MRF157
线性射频功率MOSFET
600W ，以80MHz的
主要用于线性大信号输出级设计
至80 MHz 。
规定的50伏， 30 MHz的特点
输出功率= 600瓦
功率增益= 21分贝（典型值）。
效率= 45 ％ （典型值）。
M / A- COM产品
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产品图片
1
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数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MRF157
线性射频功率MOSFET
600W ，以80MHz的
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线性射频功率MOSFET
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线性射频功率MOSFET
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半导体技术资料
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由MRF157 / D
射频功率MOS线
功率场效应晶体管
N沟道增强模式
主要用于线性大信号输出级到80 MHz的设计。
规定的50伏， 30 MHz的特点
输出功率= 600瓦
功率增益= 21分贝（典型值）
效率= 45 ％ （典型值）
MRF157
600 W，至80 MHz
MOS线性
射频功率场效应管
D
G
S
CASE 368-03 ，花柱2
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
DGO
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
价值
125
125
±40
60
1350
7.7
-65到+150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.13
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 1
1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压（V
GS
= 0, I
D
= 100 mA时）
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 50 V, V
GS
= 0)
门体漏电流（Ⅴ
GS
= 20 V, V
DS
= 0)
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
125
—
—
—
—
—
—
20
5.0
VDC
MADC
μAdc
基本特征
栅极阈值电压（V
DS
= 10 V，I
D
= 100 mA时）
漏源电压（V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A)
正向跨导（V
DS
= 10 V，I
D
= 20 A)
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
g
fs
1.0
1.0
16
3.0
3.0
24
5.0
5.0
—
VDC
VDC
姆欧
动态特性
输入电容
(V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V ， F = 1.0兆赫）
输出电容
(V
DS
= 50 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向传输电容
(V
DS
= 50 V, V
GS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
1800
750
75
—
—
—
pF
pF
pF
功能测试
共源放大器功率增益
(V
DD
= 50 V，P
OUT
= 600瓦，我
DQ
= 800 mA时， F = 30兆赫）
漏EF网络效率
(V
DD
= 50 V，P
OUT
= 600 W， F = 30 MHz时，我
DQ
= 800 mA）的
互调失真
(V
DD
= 50 V，P
OUT
= 600 W（ PEP ） ， F1 = 30 MHz时，
F2 = 30.001兆赫，我
DQ
= 800 mA）的
G
ps
h
IMD
(d3)
15
40
—
21
45
–25
—
—
—
dB
%
dB
0-6 V
+
-
R1
C5
C6
R2
L1
C7
C9
D.U.T.
C14
L2
C15 C16 C17 C18
L3
C19
C20 C21
+
+
50 V
-
C4
RF
输入
C10 C11 C12 C13
RF
产量
C1
C2
C3
T1
C1，C3和C8的 - 阿科469
C2 = 330 pF的
C4 - 680 pF的
C5, C19, C20 — 0.47
F,
RMC型2225C
C6, C7, C14, C15, C16 — 0.1
F
C9 ， C10 ， C11 - 470 pF的
C12 - 1000 pF的
C13 - 两个未封装的1000 pF的云母，在系列
C17, C18 — 0.039
F
C21 — 10
F/100
V电解
L1 - 2打开＃ 16 AWG ， 1/2“ ID ， 3/8 ”长
L2 ， L3 - 铁氧体磁珠，展色丽产品公司＃ 2673000801
C8
R1，R2 - 10欧姆/ 2W碳
T1 - 射频变压器， 1:25阻抗比。见M / A- COM
T1 —
应用笔记AN749 ，图4的详细信息。
T1 —
铁氧体材料：每2 ，展爱色丽产品
T1 —
公司＃ 2667540001
所有电容器ATC型100/200芯片或等效，除非另有说明。
图1. 30 MHz的测试电路
REV 1
2
C13
D2
R1
R10
C3
R12
C7
R14
22pF
T1
-
BIAS 36-50 V
+
R4
10
12
11
13
D1
C1
2
7
R3
3
6
4
5
R8
R7
C9
L2
C8
T2
R13
D.U.T.
L1
L2
R15
C12
C14
D.U.T
.
