飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF1570N
牧师9 ， 6/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
资本投资者入境计划高达470兆赫。高增益和它们的宽带性能
装置使它们非常适用于大型 - 信号，共源放大器的应用
系统蒸发散在12.5伏移动调频设备。
指定的性能@ 470兆赫， 12.5伏特
输出功率 - 70瓦
功率增益 - 11.5分贝
效率 - 60 ％
能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.6伏， 470兆赫， 2分贝高速
特点
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
宽带 - 整个波段全功率： 135 - 175兆赫
400 - 470兆赫
宽带示范放大器的信息面议
200℃有能力塑料包装
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
在磁带和卷轴。 T1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MRF1570NT1
MRF1570FNT1
470兆赫， 70 W， 12.5 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 1366至1305年，风格1
TO - 272 - 8 WRAP
塑料
MRF1570NT1
CASE 1366A - 03 ，风格1
TO - 272 - 8
塑料
MRF1570FNT1
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
+0.5, +40
±
20
165
0.5
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(1)
0.29
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
类
1 （最低）
M2 （最低）
C2 （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF1570NT1 MRF1570FNT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
GG
C14
C13
C12
+
C11
R1
Z2
RF
输入
C1 Z1
C2
C3
R4
Z3
L2
C5
Z5
L4
C7
B2
V
GG
C19
C18
C17
+
C16
C15
C44
C43
Z7
C9
R2
L10
Z9
Z11
Z13
Z15
L1
C4
Z4
L3
C6
C8
DUT
C21
C23
Z6
R3
Z8
Z10
Z12
C20
C10
C38
C37
B3
B4
C36
C35
C34
+ V
DD
C33
L9
Z14
C22
Z16
C24
L5
C26
L7
C28
Z18
C30
RF
产量
C32
Z21
Z20
Z22
C25
C27
Z17
L6
L8
C29
Z19
C31
B5
B6
C42
C41
C40
+ V
DD
C39
B1 ， B2 ， B3 ， B4 ， B5 ， B6龙铁氧体磁珠，展爱色丽产品
C1, C32, C37, C43
270 pF的， 100万片式电容器
C2, C20, C21
33 pF的， 100万片式电容器
C3
18 pF的， 100万片电容
C4, C5
30 pF的， 100万片式电容器
C6, C7
180 pF的， 100万片式电容器
C8, C9
150 pF的， 100万片式电容器
C10, C15
300 pF的， 100万片式电容器
C11, C16, C33, C39 10
μF,
50 V电解电容器
C12, C17, C34, C40 0.1
μF,
100万片式电容器
C13 ， C18 ， C35 ， C41 1000 pF的， 100万片式电容器
C14 ， C19 ， C36 ， C42 470 pF的， 100万片式电容器
C22, C23
110 pF的， 100万片式电容器
C24, C25
68 pF的， 100万片式电容器
C26, C27
120 pF的， 100万片式电容器
C28, C29
24 pF的， 100万片式电容器
C30, C31
27 pF的， 100万片式电容器
C38, C44
240 pF的， 100万片式电容器
L1, L2
17.5 NH， 6转动电感， Coilcraft公司
L3, L4
L5, L6, L7, L8
L9, L10
N1, N2
R1, R2
R3, R4
Z1
Z2, Z3
Z4, Z5
Z6, Z7
Z8, Z9, Z10, Z11
Z12, Z13
Z14, Z15
Z16, Z17
Z18, Z19
Z20, Z21
Z22
板
5 NH 2打开电感， Coilcraft公司
1打开， ＃ 18 AWG ， 0.33 “ ID电感器
3打开， ＃ 16 AWG ， 0.165 “ ID电感器
N型法兰底座
25.5
Ω
贴片电阻（ 1206 ）
9.3
Ω
贴片电阻（ 1206 ）
0.32 “× 0.080 ”微带
0.46 “× 0.080 ”微带
0.34 “× 0.080 ”微带
0.45 “× 0.080 ”微带
0.28 “× 0.240 ”微带
0.39 “× 0.080 ”微带
0.27 “× 0.080 ”微带
0.25 “× 0.080 ”微带
0.29 “× 0.080 ”微带
0.14 “× 0.080 ”微带
0.32 “× 0.080 ”微带
31万铁氟龙玻璃
图1： 135 - 175 MHz的宽带测试电路原理图
MRF1570NT1 MRF1570FNT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
V
GG
C11
GND
B1
C38
C12 C13 C14
C4
C1
C2
L1
L3
C6
C10
R1
C8
R3
R4
C9
R2
C15
C44
C43
B2
C16
MRF1570T1
B5
B6
C39
L9
C22
C23
L10
C26
C27
L6
C21 C25
L8
C29 C42 C41 C40
C37
C20 C24
L5
B3
B4
C33
V
DD
GND
C28 C36 C35 C34
L7
C30
C31
C32
C3
C5
C17 C18 C19
L2
C7
L4
飞思卡尔已经开始标记印刷电路板（PCB ）的过渡与飞思卡尔半导体
签名/标志。多氯联苯可能有过渡期间无论是摩托罗拉，飞思卡尔标记。这些变化将产生
在外形，装配或现有产品的功能没有任何影响。
图2： 135 - 175 MHz的宽带测试电路元件布局
典型特性， 135 - 175兆赫
100
噘嘴，输出功率（瓦）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
0
80
135兆赫
60
175兆赫
40
150兆赫
20
V
DD
= 12.5伏
0
0
1
2
3
4
5
6
P
in
，输入功率（瓦）
5
135兆赫
10
175兆赫
155兆赫
15
V
DD
= 12.5伏
20
10
20
30
40
50
60
70
80
90
P
OUT
，输出功率（瓦）
图3.输出功率与输入功率
图4.输入回波损耗与输出功率
MRF1570NT1 MRF1570FNT1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
QQ：2881677436 复制
