飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF18030B
启7 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为GSM和EDGE基站应用的频率
一八零零年至2000年兆赫。适用于FM ， TDMA ， CDMA和多载波
放大器应用。指定为GSM 1930至1990年兆赫。
典型的GSM性能：
功率增益 - 10分贝（典型值） @ 30瓦
效率 - 50 ％ （典型值） @ 30瓦
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏， 30瓦CW输出功率
特点
内部匹配的易用性
高增益，高效率和高线性度
集成ESD保护
专为最大增益和插入相位平坦度
优良的热稳定性
较低的镀金厚度对信息， 40μ “名义。
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每32毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF18030BLR3
MRF18030BLSR3
1930- 1990兆赫， 30 W， 26 V
GSM / EDGE GSM
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465E - 04 ，风格1
NI - 400
MRF18030BLR3
CASE 465F - 04 ，风格1
NI - 400S
MRF18030BLSR3
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, +15
83.3
0.48
- 65 + 150
150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
2.1
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2 （最小）
M3 （最低）
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF18030BLR3 MRF18030BLSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
表4.电气特性
(T
C
= 25 ℃，50欧姆系统，除非另有说明）
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0伏，我
D
= 20
μAdc ）
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 100
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 250 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 1 ADC）
动态特性
反向传输电容
(1)
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
功能测试
（飞思卡尔测试夹具）
(2)
输出功率， 1 dB压缩点
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 250 mA时， F = 1930年至1990年兆赫）
共源放大器功率增益@ 30瓦
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 250 mA时， F = 1930年至1990年兆赫）
漏极效率@ 30瓦
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 250 mA时， F = 1930年至1990年兆赫）
输入回波损耗@ 30瓦
(V
DD
= 26伏直流，我
DQ
= 250 mA时， F = 1930年至1990年兆赫）
1.部分内部对输入和输出匹配两种。
获得在生产测试夹具2.设备规格。
P1dB
G
ps
η
IRL
27
13
46.5
—
30
14
50
- 12
—
—
—
-9
W
dB
%
dB
C
RSS
—
1.3
—
pF
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
2
—
—
3
3.9
0.29
2
4
4.5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
65
—
—
—
—
—
—
1
1
VDC
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
MRF18030BLR3 MRF18030BLSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
R2
R3
C7
R1
C8
Z9
C4
+
V
DD
C9
RF
输入
Z4
Z1
C1
Z2
C2
Z3
DUT
Z5
Z6
C3
Z7
C6
Z8
RF
产量
C5
C1
C2
C3
C4, C5
C6, C7, C8
C9
R1
R2, R3
Z1
1.8 pF的， 100B贴片电容
0.8 pF的， 100B贴片电容
0.8 pF的， 100B贴片电容
1.2 pF的， 100B贴片电容
8.2 pF的， 100B贴片电容
220
MF，
63 V电解电容
1.0 kΩ的1/8 W贴片电阻（ 0805 ）
为10kΩ ， 1/8 W码电阻器（ 0805 ）
0.496 “× 0.087 ”微带
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
1.022 “× 0.087 ”微带
0.257 “× 0.633 ”微带
0.189 “× 0.394 ”微带
0.335 “× 0.394 ”微带
0.616 “× 0.087 ”微带
0.845 “× 0.087 ”微带
0.366 “× 0.087 ”微带
≈0.500″
X 0.087 “微带
图1. 1930年 - 1990 MHz的测试夹具示意图
VBIAS
R2 R3
C7
C1
C2
切除区域
C5
C3
R1
C8
C4
C9
V供电
C6
地
（偏置）
MRF18030B
地
（供应）
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2. 1930年至1990年兆赫测试夹具元件布局
MRF18030BLR3 MRF18030BLSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
典型特征
16
15
PS ，功率增益（分贝）
14
13
12
11
10
1850
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 250毫安
中T = 25℃
1900
G
ps
@ 15 W
G
ps
@ 30 W
0
噘嘴，输出功率（瓦）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
5
10
15
20
25
30
2050
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1880
1900
1920
1940
1960
1980
2000
2020
0.5 W
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 250毫安
中T = 25℃
P
in
= 2 W
1W
IRL @ 30瓦
IRL @ 15瓦
0.25 W
1950
男，频率（MHz）
2000
男，频率（MHz）
图3.宽带增益和IRL在30 W和
15 W输出功率
图4.输出功率与频率
16
15
PS ，功率增益（分贝）
14
13
12
11
10
I
DQ
= 400毫安
PS ，功率增益（分贝）
300毫安
200毫安
15
14
13
12
11
10
9
100
0.1
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 250毫安
F = 1960 MHz的
1
10
100
P
OUT
，输出功率（瓦）
中T = 25℃
55_C
85_C
百毫安
V
DD
= 26伏直流
F = 1960 MHz的
中T = 25℃
0.1
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
图5.功率增益与输出功率
图6.功率增益与输出功率
15
14
PS ，功率增益（分贝）
13
12
11
I
DQ
= 250毫安
F = 1960 MHz的
中T = 25℃
1
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
16
15
PS ，功率增益（分贝）
14
13
12
h
11
10
100
0.1
1
V
DD
= 26伏直流
I
DQ
= 250毫安
F = 1960 MHz的
中T = 25℃
10
G
ps
60
50
40
30
20
10
0
100
η
，漏极效率（ ％ ）
30 V
28 V
26 V
V
DD
= 22 V
24 V
10
P
OUT
，输出功率（瓦）
图7.功率增益与输出功率
图8.功率增益和效率与
输出功率
MRF18030BLR3 MRF18030BLSR3
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
Z
o
= 25
Ω
F = 2110 MHz的
Z
负载
F = 1710 MHz的
F = 2110 MHz的
F = 1710 MHz的
Z
来源
V
DD
= 26 V，I
DQ
= 250毫安， P
OUT
= 30 W（ CW）
f
兆赫
1710
1785
1805
1840
1880
1960
1990
2110
Z
来源
Ω
2.92 - j8.24
3.84 - j9.75
4.15 - j10.38
4.04 - j10.22
6.12 - j12.29
6.20 - j12.29
8.61 - j12.10
15.19 - j11.85
Z
负载
Ω
4.18 - j9.06
4.59 - j9.46
4.98 - j9.06
6.10 - j7.63
5.83 - j6.89
5.55 - j6.33
5.93 - j6.66
3.82 - j5.33
Z
来源
通过测量=测试电路的阻抗
栅极接地。
Z
负载
测量=测试电路的阻抗
从漏极到地。
设备
被测
产量
匹配
网
输入
匹配
网
Z
来源
Z
负载
图9.系列等效源和负载阻抗
MRF18030BLR3 MRF18030BLSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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