L3
+
50 V
-
产量
C10
C11
R5
R2
R6
D3
R11
C4
C2
R9
C1 - 1000 pF的瓷片电容
C2, C3, C4 — 0.1
F
陶瓷圆盘电容器
C5 — 0.01
F
陶瓷片状电容器
C6, C12 — 0.1
F
陶瓷片状电容器
C7 ， C8 - 两个2200 pF的并行陶瓷片式电容器
C7, C8 —
每
C9 - 820 pF的陶瓷贴片电容器
C10 ， C11 - 1000 pF的陶瓷贴片电容器
C13 — 0.47
F
陶瓷贴片电容和两个较小
C13 - 值
并联
C14 - 未封装的云母， 500 V.两个1000 pF的单位
C14 —
在系列，安装在T2
D1 - 1N5357A或等效
D2 ， D3 - 1N4148或同等学历。
IC1 - MC1723 （ 723 ）稳压器
L1, L2 — 15
ηH,
将导线与R14和R15 ，
L1, L2 —
2.5厘米每＃ 20 AWG
L3 — 10
H,
10圈＃ 12 AWG漆包线上
L3 —
公平的爱色丽产品公司铁氧体磁环＃ 5961000401或同等
R1 ， R2 - 1.0K单圈电位器
R3 - 10K单圈可调电位器
R4 - 470欧姆， 2.0瓦
R5 - 10欧姆
R 6 ，R 12 ，R 13 - 2.0K欧姆
R7 - 10K欧姆
R8 - 精确值的热敏电阻R9取决于所用
R8 —
（通常5.0-10K ）
R9 - 热敏电阻，梯形RL1009-5820-97 -D1或
R9 —
当量
R 10 ，R 11 - 100欧姆， 1.0W碳
R14 ， R15 - EMC技术示范5308或KDI
R14, R15 —
Pyrofilm PPR 870-150-3功率电阻，
R14, R15 —
25欧姆
T1，T2 - 9:1和1:9阻抗比射频变压器
除非另有说明，所有的电阻器是1/2瓦金属薄膜型。所有的贴片电容，除了C13是ATC型100 / 200B或介质实验室型C17 。
图11. 2.0 50兆赫， 1.0千瓦宽带放大器
RF功率MOSFET的注意事项
MOSFET电容
的MOSFET的结果在电容器的物理结构
端子之间。金属氧化物栅极结构阻止 -
地雷从栅极到漏极的电容（C
gd
） ，以及栅极 -
源（C
gs
） 。在制造过程中形成的PN结
在TMOS的
在从一个结电容的FET结果
漏极 - 源极（三
ds
).
这些电容的特点是输入（C
国际空间站
） ，输出
把（C
OSS
）和反向传输（C
RSS
数据）电容
床单。端间电容之间的关系
可用距离以及在数据表上给出如下所示。该
C
国际空间站
可以用两种方式来指定：
1.漏短接至源和正电压在门口。
排在2方面正电压源和零
伏在栅极。在后一种情况下的数字低。
然而，无论是方法表示实际operat-
荷兰国际集团在RF应用的条件。
线性度和增益特性
除了在典型的IMD和功率增益数据压力
ented ，图5也给了设计者额外的信息
在此设备的能力。该图表示的
在给定的漏电流小信号电流单位增益频率
租金水平。这相当于到f
T
对于双极型晶体管。
由于该试验是在一个快扫描速度，加热进行
该装置不会发生。因此，在正常使用中，高
温度可能会降低这些特点在一定EX-
帐篷里。
排水特性
值得一FET的一个数字是，在它的静态阻力
全条件。此导通电阻，V
DS （ ON）
，发生在
的输出特性的线性区域，并指定非
明镜特定测试条件为栅极 - 源极电压和漏极
电流。对于MOSFET的V
DS （ ON）
具有正温度
系数，构成一个重要的设计考虑因素
在高温下，因为它有助于电力
该设备内的功耗。
GATE特性
的TMOS FET的栅极是多晶硅材料，并且是
由氧化物层从源电隔离。该
输入电阻非常高 - 10的顺序
9
欧=
导致的几nA的漏电流。
栅极控制是通过施加正电压来实现
稍微过量的栅极 - 源极阈值电压，
V
GS （ TH）
.
