摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
订购此文件
通过MRF1550T1 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
资本投资者入境计划，以175兆赫。这些器件的高增益和宽带性能
使它们非常适用于大信号，在共源放大器的应用
12.5伏移动调频设备。
指定的性能@ 175兆赫， 12.5伏特
输出功率 - 50瓦
功率增益 - 12分贝
效率 - 50 ％
能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.6伏， 175兆赫， 2分贝高速
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
宽带全面在整个频段功率： 135-175兆赫
宽带示范放大器的信息可用
致函索取
在磁带和卷轴。 T1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
N沟道增强模式横向的MOSFET
MRF1550T1
MRF1550FT1
175兆赫， 50 W， 12.5 V
横向N沟道
宽带
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 1264至1209年，风格1
TO–272
塑料
MRF1550T1
CASE 1264A -02 ，风格1
TO- 272直接领
塑料
MRF1550FT1
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C (1)
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
价值
40
±20
12
165
0.50
-65到+150
175
单位
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
（1）计算值根据公式P
D
=
TJ - TC
R
θJC
符号
R
θJC
最大
0.75
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 6
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2003
设备数据
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
MRF1550T1 MRF1550FT1
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性 - 续
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
门源漏电流
(V
GS
= 10 VDC ，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 12.5伏，我
D
= 800
A)
漏源电压
(V
GS
= 5 VDC ，我
D
= 1.2 A)
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4.0 ADC）
动态特性
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
1
—
—
—
—
—
3
0.5
1
VDC
VDC
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
1
0.5
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
输入电容（包括输入匹配电容）
(V
DS
= 12.5伏，V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫）
输出电容
(V
DS
= 12.5伏，V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫）
反向传输电容
(V
DS
= 12.5伏，V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫）
射频特性（在摩托罗拉测试夹具）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 12.5伏，P
OUT
= 50瓦，我
DQ
= 500 mA）的
漏EF网络效率
(V
DD
= 12.5伏，P
OUT
= 50瓦，我
DQ
= 500 mA）的
F = 175 MHz的
F = 175 MHz的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
—
—
—
500
250
35
pF
pF
pF
G
ps
η
Ψ
dB
10
50
—
—
—
%
—
在输出功率不降低
试验前后
负载不匹配
(V
DD
= 15.6伏， F = 175兆赫，2个dB输入过载，电压驻波比20 ： 1 ，在
所有相位角）
MRF1550T1 MRF1550FT1
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
C10
C9
C8
+
R4
R3
C21
L5
R2
N1
C1
Z1
C2
L1
C3
Z2
C4
Z3
C5
L2
C7
R1
RF
输入
Z4
C6
Z5
DUT
C11
C12
C13
C14
C15
C16
Z6
Z7
Z8
L3
Z9
L4
Z10
Z11 C17
N2
RF
产量
C20
C19
C18
+
V
DD
飞思卡尔半导体公司...
B1
C1
C2
C3
C4, C16
C5
C6
C7, C17
C8, C18
C9, C19
C10
C11, C12
C13
C14
C15
C20
L1
L2
L3
Ferroxcube公司＃ VK200
180 pF的， 100万片电容
10 pF的， 100万片电容
33 pF的， 100万片电容
24 pF的， 100万片式电容器
160 pF的， 100万片电容
240 pF的， 100万片电容
300 pF的， 100万片式电容器
10
F,
50 V电解电容器
0.1
F,
100万片式电容器
470 pF的， 100万片电容
200 pF的， 100万片式电容器
22 pF的， 100万片电容
30 pF的， 100万片电容
6.8 pF的， 100万片电容
1000 PF， 100万片电容
18.5 NH， Coilcraft公司＃ A05T
5 NH ， Coilcraft公司＃ A02T
1打开， ＃ 24 AWG ， 0.250 “ ID
L4
L5
N1, N2
R1
R2
R3
R4
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5, Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
板
1打开， ＃ 26 AWG ， 0.240 “ ID
3打开， ＃ 24 AWG ， 0.180 “ ID
N型法兰底座
5.1
,
1/4 W贴片电阻
39
贴片电阻（ 0805 ）
1 kΩ的1/8 W贴片电阻
33 kΩ的1/4 W贴片电阻
1.000 “× 0.080 ”微带
0.400 “× 0.080 ”微带
0.200 “× 0.080 ”微带
0.200 “× 0.080 ”微带
0.100 “× 0.223 ”微带
0.160 “× 0.080 ”微带
0.260 “× 0.080 ”微带
0.280 “× 0.080 ”微带
0.270 “× 0.080 ”微带
0.730 “× 0.080 ”微带
特氟龙玻璃
， 31密耳
图1： 135 - 175 MHz的宽带测试电路
典型特征
80
噘嘴，输出功率（瓦）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1.0
V
DD
= 12.5伏
3.0
2.0
4.0
P
in
，输入功率（瓦）
5.0
6.0
175兆赫
155兆赫
0
135兆赫
IRL ，输入回波损耗（分贝）
-5
175兆赫
135兆赫
-15
155兆赫
-20
10
20
30
40
50
60
P
OUT
，输出功率（瓦）
70
80
V
DD
= 12.5伏
-10
图2.输出功率与输入功率
图3.输入回波损耗
与输出功率
摩托罗拉RF设备数据
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MRF1550T1 MRF1550FT1
3
摩托罗拉
