【飞思卡尔半导体公司技术参数文档编号： MRF1535N牧师11 ， 2/2008射频功率场效应晶体管】,IC型号MRF1535NT1,MRF1535NT1 PDF资料,MRF1535NT1经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF1535N

牧师11 ， 2/2008

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

设计用于frequen-宽带商业和工业应用

资本投资者入境计划，以520兆赫。这些器件的高增益和宽带性能

使它们非常适用于大型 - 信号，在共源放大器的应用

12.5伏移动调频设备。

指定的性能@ 520兆赫， 12.5伏特

输出功率 - 35瓦

功率增益 - 10.0分贝

效率 - 50 ％

能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.6伏， 520兆赫， 2分贝高速

特点

优良的热稳定性

特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数

宽带 - 整个波段全功率： 135 - 175兆赫

400 - 470兆赫

450 - 520兆赫

200℃有能力塑料包装

后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。

在磁带和卷轴。 T1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。

MRF1535NT1

MRF1535FNT1

520兆赫， 35 W， 12.5 V

横向N - CHANNEL

宽带

RF功率MOSFET

案例1264年至1210年，风格1

TO - 272 - 6 WRAP

塑料

MRF1535NT1

CASE 1264A - 03 ，风格1

TO - 272 - 6

塑料

MRF1535FNT1

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

漏电流 - 连续

器件总功耗@ T

C

= 25°C

(1)

减免上述25℃

存储温度范围

工作结温

符号

V

DSS

V

GS

I

D

P

D

T

英镑

T

J

价值

- 0.5, +40

±

20

6

135

0.50

- 65 + 150

200

单位

VDC

ADC

W

W / ℃，

°C

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

R

θJC

价值

(2)

0.90

单位

° C / W

表3.湿度敏感度等级

测试方法

每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020

1.计算值根据公式P

D

=

TJ - TC

等级

1

封装峰值温度

260

单位

°C

R

θJC

2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问

MTTF计算器副产品。

注 -

小心

- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并

包装MOS器件应观察。

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

表4.电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极 - 源极击穿电压

(V

GS

= 0伏，我

D

= 100

μAdc ）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏）

门 - 源极漏电流

(V

GS

= 10 VDC ，V

DS

= 0伏）

基本特征

栅极阈值电压

(V

DS

= 12.5伏，我

D

= 400

μA)

漏极 - 源极导 - 电压

(V

GS

= 5 VDC ，我

D

= 0.6 A)

