飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF1517N
牧师6 ， 6/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
设计用于在frequen-宽带商业和工业应用
资本投资者入境计划，以520兆赫。该装置的高增益和宽带性能
使其非常适用于大信号，在7.5伏的共源放大器的应用
便携式调频设备。
D
指定的性能@ 520兆赫， 7.5伏
输出功率 - 8瓦
功率增益 - 14分贝
效率 - 70 ％
能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 9.5伏直流电，
520兆赫， 2分贝高速
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号
G
阻抗参数
优良的热稳定性
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
S
在磁带和卷轴。 T1每12毫米后缀= 1000单位，
7英寸卷轴。
MRF1517NT1
520兆赫， 8 W， 7.5 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD - 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
(1)
栅 - 源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
(2)
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +25
±
20
4
62.5
0.50
- 65 + 150
150
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(3)
2
单位
° C / W
表3.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
1.不是为12.5伏的应用。
T
T
2.计算值根据公式P
D
= j的 - C
R
θJC
3. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF1517NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
C8
C7
+
C6
R3
B1
R2
C17
B2
+
C16
C15
C14
V
DD
L1
C5
R1
Z5
N1
RF
输入
C1
C2
C3
C4
DUT
Z1
Z2
Z3
Z4
C10
C9
C11
C12
Z6
Z7
Z8
Z9
C13
N2
RF
产量
B1, B2
C1, C13
C2, C3, C4, C10,
C11, C12
C5, C17
C6, C14
C7, C15
C8, C16
C9
L1
N1, N2
短铁氧体磁珠，公平礼产品
(2743021446)
300 pF的， 100万片式电容器
0至20 pF的，微调电容器
130 pF的， 100万片式电容器
10
μF,
50 V电解电容器
0.1
μF,
100万片式电容器
1000 PF， 100万片式电容器
33 pF的， 100万片电容
55.5 NH， 5转， Coilcraft公司
N型法兰底座
R1
R2
R3
Z1
Z2
Z3
Z4, Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
板
12
Ω,
0805贴片电阻
1.0千欧， 1/8 W电阻
33千欧， 1/2 W电阻
0.617 “× 0.080 ”微带
0.723 “× 0.080 ”微带
0.513 “× 0.080 ”微带
0.260 “× 0.223 ”微带
0.048 “× 0.080 ”微带
0.577 “× 0.080 ”微带
1.135 “× 0.080 ”微带
0.076 “× 0.080 ”微带
特氟龙玻璃
， 31密耳， 2盎司铜
图10. 400 - 440 MHz的宽带测试电路
典型特性， 400 - 440兆赫
10
9
噘嘴，输出功率（瓦）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
P
in
，输入功率（瓦）
0.4
0.5
V
DD
= 7.5伏
25
1
2
3
4
5
6
7
P
OUT
，输出功率（瓦）
8
9
10
420兆赫
440兆赫
400兆赫
IRL ，输入回波损耗（分贝）
5
400兆赫
420兆赫
15
440兆赫
0
10
20
V
DD
= 7.5伏
图11.输出功率与输入功率
图12.输入回波损耗与输出功率
MRF1517NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF1517N
启5 ， 9/2006
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
设计用于在frequen-宽带商业和工业应用
资本投资者入境计划，以520兆赫。该装置的高增益和宽带性能
使其非常适用于大信号，在7.5伏的共源放大器的应用
便携式调频设备。
D
指定的性能@ 520兆赫， 7.5伏
输出功率 - 8瓦
功率增益 - 11分贝
效率 - 55 ％
能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 9.5伏直流电，
520兆赫， 2分贝高速
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号
G
阻抗参数
优良的热稳定性
宽带UHF / VHF示范放大器
S
信息面议
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
可在磁带和卷轴。
T1后缀= 1000单位每12mm时， 7英寸卷轴。
MRF1517NT1
520兆赫， 8 W， 7.5 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD - 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
(1)
栅 - 源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
(2)
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +25
±
20
4
62.5
0.50
- 65 + 150
150
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(3)
2
单位
° C / W
表3.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
1.不是为12.5伏的应用。
T
T
2.计算值根据公式P
D
= j的 - C
R
θJC
3. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF1517NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
C8
C7
+
C6
R3
B1
R2
C17
B2
+
C16
C15
C14
V
DD
L1
C5
R1
Z5
N1
RF
输入
C1
C2
C3
C4
DUT
Z1
Z2
Z3
Z4
C10
C9
C11
C12
Z6
Z7
Z8
Z9
C13
N2
RF
产量
B1, B2
C1, C13
C2, C3, C4, C10,
C11, C12
C5, C17
C6, C14
C7, C15
C8, C16
C9
L1
N1, N2
短铁氧体磁珠，公平礼产品
(2743021446)
300 pF的， 100万片电容
0至20 pF的，微调电容器
130 pF的， 100万片电容
10
μF,
50 V电解电容
0.1
μF,
100万片电容
1000 PF， 100万片电容
33 pF的， 100万片电容
55.5 NH， 5转， Coilcraft公司
N型法兰安装
R1
R2
R3
Z1
Z2
Z3
Z4, Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
板
12
Ω,
0805贴片电阻
1.0千欧， 1/8 W电阻
33千欧， 1/2 W电阻
0.617 “× 0.080 ”微带
0.723 “× 0.080 ”微带
0.513 “× 0.080 ”微带
0.260 “× 0.223 ”微带
0.048 “× 0.080 ”微带
0.577 “× 0.080 ”微带
1.135 “× 0.080 ”微带
0.076 “× 0.080 ”微带
特氟龙玻璃
， 31密耳， 2盎司铜
图10. 400 - 440 MHz的宽带测试电路
典型特性， 400 - 440兆赫
10
9
噘嘴，输出功率（瓦）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
P
in
，输入功率（瓦）
0.4
0.5
V
DD
= 7.5伏
25
1
2
3
4
5
6
7
P
OUT
，输出功率（瓦）
8
9
10
420兆赫
440兆赫
400兆赫
IRL ，输入回波损耗（分贝）
5
400兆赫
420兆赫
15
440兆赫
0
10
20
V
DD
= 7.5伏
图11.输出功率与输入功率
图12.输入回波损耗与输出功率
MRF1517NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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