MRF154
宽带RF功率MOSFET
600W ，要为80MHz ， 50V
主要用于线性大信号输出级设计
在2.0至100兆赫的频率范围。
N沟道增强型MOSFET
M / A- COM产品
发布 - 启示录07.07
产品图片
规定的50伏， 30 MHz的特点
输出功率= 600瓦
功率增益= 17分贝（典型值）。
效率= 45 ％ （典型值）。
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
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访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MRF154
宽带RF功率MOSFET
600W ，要为80MHz ， 50V
M / A- COM产品
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由MRF154 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强型MOSFET
规定的50伏， 30 MHz的特点
输出功率= 600瓦
功率增益= 17分贝（典型值）
效率= 45 ％ （典型值）
100 MHz的 - 主要是在2.0线大信号输出级设计
频率范围。
MRF154
600 W， 50 V， 80 MHz的
N沟道
宽带
RF功率MOSFET
D
G
S
CASE 368-03 ，花柱2
（ HOG PAC ）
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
VDSS
VDGO
VGS
ID
PD
TSTG
TJ
价值
125
125
±
40
60
1350
7.7
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.13
单位
° C / W
处理和包装
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 2
1
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压（ VGS = 0 ， n = 100 mA时）
零栅极电压漏极电流（ VDS = 50V， VGS = 0 ）
门体漏电流（ VGS = 20V时， VDS = 0）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
125
—
—
—
—
—
—
20
5.0
VDC
MADC
μAdc
基本特征
栅极阈值电压（ VDS = 10V ， ID = 100 mA时）
漏源电压（ VGS = 10V ， ID = 40A）
正向跨导（ VDS = 10V ， ID = 20A）
VGS （ TH）
VDS （上）
政府飞行服务队
1.0
1.0
16
3.0
3.0
20
5.0
5.0
—
VDC
VDC
姆欧
动态特性
输入电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
输出电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
反向传输电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
1600
950
175
—
—
—
pF
pF
pF
功能测试
共源放大器功率增益
（ VDD = 50V，噘= 600 W， IDQ = 800 mA时， F = 30兆赫）
漏EF网络效率
（ VDD = 50V，噘= 600 W， IDQ = 800 mA时， F = 30兆赫）
互调失真
（ VDD = 50V，噘= 600 W（ PEP ）
F1 = 30 MHz时， F2 = 30.001兆赫， IDQ = 800 mA）的
+
–
全球定位系统
η
IMD(d3)
—
—
—
17
45
– 25
—
—
—
dB
%
dB
0–6 V
+
R1
C5
C6
L2
L3
C20
C21 50 V
–
DUT
R2
C4
RF
输入
C1
L1
C10
C3
C2
C7
C9
T1
C1，C3和C8的 - 阿科469
C2 = 330 pF的
C4 - 680 pF的
C5, C19, C20 — 0.47
F,
RMC型2225C
C6, C7, C14, C15, C16 — 0.1
F
C9 ， C10 ， C11 - 470 pF的
C12 - 1000 pF的
C13 - 两个未封装的1000 pF的云母，在系列
C17, C18 — 0.039
F
C21 — 10
F/100
V电解
L1 - 2打开＃ 16 AWG ， 1/2“ ID ， 3/8 ”长
L2 ， L3 - 铁氧体磁珠，展色丽产品公司＃ 2673000801
RF
产量
C11
C12
C13
C14
C15
C16
C17
C18
C19
C8
R1，R2 - 10欧姆/为2.0W碳
T1 - 射频变压器， 1:25阻抗比。见M / A- COM
T1 —
应用笔记AN749 ，图4的详细信息。
T1 —
铁氧体材料：每2 ，展爱色丽产品
T1 —
公司＃ 2667540001
所有电容器ATC型100/200芯片或等效，除非另有说明。
图1. 30 MHz的测试电路
REV 2
2
F = 100 MHz的
60
30
15
7.5
4.0
2.0
ZO = 10
寻
VDD = 50 V
IDQ = 800毫安
噘嘴= 600瓦
图8.系列等效阻抗
BIAS
–
30 – 40 V
+
R5
R4
IC1
R7
C1
D1
R2
R3
R6
输入
R1
D2
C2
R13
R9
D.U.T.