漏极 - 源极导 - 电压

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 2.0 ADC）

动态特性

输入电容（包括输入匹配电容）

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

输出电容

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

反向传输电容

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

射频特性

（飞思卡尔测试夹具）

通用 - 源放大器功率增益

(V

DD

= 12.5伏，P

OUT

= 35瓦，我

DQ

= 500 mA）的

漏EF网络效率

(V

DD

= 12.5伏，P

OUT

= 35瓦，我

DQ

= 500 mA）的

F = 520兆赫

G

ps

η

—

13.5

55

—

dB

%

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

—

250

150

20

pF

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

1

—

2.6

0.7

1

VDC

Ω

VDC

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

60

—

1

0.3

VDC

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

2

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

V

GG

+

C11

C10

R4

R3

C23

L5

C9

R2

RF

输入

N1 C1

R1

Z1

L1

Z2

Z3

L2

Z4

Z5

DUT

Z6

Z7

Z8

B1

C22

+

C21

V

DD

Z9

L3

L4

Z10

RF

产量

N2

C20

C19

C2

C3

C4

C5

C6

C7

C8

C12

C13

C14

C15

C16

C17

C18

B1

C1, C9, C20, C23

C2, C5

C3, C15

C4, C6, C19

C7

C8

C10, C21

C11, C22

C12, C13

C14

C16

C17

C18

L1

L2

L3

Ferroxcube公司＃ VK200

330 pF的， 100万片式电容器

0至20 pF的微调电容器

33 pF的， 100万片式电容器

18 pF的， 100万片式电容器

160 pF的， 100万片电容

240 pF的， 100万片电容

10

μF,

50 V电解电容器

470 pF的， 100万片式电容器

150 pF的， 100万片式电容器

110 pF的， 100万片电容

68 pF的， 100万片电容

120 pF的， 100万片电容

51 pF的， 100万片电容

17.5 NH， Coilcraft公司＃ A05T

5 NH ， Coilcraft公司＃ A02T

1打开，＃ 26 AWG ， 0.250 “ ID

L4

L5

N1, N2

R1

R2

R3

R4

Z1

Z2

Z3

Z4

Z5, Z6

Z7

Z8

Z9

Z10

板

1打开，＃ 26 AWG ， 0.240 “ ID

4打开，＃ 24 AWG ， 0.180 “ ID

N型法兰底座

6.5

Ω,

1/4 W贴片电阻

39

Ω

贴片电阻（ 0805 ）

1.2 kΩ的1/8 W贴片电阻

33 kΩ的1/4 W贴片电阻

0.970 “× 0.080 ”微带

0.380 “× 0.080 ”微带

0.190 “× 0.080 ”微带

0.160 “× 0.080 ”微带

0.110 “× 0.200 ”微带

0.490 “× 0.080 ”微带

0.250 “× 0.080 ”微带

0.320 “× 0.080 ”微带

0.240 “× 0.080 ”微带

特氟龙玻璃

， 31密耳

图1： 135 - 175 MHz的宽带测试电路

典型特性， 135 - 175兆赫

60

噘嘴，输出功率（瓦）

IRL ，输入回波损耗（分贝）

50

40

30

20

10

V

DD

= 12.5伏

0

1

2

3

4

P

in

，输入功率（瓦）

20

10

20

30

40

50

60

P

OUT

，输出功率（瓦）

155兆赫

135兆赫

175兆赫

0

5

10

155兆赫

135兆赫

175兆赫

15

V

DD

= 12.5伏

图2.输出功率与输入功率

图3.输入回波损耗与输出功率

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

3

典型特性， 135 - 175兆赫

19

V

DD

= 12.5伏

18

17

增益（dB ）

16

15

14

13

12

11

10

20

30

175兆赫

40

155兆赫

135兆赫

50

60

h

，漏极效率（％）

70

80

155兆赫

60

175兆赫

50

135兆赫

40

V

DD

= 12.5伏

30

10

20

30

40

50

60

70

80

P

OUT

，输出功率（瓦）

P

OUT

，输出功率（瓦）

图4.增益与输出功率

图5.漏极效率与输出功率

50

噘嘴，输出功率（瓦）

80

45

h

，漏极效率（％）

155兆赫

175兆赫

135兆赫

70

155兆赫

175兆赫

40

60

135兆赫

35

V

DD

= 12.5伏

P

in

= 30 dBm的

30

200

400

600

800

1000

1200

I

DQ

，偏置电流（mA）

50

V

DD

= 12.5伏

P

in

= 30 dBm的

40

200

400

600

800

1000

1200

I

DQ

，偏置电流（mA）

图6.输出功率与偏置电流

图7.漏极效率与偏置电流

70

噘嘴，输出功率（瓦）

60

h

，漏极效率（％）

50

40

30

20

10

11

12

13

I

DQ

= 250毫安

P

in

= 30 dBm的

14

15

175兆赫

155兆赫

135兆赫

80

70

135兆赫

175兆赫

60

155兆赫

50

I

DQ

= 250毫安

P

in

= 30 dBm的

40

10

11

12

13

14

15

V

DD

，电源电压（伏）

V

DD

，电源电压（伏）

图8.输出功率与电源电压

图9.漏极效率与电源电压

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

4