C
gd
门
C
gs
漏
C
国际空间站
= C
gd
+ C
gs
C
OSS
= C
gd
+ C
ds
C
RSS
= C
gd
C
ds
来源
REV 1
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MRF157 / D
射频功率MOS线
功率场效应晶体管
N沟道增强模式
规定的50伏， 30 MHz的特点
输出功率= 600瓦
功率增益= 21分贝（典型值）
效率= 45 ％ （典型值）
主要用于线性大信号输出级到80 MHz的设计。
MRF157
600 W，至80 MHz
MOS线性
射频功率场效应管
D
G
S
CASE 368-03 ，花柱2
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
VDSS
VDGO
VGS
ID
PD
TSTG
TJ
价值
125
125
±
40
60
1350
7.7
- 65至+ 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.13
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 1
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉公司1995年
MRF157
1
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压（ VGS = 0 ， n = 100 mA时）
零栅极电压漏极电流（ VDS = 50V， VGS = 0 ）
门体漏电流（ VGS = 20V时， VDS = 0）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
125
—
—
—
—
—
—
20
5.0
VDC
MADC
μAdc
基本特征
栅极阈值电压（ VDS = 10V ， ID = 100 mA时）
漏源电压（ VGS = 10V ， ID = 40A）
正向跨导（ VDS = 10V ， ID = 20A）
VGS （ TH）
VDS （上）
政府飞行服务队
1.0
1.0
16
3.0
3.0
24
5.0
5.0
—
VDC
VDC
姆欧
动态特性
输入电容
（ VDS = 50V， VGS = 0 V ， F = 1.0兆赫）
输出电容
（VDS = 50 V ，V GS = 0中，f = 1.0 MHz）的
反向传输电容
（VDS = 50 V ，V GS = 0中，f = 1.0 MHz）的
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
1800
750
75
—
—
—
pF
pF
pF
功能测试
共源放大器功率增益
（ VDD = 50V，噘= 600 W， IDQ = 800 mA时， F = 30兆赫）
漏EF网络效率
（ VDD = 50V，噘= 600 W， F = 30 MHz时， IDQ = 800 mA）的
互调失真
（ VDD = 50V，噘= 600 W（ PEP ） ， F1 = 30 MHz时，
F2 = 30.001兆赫， IDQ = 800 mA）的
全球定位系统
h
IMD(d3)
15
40
—
21
45
– 25
—
—
—
dB
%
dB
0–6 V
+
–
R1
C5
C6
R2
L1
C1
C2
C3
C7
C9
T1
D.U.T.
C14
L2
C15 C16 C17 C18
L3
C19
C20 C21
+
+
50 V
–
C4
RF
输入
C10 C11 C12 C13
RF
产量
C1，C3和C8的 - 阿科469
C2 = 330 pF的
C4 - 680 pF的
C5, C19, C20 — 0.47
F,
RMC型2225C
C6, C7, C14, C15, C16 — 0.1
F
C9 ， C10 ， C11 - 470 pF的
C12 - 1000 pF的
C13 - 两个未封装的1000 pF的云母，在系列
C17, C18 — 0.039
F
C21 — 10
F/100
V电解
L1 - 2打开＃ 16 AWG ， 1/2“ ID ， 3/8 ”长
L2 ， L3 - 铁氧体磁珠，展色丽产品公司＃ 2673000801
C8
R1，R2 - 10欧姆/ 2W碳
T1 - 射频变压器， 1:25阻抗比。看到摩托罗拉
T1 —
应用笔记AN749 ，图4的详细信息。
T1 —
铁氧体材料：每2 ，展爱色丽产品
T1 —
公司＃ 2667540001
所有电容器ATC型100/200芯片或等效，除非另有说明。
图1. 30 MHz的测试电路
MRF157
2
摩托罗拉RF设备数据
4
VDD = 60 V
IDQ = 2× 800毫安
F = 30 MHz的
T1 = 1毫秒（参见图9）中
T2 = 10毫秒（参见图9）中
R（T ） ，瞬态热阻（标准化）
1
D = 0.5
0.5
0.2
0.2
0.1
0.1
0.05
0.05
0.02
0.02
单脉冲
0.01
10–2
10–1
1
10
P（ PK）
t1
t2
占空比D = T1 / T2
R
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 0.13 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC
(t)
噘嘴，输出功率（千瓦）
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
引脚，电源输入（瓦）
102
103
104
脉冲宽度， T（毫秒）
图8.输出功率与输入功率
在脉冲条件（ 2× MRF157 ）
注：此图的脉冲数据是在类似的推挽电路
注意：
到所示。然而，输出匹配网络被
注意：
改性为峰值功率的更高的水平。
图9.热响应与
脉冲宽度
F = 100 MHz的
60
30
15
7.5
4.0
2.0
ZO = 10
寻
VDD = 50 V
IDQ = 800毫安
噘嘴= 600瓦
（VCC
–
Vsat)2
= ZOL *
注意：要确定ZOL * ，利用公式
2宝
图10.系列等效阻抗
MRF157
4
摩托罗拉RF设备数据
C13
D2
R1
C3
R12
C7
R14
22 pF的
T1
L2
–
BIAS 36-50 V
+
R4
10
12
11
13
D1
C1
2
3
4
5
R7
C8
D3
R2
R5
R6
C4
R13
D.U.T.