C10
L1
L2
+
40 V
–
+
C5
C4
C8
R11
C6
C7
XTR
XTR
产量
R12
T1
C9
T2
D3
C3
R8
R10
D.U.T.
R14
C11
TEMP 。跟踪
C1 - 1000 pF的陶瓷
C2, C3, C4, C8, C9, C10, C11 — 0.1
F
陶瓷的
C5 — 10
F/100
V电解
C6, C7 — 0.1
F
陶瓷（ ATC 823分之200或同等学历）
D1 - 28 V的稳压管， 1N5362或等效
D3 - 1N4148
IC1 - MC1723
L1 ， L2 - 展爱色丽产品公司铁氧体磁珠
#2673000801
R 1， R 2， R 3 - 10千TRIMPOT
R4 - 1.0 K /为1.0W
R5 - 10欧姆
R6 - 2.0
R7 - 10千
R8 - 热敏电阻， 10 K（ 25 ° C） ， 2.5 K（ 75 ° C）
R 9 ，R 10 - 100欧姆
R 11 ，R 12 - 1.0
R13 ， R14 - 50 - 100欧姆， 4.0× 2.0 W碳并行
T1 - 9 ：1的变压器，三股和巴伦伤口上独立
T1 —
公平的爱色丽产品公司巴伦芯＃ 286100012 ， 5打开各。
T2 - 1 ：9的变压器，巴伦50欧姆CO- AX电缆RG- 188 ，
T2 —
低阻抗线W.L。戈尔16欧姆CO- AX型CXN 1837年。
T2 —
每个绕组螺纹通过两个展爱色丽产品公司
T2 —
＃ 2661540001铁氧体套筒（每6 ） 。
XTR - MRF154
图9. 20 - 80 MHz的1.0千瓦的宽带放大器
REV 2
4
RF功率MOSFET的注意事项
MOSFET电容
的MOSFET的结果在电容器的物理结构
端子之间。金属氧化物栅极结构阻止 -
地雷从栅极到漏极（ Cgd的）的电容器，并且栅极 -
源（ CGS） 。在制造过程中形成的PN结
所述射频MOSFET结果从一个结电容
漏极 - 源极（CDS） 。
这些电容的特点是输入（ CISS） ，输出
把（科斯）和反向数据传输（的Crss ）电容
床单。的端子间电容之间的关系
可用距离以及在数据表上给出如下所示。该
西塞可以通过两种方式来指定：
1.漏短接至源和正电压在门口。
排在2方面正电压源和零
伏在栅极。在后一种情况下的数字低。
然而，无论是方法表示实际operat-
荷兰国际集团在RF应用的条件。
GATE特性
的射频MOSFET的栅极是多晶硅材料，并
是从由氧化物层的源极电绝缘。
输入电阻是非常高 - 的109欧姆的量级
- 导致的几nA的漏电流。
栅极控制是通过施加正电压来实现
稍微过量的栅极 - 源极阈值电压，
VGS （ TH） 。
栅极电压额定值
- 不要超过栅极电压
投资评级。超过额定VGS可能会导致永久性的
损坏在栅极区域中的氧化物层。
门终止
- 这些器件的栅极被第ES
sentially电容。电路的离开门打开，税务局局长
cuited或浮动应该避免。这些条件可以
结果在点灯由于电压累积在设备上的
输入电容由于漏电流或皮卡。
栅极保护
- 这些设备不具有内部
从栅极到源极的单片齐纳二极管。如果门保护
化是必需的，一个外部齐纳二极管被推荐。
漏
CGD
门
CDS
CGS
西塞= Cgd的+的Cgs
COSS = Cgd的+硫化镉
CRSS = Cgd的
来源
线性度和增益特性
除了在典型的IMD和功率增益数据压力
ented ，图5也给了设计者额外的信息
在此设备的能力。该图表示的
在给定的漏电流小信号电流单位增益频率
租金水平。这相当于fT的双极晶体管。
由于该试验是在一个快扫描速度，加热进行
该装置不会发生。因此，在正常使用中，高
温度可能会降低这些特点在一定EX-
帐篷里。
排水特性
值得一FET的一个数字是，在它的静态阻力
全条件。该导通电阻， VDS （上） ，发生在
的输出特性的线性区域，并指定非