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

V

GG

C14

C13

C12

+

C11

R3

R2

R1

RF

输入

N1 C1

Z1

Z2

Z3

Z4

C10

DUT

Z5

Z6

Z7

Z8

C25

B1

V

DD

L1

C24

C23

+

C22

Z9

C19

Z10

N2

RF

产量

C2

C3

C4

C5

C6

C7

C8

C9

C15

C16

C17

C18

C20

C21

B1

C1

C2

C3

C4

C5

C6, C7

C8, C15, C16

C9

C10, C14, C25

C11, C22

C12, C24

C13, C23

C17, C18

C19

C20

Ferroxcube公司VK200

160 pF的， 100万片电容

3 pF的， 100万片电容

3.6 pF的， 100万片电容

2.2 pF的， 100万片电容

10 pF的， 100万片电容

16 pF的， 100万片式电容器

27 pF的， 100万片式电容器

43 pF的， 100万片电容

160 pF的， 100万片式电容器

10

μF,

50 V电解电容器

1200 PF， 100万片式电容器

0.1

μF,

100万片式电容器

24 pF的， 100万片式电容器

160 pF的， 100万片电容

8.2 pF的， 100万片电容

C21

L1

N1, N2

R1

R2

R3

Z1

Z2

Z3

Z4

Z5, Z8

Z6, Z7

Z9

Z10

板

1.8 pF的， 100万片电容

47.5 NH， 5转， Coilcraft公司

N型法兰底座

500

Ω

贴片电阻（ 0805 ）

1 kΩ的片式电阻器（ 0805 ）

33千欧， 1/8 W码片电阻

0.480 “× 0.080 ”微带

1.070 “× 0.080 ”微带

0.290 “× 0.080 ”微带

0.160 “× 0.080 ”微带

0.120 “× 0.080 ”微带

0.120 “× 0.223 ”微带

1.380 “× 0.080 ”微带

0.625 “× 0.080 ”微带

特氟龙玻璃

， 31密耳

图10. 450 - 520 MHz的宽带测试电路

典型特性， 450 - 520兆赫

60

450兆赫

噘嘴，输出功率（瓦）

500兆赫

470兆赫

520兆赫

IRL ，输入回波损耗（分贝）

50

40

30

20

10

V

DD

= 12.5伏

0

1

2

3

4

5

6

P

in

，输入功率（瓦）

15

0

10

20

30

40

50

60

P

OUT

，输出功率（瓦）

V

DD

= 12.5伏

5

450兆赫

10

0

470兆赫

520兆赫

500兆赫

图11.输出功率与输入功率

图12.输入回波损耗与输出功率

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

5

飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF1535N

启10 ， 9/2006

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

设计用于frequen-宽带商业和工业应用

资本投资者入境计划，以520兆赫。这些器件的高增益和宽带性能

使它们非常适用于大型 - 信号，在共源放大器的应用

12.5伏移动调频设备。

指定的性能@ 520兆赫， 12.5伏特

输出功率 - 35瓦

功率增益 - 10.0分贝

效率 - 50 ％

能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.6伏， 520兆赫， 2分贝高速

特点

优良的热稳定性

特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数

宽带 - 整个波段全功率： 135 - 175兆赫

400 - 470兆赫

450 - 520兆赫

宽带UHF / VHF示范放大器的信息可用

致函索取

200℃有能力塑料包装

后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。

在磁带和卷轴。 T1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。

MRF1535NT1

MRF1535FNT1

520兆赫， 35 W， 12.5 V

横向N - CHANNEL

宽带

RF功率MOSFET

案例1264年至1209年，风格1

TO - 272 - 6 WRAP

塑料

MRF1535NT1

CASE 1264A - 02 ，风格1

TO - 272 - 6

塑料

MRF1535FNT1

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

栅 - 源电压

漏电流 - 连续

器件总功耗@ T

C

= 25°C

(1)

减免上述25℃

存储温度范围

工作结温

符号

V

DSS

V

GS

I

D

P

D

T

英镑

T

J

价值

- 0.5, +40

±

20

6

135

0.50

- 65 + 150

200

单位

VDC

ADC

W

W / ℃，

°C

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

R

θJC

价值

(2)

0.90

单位

° C / W

表3.湿度敏感度等级

测试方法

每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020

1.计算值根据公式P

D

=

TJ - TC

等级

1

封装峰值温度

260

单位

°C

R

θJC

2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问

平均无故障时间计算器副产品。

注 -

小心

- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并

包装MOS器件应观察。

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

表4.电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏极 - 源极击穿电压

(V

GS

= 0伏，我

D

= 100

μAdc ）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏）

门 - 源极漏电流

(V

GS

= 10 VDC ，V

DS

= 0伏）

基本特征

栅极阈值电压

(V

DS

= 12.5伏，我

D

= 400

μA)

漏极 - 源极导 - 电压

(V

GS

= 5 VDC ，我

D

= 0.6 A)

