飞思卡尔半导体公司
‘
技术参数
文档编号： MRF1518N
启10 ， 6/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
资本投资者入境计划，以520兆赫。该装置的高增益和宽带性能
使其非常适用于大信号，在12.5伏的共源放大器的应用
移动调频设备。
D
指定的性能@ 520兆赫， 12.5伏特
输出功率 - 8瓦
功率增益 - 13分贝
效率 - 60 ％
能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.5伏，
520兆赫， 2分贝高速
特点
优良的热稳定性
G
特点等效串联阻抗大 - 信号
阻抗参数
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
S
在磁带和卷轴。 T1每12毫米后缀= 1000单位，
7英寸卷轴。
MRF1518NT1
520兆赫， 8 W， 12.5 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD - 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
(1)
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +40
±
20
4
62.5
0.50
- 65 + 150
150
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(2)
2
单位
° C / W
表3.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
1.计算值根据公式P
D
=
TJ - TC
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
R
θJC
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF1518NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
B1
V
GG
+
C8
C7
C6
C5
L1
R1
N1
RF
输入
L2
C1
C2
C3
C4
C9
C10
Z1
Z2
Z3
Z4
DUT
Z5
Z6
Z7
C12
B2
C13
C14
+
C15
V
DD
Z8
C11
N2
RF
产量
B1, B2
C1, C9
C2
C3, C4
C5
C6, C13
C7, C14
C8
C10
C11, C12
C15
L1, L2
龙铁氧体磁珠，公平礼产品
12 pF的， 100万片式电容器
6.8 pF的， 100万片电容
20 pF的， 100万片式电容器
51 pF的， 100万片电容
1000 PF， 100万片式电容器
0.039
μF,
100万片式电容器
1
μF,
20 V钽贴片电容器
3 pF的， 100万片电容
51 pF的， 100万片式电容器
22
μF,
35 V钽贴片电容器
18.5 NH， 5转， Coilcraft公司
N1, N2
R1
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
板
N型法兰底座
47
Ω
贴片电阻（ 0805 ）
1.145 “× 0.080 ”微带
0.786 “× 0.080 ”微带
0.115 “× 0.223 ”微带
0.145 “× 0.223 ”微带
0.260 “× 0.223 ”微带
0.081 “× 0.080 ”微带
0.104 “× 0.080 ”微带
1.759 “× 0.080 ”微带
特氟龙玻璃
， 31密耳， 2盎司铜
图10. 820 - 850 MHz的宽带测试电路
典型特性， 820 - 850兆赫
12
噘嘴，输出功率（瓦）
IRL ，输入回波损耗（分贝）
10
8
6
4
2
V
DD
= 12.5伏
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
P
in
，输入功率（瓦）
0.5
0.6
40
1
2
3
5
6
7
8
9
P
OUT
，输出功率（瓦）
4
10
11
12
840兆赫
830兆赫
820兆赫
850兆赫
0
V
DD
= 12.5伏
10
850兆赫
840兆赫
820兆赫
20
30
830兆赫
图11.输出功率与输入功率
图12.输入回波损耗
与输出功率
MRF1518NT1
RF设备数据
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