明镜特定测试条件为栅极 - 源极电压和漏极
电流。对于MOSFET的VDS （上）具有正温度
系数，构成一个重要的设计考虑因素
在高温下，因为它有助于电力
该设备内的功耗。
MOUNTING高功率射频的
功率晶体管
此器件的封装设计用于传导
冷却。这是极为重要的，以减少热重
该设备凸缘和所述散热器之间的电阻。
因为在设备安装凸缘是由软铜，它
时的处理，或在不同阶段可以变形
交通运输。它建议用户进行最终
在设备安装前，对这个检查。
±0.0005″
is
认为足以使凸缘底部。
这同样适用于所述散热器中的设备
安装区域。如果不使用铜散热片，一个铜头
吊具强烈建议在设备之间
安装面和主散热器。它应该是在
至少1/4“厚，并从凸缘延伸的至少一英寸
边缘。热化合物中的所有接口薄薄的一层是，
当然，必要的。在4-40推荐的扭矩
安装螺钉应在4区 - 5英镑英寸，并
弹簧式锁紧垫圈以及平垫圈recom-
谁料。
对于模具温度的计算，
温度从
角落安装螺丝区域的底部中心
法兰是约5 ℃，并在正常operat- 10 ℃下
荷兰国际集团的条件（功耗150瓦和300瓦，分别） 。
主散热器必须足够大和
具有低R
θ
对于中等空气速度，除非液体冷却是
聘用。
REV 2
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MRF154 / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强型MOSFET
规定的50伏， 30 MHz的特点
输出功率= 600瓦
功率增益= 17分贝（典型值）
效率= 45 ％ （典型值）
100 MHz的 - 主要是在2.0线大信号输出级设计
频率范围。
MRF154
600 W， 50 V， 80 MHz的
N沟道
宽带
RF功率MOSFET
D
G
S
CASE 368-03 ，花柱2
（ HOG PAC ）
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
VDSS
VDGO
VGS
ID
PD
TSTG
TJ
价值
125
125
±
40
60
1350
7.7
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.13
单位
° C / W
处理和包装
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 2
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉1997年公司
MRF154
1
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压（ VGS = 0 ， n = 100 mA时）
零栅极电压漏极电流（ VDS = 50V， VGS = 0 ）
门体漏电流（ VGS = 20V时， VDS = 0）
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
125
—
—
—
—
—
—
20
5.0
VDC
MADC
μAdc
基本特征
栅极阈值电压（ VDS = 10V ， ID = 100 mA时）
漏源电压（ VGS = 10V ， ID = 40A）
正向跨导（ VDS = 10V ， ID = 20A）
VGS （ TH）
VDS （上）
政府飞行服务队
1.0
1.0
16
3.0
3.0
20
5.0
5.0
—
VDC
VDC
姆欧
动态特性
输入电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
输出电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
反向传输电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