漏极 - 源极导 - 电压

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 2.0 ADC）

动态特性

输入电容（包括输入匹配电容）

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

输出电容

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

反向传输电容

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

射频特性

（飞思卡尔测试夹具）

通用 - 源放大器功率增益

(V

DD

= 12.5伏，P

OUT

= 35瓦，我

DQ

= 500 mA）的

漏EF网络效率

(V

DD

= 12.5伏，P

OUT

= 35瓦，我

DQ

= 500 mA）的

F = 520兆赫

G

ps

η

—

13.5

55

—

dB

%

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

—

250

150

20

pF

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

1

—

2.6

0.7

1

VDC

Ω

VDC

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

60

—

1

0.3

VDC

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

2

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

V

GG

+

C11

C10

R4

R3

C23

L5

C9

R2

RF

输入

N1 C1

R1

Z1

L1

Z2

Z3

L2

Z4

Z5

DUT

Z6

Z7

Z8

B1

C22

+

C21

V

DD

Z9

L3

L4

Z10

RF

产量

N2

C20

C19

C2

C3

C4

C5

C6

C7

C8

C12

C13

C14

C15

C16

C17

C18

B1

C1, C9, C20, C23

C2, C5

C3, C15

C4, C6, C19

C7

C8

C10, C21

C11, C22

C12, C13

C14

C16

C17

C18

L1

L2

L3

Ferroxcube公司＃ VK200

330 pF的， 100万片式电容器

0至20 pF的微调电容器

33 pF的， 100万片式电容器

18 pF的， 100万片式电容器

160 pF的， 100万片电容

240 pF的， 100万片电容

10

μF,

50 V电解电容器

470 pF的， 100万片式电容器

150 pF的， 100万片式电容器

110 pF的， 100万片电容

68 pF的， 100万片电容

120 pF的， 100万片电容

51 pF的， 100万片电容

17.5 NH， Coilcraft公司＃ A05T

5 NH ， Coilcraft公司＃ A02T

1打开，＃ 26 AWG ， 0.250 “ ID

L4

L5

N1, N2

R1

R2

R3

R4

Z1

Z2

Z3

Z4

Z5, Z6

Z7

Z8

Z9

Z10

板

1打开，＃ 26 AWG ， 0.240 “ ID

4打开，＃ 24 AWG ， 0.180 “ ID

N型法兰底座

6.5

Ω,

1/4 W贴片电阻

39

Ω

贴片电阻（ 0805 ）

1.2 kΩ的1/8 W贴片电阻

33 kΩ的1/4 W贴片电阻

0.970 “× 0.080 ”微带

0.380 “× 0.080 ”微带

0.190 “× 0.080 ”微带

0.160 “× 0.080 ”微带

0.110 “× 0.200 ”微带

0.490 “× 0.080 ”微带

0.250 “× 0.080 ”微带

0.320 “× 0.080 ”微带

0.240 “× 0.080 ”微带

特氟龙玻璃

， 31密耳

图1： 135 - 175 MHz的宽带测试电路

典型特性， 135 - 175兆赫

60

噘嘴，输出功率（瓦）

IRL ，输入回波损耗（分贝）

50

40

30

20

10

V

DD

= 12.5伏

0

1

2

3

4

P

in

，输入功率（瓦）

20

10

20

30

40

50

60

P

OUT

，输出功率（瓦）

155兆赫

135兆赫

175兆赫

0

5

10

155兆赫

135兆赫

175兆赫

15

V

DD

= 12.5伏

图2.输出功率与输入功率

图3.输入回波损耗与输出功率

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

3

典型特性， 135 - 175兆赫

19

V

DD

= 12.5伏

18

17

增益（dB ）

16

15

14

13

12

11

10

20

30

175兆赫

40

155兆赫

135兆赫

50

60

h

，漏极效率（％）

70

80

155兆赫

60

175兆赫

50

135兆赫

40

V

DD

= 12.5伏

30

10

20

30

40

50

60

70

80

P

OUT

，输出功率（瓦）

P

OUT

，输出功率（瓦）

图4.增益与输出功率

图5.漏极效率与输出功率

50

噘嘴，输出功率（瓦）

80

45

h

，漏极效率（％）

155兆赫

175兆赫

135兆赫

70

155兆赫

175兆赫

40

60

135兆赫

35

V

DD

= 12.5伏

P

in

= 30 dBm的

30

200

400

600

800

1000

1200

I

DQ

，偏置电流（mA）

50

V

DD

= 12.5伏

P

in

= 30 dBm的

40

200

400

600

800

1000

1200

I

DQ

，偏置电流（mA）

图6.输出功率与偏置电流

图7.漏极效率与偏置电流

70

噘嘴，输出功率（瓦）

60

h

，漏极效率（％）

50

40

30

20

10

11

12

13

I

DQ

= 250毫安

P

in

= 30 dBm的

14

15

175兆赫

155兆赫

135兆赫

80

70

135兆赫

175兆赫

60

155兆赫

50

I

DQ

= 250毫安

P

in

= 30 dBm的

40

10

11

12

13

14

15

V

DD

，电源电压（伏）

V

DD

，电源电压（伏）

图8.输出功率与电源电压

图9.漏极效率与电源电压

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

4

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

V

GG

C14

C13

C12

+

C11

R3

R2

R1

RF

输入

N1 C1

Z1

Z2

Z3

Z4

C10

DUT

Z5

Z6

Z7

Z8

C25

B1

V

DD

L1

C24

C23

+

C22

Z9

C19

Z10

N2

RF

产量

C2

C3

C4

C5

C6

C7

C8

C9

C15

C16

C17

C18

C20

C21

B1

C1

C2

C3

C4

C5

C6, C7

C8, C15, C16

C9

C10, C14, C25

C11, C22

C12, C24

C13, C23

C17, C18

C19

C20

Ferroxcube公司VK200

160 pF的， 100万片电容

3 pF的， 100万片电容

3.6 pF的， 100万片电容

2.2 pF的， 100万片电容

10 pF的， 100万片电容

16 pF的， 100万片式电容器

27 pF的， 100万片式电容器

43 pF的， 100万片电容

160 pF的， 100万片式电容器

10

μF,

50 V电解电容器

1200 PF， 100万片式电容器

0.1

μF,

100万片式电容器

24 pF的， 100万片式电容器

160 pF的， 100万片电容

8.2 pF的， 100万片电容

C21

L1

N1, N2

R1

R2

R3

Z1

Z2

Z3

Z4

Z5, Z8

Z6, Z7

Z9

Z10

板

1.8 pF的， 100万片电容

47.5 NH， 5转， Coilcraft公司

N型法兰底座

500

Ω

贴片电阻（ 0805 ）

1 kΩ的片式电阻器（ 0805 ）

33千欧， 1/8 W码片电阻

0.480 “× 0.080 ”微带

1.070 “× 0.080 ”微带

0.290 “× 0.080 ”微带

0.160 “× 0.080 ”微带

0.120 “× 0.080 ”微带

0.120 “× 0.223 ”微带

1.380 “× 0.080 ”微带

0.625 “× 0.080 ”微带

特氟龙玻璃

， 31密耳

图10. 450 - 520 MHz的宽带测试电路

典型特性， 450 - 520兆赫

60

450兆赫

噘嘴，输出功率（瓦）

500兆赫

470兆赫

520兆赫

IRL ，输入回波损耗（分贝）

50

40

30

20

10

V

DD

= 12.5伏

0

1

2

3

4

5

6

P

in

，输入功率（瓦）

15

0

10

20

30

40

50

60

P

OUT

，输出功率（瓦）

V

DD

= 12.5伏

5

450兆赫

10

0

470兆赫

520兆赫

500兆赫

图11.输出功率与输入功率

图12.输入回波损耗与输出功率

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

5

飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF1535N

启12 ， 6/2008

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET

设计用于frequen-宽带商业和工业应用

资本投资者入境计划，以520兆赫。这些器件的高增益和宽带性能

使它们非常适用于大型 - 信号，在共源放大器的应用

12.5伏移动调频设备。

指定的性能@ 520兆赫， 12.5伏特

输出功率 - 35瓦

功率增益 - 13.5分贝

效率 - 55 ％

能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.6伏， 520兆赫， 2分贝高速

特点

优良的热稳定性

特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数

Broadband-满整个波段功率： 135 - 175兆赫

400 - 470兆赫

450 - 520兆赫

200℃有能力塑料包装

后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。

在磁带和卷轴。 T1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。

MRF1535NT1

MRF1535FNT1

520兆赫， 35 W， 12.5 V

横向N - CHANNEL

宽带

RF功率MOSFET

案例1264年至1210年，风格1

TO - 272- 6 WRAP

塑料

MRF1535NT1

CASE 1264A - 03 ，风格1

TO - 272- 6

塑料

MRF1535FNT1

表1.最大额定值

等级

漏源电压

栅 - 源电压

漏电流 - 连续

器件总功耗@ T

C

= 25°C

(1)

减免上述25℃

存储温度范围

工作结温

符号

V

DSS

V

GS

I

D

P

D

T

英镑

T

J

价值

- 0.5, +40

±

20

6

135

0.50

- 65 + 150

200

单位

VDC

ADC

W

W / ℃，

°C

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

R

θJC

价值

(2)

0.90

单位

° C / W

表3.湿度敏感度等级

测试方法

每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020

1.计算值根据公式P

D

=

等级

1

封装峰值温度

260

单位

°C

TJ - TC

R

θJC

2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF

计算器按照产品。

注 -

小心

- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并

包装MOS器件应观察。

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

表4.电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏源击穿电压

(V

GS

= 0伏，我

D

= 100

μAdc ）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏）

栅源漏电流

(V

GS

= 10 VDC ，V

DS

= 0伏）

基本特征

栅极阈值电压

(V

DS

= 12.5伏，我

D

= 400

μA)

漏源开 - 电压

(V

GS

= 5 VDC ，我

D

= 0.6 A)

