MRF176GU
MRF176GV
射频MOSFET线
200 / 150W ，为500MHz ， 50V
专为使用推宽带商业和军事应用
工作频率为500 MHz的拉电路。的高功率，高增益和
这些器件的宽带性能，使可能的固态
发射机用于FM广播或电视频道的频带。
N沟道增强模式
M / A- COM产品
发布 - 启示录07.07
产品图片
电气性能
MRF176GU @ 50 V ， 400兆赫（ “U”后缀）
输出功率 - 150瓦
功率增益 - 10 dB典型值。
效率 - 50 ％ （典型值） 。
MRF176GV @ 50 V ， 225兆赫（ “V”后缀）
输出功率 - 200瓦
功率增益 - 16 dB典型值。
效率 - 55 ％ （典型值） 。
在额定输出功率的100％坚固性测试
低热阻
低C
RSS
- 7.0 pF的典型值@ V
DS
= 50 V
CASE 375-04 ，花柱2
1
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北美
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欧洲
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亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
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典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
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摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MRF176GU / D
射频MOSFET线
射频功率
场效应晶体管
N沟道增强模式
专为使用推挽宽带商业和军事应用
在频率为500兆赫的电路。的高功率，高增益和宽带
这些设备的性能成为可能的固态发射机FM
广播或电视信道的频带。
电气性能
MRF176GU @ 50 V ， 400兆赫（ “U”后缀）
输出功率= 150瓦
功率增益 - 10 dB典型值
效率 - 50 ％典型值
MRF176GV @ 50 V ， 225兆赫（ “V”后缀）
输出功率 - 200瓦
功率增益 - 16 dB典型值
效率 - 55 ％典型值
在额定输出功率的100％坚固性测试
低热阻
低的Crss - 7.0 pF的典型值@ VDS = 50 V
G
G
S
（法兰）
MRF176GU
MRF176GV
200/150 W， 50 V， 500 MHz的
N沟道MOS
宽带
RF功率FET
D
CASE 375-04 ，花柱2
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
D
符号
VDSS
VGS
ID
PD
TSTG
TJ
价值
125
±
40
16
400
2.27
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.44
单位
° C / W
处理和包装
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
(1)
漏源击穿电压
（VGS = 0时， ID = 100 mA）的
零栅极电压漏极电流
（VDS = 50 V ，V GS = 0）
门体漏电流
（ VGS = 20V时， VDS = 0）的
注意：
1.装置的每一侧分别测得。
转8
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
125
—
—
—
—
—
—
2.5
1.0
VDC
MADC
μAdc
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉公司1995年
MRF176GU MRF176GV
1
电气特性 - 续
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
(1)
栅极阈值电压（ VDS = 10V ， ID = 100 mA时）
漏源电压（ VGS = 10V ， ID = 5.0 A）
正向跨导（ VDS = 10V ， ID = 2.5 A）
VGS （ TH）
VDS （上）
政府飞行服务队
1.0
1.0
2.0
3.0
3.0
3.0
6.0
5.0
—
VDC
VDC
姆欧
动态特性
(1)
输入电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
输出电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
反向传输电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
180
100
6.0
—
—
—
pF
pF
pF
功能特性 - MRF176GV
（2） （图1）
共源功率增益
（ VDD = 50伏直流电，噘= 200 W，F = 225兆赫， IDQ = 2.0× 100 mA时）
漏EF网络效率
（ VDD = 50伏直流电，噘= 200 W，F = 225兆赫， IDQ = 2.0× 100 mA时）
电气耐用
（ VDD = 50伏直流电，噘= 200 W，F = 225兆赫， IDQ = 2.0 ×100毫安，
驻波比10 ： 1 ，在所有相位角）
注意事项：
1.装置的每一侧分别测得。
2.测在推挽式结构。
R1
BIAS 0 - 6 V
C3
C4
C8
C9
C10
+
50 V
–
全球定位系统
η
ψ
在输出功率不降低
15
50
17
55
—
—
dB
%
R2
T1
D.U.T.