1600
950
175
—
—
—
pF
pF
pF
功能测试
共源放大器功率增益
（ VDD = 50V，噘= 600 W， IDQ = 800 mA时， F = 30兆赫）
漏EF网络效率
（ VDD = 50V，噘= 600 W， IDQ = 800 mA时， F = 30兆赫）
互调失真
（ VDD = 50V，噘= 600 W（ PEP ）
F1 = 30 MHz时， F2 = 30.001兆赫， IDQ = 800 mA）的
+
–
全球定位系统
η
IMD(d3)
—
—
—
17
45
– 25
—
—
—
dB
%
dB
0–6 V
+
R1
C5
C6
L2
L3
C20
C21 50 V
–
DUT
R2
C4
RF
输入
C1
L1
C10
C3
C2
C7
C9
T1
C1，C3和C8的 - 阿科469
C2 = 330 pF的
C4 - 680 pF的
C5, C19, C20 — 0.47
F,
RMC型2225C
C6, C7, C14, C15, C16 — 0.1
F
C9 ， C10 ， C11 - 470 pF的
C12 - 1000 pF的
C13 - 两个未封装的1000 pF的云母，在系列
C17, C18 — 0.039
F
C21 — 10
F/100
V电解
L1 - 2打开＃ 16 AWG ， 1/2“ ID ， 3/8 ”长
L2 ， L3 - 铁氧体磁珠，展色丽产品公司＃ 2673000801
RF
产量
C11
C12
C13
C14
C15
C16
C17
C18
C19
C8
R1，R2 - 10欧姆/为2.0W碳
T1 - 射频变压器， 1:25阻抗比。看到摩托罗拉
T1 —
应用笔记AN749 ，图4的详细信息。
T1 —
铁氧体材料：每2 ，展爱色丽产品
T1 —
公司＃ 2667540001
所有电容器ATC型100/200芯片或等效，除非另有说明。
图1. 30 MHz的测试电路
MRF154
2
摩托罗拉RF设备数据
F = 100 MHz的
60
30
15
7.5
4.0
2.0
ZO = 10
寻
VDD = 50 V
IDQ = 800毫安
噘嘴= 600瓦
图8.系列等效阻抗
BIAS
–
30 – 40 V
+
R5
R4
IC1
R7
C1
D1
R2
R3
R6
输入
R1
D2
C2
R13
R9
D.U.T.
C10
L1
L2
+
40 V
–
+
C5
C4
C8
R11
C6
C7
XTR
XTR
产量
R12
T1
C9
T2
D3
C3
R8
R10
D.U.T.
R14
C11
TEMP 。跟踪
C1 - 1000 pF的陶瓷
C2, C3, C4, C8, C9, C10, C11 — 0.1
F
陶瓷的
C5 — 10
F/100
V电解
C6, C7 — 0.1
F
陶瓷（ ATC 823分之200或同等学历）
D1 - 28 V的稳压管， 1N5362或等效
D3 - 1N4148
IC1 - MC1723
L1 ， L2 - 展爱色丽产品公司铁氧体磁珠
#2673000801
R 1， R 2， R 3 - 10千TRIMPOT
R4 - 1.0 K /为1.0W
R5 - 10欧姆
R6 - 2.0
R7 - 10千
R8 - 热敏电阻， 10 K（ 25 ° C） ， 2.5 K（ 75 ° C）
R 9 ，R 10 - 100欧姆
R 11 ，R 12 - 1.0
R13 ， R14 - 50 - 100欧姆， 4.0× 2.0 W碳并行
T1 - 9 ：1的变压器，三股和巴伦伤口上独立
T1 —
公平的爱色丽产品公司巴伦芯＃ 286100012 ， 5打开各。
T2 - 1 ：9的变压器，巴伦50欧姆CO- AX电缆RG- 188 ，
T2 —
低阻抗线W.L。戈尔16欧姆CO- AX型CXN 1837年。
T2 —