漏源开 - 电压

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 2.0 ADC）

动态特性

输入电容（包括输入匹配电容）

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

输出电容

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

反向传输电容

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

射频特性

（飞思卡尔测试夹具）

共源放大器功率增益

(V

DD

= 12.5伏，P

OUT

= 35瓦，我

DQ

= 500 mA）的

漏EF网络效率

(V

DD

= 12.5伏，P

OUT

= 35瓦，我

DQ

= 500 mA）的

F = 520兆赫

G

ps

η

—

13.5

55

—

dB

%

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

—

250

150

20

pF

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

1

—

2.6

0.7

1

VDC

Ω

VDC

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

60

—

1

0.3

VDC

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

2

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

V

GG

+

C11

C10

R4

R3

C23

L5

C9

R2

RF

输入

N1 C1

R1

Z1

L1

Z2

Z3

L2

Z4

Z5

DUT

Z6

Z7

Z8

B1

C22

+

C21

V

DD

Z9

L3

L4

Z10

RF

产量

N2

C20

C19

C2

C3

C4

C5

C6

C7

C8

C12

C13

C14

C15

C16

C17

C18

B1

C1, C9, C20, C23

C2, C5

C3, C15

C4, C6, C19

C7

C8

C10, C21

C11, C22

C12, C13

C14

C16

C17

C18

L1

L2

L3

Ferroxcube公司＃ VK200

330 pF的， 100万片式电容器

0至20 pF的微调电容器

33 pF的， 100万片式电容器

18 pF的， 100万片式电容器

160 pF的， 100万片电容

240 pF的， 100万片电容

10

μF,

50 V电解电容器

470 pF的， 100万片式电容器

150 pF的， 100万片式电容器

110 pF的， 100万片电容

68 pF的， 100万片电容

120 pF的， 100万片电容

51 pF的， 100万片电容

17.5 NH， Coilcraft公司＃ A05T

5 NH ， Coilcraft公司＃ A02T

1打开，＃ 26 AWG ， 0.250 “ ID

L4

L5

N1, N2

R1

R2

R3

R4

Z1

Z2

Z3

Z4

Z5, Z6

Z7

Z8

Z9

Z10

板

1打开，＃ 26 AWG ， 0.240 “ ID

4打开，＃ 24 AWG ， 0.180 “ ID

N型法兰底座

6.5

Ω,

1/4 W贴片电阻

39

Ω

贴片电阻（ 0805 ）

1.2 kΩ的1/8 W贴片电阻

33 kΩ的1/4 W贴片电阻

0.970 “× 0.080 ”微带

0.380 “× 0.080 ”微带

0.190 “× 0.080 ”微带

0.160 “× 0.080 ”微带

0.110 “× 0.200 ”微带

0.490 “× 0.080 ”微带

0.250 “× 0.080 ”微带

0.320 “× 0.080 ”微带

0.240 “× 0.080 ”微带

特氟龙玻璃

， 31密耳

图1： 135 - 175 MHz的宽带测试电路

典型特性， 135 - 175兆赫

60

噘嘴，输出功率（瓦）

50

40

30

20

10

V

DD

= 12.5伏

0

1

2

3

4

P

in

，输入功率（瓦）

20

10

20

30

40

50

60

P

OUT

，输出功率（瓦）

155兆赫

135兆赫

175兆赫

0

IRL ，输入回波损耗（分贝）

5

10

155兆赫

135兆赫

175兆赫

15

V

DD

= 12.5伏

图2.输出功率与输入功率

图3.输入回波损耗与输出功率

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

3

典型特性， 135 - 175兆赫

19

V

DD

= 12.5伏

18

h

，漏极效率（％）

17

增益（dB ）

16

15

14

13

12

11

10

20

30

175兆赫

40

155兆赫

135兆赫

50

60

70

80

155兆赫

60

175兆赫

50

135兆赫

40

V

DD

= 12.5伏

30

10

20

30

40

50

60

70

80

P

OUT

，输出功率（瓦）

P

OUT

，输出功率（瓦）

图4.增益与输出功率

图5.漏极效率与输出功率

50

噘嘴，输出功率（瓦）

80

45

h

，漏极效率（％）

155兆赫

175兆赫

135兆赫

70

155兆赫

175兆赫

40

60

135兆赫

35

V

DD

= 12.5伏

P

in

= 30 dBm的

30

200

400

600

800

1000

1200

I

DQ

，偏置电流（mA）

50

V

DD

= 12.5伏

P

in

= 30 dBm的

40

200

400

600

800

1000

1200

I

DQ

，偏置电流（mA）

图6.输出功率与偏置电流

图7.漏极效率与偏置电流

70

噘嘴，输出功率（瓦）

60

h

，漏极效率（％）

50

40

30

20

10

11

12

13

V

DD

，电源电压（伏）

I

DQ

= 250毫安

P

in

= 30 dBm的

14

15

175兆赫

155兆赫

135兆赫

80

70

135兆赫

175兆赫

60

155兆赫

50

I

DQ

= 250毫安

P

in

= 30 dBm的

40

10

11

12

13

14

15

V

DD

，电源电压（伏）

图8.输出功率与电源电压

图9.漏极效率与电源电压

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

4

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

V

GG

C14

C13

C12

+

C11

R3

R2

R1

RF

输入

N1 C1

Z1

Z2

Z3

Z4

C10

DUT

Z5

Z6

Z7

Z8

C25

B1

V

DD

L1

C24

C23

+

C22

Z9

C19

Z10

N2

RF

产量

C2

C3

C4

C5

C6

C7

C8

C9

C15

C16

C17

C18

C20

C21

B1

C1

C2

C3

C4

C5

C6, C7

C8, C15, C16

C9

C10, C14, C25

C11, C22

C12, C24

C13, C23

C17, C18

C19

C20

Ferroxcube公司VK200

160 pF的， 100万片电容

3 pF的， 100万片电容

3.6 pF的， 100万片电容

2.2 pF的， 100万片电容

10 pF的， 100万片电容

16 pF的， 100万片式电容器

27 pF的， 100万片式电容器

43 pF的， 100万片电容

160 pF的， 100万片式电容器

10

μF,

50 V电解电容器

1200 PF， 100万片式电容器

0.1

μF,

100万片式电容器

24 pF的， 100万片式电容器

160 pF的， 100万片电容

8.2 pF的， 100万片电容

C21

L1

N1, N2

R1

R2

R3

Z1

Z2

Z3

Z4

Z5, Z8

Z6, Z7

Z9

Z10

板

1.8 pF的， 100万片电容

47.5 NH， 5转， Coilcraft公司

N型法兰底座

500

Ω

贴片电阻（ 0805 ）

1 kΩ的片式电阻器（ 0805 ）

33千欧， 1/8 W码片电阻

0.480 “× 0.080 ”微带

1.070 “× 0.080 ”微带

0.290 “× 0.080 ”微带

0.160 “× 0.080 ”微带

0.120 “× 0.080 ”微带

0.120 “× 0.223 ”微带

1.380 “× 0.080 ”微带

0.625 “× 0.080 ”微带

特氟龙玻璃

， 31密耳

图10. 450 - 520 MHz的宽带测试电路

典型特性， 450 - 520兆赫

60

450兆赫

噘嘴，输出功率（瓦）

500兆赫

470兆赫

520兆赫

IRL ，输入回波损耗（分贝）

50

40

30

20

10

V

DD

= 12.5伏

0

1

2

3

4

5

6

P

in

，输入功率（瓦）

15

0

10

20

30

40

50

60

P

OUT

，输出功率（瓦）

V

DD

= 12.5伏

5

450兆赫

10

0

470兆赫

520兆赫

500兆赫

图11.输出功率与输入功率

图12.输入回波损耗与输出功率

MRF1535NT1 MRF1535FNT1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

5

飞思卡尔半导体公司

技术参数

MRF1535T1

牧师6 ， 1/2005

射频功率场效应晶体管

N沟道增强模式横向的MOSFET

设计用于frequen-宽带商业和工业应用

资本投资者入境计划，以520兆赫。这些器件的高增益和宽带性能

使它们非常适用于大信号，在共源放大器的应用

12.5伏移动调频设备。

指定的性能@ 520兆赫， 12.5伏特

输出功率 - 35瓦

功率增益 - 10.0分贝

效率 - 50 ％

能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.6伏， 520兆赫， 2分贝高速

优良的热稳定性

特点等效串联阻抗大信号阻抗参数

宽带全面在整个频段功率： 135-175兆赫

400-470兆赫

450-520兆赫

宽带UHF / VHF示范放大器的信息可用

致函索取

后缀表示无铅端接

在磁带和卷轴。 T1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。

MRF1535NT1

MRF1535FNT1

MRF1535T1

MRF1535FT1

520兆赫， 35 W， 12.5 V

横向N沟道

宽带

RF功率MOSFET

CASE 1264至1209年，风格1

TO272

塑料

MRF1535T1(NT1)

表1.最大额定值

等级

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

器件总功耗@ T

C

= 25°C

(1)

减免上述25℃

存储温度范围

工作结温

符号

V

DSS

V

GS

I

D

P

D

T

英镑

T

J

CASE 1264A -02 ，风格1

TO- 272直接领

塑料

MRF1535FT1(FNT1)

