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MRF171
TMOS RF FET
N沟道增强模式
描述：
该
ASI MRF171
是一个金的金属化
N沟道增强模式
的MOSFET ，旨在用于28伏直流电
大信号应用为200 MHz。
包装样式0.380 4L FLG
B
.112 x 45°
A
产品特点：
S
D
S
C
D
E
.125 NOM 。
，完全R
J
.125
P
G
= 12分贝分钟，在150兆赫
Omnigold
金属化系统
2 - 200 MHz运行
G
F
I
GH
最大额定值
I
D
V
DSS
V
DGR
V
GS
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
4.5 A
65 V
65 V
±
40 V
115 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
1.52 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
.240 / 6.10
.004 / 0.10
.085 / 2.16
.160 / 4.06
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.785 / 19.94
.720 / 18.29
.970 / 24.64
.230 / 5.84
.730 / 18.54
.980 / 24.89
.385 / 9.78
.006 / 0.15
.105 / 2.67
.180 / 4.57
.280 / 7.11
.255 / 6.48
特征
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
G
ps
η
T
C
= 25 °C
无
测试条件
I
DS
= 10毫安
V
DS
= 28 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 25毫安
I
D
= 1 A
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
最低
65
典型的最大
5.0
1.0
单位
V
mA
A
V
姆欧
1.0
0.7
55
70
14
12
50
15
60
6.0
V
DS
= 28 V
V
DD
= 28 V
F = 150 MHz的
V
GS
= 0 V
I
DQ
= 25毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 45 W
pF
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
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供货商
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厂家
批号
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封装
单价/备注
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    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MRF171
    -
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