每个绕组螺纹通过两个展爱色丽产品公司
T2 —
＃ 2661540001铁氧体套筒（每6 ） 。
XTR - MRF154
图9. 20 - 80 MHz的1.0千瓦的宽带放大器
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摩托罗拉RF设备数据
RF功率MOSFET的注意事项
MOSFET电容
的MOSFET的结果在电容器的物理结构
端子之间。金属氧化物栅极结构阻止 -
地雷从栅极到漏极（ Cgd的）的电容器，并且栅极 -
源（ CGS） 。在制造过程中形成的PN结
所述射频MOSFET结果从一个结电容
漏极 - 源极（CDS） 。
这些电容的特点是输入（ CISS） ，输出
把（科斯）和反向数据传输（的Crss ）电容
床单。的端子间电容之间的关系
可用距离以及在数据表上给出如下所示。该
西塞可以通过两种方式来指定：
1.漏短接至源和正电压在门口。
排在2方面正电压源和零
伏在栅极。在后一种情况下的数字低。
然而，无论是方法表示实际operat-
荷兰国际集团在RF应用的条件。
GATE特性
的射频MOSFET的栅极是多晶硅材料，并
是从由氧化物层的源极电绝缘。
输入电阻是非常高 - 的109欧姆的量级
- 导致的几nA的漏电流。
栅极控制是通过施加正电压来实现
稍微过量的栅极 - 源极阈值电压，
VGS （ TH） 。
栅极电压额定值
- 不要超过栅极电压
投资评级。超过额定VGS可能会导致永久性的
损坏在栅极区域中的氧化物层。
门终止
- 这些器件的栅极被第ES
sentially电容。电路的离开门打开，税务局局长
cuited或浮动应该避免。这些条件可以
结果在点灯由于电压累积在设备上的
输入电容由于漏电流或皮卡。
栅极保护
- 这些设备不具有内部
从栅极到源极的单片齐纳二极管。如果门保护
化是必需的，一个外部齐纳二极管被推荐。
漏
CGD
门
CDS
CGS
西塞= Cgd的+的Cgs
COSS = Cgd的+硫化镉
CRSS = Cgd的
来源
线性度和增益特性
除了在典型的IMD和功率增益数据压力
ented ，图5也给了设计者额外的信息
在此设备的能力。该图表示的
在给定的漏电流小信号电流单位增益频率
租金水平。这相当于fT的双极晶体管。
由于该试验是在一个快扫描速度，加热进行
该装置不会发生。因此，在正常使用中，高
温度可能会降低这些特点在一定EX-
帐篷里。
排水特性
值得一FET的一个数字是，在它的静态阻力
全条件。该导通电阻， VDS （上） ，发生在
的输出特性的线性区域，并指定非
明镜特定测试条件为栅极 - 源极电压和漏极
电流。对于MOSFET的VDS （上）具有正温度
系数，构成一个重要的设计考虑因素
在高温下，因为它有助于电力
该设备内的功耗。
MOUNTING高功率射频的
功率晶体管
此器件的封装设计用于传导
冷却。这是极为重要的，以减少热重
该设备凸缘和所述散热器之间的电阻。
因为在设备安装凸缘是由软铜，它
时的处理，或在不同阶段可以变形
交通运输。它建议用户进行最终
在设备安装前，对这个检查。
±0.0005″
is
认为足以使凸缘底部。
这同样适用于所述散热器中的设备
安装区域。如果不使用铜散热片，一个铜头
吊具强烈建议在设备之间
安装面和主散热器。它应该是在
至少1/4“厚，并从凸缘延伸的至少一英寸
边缘。热化合物中的所有接口薄薄的一层是，
当然，必要的。在4-40推荐的扭矩
安装螺钉应在4区 - 5英镑英寸，并
弹簧式锁紧垫圈以及平垫圈recom-
谁料。
对于模具温度的计算，
温度从
角落安装螺丝区域的底部中心
法兰是约5 ℃，并在正常operat- 10 ℃下
荷兰国际集团的条件（功耗150瓦和300瓦，分别） 。
主散热器必须足够大和
具有低R
θ
对于中等空气速度，除非液体冷却是
聘用。
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