价值

0.5,

+40

±

20

6

135

0.50

65

+150

175

单位

VDC

ADC

W

W / ℃，

°C

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

R

θJC

价值

0.90

单位

° C / W

表3.湿度敏感度等级

测试方法

每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J- STD- 020

1.计算值根据公式P

D

=

TJ - TC

R

θJC

等级

1

封装峰值温度

260

单位

°C

记

小心

MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并

包装MOS器件应观察。

MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1

1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

表4.电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏源击穿电压

(V

GS

= 0伏，我

D

= 100

μAdc ）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏）

门源漏电流

(V

GS

= 10 VDC ，V

DS

= 0伏）

基本特征

栅极阈值电压

(V

DS

= 12.5伏，我

D

= 400

A)

漏源电压

(V

GS

= 5 VDC ，我

D

= 0.6 A)

漏源电压

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 2.0 ADC）

动态特性

输入电容（包括输入匹配电容）

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

输出电容

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

反向传输电容

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

射频特性

（飞思卡尔测试夹具）

共源放大器功率增益

(V

DD

= 12.5伏，P

OUT

= 35瓦，我

DQ

= 500 mA）的

漏EF网络效率

(V

DD

= 12.5伏，P

OUT

= 35瓦，我

DQ

= 500 mA）的

F = 520兆赫

G

ps

η

Ψ

dB

10

50

—

%

—

在输出功率不降低

试验前后

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

—

250

150

20

pF

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

1

—

2.6

0.7

1

VDC

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

60

—

1

0.3

VDC

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

负载不匹配

(V

DD

= 15.6伏， F = 520兆赫，2个dB输入过载，电压驻波比20 ： 1 ，在

所有相位角）

MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1

2

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

V

GG

C11

+

C10

R4

R3

C23

L5

C9

B1

C22

+

C21

V

DD

RF

输入

N1 C1

R2

R1

Z1

C2

C3

L1

C4

Z2

Z3

C5

L2

C6

C7

Z4

Z5

DUT

Z6

C12

Z7

C13

C14

Z8

C15

Z9

C16

L3

C17

L4

C18

Z10

RF

产量

N2

C20

C19

C8

B1

C1, C9, C20, C23

C2, C5

C3, C15

C4, C6, C19

C7

C8

C10, C21

C11, C22

C12, C13

C14

C16

C17

C18

L1

L2

L3

Ferroxcube公司＃ VK200

330 pF的， 100万片式电容器

0至20 pF的微调电容器

33 pF的， 100万片式电容器

18 pF的， 100万片式电容器

160 pF的， 100万片电容

240 pF的， 100万片电容

10

F,

50 V电解电容器

470 pF的， 100万片式电容器

150 pF的， 100万片式电容器

110 pF的， 100万片电容

68 pF的， 100万片电容

120 pF的， 100万片电容

51 pF的， 100万片电容

17.5 NH， Coilcraft公司＃ A05T

5 NH ， Coilcraft公司＃ A02T

1打开，＃ 26 AWG ， 0.250 “ ID

L4

L5

N1, N2

R1

R2

R3

R4

Z1

Z2

Z3

Z4

Z5, Z6

Z7

Z8

Z9

Z10

板

1打开，＃ 26 AWG ， 0.240 “ ID

4打开，＃ 24 AWG ， 0.180 “ ID

N型法兰底座

6.5

,

1/4 W贴片电阻

39

贴片电阻（ 0805 ）

1.2 kΩ的1/8 W贴片电阻

33 kΩ的1/4 W贴片电阻

0.970 “× 0.080 ”微带

0.380 “× 0.080 ”微带

0.190 “× 0.080 ”微带

0.160 “× 0.080 ”微带

0.110 “× 0.200 ”微带

0.490 “× 0.080 ”微带

0.250 “× 0.080 ”微带

0.320 “× 0.080 ”微带

0.240 “× 0.080 ”微带

特氟龙玻璃

， 31密耳

图1： 135

175 MHz的宽带测试电路

典型特征， 135

175兆赫

60

噘嘴，输出功率（瓦）

IRL ，输入回波损耗（分贝）

50

40

30

20

10

V

DD

= 12.5伏

0

1

2

3

4

-20

10

20

30

40

155兆赫

135兆赫

175兆赫

0

-5

-10

155兆赫

135兆赫

175兆赫

-15

V

DD

= 12.5伏

50

60

P

in

，输入功率（瓦）

P

OUT

，输出功率（瓦）

图2.输出功率与输入功率

图3.输入回波损耗与输出功率

MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

3

典型特征， 135

175兆赫

19

18

17

增益（dB ）

16

15

14

13

12

11

10

20

30

155兆赫

175兆赫

40

135兆赫

50

60

V

DD

= 12.5伏

h

，漏极效率（％）

80

155兆赫

70

60

50

40

V

DD

= 12.5伏

30

10

20

30

40

50

60

70

80

175兆赫

135兆赫

P

OUT

，输出功率（瓦）

P

OUT

，输出功率（瓦）

图4.增益与输出功率

图5.漏极效率与输出功率

50

噘嘴，输出功率（瓦）

80

155兆赫

175兆赫

60

135兆赫

155兆赫

175兆赫

135兆赫

40

35

V

DD

= 12.5伏

P

in

= 30 dBm的