T2
C5
C1
C2
C6
C7
C1 - 阿科404 ， 8.0 - 60 pF的
C2，C3， C6，C8 - 1000pF的片状
C4, C9 — 0.1
F
芯片
C5 - 180 pF的芯片
C7 - 阿科403 ， 3.0 - 35 pF的
C10 — 0.47
F
芯片，基美1215或同等
L1 - 10圈AWG ＃ 16漆包线，
L1 —
关闭伤口， 1/4“内径
板材料 - .062 “玻璃纤维（ G10 ） ，
两个双面， 1盎司铜，
ε
r
5
^
L2 - 合适的材料铁氧体磁珠
L2 —
1.5 - 2.0
H,
总电感
R1 - 100欧姆， 1/2 W
R2 - 1.0千欧， 1/2 W
T1 - 4 ： 1阻抗比RF变压器。
T1 —
可制成25欧姆半刚性
T1 —
联合斧， 47 - 62密尔外径
T2 - 1 ： 4阻抗比RF变压器。
T2 —
可制成25欧姆半刚性
T2 —
联合斧， 62 - 90密尔外径
注：对于稳定性，输入变压器T1应加载
注意：
用铁氧体磁环或磁珠，以增加公共
注意：
模电感。对于低于100 MHz的操作。该
注意：
同样是必需的输出变压器。
除非另有说明，所有的片式电容器
ATC是100型或同等
图1. 225 MHz的测试电路
MRF176GU MRF176GV
2
摩托罗拉RF设备数据
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
功能特性 - MRF176GU
（1） （图2）
共源功率增益
（ VDD = 50伏直流电，噘= 150 W， F = 400兆赫， IDQ = 2.0× 100 mA时）
漏EF网络效率
（ VDD = 50伏直流电，噘= 150 W， F = 400兆赫， IDQ = 2.0× 100 mA时）
电气耐用
（ VDD = 50伏直流电，噘= 150 W， F = 400兆赫， IDQ = 2.0 ×100毫安，
驻波比10 ： 1 ，在所有相位角）
注意：
1.测量在推挽式结构。
全球定位系统
η
ψ
在输出功率不降低
12
45
14
50
—
—
dB
%
A
BIAS
C11
C12
R1
L1
Z1
C1
B1
L2
Z2
C2
R3
A
C14
B1 - 巴伦， 50
半刚性同轴电缆0.086 OD 2 “龙
B2 - 巴伦， 50
半刚性同轴电缆.141 OD 2 “龙
C1 ， C2 ， C9 ， C10 - 270 pF的ATC贴片电容
C3 - 15 pF的ATC芯片帽
C4 ， C8 - 1.0 - 20 pF的活塞微调电容
C5 - 27 pF的ATC芯片帽
C6 ， C7 - 22 pF的小电容Unelco
C11, C13, C14, C15, C16 — 0.01
F
陶瓷电容器
C12 — 1.0
F
50 V钽帽
C17 ， C18 - 680 pF的电容馈通
.200
C19 — 10
F
100 V钽帽
L1 ， L2 - 发夹电感＃ 18瓦
L3 ， L4 - 发夹电感＃ 18瓦
.200″
C16
D.U.T.
C3
C4
C13
R2
C15
B
C17
L7
C18
L8
C19
50 V
C9
Z3
C6
C5
C7
C10
Z4
L6
B
L4
C8
B2
L3
.400″
.200″
L5 ， L6 - 13T ＃ 18瓦.250 ID
L7 - Ferroxcube公司VK -200 20 / 4B
L8 - 3T ＃ 18瓦0.340 ID
R1 - 1.0 kΩ的1/4 W电阻
R2 ， R3 - 10 kΩ的1/4 W电阻
Z1 ， Z2 - 微带线.400L X .250W
Z3 ， Z4 - 微带线.450L X .250W
CKT板材料 - .060 “特氟龙玻璃纤维覆铜两侧， 2盎司铜，
ε
r = 2.55
图2. 400 MHz的测试电路
摩托罗拉RF设备数据
MRF176GU MRF176GV
3
典型特征
4000
F T ，单位增益频率（MHZ ）
VDS = 30 V
3000
15 V
2000
100
I D ，漏极电流（ AMPS ）
10
1000
TC = 25°C
0
0
1
2
3
4
5
6
7
ID ，漏极电流（ AMPS ）
8
9
10
1
2
10
50
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
200
图3.常见的来源统一电流增益*
增益 - 频率与漏电流
*显示的数据应用到MRF176GU / GV各占一半
图4.直流安全工作区
输入和输出阻抗
MRF176GU/GV
VDD = 50V， IDQ = 2× 100毫安
寻
300
225
F = 500 MHz的
F = 500 MHz的
400
150
225
300
225
50
30
100
ZO = 10
50
30
ZOL * =共轭的最佳负载
阻抗到其中的设备的输出
工作在给定的输出功率，电压
和频率。
150
ZOL *
30
50
100
150
225
ZOL *
225
300
400
500
400
f
兆赫
寻
欧
（噘= 150 W）
2.05 – j2.50
2.00 – j1.10
1.85 + j0.75
1.60 + j2.70
（噘= 200 W）
7.50 – j6.50
5.50 – j7.00
3.20 – j6.00
2.50 – j4.80
2.05 – j2.50
17.00 – j4.00
14.00 – j5.00
11.00 – j5.20
8.20 – j5.00
5.00 – j4.20
6.50 – j3.50
4.80 – j3.10
3.00 – j1.90
2.60 + j0.10
ZOL *
欧
100
注意：给定的输入和输出阻抗值是从栅极到栅极和漏极分别测量流失。
图5.系列等效输入/输出阻抗
MRF176GU MRF176GV
4
摩托罗拉RF设备数据
典型特征
500
西塞
功率增益（ dB）的
科斯
30
C，电容（pF ）
200
100
50
25
噘嘴= 200瓦
20
VGS = 0 V
F = 1 MHz的
15
150 W
10
VDS = 50 V
IDQ = 2×百毫安
20
10
5
0
CRSS
10
20
30
40
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
50
5
5
10
20
50
100
男，频率（MHz）
200
500
图6.电容与漏源电压*
*显示的数据应用到MRF176GU / GV各占一半
图7.功率增益与频率
MRF176GV
300
噘嘴，输出功率（瓦）
VDD = 50 V
200
40 V
噘嘴，输出功率（瓦）
320
280
240
200
4W
160
120
80
40
0
0
6
引脚，电源输入（瓦）
12
0
30
32
34
38
40
42
44
VDS ，电源电压（伏）
36
46
48
50
2W
IDQ = 2×百毫安
F = 225 MHz的
PIN = 6 W
100
IDQ = 2×百毫安
F = 225 MHz的
图8.电源输入与输出功率
图9.输出功率与电源电压
摩托罗拉RF设备数据
MRF176GU MRF176GV
5
QQ：2880707522 复制