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通过MRF1550T1 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
资本投资者入境计划，以175兆赫。这些器件的高增益和宽带性能
使它们非常适用于大信号，在共源放大器的应用
12.5伏移动调频设备。
指定的性能@ 175兆赫， 12.5伏特
输出功率 - 50瓦
功率增益 - 12分贝
效率 - 50 ％
能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.6伏， 175兆赫， 2分贝高速
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
宽带全面在整个频段功率： 135-175兆赫
宽带示范放大器的信息可用
致函索取
在磁带和卷轴。 T1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
N沟道增强模式横向的MOSFET
MRF1550T1
MRF1550FT1
175兆赫， 50 W， 12.5 V
横向N沟道
宽带
RF功率MOSFET
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CASE 1264至1209年，风格1
TO–272
塑料
MRF1550T1
CASE 1264A -02 ，风格1
TO- 272直接领
塑料
MRF1550FT1
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C (1)
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
价值
40
±20
12
165
0.50
-65到+150
175
单位
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
（1）计算值根据公式P
D
=
TJ - TC
R
θJC
符号
R
θJC
最大
0.75
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 6
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2003
设备数据
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MRF1550T1 MRF1550FT1
1
飞思卡尔半导体公司
电气特性 - 续
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极电流
(V
DS
= 60 VDC ，V
GS
= 0伏）
门源漏电流
(V
GS
= 10 VDC ，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 12.5伏，我
D
= 800
A)
漏源电压
(V
GS
= 5 VDC ，我
D
= 1.2 A)
漏源电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 4.0 ADC）
动态特性
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS （ ON）
1
—
—
—
—
—
3
0.5
1
VDC
VDC
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
1
0.5
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
飞思卡尔半导体公司...
输入电容（包括输入匹配电容）
(V
DS
= 12.5伏，V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫）
输出电容
(V
DS
= 12.5伏，V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫）
反向传输电容
(V
DS
= 12.5伏，V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫）
射频特性（在摩托罗拉测试夹具）
共源放大器功率增益
(V
DD
= 12.5伏，P
OUT
= 50瓦，我
DQ
= 500 mA）的
漏EF网络效率
(V
DD
= 12.5伏，P
OUT
= 50瓦，我
DQ
= 500 mA）的
F = 175 MHz的
F = 175 MHz的
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
—
—
—
500
250
35
pF
pF
pF
G
ps
η
Ψ
dB
10
50
—
—
—
%
—
在输出功率不降低
试验前后
负载不匹配
(V
DD
= 15.6伏， F = 175兆赫，2个dB输入过载，电压驻波比20 ： 1 ，在
所有相位角）
MRF1550T1 MRF1550FT1
2
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摩托罗拉RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
C10
C9
C8
+
R4
R3
C21
L5
R2
N1
C1
Z1
C2
L1
C3
Z2
C4
Z3
C5
L2
C7
R1
RF
输入
Z4
C6
Z5
DUT
C11
C12
C13
C14
C15
C16
Z6
Z7
Z8
L3
Z9
L4
Z10
Z11 C17
N2
RF
产量
C20
C19
C18
+
V
DD
飞思卡尔半导体公司...
B1
C1
C2
C3
C4, C16
C5
C6
C7, C17
C8, C18
C9, C19
C10
C11, C12
C13
C14
C15
C20
L1
L2
L3
Ferroxcube公司＃ VK200
180 pF的， 100万片电容
10 pF的， 100万片电容
33 pF的， 100万片电容
24 pF的， 100万片式电容器
160 pF的， 100万片电容
240 pF的， 100万片电容
300 pF的， 100万片式电容器
10
F,
50 V电解电容器
0.1
F,
100万片式电容器
470 pF的， 100万片电容
200 pF的， 100万片式电容器
22 pF的， 100万片电容
30 pF的， 100万片电容
6.8 pF的， 100万片电容
1000 PF， 100万片电容
18.5 NH， Coilcraft公司＃ A05T
5 NH ， Coilcraft公司＃ A02T
1打开， ＃ 24 AWG ， 0.250 “ ID
L4
L5
N1, N2
R1
R2
R3
R4
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5, Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
板
1打开， ＃ 26 AWG ， 0.240 “ ID
3打开， ＃ 24 AWG ， 0.180 “ ID
N型法兰底座
5.1
,
1/4 W贴片电阻
39
贴片电阻（ 0805 ）
1 kΩ的1/8 W贴片电阻
33 kΩ的1/4 W贴片电阻
1.000 “× 0.080 ”微带
0.400 “× 0.080 ”微带
0.200 “× 0.080 ”微带
0.200 “× 0.080 ”微带
0.100 “× 0.223 ”微带
0.160 “× 0.080 ”微带
0.260 “× 0.080 ”微带
0.280 “× 0.080 ”微带
0.270 “× 0.080 ”微带
0.730 “× 0.080 ”微带
特氟龙玻璃
， 31密耳
图1： 135 - 175 MHz的宽带测试电路
典型特征
80
噘嘴，输出功率（瓦）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1.0
V
DD
= 12.5伏
3.0
2.0
4.0
P
in
，输入功率（瓦）
5.0
6.0
175兆赫
155兆赫
0
135兆赫
IRL ，输入回波损耗（分贝）
-5
175兆赫
135兆赫
-15
155兆赫
-20
10
20
30
40
50
60
P
OUT
，输出功率（瓦）
70
80
V
DD
= 12.5伏
-10
图2.输出功率与输入功率
图3.输入回波损耗
与输出功率
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