30

200

400

600

800

1000

1200

h

，漏极效率（％）

45

70

50

V

DD

= 12.5伏

P

in

= 30 dBm的

200

400

600

800

1000

1200

40

I

DQ

，偏置电流（mA）

I

DQ

，偏置电流（mA）

图6.输出功率与偏置电流

图7.漏极效率与偏置电流

70

噘嘴，输出功率（瓦）

60

50

40

30

20

10

175兆赫

155兆赫

135兆赫

h

，漏极效率（％）

80

135兆赫

175兆赫

60

155兆赫

70

50

I

DQ

= 250毫安

P

in

= 30 dBm的

10

11

12

13

14

15

I

DQ

= 250毫安

P

in

= 30 dBm的

10

11

12

13

14

15

40

V

DD

，电源电压（伏）

V

DD

，电源电压（伏）

图8.输出功率与电源电压

图9.漏极效率与电源电压

MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1

4

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

V

GG

C14

C13

C12

+

C11

R3

R2

R1

RF

输入

N1 C1

Z1

C2

C3

Z2

C4

Z3

C5

Z4

C6

C7

C10

DUT

Z5

C8

Z6

C9

Z7

C15

C16

Z8

C17

C25

B1

V

DD

L1

C24

C23

+

C22

Z9

C18

C19

C20

Z10

C21

N2

RF

产量

B1

C1

C2

C3

C4

C5

C6, C7

C8, C15, C16

C9

C10, C14, C25

C11, C22

C12, C24

C13, C23

C17, C18

C19

C20

Ferroxcube公司VK200

160 pF的， 100万片电容

3 pF的， 100万片电容

3.6 pF的， 100万片电容

2.2 pF的， 100万片电容

10 pF的， 100万片电容

16 pF的， 100万片式电容器

27 pF的， 100万片式电容器

43 pF的， 100万片电容

160 pF的， 100万片式电容器

10

F,

50 V电解电容器

1200 PF， 100万片式电容器

0.1

F,

100万片式电容器

24 pF的， 100万片式电容器

160 pF的， 100万片电容

8.2 pF的， 100万片电容

C21

L1

N1, N2

R1

R2

R3

Z1

Z2

Z3

Z4

Z5, Z8

Z6, Z7

Z9

Z10

板

1.8 pF的， 100万片电容

47.5 NH， 5转， Coilcraft公司

N型法兰底座

500

贴片电阻（ 0805 ）

1 kΩ的片式电阻器（ 0805 ）

33千欧， 1/8 W码片电阻

0.480 “× 0.080 ”微带

1.070 “× 0.080 ”微带

0.290 “× 0.080 ”微带

0.160 “× 0.080 ”微带

0.120 “× 0.080 ”微带

0.120 “× 0.223 ”微带

1.380 “× 0.080 ”微带

0.625 “× 0.080 ”微带

特氟龙玻璃

， 31密耳

图10. 450

520 MHz的宽带测试电路

典型特征， 450

520兆赫

60

噘嘴，输出功率（瓦）

50

40

30

20

10

0

V

DD

= 12.5伏

0

1

2

3

4

5

6

-15

0

10

20

30

450兆赫

500兆赫

470兆赫

520兆赫

IRL ，输入回波损耗（分贝）

0

V

DD

= 12.5伏

-5

450兆赫

-10

470兆赫

520兆赫

500兆赫

40

50

60

P

in

，输入功率（瓦）

P

OUT

，输出功率（瓦）

图11.输出功率与输入功率

图12.输入回波损耗与输出功率

MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

5

飞思卡尔半导体公司

技术参数

MRF1535T1

牧师6 ， 1/2005

射频功率场效应晶体管

N沟道增强模式横向的MOSFET

设计用于frequen-宽带商业和工业应用

资本投资者入境计划，以520兆赫。这些器件的高增益和宽带性能

使它们非常适用于大信号，在共源放大器的应用

12.5伏移动调频设备。

指定的性能@ 520兆赫， 12.5伏特

输出功率 - 35瓦

功率增益 - 10.0分贝

效率 - 50 ％

能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.6伏， 520兆赫， 2分贝高速

优良的热稳定性

特点等效串联阻抗大信号阻抗参数

宽带全面在整个频段功率： 135-175兆赫

400-470兆赫

450-520兆赫

宽带UHF / VHF示范放大器的信息可用

致函索取

后缀表示无铅端接

在磁带和卷轴。 T1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。

MRF1535NT1

MRF1535FNT1

MRF1535T1

MRF1535FT1

520兆赫， 35 W， 12.5 V

横向N沟道

宽带

RF功率MOSFET

CASE 1264至1209年，风格1

TO272

塑料

MRF1535T1(NT1)

表1.最大额定值

等级

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

器件总功耗@ T

C

= 25°C

(1)

减免上述25℃

存储温度范围

工作结温

符号

V

DSS

V

GS

I

D

P

D

T

英镑

T

J

CASE 1264A -02 ，风格1

TO- 272直接领

塑料

MRF1535FT1(FNT1)

价值

0.5,

+40

±

20

6

135

0.50

65

+150

175

单位

VDC

ADC

W

W / ℃，

°C

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

R

θJC

价值

0.90

单位

° C / W

表3.湿度敏感度等级

测试方法

每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J- STD- 020

1.计算值根据公式P

D

=

TJ - TC

R

θJC

等级

1

封装峰值温度

260

单位

°C

记

小心

MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并

包装MOS器件应观察。

MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1

1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

表4.电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

漏源击穿电压

(V

GS

= 0伏，我

D

= 100

μAdc ）

零栅极电压漏极电流

(V

DS

= 60 VDC ，V

GS

= 0伏）

门源漏电流

(V

GS

= 10 VDC ，V

DS

= 0伏）

基本特征

栅极阈值电压

(V

DS

= 12.5伏，我

D

= 400

A)

漏源电压

(V

GS

= 5 VDC ，我

D

= 0.6 A)