R11
T2
L1
C9
L2
R15
C12
C14
R10
D.U.T.
L3
+
50 V
–
产量
C10
C11
7
R3
6
R8
C2
R9
C1 - 1000 pF的瓷片电容
C2, C3, C4 — 0.1
F
陶瓷圆盘电容器
C5 — 0.01
F
陶瓷片状电容器
C6, C12 — 0.1
F
陶瓷片状电容器
C7 ， C8 - 两个2200 pF的并行陶瓷片式电容器
C7, C8 —
每
C9 - 820 pF的陶瓷贴片电容器
C10 ， C11 - 1000 pF的陶瓷贴片电容器
C13 — 0.47
F
陶瓷贴片电容和两个较小
C13 - 值
并联
C14 - 未封装的云母， 500 V.两个1000 pF的单位
C14 —
在系列，安装在T2
D1 - 1N5357A或等效
D2 ， D3 - 1N4148或同等学历。
IC1 - MC1723 （ 723 ）稳压器
L1, L2 — 15
ηH,
将导线与R14和R15 ，
L1, L2 —
2.5厘米每＃ 20 AWG
L3 — 10
H,
10圈＃ 12 AWG漆包线上
L3 —
公平的爱色丽产品公司铁氧体磁环＃ 5961000401或同等
R1 ， R2 - 1.0K单圈电位器
R3 - 10K单圈可调电位器
R4 - 470欧姆， 2.0瓦
R5 - 10欧姆
R 6 ，R 12 ，R 13 - 2.0K欧姆
R7 - 10K欧姆
R8 - 精确值的热敏电阻R9取决于所用
R8 —
（通常5.0 - 10K ）
R9 - 热敏电阻，梯形RL1009-5820-97 -D1或
R9 —
当量
R 10 ，R 11 - 100欧姆， 1.0W碳
R14 ， R15 - EMC技术示范5308或KDI
R14, R15 —
Pyrofilm PPR 870-150-3功率电阻，
R14, R15 —
25欧姆
T1，T2 - 9:1和1:9阻抗比射频变压器
除非另有说明，所有的电阻器是1/2瓦金属薄膜型。所有的贴片电容，除了C13是ATC型100 / 200B或介质实验室型C17 。
图11. 2.0 50兆赫， 1.0千瓦宽带放大器
RF功率MOSFET的注意事项
MOSFET电容
的MOSFET的结果在电容器的物理结构
端子之间。金属氧化物栅极结构阻止 -
地雷从栅极到漏极（ Cgd的）的电容器，并且栅极 -
源（ CGS） 。在制造过程中形成的PN结
在TMOS的
在从一个结电容的FET结果
漏极 - 源极（CDS） 。
这些电容的特点是输入（ CISS） ，输出
把（科斯）和反向数据传输（的Crss ）电容
床单。端间电容之间的关系
可用距离以及在数据表上给出如下所示。该
西塞可以通过两种方式来指定：
1.漏短接至源和正电压在门口。
排在2方面正电压源和零
伏在栅极。在后一种情况下的数字低。
然而，无论是方法表示实际operat-
荷兰国际集团在RF应用的条件。
线性度和增益特性
除了在典型的IMD和功率增益数据压力
ented ，图5也给了设计者额外的信息
在此设备的能力。该图表示的
在给定的漏电流小信号电流单位增益频率
租金水平。这相当于fT的双极晶体管。
由于该试验是在一个快扫描速度，加热进行
该装置不会发生。因此，在正常使用中，高
温度可能会降低这些特点在一定EX-
帐篷里。
排水特性
值得一FET的一个数字是，在它的静态阻力
全条件。该导通电阻， VDS （上） ，发生在
的输出特性的线性区域，并指定非
明镜特定测试条件为栅极 - 源极电压和漏极
电流。对于MOSFET的VDS （上）具有正温度
系数，构成一个重要的设计考虑因素
在高温下，因为它有助于电力
该设备内的功耗。
GATE特性
的TMOS FET的栅极是多晶硅材料，并且是
由氧化物层从源电隔离。该
输入电阻非常高 - 10的顺序
9
欧=
导致的几nA的漏电流。
栅极控制是通过施加正电压来实现
稍微过量的栅极 - 源极阈值电压，
VGS （ TH） 。
漏
CGD
门
CGS
来源
CDS
西塞= Cgd的+的Cgs
COSS = Cgd的+硫化镉
CRSS = Cgd的
摩托罗拉RF设备数据
MRF157
5
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