（典型值） @ 60瓦CW
效率 - 45 ％ （典型值） @ 60瓦CW
内部匹配，控制Q，为方便使用
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 26伏， 60瓦CW输出功率
优良的热稳定性
可提供低镀金厚度上信息。 L结尾的表示
40
″
标称。
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
MRF18060BR3
MRF18060BSR3
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1.90 - 1.99千兆赫， 60 W， 26 V
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
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CASE 465 - 06 ，风格1
NI - 780
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CASE 465A - 06 ，风格1
NI - 780S
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最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
- 0.5, +15
180
1.03
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
0.97
单位
° C / W
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
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电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
漏极 - 源极击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 10
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 300
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 500 MADC ）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2.5
—
—
—
3.9
0.27
4.7
4
4.5
—
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
6
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 2 ADC）
动态特性
输入电容（包括输入匹配电容的封装） （ 1 ）
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容（ 1 ）
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
功能测试
（在摩托罗拉测试夹具， 50欧姆系统）
通用 - 源放大器功率增益@ 60 W（ 2 ）
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 500 mA时， F = 1930年至1990年兆赫）
漏极效率@ 60 W（ 2 ）
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 500 mA时， F = 1930年至1990年兆赫）
输入回波损耗（ 2 ）
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦CW ，我
DQ
= 500毫安，
F = 1930至1990年兆赫）
输出失配应力
(V
DD
= 26伏直流电，P
OUT
= 60瓦CW ，我
DQ
= 500毫安驻波比= 10 ：1，
所有相位角在测试的频率）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
160
740
2.7
—
—
—
pF
pF
pF
G
ps
η
IRL
dB
11.5
40
—
13
45
—
—
%
—
dB
- 10
Ψ
在输出功率不降低
试验前后
（ 1 ）部分是输入和输出内部匹配两种。
（2）为了满足应用的要求，摩托罗拉测试装置已被设计为覆盖全GSM1900频带，从而确保批次 - 到 - 批次
一致性。
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Z5
V
DD
V
GG
R1
R2
C1
R3
RF
输入
C9
Z1
C4
Z2
C5
Z3
DUT
C7
Z4
C6
Z6
C8
Z7
C3
+
C2
RF
产量
飞思卡尔半导体公司...
C1, C3
C2
C4, C8
C5
C6
C7, C9
R1, R2
R3
10 pF的， 100B贴片电容
10
MF，
35 V电解钽电容器
1.2 pF的， 100B贴片电容
1.0 pF的， 100B贴片电容
2.2 pF的， 100B贴片电容
0.3 pF的， 100B贴片电容
10 kΩ的片式电阻器（ 0805 ）
1.0 kΩ的贴片电阻（ 0805 ）
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
PCB
0.60 “× 0.09 ”微带
1.00 “× 0.09 ”微带
0.51 “× 0.94 ”微带
0.59 “× 0.98 ”微带
0.79 “× 0.09 ”微带
1.38 “× 0.09 ”微带
0.79 “× 0.09 ”微带
特在佛罗里达州
玻璃
图1. 1930年 - 1990 MHz的测试夹具示意图
VBIAS
R1
C1
R2
C9
C4
R3
C6
C5
C2
V供电
C3
C7
C8
地
MRF18060
地
图2. 1930年至1990年兆赫测试夹具元件布局
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飞思卡尔半导体公司
V
BIAS
C1
R3
T2
R4
R6
RF
输入
C3
飞思卡尔半导体公司...
R2
R3
R4
C7
C8
C6
MRF18060
图4. 1800至2000年兆赫演示板组件布局
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T1
T1
C1
C2
C3, C5, C8
C4
C6
C7
R1
R2, R6
R3
R4
R5
C1
R1
R2
R5
V
供应
C2
C4
+
C5
Z1
C6
Z2
C7
Z3
Z6
Z4
Z5
C8
Z7
RF
产量
1
mF
贴片电容（ 0805 ）
100 nF的贴片电容（ 0805 ）
10 pF的贴片电容， ACCU - P （ 0805 ）
10
MF，
35 V钽电解电容器
1.8 pF的贴片电容， ACCU - P （ 0805 ）
1 pF的贴片电容， ACCU - P （ 0805 ）
10
贴片电阻（ 0805 ）
1 kΩ的片式电阻器（ 0805 ）
1.2 kΩ的贴片电阻（ 0805 ）
2.2 kΩ的贴片电阻（ 0805 ）
5千欧，贴片电位器
T1
LP2951微 - 8稳压器
T2
BC847 SOT - 23 NPN晶体管
Z1
0.159 “× 0.055 ”微带
Z2
0.982 “× 0.055 ”微带
Z3
0.087 “× 0.055 ”微带
Z4
0.512 “× 0.787 ”微带
Z5
0.433 “× 1.220 ”微带
Z6
1.039 “× 0.118 ”微带
Z7
0.268 “× 0.055 ”微带
底= 0.5毫米聚四氟乙烯
玻璃，
ε
r
= 2.55
图3. 1800至2000年兆赫演示电路板原理图
V
BIAS
地
V
供应
R1
T1
C4
T2
R5
C2
C3
R6
MRF18060
C5
飞思卡尔半导体公司
典型特征（数据所使用宽带演示板）
16
噘嘴，输出功率（瓦）
15
PS ，功率增益（分贝）
14
13
500毫安
12
11 300毫安
10
9
8
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
100
百毫安
V
DD
= 26伏直流
F = 1880 MHz的
I
DQ
= 750毫安
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
18
20
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 500毫安
22
24
26
V
DD
，电源电压（伏）
28
30
1W
2.5 W
P
in
= 5 W
飞思卡尔半导体公司...
图5.功率增益与
输出功率
图6.输出功率与电源电压
90
噘嘴，输出功率（瓦）
80
70
3W
60
50
40
30
20
10
0
1800
1820
1840
1860
男，频率（MHz）
1880
1900
1W
0.5 W
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 500毫安
P
in
= 6 W
噘嘴，输出功率（瓦）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
P
in
，输入功率（瓦）
5
6
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 500毫安
F = 1880 MHz的
h
P
OUT
60
55
η
，漏极效率（ ％ ）
50
45
40
35
30
25
20
15
图7.输出功率与频率
图8.输出功率和效率
与输入功率
0
2
G
ps
4
6
8
10
12
14
IRL
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 500毫安
2000
2100
16
18
20
IRL ，输入回波损耗（分贝）
15.0
14.5
14.0
PS ，功率增益（分贝）
13.5
13.0
12.5
12.0
11.5
11.0
10.5
10.0
1700
1800
1900
男，频率（MHz）
图9.宽带增益和IRL
（在小信号）
摩托罗拉RF设备数据
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MRF18060BR3 MRF18060BSR3 MRF18060BLSR3
5
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