漏源电压

(V

GS

= 10 VDC ，我

D

= 2.0 ADC）

动态特性

输入电容（包括输入匹配电容）

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

输出电容

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

反向传输电容

(V

DS

= 12.5伏，V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫）

射频特性

（飞思卡尔测试夹具）

共源放大器功率增益

(V

DD

= 12.5伏，P

OUT

= 35瓦，我

DQ

= 500 mA）的

漏EF网络效率

(V

DD

= 12.5伏，P

OUT

= 35瓦，我

DQ

= 500 mA）的

F = 520兆赫

G

ps

η

Ψ

dB

10

50

—

%

—

在输出功率不降低

试验前后

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

—

250

150

20

pF

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

V

DS （ ON）

1

—

2.6

0.7

1

VDC

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

60

—

1

0.3

VDC

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

负载不匹配

(V

DD

= 15.6伏， F = 520兆赫，2个dB输入过载，电压驻波比20 ： 1 ，在

所有相位角）

MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1

2

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

V

GG

C11

+

C10

R4

R3

C23

L5

C9

B1

C22

+

C21

V

DD

RF

输入

N1 C1

R2

R1

Z1

C2

C3

L1

C4

Z2

Z3

C5

L2

C6

C7

Z4

Z5

DUT

Z6

C12

Z7

C13

C14

Z8

C15

Z9

C16

L3

C17

L4

C18

Z10

RF

产量

N2

C20

C19

C8

B1

C1, C9, C20, C23

C2, C5

C3, C15

C4, C6, C19

C7

C8

C10, C21

C11, C22

C12, C13

C14

C16

C17

C18

L1

L2

L3

Ferroxcube公司＃ VK200

330 pF的， 100万片式电容器

0至20 pF的微调电容器

33 pF的， 100万片式电容器

18 pF的， 100万片式电容器

160 pF的， 100万片电容

240 pF的， 100万片电容

10

F,

50 V电解电容器

470 pF的， 100万片式电容器

150 pF的， 100万片式电容器

110 pF的， 100万片电容

68 pF的， 100万片电容

120 pF的， 100万片电容

51 pF的， 100万片电容

17.5 NH， Coilcraft公司＃ A05T

5 NH ， Coilcraft公司＃ A02T

1打开，＃ 26 AWG ， 0.250 “ ID

L4

L5

N1, N2

R1

R2

R3

R4

Z1

Z2

Z3

Z4

Z5, Z6

Z7

Z8

Z9

Z10

板

1打开，＃ 26 AWG ， 0.240 “ ID

4打开，＃ 24 AWG ， 0.180 “ ID

N型法兰底座

6.5

,

1/4 W贴片电阻

39

贴片电阻（ 0805 ）

1.2 kΩ的1/8 W贴片电阻

33 kΩ的1/4 W贴片电阻

0.970 “× 0.080 ”微带

0.380 “× 0.080 ”微带

0.190 “× 0.080 ”微带

0.160 “× 0.080 ”微带

0.110 “× 0.200 ”微带

0.490 “× 0.080 ”微带

0.250 “× 0.080 ”微带

0.320 “× 0.080 ”微带

0.240 “× 0.080 ”微带

特氟龙玻璃

， 31密耳

图1： 135

175 MHz的宽带测试电路

典型特征， 135

175兆赫

60

噘嘴，输出功率（瓦）

IRL ，输入回波损耗（分贝）

50

40

30

20

10

V

DD

= 12.5伏

0

1

2

3

4

-20

10

20

30

40

155兆赫

135兆赫

175兆赫

0

-5

-10

155兆赫

135兆赫

175兆赫

-15

V

DD

= 12.5伏

50

60

P

in

，输入功率（瓦）

P

OUT

，输出功率（瓦）

图2.输出功率与输入功率

图3.输入回波损耗与输出功率

MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

3

典型特征， 135

175兆赫

19

18

17

增益（dB ）

16

15

14

13

12

11

10

20

30

155兆赫

175兆赫

40

135兆赫

50

60

V

DD

= 12.5伏

h

，漏极效率（％）

80

155兆赫

70

60

50

40

V

DD

= 12.5伏

30

10

20

30

40

50

60

70

80

175兆赫

135兆赫

P

OUT

，输出功率（瓦）

P

OUT

，输出功率（瓦）

图4.增益与输出功率

图5.漏极效率与输出功率

50

噘嘴，输出功率（瓦）

80

155兆赫

175兆赫

60

135兆赫

155兆赫

175兆赫

135兆赫

40

35

V

DD

= 12.5伏

P

in

= 30 dBm的

30

200

400

600

800

1000

1200

h

，漏极效率（％）

45

70

50

V

DD

= 12.5伏

P

in

= 30 dBm的

200

400

600

800

1000

1200

40

I

DQ

，偏置电流（mA）

I

DQ

，偏置电流（mA）

图6.输出功率与偏置电流

图7.漏极效率与偏置电流

70

噘嘴，输出功率（瓦）

60

50

40

30

20

10

175兆赫

155兆赫

135兆赫

h

，漏极效率（％）

80

135兆赫

175兆赫

60

155兆赫

70

50

I

DQ

= 250毫安

P

in

= 30 dBm的

10

11

12

13

14

15

I

DQ

= 250毫安

P

in

= 30 dBm的

10

11

12

13

14

15

40

V

DD

，电源电压（伏）

V

DD

，电源电压（伏）

图8.输出功率与电源电压

图9.漏极效率与电源电压

MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1

4

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

V

GG

C14

C13

C12

+

C11

R3

R2

R1

RF

输入

N1 C1

Z1

C2

C3

Z2

C4

Z3

C5

Z4

C6

C7

C10

DUT

Z5

C8

Z6

C9

Z7

C15

C16

Z8

C17

C25

B1

V

DD

L1

C24

C23

+

C22

Z9

C18

C19

C20

Z10

C21

N2

RF

产量

B1

C1

C2

C3

C4

C5

C6, C7

C8, C15, C16

C9

C10, C14, C25

C11, C22

C12, C24

C13, C23

C17, C18

C19

C20

Ferroxcube公司VK200

160 pF的， 100万片电容

3 pF的， 100万片电容

3.6 pF的， 100万片电容

2.2 pF的， 100万片电容

10 pF的， 100万片电容

16 pF的， 100万片式电容器

27 pF的， 100万片式电容器

43 pF的， 100万片电容

160 pF的， 100万片式电容器

10

F,

50 V电解电容器

1200 PF， 100万片式电容器

0.1

F,

100万片式电容器

24 pF的， 100万片式电容器

160 pF的， 100万片电容

8.2 pF的， 100万片电容

C21

L1

N1, N2

R1

R2

R3

Z1

Z2

Z3

Z4

Z5, Z8

Z6, Z7

Z9

Z10

板

1.8 pF的， 100万片电容

47.5 NH， 5转， Coilcraft公司

N型法兰底座

500

贴片电阻（ 0805 ）

1 kΩ的片式电阻器（ 0805 ）

33千欧， 1/8 W码片电阻

0.480 “× 0.080 ”微带

1.070 “× 0.080 ”微带

0.290 “× 0.080 ”微带

0.160 “× 0.080 ”微带

0.120 “× 0.080 ”微带

0.120 “× 0.223 ”微带

1.380 “× 0.080 ”微带

0.625 “× 0.080 ”微带

特氟龙玻璃

， 31密耳

图10. 450

520 MHz的宽带测试电路

典型特征， 450

520兆赫

60

噘嘴，输出功率（瓦）

50

40

30

20

10

0

V

DD

= 12.5伏

0

1

2

3

4

5

6

-15

0

10

20

30

450兆赫

500兆赫

470兆赫

520兆赫

IRL ，输入回波损耗（分贝）

0

V

DD

= 12.5伏

-5

450兆赫

-10

470兆赫

520兆赫

500兆赫

40

50

60

P

in

，输入功率（瓦）

P

OUT

，输出功率（瓦）

图11.输出功率与输入功率

图12.输入回波损耗与输出功率

MRF1535NT1 MRF1535FNT1 MRF1535T1 MRF1535FT1

RF设备数据

飞思卡尔半导体公司

5